集成线性DDR
终端稳压器
电源管理
描述
该SC2595是一款集成的线性DDR终端
装置，它提供了用于DDR一个完整的解决方案
终端的设计;同时满足JEDEC要求一
的ments SSTL - 2规格的DDR -SDRAM termi-
国家。
该SC2595可提供和吸收电流为1.5A的
输出电压V
TT
同时保持出色的负载调节。
V
TT
是用来追踪在V
REF
电压与紧
容差，在整个电流范围内，同时防止
射通过在输出级。
A V
SENSE
销结合，以提供优异的负载
规，以及一个缓冲基准电压。
在SC2595集成了内置待机功能
该AV
CC
引脚为三态输出过程中挂起到
RAM（ STR ）的状态。
（多项专利正在申请中。 ）
SC2595
特点
而采购或下沉1.5A调节
AV
CC
范围是从2.5V到5V
参考输出
外部元件的最小数量
精确的内部电压分压器
SOIC8 - EDP package.Pb无，无卤素，符合RoHS /
WEEE标准
应用
DDR存储器终端
高速数据线端接
PC主板
显卡
磁盘驱动器
CD-ROM驱动
典型应用电路
VDD
SC2595
1
2
3
VREF
4
NC
GND
VSENSE
VREF
VTT
PVCC
AVCC
VDDQ
8
7
6
5
VTT
2009年9月24日
1
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SC2595
电源管理
绝对最大额定值
初步
超过下面的规格，可能会导致该设备，或设备故障造成永久性损坏。参数之外运行
在电气特性规定是不是暗示。
P AR时等ER
PVCC ， AVCC ， VDDQ来GN
热阻结到外壳
SOIC8-EDP
热阻结到环境
SOIC8-EDP
作品展业务的温度erature范围
作品展业务的结温范围erature
储存温度erature范围
峰值回流焊温度erature 10 - 40岁
峰值回流焊温度erature 10 - 40岁
ESD额定值（人体模型）
S y时M B OL
V
CC
θ
JC
θ
JA
T
A
T
J
T
英镑
T
乐A D
T
乐A D
ESD
M AX I M ü米
-0.3到+6.0
5.5
单位
V
° C / W
36.5
-40到+105
-40到+150
-65到+150
240
260
2
° C / W
°C
°C
°C
°C
°C
KV
工作范围
P AR时等ER
结温范围erature
AVCC为GN
PVCC到GN
S y时M B OL
T
J
AV
CC
PV
CC
M AX I M ü米
-40到+150
2.3至5.5
2.3 AV
CC
单位
°C
V
V
电气特性
规范与标准字体为T
J
= 25
o
C和粗体字体的极限值适用于整个工作温度范围
(T
J
= -40
o
C至+150
o
C） 。除非另外指明，影音
CC
？ PV
CC
= 2.5V, V
DDQ
= 2.5V.
P AR时等ER
参考电压
负载调整率
(1)
S y时M B OL
V
REF
REG
负载
V OS
V TT
I
Q
特S T C 0 N D I T I O N s个
I
REF_OUT
= 0毫安
I
负载
： 0到+ 1.5A
I
负载
： 0 -1.5A
I
OUT
= 0A ，V
TT
- V
REF
I
负载
= 0A
民
V DDQ / 2
- 为40mV
TY P
1.25
-0.5
+0.5
米斧
V DDQ / 2
+ 40mV以内
单位
V
%
V TT ，调节输出电压偏移
静态电流
AV CC ENAB乐门限
V DDQ INP UT进出口edance
-20
0
400
2.1
+20
mV
μ
A
V
kΩ
Z
VDDQ
100
注意：
（ 1）负载调整率，使用10ms的电流脉冲宽度测量V时
TT
.
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电源管理
引脚配置
订购信息
票面吨数
包
SOIC8-EDP
温度。范围（T
A
)
-40到+105
O
C
顶视图
NC
GND
VSENSE
VREF
1
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8
7
6
5
VTT
PVCC
AVCC
VDDQ
SC2595STRT
(1)(2)
SC2595EVB
评估板
注意事项：
（ 1 ）只有在磁带和卷轴封装可供选择。一卷包括
2500设备为SOIC8 - EDP包。
（ 2 ）采用无铅，无卤素，符合RoHS和WEEE标准。
(SOIC8-EDP)
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电源管理
引脚说明
S 0我C- 8L ê DP
针＃
1
2
3
P I N N AM ê
NC
GN
V SEN SE
N}÷内部连接。
地面上。
V
SENSE
是在反馈上限ACK P 。 V
TT
P车道总是在最狭窄的和长条形的P车道
M O对吨 é R B ○AR AP P L我的猫I O N s个。牛逼hislong ST rippl的e将CAU SE人AR GETR王牌
电感和跟踪性。考虑负载瞬态条件;快
负载电流经过V
TT
带P车道可以创建在V电压SP ikes
TT
P通道。负载电流也可能导致在V的直流电压降
TT
P通道。这是
recommen D·埃德日在V
SEN SE
SH欧升D B è CON ected以TH V电子岑之三
TT
P L电子邮件至
我MP罗夫TH EL OAD单组升上ATI的个连接OI本身我MMU妮TY 。在次情况下，在对电子可以'吨
连接V
SENSE
中的p与V的中心
TT
P车道，应该把它连接到
SC2595 V
TT
P直接。 V的长走线
SENSE
可P ICK上升噪音，并导致
负载调节误差;因此，较长的跟踪必须Bé避免。
一个10nF的到100nF的陶瓷电容acitor靠近V
SENSE
P中的要求设置，以避免
在瞬态条件下的振荡。
V
REF
是OUTP UT P中，其中p rovides的B uffered OUTP内部参考的UT
电压。系统设计人员可以使用V
REF
OUTP UT电压N或THB脊芯片组
在D内存。 B ecau SE次ESE inputpins是TY PI CAL lyhi GH我MP编了CE，日ERE
应该BEA少量的电流从V绘制
REF
中的p [图9 ， 10] 。对
IMP浪迹噪声免疫力，陶瓷帽acitor （ 10nF电容 - 100nF的），应加
从V
REF
P到地面肖尔吨的距离。
在V
DDQ
P中是一个INP UT创建内部参考电压来调节V
TT.
该
V
DDQ
电压连接到内部RT外接100K电阻分压器。中央水龙头
对RESI STOR D我用vi 器（V
DDQ
/ 2 ）是CON ected以日EIN燕鸥人卷踏歌府FFER ， WHI通道
，调节输出被连接到V
REF
中的p和误差放大器真的现象的非INVER婷inp中UT
作为参考电压。与反馈上限的ack环路闭合时，在V
TT
OUTP UT电压
将始终跟踪V
DDQ
/ 2 P recisely 。它建议使用5.1欧姆+一
1uF的陶瓷电容acitor为V
DDQ
P中的过滤器，以提高抗干扰能力。
该AV
CC
P中是用来晚饭P LY所有的内部控制电路。 AV
CC
电压
H作为要大个的I TS UV LO日RESH醇卷踏歌（ 2.1V TY PI CAL ），以人升流前作
SC2595 B E在正常运关合作。如果AV
CC
电压比紫外线振阈值低
电压，在V
TT
，调节输出电压将保持在0V。
光伏
CC
中的p P rovides从其中V中的干线电压
TT
中的p绘制负载电流。
这里有一个限制B etween AV
CC
和PV
CC
。光伏
CC
电压必须Bé小于或
EQ UAL到AV
CC
电压，以确保正确，调节输出电压调节。在V
TT
源电流上限AB ility是对光伏DEP endent
CC
电压。更高的电压
PV
CC
较高的源电流;然而，它会引起多个p奥尔损失和更高
温度erature崛起[图5 ， 11 ， 12 ] 。
在V
TT
P中是SC2595的OUTP UT 。它可以吸收和源出1.5A的连续
铜rren吨的 3A P EAK立方米rren twhilek EEP荷兰国际集团EX CEL升卫浴TL OAD章UL在我上。余吨I S
recommen D·埃德日，在关于电子SH OU SE LDU在升东220U F左流è SR帽ACI器（E SR
SH OU ldbel流器第一个250米哦米） 10U F Cerami研究帽阿哲吨口服补液盐， WHI的通道
统一SP阅读在V
TT
脱衣P车道，以减少负载下的电压SP IKE
瞬态条件。
热P的广告应该Bé连接到GN D.
(1)
初步
P I N富N c个T I O 4 N
4
V REF
5
V DDQ
(2)
6
AV CC
(2)
7
PV CC
(2)
8
V TT
热
PAD
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电源管理
注意事项：
（1）可用于通孔。
（2）电源的AV向上
CC
， PV
CC
和V
DDQ
耗材。
（a）是操作的优选模式时，该AV
CC
， PV
CC
和V
DDQ
引脚连接至同一个电源。
（b）若当AV
CC
， PV
CC
引脚被连接到一个单独的供应，以使第五
DDQ
电源引脚;那么V
DDQ
供应
铅AV
CC
， PV
CC
供应或在V
DDQ
供给和AV
CC
， PV
CC
电源应同时上升。
（ c）如果AV
CC
， PV
CC
和V
DDQ
电源引脚连接的方式，使得影音
CC
， PV
CC
耗材之前V
DDQ
供应;
那么V
TT
输出之前V
DDQ
。这可引起对SDRAM器件闩锁，并因此可能导致永久
损坏到SDRAM 。
框图
A
VCC
UVLO
V
DDQ
PV
CC
-
OUT
+
OUT
+
-
司机
电路
V
TT
V
REF
GND
V
SENSE
NC
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终端稳压器
电源管理
描述
该SC2595是一款集成的线性DDR终端
装置，它提供了用于DDR一个完整的解决方案
终端的设计;同时满足JEDEC要求一
的ments SSTL - 2规格的DDR -SDRAM termi-
国家。
该SC2595可提供和吸收电流为1.5A的
输出电压V
TT
同时保持出色的负载调节。
V
TT
是用来追踪在V
REF
电压与紧
容差，在整个电流范围内，同时防止
射通过在输出级。
A V
SENSE
销结合，以提供优异的负载
规，以及一个缓冲基准电压。
在SC2595集成了内置待机功能
该AV
CC
引脚为三态输出过程中挂起到
RAM（ STR ）的状态。
（多项专利正在申请中。 ）
SC2595
特点
而采购或下沉1.5A调节
AV
CC
范围是从2.5V到5V
参考输出
外部元件的最小数量
精确的内部电压分压器
SOIC -8L EDP包。在还提供无铅
包装，完全WEEE和RoHS标准
应用
DDR存储器终端
高速数据线端接
PC主板
显卡
磁盘驱动器
CD-ROM驱动
典型应用电路
VDD
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1
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VREF
4
NC
GND
VSENSE
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PVCC
AVCC
VDDQ
8
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修订： 2007年6月12日
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绝对最大额定值
初步
超过下面的规格，可能会导致该设备，或设备故障造成永久性损坏。参数之外运行
在电气特性规定是不是暗示。
P AR时等ER
PVCC ， AVCC ， VDDQ来GN
热阻结到外壳
SOIC -8L EDP
热阻结到环境
SOIC -8L EDP
作品展业务的温度erature范围
作品展业务的结温范围erature
储存温度erature范围
峰值回流焊温度erature 10 - 40岁
峰值回流焊温度erature 10 - 40岁
ESD额定值（人体模型）
S y时M B OL
V
CC
θ
JC
θ
JA
T
A
T
J
T
英镑
T
乐A D
T
乐A D
ESD
M AX I M ü米
-0.3到+6.0
5.5
单位
V
° C / W
36.5
-40到+105
-40到+150
-65到+150
240
260
2
° C / W
°C
°C
°C
°C
°C
KV
工作范围
P AR时等ER
结温范围erature
AVCC为GN
PVCC到GN
S y时M B OL
T
J
AV
CC
PV
CC
M AX I M ü米
-40到+150
2.3至5.5
2.3 AV
CC
单位
°C
V
V
电气特性
规范与标准字体为T
J
= 25
o
C和粗体字体的极限值适用于整个工作温度范围
(T
J
= -40
o
C至+150
o
C） 。除非另外指明，影音
CC
？ PV
CC
= 2.5V, V
DDQ
= 2.5V.
P AR时等ER
参考电压
负载调整率
(1)
S y时M B OL
V
REF
REG
负载
V OS
V TT
I
Q
特S T C 0 N D I T I O N s个
I
REF_OUT
= 0毫安
I
负载
： 0到+ 1.5A
I
负载
： 0 -1.5A
I
OUT
= 0A ，V
TT
- V
REF
I
负载
= 0A
民
V DDQ / 2
- 为40mV
TY P
1.25
-0.5
+0.5
米斧
V DDQ / 2
+ 40mV以内
单位
V
%
V TT ，调节输出电压偏移
静态电流
AV CC ENAB乐门限
V DDQ INP UT进出口edance
-20
0
400
2.1
+20
mV
A
V
k
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注意：
（ 1）负载调整率，使用10ms的电流脉冲宽度测量V时
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引脚说明
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NC
GN
V SEN SE
N}÷内部连接。
地面上。
V
SENSE
是在反馈上限ACK P 。 V
TT
P车道总是在最狭窄的和长条形的P车道
M O对吨 é R B ○AR AP P L我的猫I O N s个。牛逼hislong ST rippl的e将CAU SE人AR GETR王牌
电感和跟踪性。考虑负载瞬态条件;快
负载电流经过V
TT
带P车道可以创建在V电压SP ikes
TT
P通道。负载电流也可能导致在V的直流电压降
TT
P通道。这是
recommen D·埃德日在V
SEN SE
SH欧升D B è CON ected以TH V电子岑之三
TT
P L电子邮件至
我MP罗夫TH EL OAD单组升上ATI的个连接OI本身我MMU妮TY 。在次情况下，在对电子可以'吨
连接V
SENSE
中的p与V的中心
TT
P车道，应该把它连接到
SC2595 V
TT
P直接。 V的长走线
SENSE
可P ICK上升噪音，并导致
负载调节误差;因此，较长的跟踪必须Bé避免。
一个10nF的到100nF的陶瓷电容acitor靠近V
SENSE
P中的要求设置，以避免
在瞬态条件下的振荡。
V
REF
是OUTP UT P中，其中p rovides的B uffered OUTP内部参考的UT
电压。系统设计人员可以使用V
REF
OUTP UT电压N或THB脊芯片组
在D内存。 B ecau SE次ESE inputpins是TY PI CAL lyhi GH我MP编了CE，日ERE
应该BEA少量的电流从V绘制
REF
中的p [图9 ， 10] 。对
IMP浪迹噪声免疫力，陶瓷帽acitor （ 10nF电容 - 100nF的），应加
从V
REF
P到地面肖尔吨的距离。
在V
DDQ
P中是一个INP UT创建内部参考电压来调节V
TT.
该
V
DDQ
电压连接到内部RT外接100K电阻分压器。中央水龙头
对RESI STOR D我用vi 器（V
DDQ
/ 2 ）是CON ected以日EIN燕鸥人卷踏歌府FFER ， WHI通道
，调节输出被连接到V
REF
中的p和误差放大器真的现象的非INVER婷inp中UT
作为参考电压。与反馈上限的ack环路闭合时，在V
TT
OUTP UT电压
将始终跟踪V
DDQ
/ 2 P recisely 。它建议使用5.1欧姆+一
1uF的陶瓷电容acitor为V
DDQ
P中的过滤器，以提高抗干扰能力。
该AV
CC
P中是用来晚饭P LY所有的内部控制电路。 AV
CC
电压
H作为要大个的I TS UV LO日RESH醇卷踏歌（ 2.1V TY PI CAL ），以人升流前作
SC2595 B E在正常运关合作。如果AV
CC
电压比紫外线振阈值低
电压，在V
TT
，调节输出电压将保持在0V。
光伏
CC
中的p P rovides从其中V中的干线电压
TT
中的p绘制负载电流。
这里有一个限制B etween AV
CC
和PV
CC
。光伏
CC
电压必须Bé小于或
EQ UAL到AV
CC
电压，以确保正确，调节输出电压调节。在V
TT
源电流上限AB ility是对光伏DEP endent
CC
电压。更高的电压
PV
CC
较高的源电流;然而，它会引起多个p奥尔损失和更高
温度erature崛起[图5 ， 11 ， 12 ] 。
在V
TT
P中是SC2595的OUTP UT 。它可以吸收和源出1.5A的连续
铜rren吨的 3A P EAK立方米rren twhilek EEP荷兰国际集团EX CEL升卫浴TL OAD章UL在我上。余吨I S
recommen D·埃德日，在关于电子SH OU SE LDU在升东220U F左流è SR帽ACI器（E SR
SH OU ldbel流器第一个250米哦米） 10U F Cerami研究帽阿哲吨口服补液盐， WHI的通道
统一SP阅读在V
TT
脱衣P车道，以减少负载下的电压SP IKE
瞬态条件。
热P的广告应该Bé连接到GN D.
(1)
初步
P I N富N c个T I O 4 N
4
V REF
5
V DDQ
(2)
6
AV CC
(2)
7
PV CC
(2)
8
V TT
热
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注意事项：
（1）可用于通孔。
（2）电源的AV向上
CC
， PV
CC
和V
DDQ
耗材。
（a）是操作的优选模式时，该AV
CC
， PV
CC
和V
DDQ
引脚连接至同一个电源。
（b）若当AV
CC
， PV
CC
引脚被连接到一个单独的供应，以使第五
DDQ
电源引脚;那么V
DDQ
供应
铅AV
CC
， PV
CC
供应或在V
DDQ
供给和AV
CC
， PV
CC
电源应同时上升。
（ c）如果AV
CC
， PV
CC
和V
DDQ
电源引脚连接的方式，使得影音
CC
， PV
CC
耗材之前V
DDQ
供应;
那么V
TT
输出之前V
DDQ
。这可引起对SDRAM器件闩锁，并因此可能导致永久
损坏到SDRAM 。
框图
A
VCC
UVLO
V
DDQ
PV
CC
-
OUT
+
OUT
+
-
司机
电路
V
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