极低的输入，兆赫操作，
高效率同步降压
电源管理
描述
该SC4603是一个电压模式降压（降压）稳压
器控制器，可提供精确的高效率电源
从输入电源电压范围2.25V至5.5V的转换。高
集成度减少了外部元件数量
并使得它适合于低电压的应用场合
成本，尺寸和效率是关键的。
在SC4603驱动外部互补功率
MOSFET的;上的高侧和N沟道上的P沟道
偏低。采用高端P沟道MOSFET
省去了外部电荷泵和
简化了高边栅极驱动器。非重叠的保护
灰被提供用于栅极驱动器的信号，以防止拍摄
通过MOSFET对的。横跨上的电压降
其导通期间， P沟道MOSFET被检测为
无损短路电流限制。
低功耗的睡眠模式可以通过强制来实现
SYNC / SLEEP引脚电压低于0.8V 。 OP-的同步模式
作为SYNC / SLEEP引脚被驱动关合作启动
外部时钟。在睡眠中的静态电源电流
模式通常是低于10
答： 1.7ms软启动
内部提供的，以防止输出电压过冲
在启动过程中。 100％的最大占空比允许
SC4603运行中的低压差稳压器
事件的低电量状态。
该SC4603是3.3V ， 5V或其它低的理想选择
输入电源系统。它采用10引脚MSOP
封装。
SC4603
特点
BICMOS电压模式PWM控制器
2.25V至5.5V的输入电压范围
输出电压可低至0.5V
休眠模式（ICC = 10μA典型值）
无损可调过流保护
结合逐脉冲&打嗝模式电流
极限
高效率同步开关
0％至100％占空比范围
同步至外部时钟
异步启动
工作频率为1MHz
10引脚MSOP表面贴装封装。无铅
产品。该产品是完全WEEE和RoHS
柔顺
应用
分布式电源架构
服务器/工作站
本地微处理器内核电源
DSP和I / O电源
电池供电应用
电信设备
数据处理的应用程序
典型应用电路
R15
1
R3
RT 34.8k
C3
4.7u
U1
5
1
2
3
C1
R1
20k
150p
C2
1n
4
FS
VCC
SYNC
COMP
VSENSE
ISET
PDRV
相
NDRV
GND
6
10
7
9
8
R5
M2
R6
1.0
L1
2.3u
C7
150u
C4
22u
R8
806
C9
1.2n
R7
14k
C14
33n
M1
C10
22u
C11
22u
VIN = 2.25V 5.5V
C12
22u
C13
22u
VOUT = 1.5V （低至0.5V * ） / 6A
SC4603
1.0
*外部组件可以被修改以提供一个Vout的低至0.5V。
R9
6.98k
修订： 2008年5月16日
1
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SC4603
电源管理
绝对最大额定值
超过下面的规格，可能会导致该设备，或设备故障造成永久性损坏。指定的参数的操作外
在电气特性部分，是不是暗示。
参数
电源电压（V
CC
)
输出驱动器（ PDRV ， NDRV ）连续电流
输入（ VSENSE ， COMP ， SYNC / SLEEP ， FS ， ISET ）
相
相脉冲T设定<为50ns
工作环境温度范围
存储温度范围
结温范围
热阻抗结到外壳
热阻抗结到环境
引线温度（焊接） 10秒。
ESD额定值（人体模型）
符号
最大
6
±0.25
6
-0.3 5.5
-2 6
单位
V
A
V
V
V
°C
°C
°C
° C / W
° C / W
°C
kV
T
A
T
英镑
T
J
θ
J·C
θ
J A
T
领导
ESD
-40至+85
-65到+150
-55到+150
41.9
113.1
300
2
电气特性
除非另有规定ED ，V
CC
= 3.3V ，R
T
= 21Kohm ，T
A
= -40 ° C至85°C ，T
A
= T
J.
所有的电压都是相对于GND 。电流是积极进入，
负出指定的终端。
参数
整体
电源电压
电源电流，睡眠
电源电流，工作
V
CC
导通阈值
V
CC
关闭滞后
误差放大器器
内部参考
测试条件
民
典型值
最大
单位
2.25
V
SYNC / SLEEP
= 0V
10
2
2
100
5.5
15
3
2.25
V
A
mA
V
mV
V
CC
= 3.3V ，T
A
= 25°C
V
CC
= 3.3V ，T
A
= -40 ° C至85°C
495
492
-0.15
-0.4
500
505
508
mV
mV
%/V
%/V
nA
dB
兆赫
V / μs的
内部基准电压变化
V
CC
= 2.25V至3.3V ，T
A
= 25°C
V
CC
= 3.3V至5.5V ，T
A
= 25°C
0.1
-0.2
200
0.35
0
VSENSE偏置电流
开环增益
(1)
单位增益带宽
(1)
压摆率
(1)
V
COMP
= 0.5V至2.5V
80
(1)
90
8
2.4
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2
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SC4603
电源管理
电气特性（续）
除非另有规定ED ，V
CC
= 3.3V ，R
T
= 21Kohm ，T
A
= -40 ° C至85°C ，T
A
= T
J.
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
N沟道和P沟道驱动器输出（续）
NDRV输出上升时间
NDRV输出下降时间
(1)
VGS = 3.3V ，C
COMP
= 1nF的
VGS = 3.3V ，C
COMP
= 1nF的
8
3
自适应
30
50
ns
ns
(2)
死区时间延迟
（ PDRV高NDRV高）
(3)
死区时间延迟
（ NDRV低到PDRV低）
(1)
ns
注意事项：
（1） 。通过设计保证。
（2） 。通过特性保证。
（3） 。从PDRV高NDRV高的死区时间延迟是自适应的。作为相节点电压低于600mV的由于PDRV
高， NDRV将开始转向高。
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SC4603
电源管理
引脚配置
顶视图
订购信息
产品型号
(1)
SC4603IMSTRT
(2)
设备
MSOP-10
注意事项：
（ 1 ）只有在磁带和卷轴封装可供选择。一个趔趄
包含2500设备。
（ 2 ）无铅产品。该产品是完全WEEE和
符合RoHS 。
（ 10引脚MSOP ）
引脚说明
VCC ：
正电源轨的IC 。绕过这个引脚
GND用0.1 4.7μF的低ESL / ESR陶瓷电容
器。
GND ：
所有电压都相对于该引脚。
连接到GND所有的旁路和定时电容应
有引线短而直。
FS ：
与FS管脚连接一个外部电阻设定
时钟频率。
SYNC / SLEEP ：
SC4603的振荡频率为
财政司司长时设置SYNC / SLEEP拉及以上持有
2V 。其同步模式操作时作为激活
SYNC /休眠是由一个外部时钟驱动。该振荡器
器和PWM旨在提供实操
到1MHz时同步。如果在休眠模式下调用
SYNC / SLEEP拉，并保持在低于0.8V可以是
由外部的门或晶体管来实现的。该
Sleepmode电源电流10μA就是典型。
VSENSE ：
该引脚为电压的反相输入端
放大器和作为输出电压反馈点
对于降压转换器。它检测输出电压，通过
外部分压器。
COMP ：
这是电压放大器的输出端。该
电压在这个输出端连接到反相输入端
PWM比较器。周围的超前 - 滞后网络
电压放大器补偿二极LC滤波器
特性所固有的电压模式控制并
为了优化动态性能要求
所述电压模式控制环路。
PHASE ， ISET ：
相输入端连接至接线
两个外部功率MOSFET晶体管之间。该
横跨上的P沟道器件的电压降是MONI-
在PFET导tored通过相位和ISET和
形成电流限制比较器和逻辑设置
PWM锁存器并终止PFET输出脉冲
一旦跨过PFET过大的电压降被检测到。
该控制器停止转换，并经过软
启动顺序一次转换器的输出电压下降
低于70 ％的额定电压。这样可以防止过多的
在短路期间在所述PMOS场效应晶体管的功耗。
电流限制阈值由外部电阻设定
与VCC和ISET 。内部50μA电流源
具有正的温度系数，可compen-
沙爹PMOSFET导通电阻的变化，由于它的结温
perature变化。
PDRV ， NDRV ：
该PWM电路提供互为
tary驱动信号到输出级。十字架CON-
防止由MONI-外部MOSFET ：元币种
toring电压的P沟道和N沟道驱动
在同一个时间延迟一起的标签以场效应晶体管的优化
关断特性。
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高效率同步降压
电源管理
描述
该SC4603是一个电压模式降压（降压）稳压
器控制器，可提供精确的高效率电源
从输入电源电压范围2.25V至5.5V的转换。高
集成度减少了外部元件数量
并使得它适合于低电压的应用场合
成本，尺寸和效率是关键的。
在SC4603驱动外部互补功率
MOSFET的;上的高侧和N沟道上的P沟道
偏低。采用高端P沟道MOSFET
省去了外部电荷泵和
简化了高边栅极驱动器。非重叠的保护
灰被提供用于栅极驱动器的信号，以防止拍摄
通过MOSFET对的。横跨上的电压降
其导通期间， P沟道MOSFET被检测为
无损短路电流限制。
低功耗的睡眠模式可以通过强制来实现
SYNC / SLEEP引脚电压低于0.8V 。 OP-的同步模式
作为SYNC / SLEEP引脚被驱动关合作启动
外部时钟。在睡眠中的静态电源电流
模式通常是低于10
答： 1.7ms软启动
内部提供的，以防止输出电压过冲
在启动过程中。 100％的最大占空比允许
SC4603运行中的低压差稳压器
事件的低电量状态。
该SC4603是3.3V ， 5V或其它低的理想选择
输入电源系统。它采用10引脚MSOP
封装。
SC4603
特点
BICMOS电压模式PWM控制器
2.25V至5.5V的输入电压范围
输出电压可低至0.5V
休眠模式（ICC = 10μA典型值）
无损可调过流保护
结合逐脉冲&打嗝模式电流
极限
高效率同步开关
0％至100％占空比范围
同步至外部时钟
异步启动
工作频率为1MHz
10引脚MSOP表面贴装封装
应用
分布式电源架构
服务器/工作站
本地微处理器内核电源
DSP和I / O电源
电池供电应用
电信设备
数据处理的应用程序
典型应用电路
R15
1
RT
34.8k
5
C3
4.7u
1
2
3
C1
R1
20k
150p
C2
1n
4
U1
FS
VCC
SYNC
COMP
VSENSE
ISET
PDRV
相
NDRV
GND
6
10
7
9
8
R5
M2
R6
1.0
L1
2.3u
C7
150u
C4
22u
R8
806
C9
1.2n
R7
14k
R3
C14
33n
M1
C10
22u
C11
22u
VIN = 2.25V 5.5V
C12
22u
C13
22u
VOUT = 1.5V （低至0.5V * ） / 6A
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1.0
*外部组件可以被修改以提供一个Vout的低至0.5V。
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电源管理
绝对最大额定值
超过下面的规格，可能会导致该设备，或设备故障造成永久性损坏。指定的参数的操作外
在电气特性部分，是不是暗示。
参数
电源电压（V
CC
)
输出驱动器（ PDRV ， NDRV ）连续电流
输入（ VSENSE ， COMP ， SYNC / SLEEP ， FS ， ISET ）
相
相脉冲T设定<为50ns
工作环境温度范围
存储温度范围
结温范围
热阻抗结到外壳
热阻抗结到环境
引线温度（焊接） 10秒。
ESD额定值（人体模型）
符号
最大
6
±0.25
6
-0.3 5.5
-2 6
单位
V
A
V
V
V
°C
°C
°C
° C / W
° C / W
°C
kV
T
A
T
英镑
T
J
θ
J·C
θ
J A
T
领导
ESD
-40至+85
-65到+150
-55到+150
41.9
113.1
300
2
电气特性
除非另有规定ED ，V
CC
= 3.3V ，R
T
= 21Kohm ，T
A
= -40 ° C至85°C ，T
A
= T
J.
所有的电压都是相对于GND 。电流是积极进入，
负出指定的终端。
参数
整体
电源电压
电源电流，睡眠
电源电流，工作
V
CC
导通阈值
V
CC
关闭滞后
误差放大器器
内部参考
测试条件
民
典型值
最大
单位
2.25
V
SYNC / SLEEP
= 0V
10
2
2
100
5.5
15
3
2.25
V
A
mA
V
mV
V
CC
= 3.3V ，T
A
= 25°C
V
CC
= 3.3V ，T
A
= -40 ° C至85°C
495
492
-0.15
-0.4
500
505
508
mV
mV
%/V
%/V
nA
dB
兆赫
V / μs的
内部基准电压变化
V
CC
= 2.25V至3.3V ，T
A
= 25°C
V
CC
= 3.3V至5.5V ，T
A
= 25°C
0.1
-0.2
200
0.35
0
VSENSE偏置电流
开环增益
(1)
单位增益带宽
(1)
压摆率
(1)
V
COMP
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80
(1)
90
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电源管理
电气特性（续）
除非另有规定ED ，V
CC
= 3.3V ，R
T
= 21Kohm ，T
A
= -40 ° C至85°C ，T
A
= T
J.
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
N沟道和P沟道驱动器输出（续）
NDRV输出上升时间
NDRV输出下降时间
(1)
VGS = 3.3V ，C
COMP
= 1nF的
VGS = 3.3V ，C
COMP
= 1nF的
8
3
自适应
30
50
ns
ns
(2)
死区时间延迟
（ PDRV高NDRV高）
(3)
死区时间延迟
（ NDRV低到PDRV低）
(1)
ns
注意事项：
（1） 。通过设计保证。
（2） 。通过特性保证。
（3） 。从PDRV高NDRV高的死区时间延迟是自适应的。作为相节点电压低于600mV的由于PDRV
高， NDRV将开始转向高。
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引脚配置
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(1)
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(2)
设备
MSOP-10
注意事项：
（ 1 ）只有在磁带和卷轴封装可供选择。一个趔趄
包含2500设备。
（ 2 ）无铅产品。
（ 10引脚MSOP ）
引脚说明
VCC ：
正电源轨的IC 。绕过这个引脚
GND用0.1 4.7μF的低ESL / ESR陶瓷电容
器。
GND ：
所有电压都相对于该引脚。
连接到GND所有的旁路和定时电容应
有引线短而直。
FS ：
与FS管脚连接一个外部电阻设定
时钟频率。
SYNC / SLEEP ：
SC4603的振荡频率为
财政司司长时设置SYNC / SLEEP拉及以上持有
2V 。其同步模式操作时作为激活
SYNC /休眠是由一个外部时钟驱动。该振荡器
器和PWM旨在提供实操
到1MHz时同步。如果在休眠模式下调用
SYNC / SLEEP拉，并保持在低于0.8V可以是
由外部的门或晶体管来实现的。该
Sleepmode电源电流10μA就是典型。
VSENSE ：
该引脚为电压的反相输入端
放大器和作为输出电压反馈点
对于降压转换器。它检测输出电压，通过
外部分压器。
COMP ：
这是电压放大器的输出端。该
电压在这个输出端连接到反相输入端
PWM比较器。周围的超前 - 滞后网络
电压放大器补偿二极LC滤波器
特性所固有的电压模式控制并
为了优化动态性能要求
所述电压模式控制环路。
PHASE ， ISET ：
相输入端连接至接线
两个外部功率MOSFET晶体管之间。该
横跨上的P沟道器件的电压降是MONI-
在PFET导tored通过相位和ISET和
形成电流限制比较器和逻辑设置
PWM锁存器并终止PFET输出脉冲
一旦跨过PFET过大的电压降被检测到。
该控制器停止转换，并经过软
启动顺序一次转换器的输出电压下降
低于70 ％的额定电压。这样可以防止过多的
在短路期间在所述PMOS场效应晶体管的功耗。
电流限制阈值由外部电阻设定
与VCC和ISET 。内部50μA电流源
具有正的温度系数，可compen-
沙爹PMOSFET导通电阻的变化，由于它的结温
perature变化。
PDRV ， NDRV ：
该PWM电路提供互为
tary驱动信号到输出级。十字架CON-
防止由MONI-外部MOSFET ：元币种
toring电压的P沟道和N沟道驱动
在同一个时间延迟一起的标签以场效应晶体管的优化
关断特性。
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