完整的DDR电源解决方案
电源管理
描述
该SC2616是一款完全集成的DDR电源解决方案亲
人们提供动力为VDDQ和VTT的轨道。在SC2616
也完全附着在ACPI休眠状态时功耗
要求。同步降压控制器提供
高电流的VDDQ在高效率的，而
线性汇/源稳压器提供终止
电压2安培源/汇的能力。这种方法
使成本和性能之间的最佳平衡点。
附加的逻辑和UVLOs完成的功能
符合这一单芯片DDR电源解决方案
SLP_S3和SLP_S5主板信号。
该SC2616可输出高达20A的中
切换输出，以及2A源出/吸入的VTT输出。
该MLP封装提供卓越的热阻抗
在保持体积小巧。 VDDQ电流限制，以及
作为3个独立的热关断电路，保证安全
所有的故障情况下的操作。
SC2616
特点
高效率（ 90 ％ ）转换为VDDQ电源
20安培
大电流栅极驱动器
单芯片解决方案完全符合ACPI电源
测序规格
内部S3状态LDO电源待机高VDDQ
电流（ 0.65安培分钟）
ACPI休眠状态控制
2安培VTT源出/吸入电流能力
UVLO的5V和12V
对于VDDQSTBY和VTT Indepent热关断
快速瞬态响应
18引脚MLP封装
应用
每ACPI DDR内存电源解决方案
主板规格
高速数据线端接
记忆卡
典型应用电路
5VCC
12VCC
5VSBY
R3
R9
R1
Q1
CIN
C8
U1
16
4
SC2616
5VCC
TG
BG
保护地
SLP_S3#
SLP_S5#
11
10
SLP_S3
SLP_S5
VDDQSTBY
VDDQIN
FB
18
17
SS / EN
AGN
COMP
PAD
VTTSNS
LGN
VTT
VTT
9
15
14
13
7
8
1
2
5
6
C18
R4
Q2
VDDQ
L1
COUT
0
0
R7
Q3
0
12VCC
5VSBY
0
0
VTT
C15
C14
R5
1k
R8
1k
C5
0.1uF
12
19
R2
C6
3
0
0
0
0
0
2003年10月13日，
1
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SC2616
电源管理
绝对最大额定值
超过下面的规格，可能会导致该设备，或设备故障造成永久性损坏。指定的参数的操作外
在电气特性部分，是不是暗示。
参数
电源电压， 5VCC至AGND
电源电压， 12VCC至AGND
待机输入电压
输入
AGND至PGND或LGND
VTT输出电流
工作环境温度范围
工作结温
热阻结到环境
热阻结到外壳
储存温度
TG / BG直流电压
TG / BG交流电压，T
≤
100ns
ESD额定值（人体模型）
符号
V
5V C C
V
12V C C
V
5V S B
I / O
最大
7
15
7
5VSTBY +0.3 ， AGND -0.3
0.3
单位
V
V
V
V
V
A
°C
°C
° C / W
° C / W
°C
V
V
kV
I
O（ VTT ）
T
A
T
J
θ
JA
θ
JC
T
英镑
±3
0到70
125
25
4
-65到150
12Vcc + 0.3 ， -0.5 AGND
12Vcc + 1.0 ， -2.0 AGND
ESD
2
电气特性
除另有规定：T已
A
= 25°C ， 12VCC = 12V ， 5VCC = 5V ， 5VSBY = 5V 。
参数
5V电源电压
12V电源电压
5V待机电压
静态电流
SLP_S3门槛
SLP_S5门槛
SLP_S3 / SLP_S5输入电流
2003升特公司
符号
V
5V C C
V
12V C C
V
5V S B
I
Q(5VSBY)
条件
民
4.5
10
4.5
典型值
5
12
5
5.2
7.8
TTL
TTL
最大
5.5
14
5.5
单位
V
V
V
mA
mA
V
V
A
S 0, S 5
S3 ， IDDQSTBY = 0
I
S3,S5
2
50
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SC2616
电源管理
电气特性（续）
除另有规定：T已
A
= 25°C ， 12VCC = 12V ， 5VCC = 5V ， 5VSBY = 5V 。
参数
12VCC欠压锁定
5VCC欠压锁定
反馈参考
反馈电流
SS / EN关断阈值
热关断
热关断迟滞
符号
UVLO
12VCC
UVLO
5VCC
V
REF
I
FB
V
EN（ TH）的
T
J- SHDN
T
J- HYST
条件
民
8
典型值
9.2
2.5
1.25
最大
10
单位
V
V
V
V
FB
= 1.25V
0.3
150
10
0.5
A
V
°C
°C
SW itcher
负载调整率
振荡器频率
软启动电流
占空比
过电流跳闸电压
顶栅上升时间
顶栅下降时间
底栅上升时间
底栅下降时间
死区时间
误差放大器跨导器
误差放大器的增益@ DC
误差放大器的带宽
误差放大器源出/吸入电流
V
旅
TG
R
TG
F
BG
R
BG
F
t
d
G
M
A
EA
G
BW
R
COMP
=打开
％ VDDQ设置点的
栅极电容= 4000pF
栅极电容= 4000pF
栅极电容= 4000pF
栅极电容= 4000pF
20
f
OSC
I
SS
0
70
75
25
25
35
35
50
0.8
38
5
±60
I
VDDQ
= 0A至10A ; S0
225
0.2
250
25
95
80
275
%
千赫
A
%
%
nS
nS
nS
nS
nS
mS
dB
兆赫
A
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3
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SC2616
电源管理
电气特性（续）
除另有规定：T已
A
= 25°C ， 12VCC = 12V ， 5VCC = 5V ， 5VSBY = 5V 。
参数
SW itcher （续）
PWM斜坡
铽 LD
输出电流
负载调整率
电流限制
V TT LD
输出电压
符号
条件
民
典型值
最大
单位
V
坡道
峰值到峰值
0.55
V
I
VDDQSTBY
V/
I
I
LIM
直流电流
I
VDDQ
= 0A至460毫安; S3
S LP _S 3 = 0
650
750
0.3
2.3
850
0.5
mA
%
A
VTT
V
VDDQSTBY
= 2.500V
I
VTT
= 1.8A到-1.8A
1.237 1.250 1.267
1.225 1.250 1.275
±1.8
±2
±0.5
75
±1.0
V
A
%
dB
A
源和吸收电流
负载调整率
误差放大器增益器
电流限制
I
VTT
VTT /
I
A
EA_VTT
VTT
ILIM
SLP_S3 =高（汇）
SLP_S3 =高（源）
I
VTT
= + 1.8A到-1.8A
3
3
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4
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SC2616
电源管理
引脚配置
顶视图
FB
VTTSNS
LGND
5VSBY
VTT
VTT
VDDQSTBY
VDDQIN
5VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
18
17
16
15
14
13
12
11
10
SS / EN
COMP
12VCC
TG
BG
保护地
AGND
SLP_S3
SLP_S5
订购信息
产品编号
SC2616MLTR
(1)
P ackag ê
MLP-18
注意：
（ 1 ）只有在磁带和卷轴封装可供选择。一个趔趄
包含3000设备。
（ 18引脚MLP ）
注：引脚19是在底部的散热垫
该装置的
引脚说明
针＃
1
2
3
4
5, 6
7
引脚名称
FB
VTTSNS
LGND
5V S B
VTT
引脚功能
反馈的待机LDO和切换器的VDDQ 。
VTT LDO反馈和远程感测输入。
VTT回报。连接到负载点的回报。跟踪连接到该引脚必须能够携带
2A电流。
偏置电源芯片。连接到5V待机。
VTT输出。连接到负载点。跟踪连接到该引脚必须能够携带2A
当前的
VDDQSTBY S3 VDDQ输出。必须作出规定，以防止回喂养VDDQSTBY供应
输入电压（见典型应用电路图） 。连接到该引脚的走线必须是
能够刘铭传电流0.85A的。
VDDQIN
5V C C
S LP _s 5
S LP _s 3
AGND
保护地
BG
TG
12V C C
COMP
SS / EN
TH_PAD
VDDQ电源输入VTT LDO 。跟踪连接到该引脚必须能够携带2将
电流。
供应到lnternal逻辑
连接到SLP_S5信号从主板。
连接到SLP_S3信号从主板。
模拟地。
栅极驱动的回报。保持此引脚接近底部FET的源。
底栅驱动器。
顶栅驱动器。
供给到上部和下部栅极驱动器。
补偿引脚的PWM跨导放大器。
软启动电容到AGND。拉低至低于0.3V至禁用控制器。
铜垫用于散热片的底部。该引脚必须连接到地平面
根据IC 。 （参见应用信息） 。
5
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8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
2003升特公司
QQ：2880707522 复制
