电源管理
描述
该SC480是一个组合开关稳压器和
线性源/汇稳压器用于DDR1 / 2/3
内存系统。开关调节器的目的
是产生的供给电压， VDDQ，用于存储器
系统。这是一个伪科幻固定的频率恒定导通
时间控制器专为高英法fi效率，卓越的DC
准确性和快速的瞬态响应。的目的
线性源/汇稳压器来产生记忆
终止电压， VTT ，具有采购能力，
沉3A的峰值电流。
为VDDQ调节器，开关频率是恒定
直至在负载或线路电压的步骤发生在该时间
脉冲密度，即，频率，会增加或减小，以
计数器的输出或输入电压瞬态变化。
瞬态之后，频率将返回到稳定状态的
操作。在轻负载时，可选择的省电
模式允许PWM转换器，以减少它的开关
频率，提高外汇基金fi效率。集成门
司机配备了自适应贯通保护和
软开关。其他功能包括逐周期
限流，数字软启动，过压和欠压
电压保护和电源良好
股份公司。
为VTT调节器，其输出电压跟踪REF时，
which is ½ VDDQ to provide an accurate termination
电压。 VTT输出从1.2V到VDDQ产生的
由线性源/汇稳压器，设计输入
高直流精度，快速瞬态响应和低
外部元件数量。所有三个输出（ VDDQ ， VTT
和REF ）都在积极出院时VDDQ被禁用，
减少了外部元件数量和成本。该SC480
采用24引脚MLPQ （ 4×4毫米）封装。
完整的DDR1 / 2/3
显存供电
特点
恒定导通时间控制器，用于快速动态
反应在VDDQ
DDR1 / DDR2 / DDR3兼容
VDDQ =固定1.8V或2.5V ，或可调
1.5V至3.0V
1％的内部基准电压（ 2％的系统精度）
电阻可编程导通时间为VDDQ
VCCA / VDDP范围从4.5V至5.5V
VIN范围从2.5V至25V
VDDQ直流电流检测用低侧R
DS （ ON）
传感或外置R
SENSE
在同系列低端
FET
逐周期电流限制为VDDQ
数字软启动的VDDQ
模拟软启动VTT / REF
智能过电压VDDQ保护，防止源 -
电流负载
联合EN和PSAVE引脚为VDDQ
过压/欠压故障保护
电源良好输出
独立VCCA和VDDP用品
VTT / REF范围= 0.75V - 1.5V
VTT源出/吸入3A峰值
内部电阻分压器的VTT / REF
VTT为高阻抗的S3
VDDQ ， VTT ，楼盘正在积极排出S4 / S5
24引脚MLPQ （ 4×4毫米）无铅封装
完全WEEE和RoHS标准
SC480
应用
笔记本电脑
CPU的I / O电源
手持终端和掌上电脑
液晶显示器
网络电源
C2
0.1uF
Q1
20
典型应用电路
5V
D1
VDDQ
22
24
23
21
19
VBAT
C3
2x10uF
VTT
VBAT
C4
10uF
C5
10uF
C1
1uF
1
R1
1Meg
VTTSNS
2
3
4
C7
1nF
R6
10R
REF
C9
1uF
C10
1uF
5
6
VDDQ
L1
Q2
18
17
16
15
14
13
PAD
R4
R7
10R
5V
PGOOD
RILIM
C6
+
LX
VTT
BST
PGND2
VTTS
VSSA
吨
REF
VTTIN
DH
PGND1
U1
PGND1
ILIM
VDDP
VDDP
SC480
VDDQS
VCCA
NC
VTTEN
EN / PSV
DL
PGD
NC
12
FB
PAD
10
11
7
8
9
VDDQ
C8
0.1uF
EN / PSV
VTT_EN
C11
1uF
2006年11月3日
1
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SC480
电源管理
电源管理
绝对最大额定值
超过下面的特定网络连接的阳离子可能导致对设备或设备故障造成永久性损坏。在参数特定网络版之外的操作
电气特性部分，是不是暗示。长期在绝对最大额定条件下的时间过长可能会影响器件的可靠性。
参数
TON到VSSA
DH ， BST到PGND1
BST ，卫生署LX
LX至PGND1
DL ， ILIM ， VDDP为PGND1
VDDP为DL
VTTIN到PGND2 ; VTT至PGND2 ; VTTIN到VTT
EN / PSV ， FB ， PGD ，楼盘， VCCA ， VDDQS ， VTTEN ， VTTS到VSSA
VCCA为EN / PSV ， FB ，楼盘， VDDQS ， VTT ， VTTEN ， VTTIN ， VTTS
PGND1至PGND2 ; PGND1到VSSA ; PGND2到VSSA
热阻结到环境
(1)
工作结温范围
存储温度范围
峰值IR再溢流温度， 10秒 - 40秒
ESD保护等级
(2)
符号
最大
-0.3 25.0
-0.3 31.0
-0.3到+6.0
-2.0至25.0
-0.3到+6.0
-0.3到+6.0
-0.3到+6.0
-0.3到+6.0
-0.3到+6.0
-0.3到+0.3
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
° C / W
°C
°C
°C
kV
θ
JA
T
J
T
英镑
T
PKG
V
ESD
29
-40到+150
-65到+150
260
2
注意事项：
1 ）从包装在静止空气中计算，安装3“× 4.5” ， 4层FR4 PCB ，每JESD51标准的裸露焊盘下的散热孔。
2 ）根据JEDEC标准JESD22 - A114 -B测试。
电气特性
测试条件： V
IN
= 15V ， VCCA = VDDP = VTTEN = EN / PSV = 5V ， VDDQ = VTTIN = 1.8V ，R
吨
= 1MΩ 。牛逼
AMB
= -40+ 85℃。
25°C
参数
输入电源
VCCA工作电流
S0状态（ VTT上） ;
EN / PSV = VCCA ;
FB >调节点， IVDDQ = 0A
S3状态（ VTT关闭） ;
EN / PSV = VCCA ;
FB >调节点， IVDDQ = 0A
1500
条件
民
典型值
最大
-40 ° C至85°C
单位
民
最大
2500
μA
VCCA工作电流
VCCA工作电压
VDDP工作电流
TON工作电流
VTTIN工作电流
VCCA + VDDP + TON
关断电流
VTTIN关断电流
2006年升特公司
800
5
4.5
1400
5.5
150
μA
V
μA
μA
FB >调节点， IVDDQ = 0A
RTON = 1MΩ
IVTT = 0A
EN / PSV = VTTEN = 0V
EN / PSV = VTTEN = 0V
2
70
15
1
5
1
5
11
μA
μA
μA
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电源管理
电气特性（续）
测试条件： V
IN
= 15V ， VCCA = VDDP = VTTEN = EN / PSV = 5V ， VDDQ = VTTIN = 1.8V ，R
吨
= 1MΩ 。牛逼
AMB
= -40+ 85℃。
25°C
参数
VDDQ控制器
FB误差比较器的阈值
(1)
VDDQS调节门限
带有可调电阻分压器
FB = AGND
FB = VCCA
RTON = 1MΩ ， VDDQ = 1.8V
RTON = 500kΩ的， VDDQ = 1.8V
1.500
2.5
1.8
460
265
425
FB < 0.3V
FB > 0.3V
EN / PSV = GND
80
91
16
条件
民
典型值
最大
-40 ° C至85°C
单位
民
最大
1.485
2.475
1.782
368
212
1.515
2.525
1.818
552
318
550
V
V
V
ns
ns
kΩ
kΩ
Ω
ON- TIME
最小关断时间
VDDQS输入电阻
VDDQS关闭
放电电阻
FB漏电流
VDDQ智能阈值PSAVE
VTT控制器
REF源电流
REF水槽电阻
REF输出精度
关断放电电阻
（ EN / PSV = GND）
VTT输出精度
（相对于REF）的
VTTS漏电流
电流检测
ILIM电流
电流比较器的失调
过零阈值
VDDQ故障保护
-1.0
8
1.0
μA
%
10
50
IREF = 0至10mA
VTT
REF
-2A <我
VTT
< 2A
(9)
900
0.25
8
0
-40
-1.0
+40
1.0
882
918
mA
kΩ
mV
Ω
Ω
mV
μA
DL高
PGND1 - ILIM
PGND1 - LX ， EN / PSV = 5V
10
9
-10
11
10
μA
mV
mV
5
PGND1 - LX ， RLIM = 5kΩ的
电流限制（正）
(2)
PGND1 - LX ， RLIM = 10kΩ的
PGND1 - LX ， RLIM = 20kΩ的
电流限制（负）
输出欠压故障
PGND1 - LX
相对于FB调节点
50
100
200
-125
-30
35
80
170
-160
-35
65
120
230
-90
-25
mV
%
mV
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3
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电气特性（续）
测试条件： V
IN
= 15V ， VCCA = VDDP = VTTEN = EN / PSV = 5V ， VDDQ = VTTIN = 1.8V ，R
吨
= 1MΩ 。牛逼
AMB
= -40+ 85℃。
25°C
参数
欠压故障延时
欠压空白时间
输出过压故障
过压故障延时
PGD低输出电压
PGD漏电流
PGD UV阈值
PGD故障延时
VCCA欠压（ UVLO ）
VTT故障保护
UV下限阈值
OV阈值上限
故障关机延迟
热关断
(4)(5)
输入/输出
EN / PSV /低（已禁用）
逻辑输入低电压
VTTEN低（ VTT禁用）
EN / PSV低/高
（启用，禁用PSAVE ）
VTTEN高（ VTT启用）
逻辑输入高电压
EN / PSV输入电阻
VTTEN漏电流
软启动
VDDQ软启动斜坡时间
VTT软启动斜率
(6)
EN / PSV高PGD高
440
5.5
EN / PSV高/高
（启用，启用PSAVE ）
采购
下沉
1.5
1.0
VTT W / RT REF
VTT W / RT REF
VTT外OV / UV窗口
-12
+12
50
160
条件
民
FB强迫以下UV V
TH
从EN高
相对于FB调节点
FB上面过压阈值
吸收1mA
FB中规定， PGD = 5V
相对于FB调节点
FB被迫外PGD窗口
下降沿（滞后100毫伏）
-10
5
4
典型值
8
440
+16
5
最大
-40 ° C至85°C
单位
民
最大
CLKS
(3)
CLKS
(3)
+12
+20
%
μs
0.1
1
-12
-8
V
μA
%
μs
3.70
4.35
V
-16
+8
-8
+16
%
%
μs
150
170
°C
1.2
V
0.6
1.2
2.4
3.1
V
MΩ
MΩ
-1
+1
μA
2.4
V
逻辑输入高电压
CLKS
(3)
毫伏/微秒
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4
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电源管理
电气特性（续）
测试条件： V
IN
= 15V ， VCCA = VDDP = VTTEN = EN / PSV = 5V ， VDDQ = VTTIN = 1.8V ，R
吨
= 1MΩ 。牛逼
AMB
= -40+ 85℃。
25°C
参数
FB输入阈值
FB输入低电平
FB逻辑输入高
门驱动器
拍摄得来速保护延时
(4)(7)
DL下拉电阻
DL灌电流
DL拉电阻
DL源电流
DH下拉电阻
DH拉电阻
(8)
DH吸入/源出电流
VTT上拉电阻
VTT下拉电阻
VTT峰值吸入/源出电流
(9)
注意事项：
1)
2)
3)
4)
5)
6)
-40 ° C至85°C
单位
最大
民
最大
条件
民
典型值
VDDQ设置为2.5V （ DDR1 ）
VDDQ设定为1.8V （DDR2）
0.3
VCCA
- 0.7
V
V
DH或DL上升
DL低
V
DL
= 2.5V
DL高
V
DL
= 2.5V
DH低， BST - LX = 5V
DH高， BST - LX = 5V
V
DH
= 2.5V
VTTS < REF
VTTS > REF
30
0.8
3.1
2
1.3
2
2
1.3
0.25
0.25
3.6
2.0
ns
Ω
A
Ω
A
Ω
Ω
A
Ω
Ω
A
VDDQ输入直流稳压电平大于由脉动电压的50％，在FB误差比较器阈值更高。
用电流检测电阻，该测量涉及PGND1减去低侧MOSFET的源极。
CLKS =开关周期，由一个高侧和低压侧栅极脉冲。
通过设计保证。
热关断锁存器两个输出（ VTT和VDDQ ）关闭，需要VCCA或EN / PSV循环复位。
VTT软启动斜坡率限制在5.5mV /μs的典型。如果VDDQ / 2斜升速率低于5.5mV /微秒速度越慢， VTT软启动斜坡将跟随VDDQ / 2
坡道。
7 ）请参见第6页的直通延迟时序图。
8 ） Semtech的SmartDriver FET驱动器
首先拉DH高， 10Ω的上拉电阻（典型值），直到LX = 1.5V （典型值） 。在这一点上，附加上拉器件是
激活后，减少了2Ω （典型值）的阻力。这就形成了一个较软的导通以最小的功率损耗，从而无需外部栅极或升压
电阻器。
低于T 9 ）提供的操作
J（下最大）
被保持。 VTT的输出电流也受到内部电阻的MOSFET通常是0.25Ω ，在25 ℃，其中
随着温度的增加，并通过可用的源极电压（通常为VDDQ / 2）。
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