低投入，兆赫操作，
高效率同步降压
电源管理
描述
该SC4609是一个电压模式降压（降压）稳压
器控制器，可提供精确的高效率电源
2.7V至5.5V的输入电压范围转换。一
高集成度减少了外部元件
算，并使其适用于低电压应用
其中，成本，尺寸和效率是关键的。在SC4609
能够产生一个输出电压低至0.5V的。
在SC4609驱动外部N沟道MOSFET以
1A的峰值栅极电流。非重叠保护亲
vided的栅极驱动信号，以避免贯通
MOSFET的一对。在SC4609配备无损电流
跨越漏极租感应的电压下降到
在高边MOSFET的源极电阻的
导通时间。其开关频率可以亲
编程可达1MHz 。
在睡眠模式下的静态电源电流典型值为
低于10
答：外部软启动提供给预
泄在启动期间输出电压的过冲。
该SC4609是一个理想的选择转换3.3V ， 5V或
其他低输入电源电压。它可在12针
MLP封装。
SC4609
特点
异步启动
可编程开关频率高达1MHz
BICMOS电压模式PWM控制器
2.7V至5.5V输入电压范围
输出电压低至0.5V
+/- 1％的基准准确度
休眠模式（ICC = 10μA典型值）
可调无损短路电流限制
结合逐脉冲&打嗝模式
电流限制
高效率同步开关
1A的峰值电流驱动器
外部软启动
12引脚MLP无铅封装，完全WEEE和RoHS
柔顺
应用
分布式电源架构
服务器/工作站
本地微处理器内核电源
DSP和I / O电源
电池供电应用
电信设备
数据处理的应用程序
典型应用电路
VIN = 2.7V - 5.5V
C10
D2
220u
1u
C17
M11
C13
22u
C14
22u
R3
R13
1
U1
12
C3
4.7u
1
2
3
BST
VCC
ISET
COMP
FSET
VSENSE
DRVH
相
DRVL
保护地
AGND
SS
11
10
9
8
7
6
CSS
22u
R6
1
R5
1
M2
330u
L1
1.8u
C9
C6
C5
22u
C4
22u
R8
200
4.7n
R7
10k
VOUT = 1.5V （低至0.5V * ） / 12A
C2
C1
180p
2.2n
C16
560pF
4
5
R1
14.3k
SC4609
*外部组件可以被修改以提供一个Vout的低至0.5V
R9
4.99k
修订： 2006年2月8日
1
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SC4609
电源管理
绝对最大额定值
超过下面的规格，可能会导致该设备，或设备故障造成永久性损坏。指定的参数的操作外
在电气特性部分，是不是暗示。
参数
电源电压（V
CC
)
保护地
输出驱动器（ DRVH ， DRVL ）电流
连续
P EAK
输入（ VSENSE ， COMP ， FSET ， ISET ， SS）
BST
相
相脉冲T设定<为50ns
工作环境温度范围
存储温度范围
最高结温
峰值回流焊温度， 10 - 40岁
ESD额定值（人体模型）
符号
最大
6
±0.3
±0.25
±1.00
-0.3 6
12
-0.3 6
-27的
单位
V
V
A
A
V
V
V
V
°C
°C
°C
°C
kV
T
A
T
英镑
T
J
T
PKG
ESD
-40至+85
-65到+150
+150
260
4
对于所有的电压至AGND 。电流是积极进入，负出指定的终端。
电气特性
除非另外指明， Vcc = 3.3V， CT = 270pF ，T
A
= -40 ° C至85°C ，T
A
=T
J
注： （ 1 ） 。通过设计保证。
参数
整体
电源电压
电源电流，睡眠
电源电流，工作
VCC开启阈值
VCC关断滞后
误差放大器器
输入电压
（内部参考）
测试条件
民
典型值
最大
单位
5.5
F小号（E T） = 0V
V
CC
= 5.5V
T
A
= -40 ° C至85°C
350
10
2
15
3.75
2.7
V
A
mA
V
mV
T
A
= 25°C
V
CC
= 2.7V - 5.5V ，T
A
= 25°C
T
A
= -40 ° C至85°C
0.495
0.4925
0.4925
0.5
0.5
0.505
V
0.5075
0.5075
VSENSE偏置电流
开环增益
(1)
单位增益带宽
(1)
2006年升特公司
V
SENSE
= 0.5V
V
COMP
= 0.5 2.5V
200
90
8
2
nA
dB
兆赫
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SC4609
电源管理
电气特性（续）
除非另外指明， Vcc = 3.3V， CT = 270pF ，T
A
= -40 ° C至85°C ，T
A
=T
J
参数
误差放大器（续）
压摆率
(1)
VOUT高
VOUT低
振荡器
初始精度
电压稳定
温度COEF网络cient
最低运行频率
(1)
最大工作频率
(1)
斜坡峰谷
斜坡峰值电压
斜坡谷值电压
睡眠，软启动，电流限制
睡眠阈值
睡眠输入偏置电流
可编程软启动时间
软启动充电电流
ISET偏置电流
ISET的温度系数
电流限制的空白时间
栅极驱动器
DRVH最短停机时间
峰源（ DRVH ）
峰汇（ DRVH ）
峰源（ DRVL ）
峰汇（ DRVL ）
输出上升时间
输出下降时间
最小的非重叠
(1)
2006年升特公司
(1)
(1)
(1)
测试条件
民
典型值
最大
单位
2.4
I
COMP
= -5.5mA
I
COMP
= 5.5毫安
V
CC
- 0.5
V
CC
- 0.3
0.3
0.45
V / μs的
V
T
A
= 25°C
T
A
= 25 ° C，V
CC
= 2.7V至5.5V
T
A
= -40 ° C至85°C
525
575
0.05
0.02
625
千赫
%/V
%/°C
千赫
50
1M
1
1.3
0.3
Hz
V
V
V
测量FSET
V
SYNC
= 0V
C = 20nF
T
A
= 25°C
T
J
= 25°C
-45
-1
1.75
-5.75
-50
0.28
130
75
mV
A
ms
A
-55
A
%/°C
ns
T
A
= 25 ° C，V
SENSE
= 0
VGS = 3.3V ，我
来源
= 100毫安
VGS = 3.3V ，我
SINK
= 100毫安
VGS = 3.3V ，我
来源
= 100毫安
VGS = 3.3V ，我
SINK
= 100毫安
VGS = 3.3V ，C
OUT
= 4.7nF
VGS = 3.3V ，C
OUT
= 4.7nF
160
2.7
1.8
2.2
1.5
35
27
40
200
ns
ns
ns
ns
3
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SC4609
电源管理
引脚配置
顶视图
BST
DRVH相
订购信息
产品型号
(1)
SC4609MLTRT
(2)
S·C 4609E V B
设备
MLP-12
评估板
12
VCC
1
11
10
9
DRVL
ISET
2
8
保护地
COMP
3
4
5
6
7
AGND
注意事项：
（ 1 ）只有在磁带和卷轴封装可供选择。一个趔趄
包含3000设备。
（ 2 ）无铅产品。该产品是完全WEEE和
符合RoHS 。
FSET
VSENSE
SS
（ MLP12 ， 4×4 ）
引脚说明
针＃
1
2
引脚名称
VC
ISET
引脚功能
正电源轨的IC 。绕过此引脚与GND用0.1 4.7μF的低ESL / ESR
陶瓷电容器。
在ISET引脚用来限制电流的高边MOSFET 。该SC4609使用
在整个V电压
IN
和ISET引脚，以设定电流限制。电流限制
阈值是通过一个外部电阻（R3中的典型应用电路的值设置
图）。电流限制由穿过感比较的电压降进行
电阻与整个漏电压降源高端性
在MOSFET的导通期间MOSFET。跨越漏极上的电压降来
从V获得高边MOSFET的源极电阻
IN
和PHASE引脚。
这是电压误差放大器的输出端。在此输出电压反转
在内部，并且连接到PWM比较器的非反相输入端。超前 - 滞后
从COMP引脚到引脚VSENSE网络补偿的二极LC过滤器
固有的电压模式控制特性。超前 - 滞后网络是必需的，以便
优化的电压模式控制环路的动态性能。
该FSET引脚通过一个外部定时用来设置PWM振荡器频率
电容器从FSET引脚与GND引脚相连。当FSET拉
并举行以下为75mV ，在调用它的休眠模式操作。睡眠模式操作是
通过夹紧FSET引脚以下为75mV的电压调用。典型电源电流
在睡眠模式下为10μA 。该SC4609可以在同步模式下通过放置操作
在定时电容器和地之间串联的电阻器。的另一端
定时电容将保持连接到FSET引脚。
该引脚为电压放大器的反相输入端，并作为输出电压
反馈点的降压转换器。 VSENSE进行比较的内部参考值
的0.5V 。 VSENSE被硬连接到输出电压时为0.5V的输出是期望的。
供更高的输出电压，一个电阻分压网络是必要的（R 7和R 9中的典型
应用电路图） 。
软启动。一个电容到地设定软启动时间。软启动时间是独立的
的开关频率，其定义为
SS
=
87.5
10
3
C.
其中C是外部
电容NF和第二软启动时间。
4
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3
COMP
4
FS （E T）
5
VSENSE
6
SS
2006年升特公司
SC4609
电源管理
引脚说明（续）
针＃
7
8
9
引脚名称
AGND
保护地
DRVL
引脚功能
模拟地。
电源地。
DRVL驱动低侧（同步整流）的MOSFET的栅极。输出驱动器
的额定1A的峰值电流。该PWM电路提供互补的驱动信号
所述输出阶段。被防止由所述外部的MOSFET的所述交叉传导
用时，监视所述一对MOSFET的驱动引脚上的电压结合
延迟FET关断特性进行了优化。
该PHASE引脚用来限制电流的高边MOSFET 。该SC4609使用
在整个V电压
IN
和ISET引脚，以设定电流限制。电流限制
阈值是通过一个外部电阻（R3中的典型应用电路的值设置
图）。电流限制由穿过感比较的电压降进行
电阻与整个漏电压降源高端性
在MOSFET的导通期间MOSFET。跨越漏极上的电压降来
从V获得高边MOSFET的源极电阻
IN
和PHASE引脚。
DRVH驱动高侧（主开关） MOSFET的栅极。输出驱动器的额定
为1A的峰值电流。该PWM电路提供互补的驱动信号的
输出级。防止由监控外部MOSFET的交叉传导
联同一个时间延迟上的一对MOSFET的驱动引脚上的电压
为FET关断特性进行了优化。
该引脚使转换器来驱动一个N沟道高边MOSFET 。 BST连接
外部电荷泵电路。电荷泵电路可增强BST引脚电压到
充足的栅 - 源电压电平，用于驱动所述高侧MOSFET的栅极。
垫用于散热的目的。连接使用多个过孔到地平面。没有连接
在内部。
10
相
11
DRVH
12
BST
散热垫
2006年升特公司
5
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