极低的输入，兆赫操作，
高效率同步降压
电源管理
描述
该SC4607是一个电压模式降压（降压）稳压
器控制器，可提供精确的高效率电源
从2.25V的输入电压范围为5.5V转换。
在SC4607能够产生一个输出电压的
低至0.5V ，并具有97％的最大占空比。一
高集成度减少了外部元件
算，并使其适用于低电压应用
其中，成本，尺寸和效率是关键的。
在SC4607驱动外部N沟道MOSFET以
1A的峰值栅极电流。在SC4607阻止拍摄
通过电流通过为提供非重叠保护
外部MOSFET的栅极驱动信号。该
SC4607采用了电压的无损电流检测
整个排水降至源高性
在其导通期间边MOSFET 。
在睡眠模式下的静态电源电流典型值为
超过10μA低。一个1.2ms的软启动内部设置
以防止在启动期间输出电压的过冲。
该SC4607是一个理想的选择转换为2.5V ， 3.3V ，
5V或其它低输入电源电压。它在10个可用
引脚MSOP封装
SC4607
特点
异步启动
BICMOS电压模式PWM控制器
频率为1MHz的操作
2.25V至5.5V的输入电压范围
输出电压可低至0.5V
+/- 1％的基准准确度
休眠模式（ICC = 10μA典型值）
可调无损短路电流限制
结合逐脉冲&打嗝模式
电流限制
高效率同步开关
高达97 ％的占空比
1A的峰值电流驱动器
10引脚MSOP封装
应用
分布式电源架构
服务器/工作站
本地微处理器内核电源
DSP和I / O电源
电池供电应用
电信设备
数据处理的应用程序
典型应用电路
VIN = 2.25V - 5.5V
D2
R13
1
1
C3
4.7u
2
3
4
C1
180p
R1
14.3k
C2 2.2N
C20
560pF
5
C10
1u
C71
R6
U1
BST
VCC
ISET
COMP
FS / SYNC
DRVH
相
DRVL
GND
VSENSE
10
9
8
7
6
R5
0
M2
1.8u
C6
330u
C5
22u
C4
22u
0
L1
M1
220u
C11
22u
C12
22u
R3
C14
0.1u
VOUT = 1.5V （低至0.5V * ） / 12A
C9
4.7n
R8
200
R7
10k
SC4607
*外部组件可以被修改以提供一个Vout的低至0.5V
R9
4.99k
修订： 2005年6月1日
1
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SC4607
电源管理
绝对最大额定值
超过下面的规格，可能会导致该设备，或设备故障造成永久性损坏。指定的参数的操作外
在电气特性部分，是不是暗示。
参数
电源电压（V
CC
)
输出驱动器（ DRVH ， DRVL ）电流
连续
P EAK
输入（ VSENSE ， COMP ， FS / SYNC ， ISET ）
BST
相
相脉冲T设定<为50ns
工作环境温度范围
存储温度范围
结温
引线温度（焊接） 10秒。
ESD额定值（人体模型）
符号
最大
7
+/-0.25
+/-1.00
-0.3 7
13
-0.3 7.5
-2至7.5
单位
V
A
A
V
V
V
V
°C
°C
°C
°C
kV
T
A
T
英镑
T
J
T
领导
ESD
-40至+85
-65到+150
-55到+150
+300
4
所有关于GND电压。电流是积极进入，负出指定的终端。
电气特性
除非另外指明， Vcc = 3.3V， CT = 270pF ，T
A
= -40 ° C至85°C ，T
A
=T
J
参数
整体
电源电压
电源电流，睡眠
电源电流，工作
VCC开启阈值
测试条件
民
典型值
最大
单位
5.5
FS / SYNC = 0V
V
CC
= 5.5V
T
A
= 25°C
T
A
= -40 ° C至85°C
10
2
2.05
15
3.5
2.2
2.25
100
V
A
mA
V
VCC关断滞后
误差放大器器
VSENSE输入电压
（内部参考）
T
A
= 25°C
V
CC
= 2.25V - 5.5V ，T
A
= 25°C
T
A
= -40 ° C至85°C
VSENSE偏置电流
开环增益
(1)
单位增益带宽
(1)
压摆率
(1)
mV
0.495
0.4925
0.4915
0.5
0.5
0.505
V
0.5075
0.5085
200
V
COMP
= 0.5 2.5V
80
90
8
2.4
2
nA
dB
兆赫
V / μs的
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2005年升特公司
SC4607
电源管理
电气特性（续）
除非另外指明， Vcc = 3.3V， CT = 270pF ，T
A
= -40 ° C至85°C ，T
A
=T
J
参数
误差放大器（续）
VOUT高
VOUT低
振荡器
初始精度
电压稳定
温度COEF网络cient
最低运行频率
(1)
最大工作频率
(1)
斜坡峰谷
斜坡峰值电压
斜坡谷值电压
睡眠，软启动，电流限制
睡眠阈值
睡眠输入偏置电流
软启动时间
(1)
测试条件
民
典型值
最大
单位
I
COMP
= -5.5mA
I
COMP
= 5.5毫安
V
CC
- 0.5
V
CC
- 0.3
0.3
0.45
V
T
A
= 25°C
T
A
= 25 ° C，V
CC
= 2.25V至5.5V
T
A
= -40 ° C至85°C
525
575
0.5
0.02
625
千赫
%/V
%/°C
千赫
50
1M
1
1.3
0.3
Hz
V
V
V
测量FS
V
SYNC
= 0V
F
SW
= 575千赫
T
J
= 25°C
-45
-1
1.2
-50
0.28
130
75
mV
A
ms
ISET偏置电流
ISET的温度系数
电流限制的空白时间
栅极驱动器
占空比
拉电阻（ DRVH ）
(2)
下拉电阻（ DRVH ）
拉电阻（ DRVL ）
(1)
(2)
(1)
-55
A
%/°C
ns
97
V
BST
- V
相
= 3.3V ，我
来源
= -100mA
V
BST
- V
相
= 3.3V ，我
SINK
= 100毫安
V
CC
= 3.3V ，我
来源
= -100mA
(2)
%
ns
ns
ns
2.7
2.4
2.2
1.5
35
27
40
下拉电阻（ DRVL ）
输出上升时间
输出下降时间
最小的非重叠
(1)
V
CC
= 3.3V ，我
SINK
= 100毫安
V
CC
= 3.3V ，C
OUT
= 4.7nF
V
CC
= 3.3V ，C
OUT
= 4.7nF
注意事项：
（1） 。通过设计保证。
（2） 。通过特性保证。
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SC4607
电源管理
引脚配置
顶视图
订购信息
产品型号
SC4607IMSTR
SC4607IMSTRT
(2)
设备
MSOP-10
注意事项：
（ 1 ）只有在磁带和卷轴封装可供选择。一个趔趄
包含2500设备。
（ 2 ）无铅产品。该产品是完全WEEE和
符合RoHS 。
（ 10引脚MSOP ）
引脚说明
针＃
1
引脚名称
BST
引脚功能
该引脚使转换器来驱动一个N沟道高边MOSFET 。 BST连接
外部电荷泵电路。电荷泵电路可增强BST引脚电压到
充足的栅 - 源电压电平，用于驱动所述高侧MOSFET的栅极。
正电源轨的IC 。为了提高抗噪声能力，旁路该引脚至GND
0.1 4.7μF的低ESL / ESR的陶瓷电容。
在ISET引脚用来限制电流的高边MOSFET 。该SC4607使用
横跨Vin和ISET引脚电压，以设置电流限制。电流限制
阈值是通过一个外部电阻（R3中的典型应用电路的值设置
图）。电流限制由穿过感比较的电压降进行
电阻与整个漏电压降源高端性
在MOSFET的导通期间MOSFET。跨越漏极上的电压降来
从Vin和PHASE引脚获得高边MOSFET的源极电阻。
这是电压放大器的输出端。在此输出的电压在内部翻转而
连接到PWM比较器的非反相输入端。从A超前滞后网络
COMP引脚到VSENSE引脚补偿二极LC滤波器特性
固有的电压模式控制。超前 - 滞后网络是必需的，以便优化
所述电压模式控制环路的动态性能。
在FS / SYNC引脚通过一个外部定时电容设置PWM振荡器频率
这是从FS / SYNC引脚与GND引脚相连。调用睡眠模式操作
通过夹紧FS / SYNC引脚以下为75mV的电压。在典型电源电流
休眠模式是10μA 。该SC4607可以在同步模式下通过插入操作
电阻定时电容和GND引脚之间。的另一端
定时电容将保持连接到FS / SYNC引脚。
该引脚为电压放大器的反相输入端，并作为输出电压
反馈点的降压转换器。 VSENSE进行比较的内部参考值
的0.5V 。 VSENSE被硬连接到输出电压时为0.5V的输出是期望的。
供更高的输出电压，一个电阻分压网络是必要的（R 7和R 9中的典型
应用电路图） 。
信号和电源地为IC 。所有电压都相对于该引脚。所有
连接到GND的旁路和定时电容应该有引线短而且直
可能。
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2
3
VC
ISET
4
COMP
5
FS / SYNC
6
VSENSE
7
GND
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SC4607
电源管理
引脚说明（续）
针＃
8
引脚名称
DRVL
引脚功能
栅极驱动引脚。 DRVL驱动低侧（同步整流）的MOSFET的栅极。该
输出驱动器的额定电流为1A的峰值电流。该PWM电路提供互补驱动
信号给输出级。防止了外部MOSFET的交叉传导
通过监测电压的一对MOSFET中的DRVH和DRVL驱动销
同的时间延迟为FET关断特性优化的结合
该PHASE引脚用来限制电流的高边MOSFET 。该SC4607使用
横跨Vin和ISET引脚电压，以设置电流限制。电流限制
阈值是通过一个外部电阻（R3中的典型应用电路的值设置
图）。电流限制由穿过感比较的电压降进行
电阻与整个漏电压降源高端性
在MOSFET的导通期间MOSFET。跨越漏极上的电压降来
从Vin和PHASE引脚获得高边MOSFET的源极电阻。
栅极驱动引脚。 DRVH驱动高侧（主开关） MOSFET的栅极。输出
驱动器的额定电流为1A的峰值电流。该PWM电路提供互补驱动
信号给输出级。防止了外部MOSFET的交叉传导
通过监测电压的一对MOSFET中的DRVH和DRVL驱动销
同的时间延迟为FET关断特性优化的结合
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相
10
DRVH
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