低电压集成DDR
终端稳压器
电源管理
描述
该SC2596是一款集成的线性DDR终端
装置，它提供了用于DDR一个完整的解决方案
终端稳压器的设计;同时满足JEDEC
SSTL -2， SSTL要求-18规格
DDR -SDRAM终止。
在SC2596调节高达+/- 2.5A的DDR -I和+/-
1.5A的DDR- II的应用需求。
V
TT
被调节以跟踪V
REF
电压在整个
电流范围通过保护拍摄。
A V
SENSE
销结合，以提供优异的负载
规，以及一个缓冲的基准电压
内部使用。
该SC2596还采用了禁用功能，是
三态输出过程中挂起到内存（ STR ）的状态
通过将EN引脚为低电平。
SC2596
特点
供应或吸收2.5A的DDR -I
采购或下沉为1.5A DDR- II
AV
CC
欠压锁定
参考输出
外部元件的最小数量
精确的内部电压分压器
禁用功能，使设备进入睡眠模式
热关断
过电流保护
可在SOIC8 - EDP包
无铅，无卤素，符合RoHS / WEEE标准
应用
DDR -I和DDR - II内存终止
SSTL -2， SSTL- 3终止
HSTL终止
PC主板
显卡
磁盘驱动器
CD-ROM驱动
典型应用电路
AVCC
EN
VDDQ
SC2596
EN
VDDQ
PVCC
AVCC
VTT
VTT
VSENSE
VREF
VREF
GND
0
Septenber 24日， 2009年
1
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SC2596
电源管理
绝对最大额定值
P AR时等ER
PVCC ， AVCC ， VDDQ ， EN为GN
热阻结到外壳
热阻结到环境
最高结温范围
存储温度范围
峰值回流焊温度10-40S
ESD额定值（人体模型）
θ
JC
θ
JA
T
J
T
英镑
T
PKG
ESD
S y时M B OL
M AX I M ü米
-0.3到+6.0
5.5
36.5
-40到+125
-65到+150
260
2
O
初步
超过下面的规格，可能会导致该设备，或设备故障造成永久性损坏。指定的参数的操作外
在电气特性部分，是不是暗示。
单位
V
C / W
C / W
O
O
C
C
C
O
O
kV
电气特性（ DDR -I ）
除非另有规定ED ：T已
J
= -40
o
C至+ 125
o
C， AV
CC
？ PV
CC
= 2.5V, V
DDQ
= 2.5V.
P AR时等ER
参考电压
V
REF
输出阻抗
V TT输出调节
(1)
S y时M B OL
V
REF
Z
VREF
(V
TT
- V
REF
)
特S T C 0 N D I T I O N s个
I
REF_OUT
= 0毫安
I
REF
= -30uA至+为30uA
I
OUT
= 0A
I
OUT
= -1.5A
I
OUT
= +1.5A
I
负载
= 0A
民
0.49VDDQ
TY P
0.5VDDQ
230
米斧
0.51VDDQ
单位
V
Ω
-25
0
400
2.1
+25
700
2.2
mV
uA
V
kΩ
静态电流
AV
CC
启用阈值
VDDQ输入阻抗
在关断静态电流
EN引脚漏电流
EN阈值电压
V TT漏电流
关闭
I
Q
Z
VDDQ
I
SD
I
Q_SD
VH
VL
I
V TT_L
SD = 0V ，V TT = 1.25V ，
在25
O
C
EN = 0
EN = 0
2
100
150
250
1
0.8
6
uA
uA
V
uA
2009年升特公司
2
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SC2596
电源管理
电气特性（ DDR -I续）
除非另有规定ED ：T已
J
= -40
o
C至+ 125
o
C， AV
CC
？ PV
CC
= 2.5V, V
DDQ
= 2.5V.
P AR时等ER
VSEN SE电流
热关断
热关断迟滞
S y时M B OL
特S T C 0 N D I T I O N s个
民
TY P
50
160
10
米斧
200
单位
nA
O
I
SENSE
T
SD
T
SD_HYS
C
C
O
注：（1 ）调控是通过使用一个负载的电流脉冲进行测量。 （脉冲宽度小于10ms ，占空比小于2％ ，T
A
= 25
o
C)
电气特性（ DDR- II ）
除非另有规定ED ：T已
J
= -40
o
C至+ 125
o
C， AV
CC
= 3.3V ， PV
CC
= V
DDQ
= 1.8V.
P AR时等ER
参考电压
V
REF
输出阻抗
V TT输出调节
(1)
S y时M B OL
V
REF
Z
VREF
(V
TT
- V
REF
)
特S T C 0 N D I T I O N s个
I
REF_OUT
= 0毫安
I
REF
= -30uA至+为30uA
I
OUT
= 0A
I
OUT
= -1.0A
I
OUT
= +1.0A
I
负载
= 0A
民
0.49VDDQ
TY P
0.5VDDQ
230
米斧
0.51VDDQ
单位
V
Ω
-25
0
400
2.1
+25
700
2.2
mV
uA
V
kΩ
静态电流
AV
CC
启用阈值
VDDQ输入阻抗
在关断静态电流
EN引脚漏电流
EN阈值电压
V TT漏电流
关闭
当前VSENSE
热关断
热关断迟滞
I
Q
Z
VDDQ
I
SD
I
Q_SD
VH
VL
I
V TT_L
SD = 0V ，V TT = 0.9V ，
在25
O
C
EN = 0
EN = 0
2
100
150
0.5
0.8
6
50
160
10
200
250
uA
uA
V
uA
nA
O
I
SENSE
T
SD
T
SD_HYS
C
C
O
注：（1 ）调控是通过使用一个负载的电流脉冲进行测量。 （脉冲宽度小于10ms ，占空比小于2％ ，T
A
= 25
o
C)
2009年升特公司
3
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SC2596
电源管理
波形
4.0
输出电流（A ）
输出电流（A ）
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
3.5
3.0
2.5
2.0
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
AVCC （ V）
AVCC （ V）
最大的源电流与AVCC 。
（ VDDQ = 1.8V ， PVCC = 2.5V ）
最大下沉电流与AVCC 。
（ VDDQ = 1.8V ， PVCC = 2.5V ）
3.0
输出电流（A ）
2.5
2.0
1.5
1.0
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
输出电流（A ）
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
在CC （V
V
)
最大的源电流与AVCC 。
（ VDDQ = 1.8V ， PVCC = 1.8V）
AVCC （ V）
最大下沉电流与AVCC 。
（ VDDQ = 1.8V ， PVCC = 1.8V）
2009年升特公司
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低电压集成DDR
终端稳压器
电源管理
描述
该SC2596是一款集成的线性DDR终端
装置，它提供了用于DDR一个完整的解决方案
终端稳压器的设计;同时满足JEDEC
SSTL -2， SSTL要求-18规格
DDR -SDRAM终止。
在SC2596调节高达+/- 2.5A的DDR -I和+/-
1.5A的DDR- II的应用需求。
V
TT
被调节以跟踪V
REF
电压在整个
电流范围通过保护拍摄。
A V
SENSE
销结合，以提供优异的负载
规，以及一个缓冲的基准电压
内部使用。
该SC2596还采用了禁用功能，是
三态输出过程中挂起到内存（ STR ）的状态
通过将EN引脚为低电平。
SC2596
特点
供应或吸收2.5A的DDR -I
采购或下沉为1.5A DDR- II
AV
CC
欠压锁定
参考输出
外部元件的最小数量
精确的内部电压分压器
禁用功能，使设备进入睡眠模式
热关断
过电流保护
采用SOIC - 8封装EDP
WEEE和RoHS标准
应用
DDR -I和DDR - II内存终止
SSTL -2， SSTL- 3终止
HSTL终止
PC主板
显卡
磁盘驱动器
CD-ROM驱动
典型应用电路
AVCC
EN
VDDQ
SC2596
EN
VDDQ
PVCC
AVCC
VTT
VTT
VSENSE
VREF
VREF
GND
0
修订： 2007年7月18日
1
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电源管理
绝对最大额定值
P A R A M等儿
PVCC ， AVCC ， VDDQ到GND
最高结温范围
存储温度范围
峰值回流焊温度10-40S
ESD额定值（人体模型）
SYMB OL
V
CC
T
J
T
英镑
T
PKG
ESD
米喜米ü米
-0.3到+6.0
-40到+125
-65到+150
260
2
初步
超过下面的规格，可能会导致该设备，或设备故障造成永久性损坏。指定的参数的操作外
在电气特性部分，是不是暗示。
未经我TS
V
O
C
C
C
O
O
kV
电气特性（ DDR -I ）
除非另有规定ED ：T已
J
= -40
o
C至+ 125
o
C， AV
CC
？ PV
CC
= 2.5V, V
DDQ
= 2.5V.
P AR时等ER
参考电压
V
REF
输出阻抗
V TT输出调节
(1)
S y时M B OL
V
REF
Z
VREF
(V
TT
- V
REF
)
特S T C 0 N D I T I O N s个
I
REF_OUT
= 0毫安
I
REF
= -30uA至+为30uA
I
OUT
= 0A
I
OUT
= -1.5A
I
OUT
= +1.5A
I
负载
= 0A
民
0.49VDDQ
TY P
0.5VDDQ
230
米斧
0.51VDDQ
单位
V
-25
0
400
2.1
+25
700
2.2
mV
uA
V
k
静态电流
AV
CC
启用阈值
VDDQ输入阻抗
在关断静态电流
EN引脚漏电流
EN阈值电压
V TT漏电流
关闭
I
Q
Z
VDDQ
I
SD
I
Q_SD
VH
VL
I
V TT_L
SD = 0V ，V TT = 1.25V ，
在25
O
C
EN = 0
EN = 0
2
100
150
250
1
0.8
6
uA
uA
V
uA
2007 Semtech公司公司
2
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电源管理
电气特性（ DDR -I续）
除非另有规定ED ：T已
J
= -40
o
C至+ 125
o
C， AV
CC
？ PV
CC
= 2.5V, V
DDQ
= 2.5V.
P AR时等ER
VSEN SE电流
热关断
热关断迟滞
S y时M B OL
特S T C 0 N D I T I O N s个
民
TY P
50
160
10
米斧
200
单位
nA
O
I
SENSE
T
SD
T
SD_HYS
C
C
O
注：（1 ）调控是通过使用一个负载的电流脉冲进行测量。 （脉冲宽度小于10ms ，占空比小于2％ ，T
A
= 25
o
C)
电气特性（ DDR- II ）
除非另有规定ED ：T已
J
= -40
o
C至+ 125
o
C， AV
CC
= 3.3V ， PV
CC
= V
DDQ
= 1.8V.
P AR时等ER
参考电压
V
REF
OUTP UT阻抗
V TT OUTP UT法规
(1)
S y时M B OL
V
REF
Z
VREF
(V
TT
- V
REF
)
特S T C 0 N D I T I O N s个
I
REF_OUT
= 0毫安
I
REF
= -30uA至+为30uA
I
OUT
= 0A
I
OUT
= -1.0A
I
OUT
= +1.0A
I
负载
= 0A
民
0.49VDDQ
TY P
0.5VDDQ
230
米斧
0.51VDDQ
单位
V
-25
0
400
2.1
+25
700
2.2
mV
uA
V
k
静态电流
AV
CC
启用阈值
VDDQ INP UT阻抗
在关断静态电流
EN引脚漏电流
EN阈值电压
V TT漏电流
关闭
VSEN SE电流
热关断
热关断迟滞
I
Q
Z
VDDQ
I
SD
I
Q_SD
VH
VL
I
V TT_L
SD = 0V ，V TT = 0.9V ，
在25
O
C
EN = 0
EN = 0
2
100
150
0.5
0.8
6
50
160
10
200
250
uA
uA
V
uA
nA
O
I
SENSE
T
SD
T
SD_HYS
C
C
O
注：（1 ）调控是通过使用一个负载的电流脉冲进行测量。 （脉冲宽度小于10ms ，占空比小于2％ ，T
A
= 25
o
C)
2007 Semtech公司公司
3
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SC2596
电源管理
波形
4.0
输出电流（A ）
输出电流（A ）
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
3.5
3.0
2.5
2.0
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
AVCC （ V）
AVCC （ V）
最大的源电流与AVCC 。
（ VDDQ = 1.8V ， PVCC = 2.5V ）
最大下沉电流与AVCC 。
（ VDDQ = 1.8V ， PVCC = 2.5V ）
3.0
输出电流（A ）
输出电流（A ）
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
2.5
2.0
1.5
1.0
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
的AV （V）的
CC
最大的源电流与AVCC 。
（ VDDQ = 1.8V ， PVCC = 1.8V）
AVCC （ V）
最大下沉电流与AVCC 。
（ VDDQ = 1.8V ， PVCC = 1.8V）
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