完成三个- in-One的DDR
电源解决方案通过BF_CUT
电源管理
描述
该SC2516是一个完全集成，三个多功能一体DDR CON-
控制器将功率供应到VDDQ， VTT和GMCH
轨。两个同步降压控制器提供VDDQ
和GMCH在高效率，同时内部线性稳压
荡器提供终止电压， 1.8A （最小值）
源/汇的能力。
该SC2516采用了英特尔
定义锁定BF_Cut
信号符合主板的状态转换。该
稳压器使用5VDUAL铁路提供VDDQ下的所有
主板状态，通过VDDQ切换。在GMCH
调节器被从动断5V主调节器，使用另行
率UVLO上轨。额外的逻辑和监督
电路完成此单芯片DDR的功能
符合ACPI要求的电源解决方案。
在MLP封装与铜焊盘提供了极好的
热阻抗，同时保持体积小巧。 VDDQ
随着VTT电流限制短路保护
还有两个独立的热关断电路， AS-i
所有的故障情况下确保安全运行。
SC2516
特点
采用锁存BF_Cut英特尔芯片胶来
控制调节器
外部VDDQ分频器允许DDRI和DDRII的COM
兼容性
高效率的VDDQ切换器
外部GMCH分频器允许1.5V或1.25V亲
编程
高效率GMCH切换用品亲
从5V或3.3V电压轨输出编程
单芯片解决方案完全符合ACPI电源
测序规格
1.8A （最小值）， VTT源/汇功能
为VDDQ切换大电流1Amp栅极驱动器
为VTT独立的热关断
快速瞬态响应
节省空间的22引脚MLP封装与铜
用于散热，以PC板散热垫
应用
每英特尔DDR内存电源解决方案
主板规格
高速数据线端接
12VCC
5Vdual
典型应用电路
1
FBVDDQ
SS / EN
VTT
5
VDDQ
6
7
8
VDDQ
9
10
11
2
3
4
COMP
FBVDDQ
SS / EN
VTTGND
VTT
VDDQ
AGND
VTTFB
REFSENS
TH _PAD
FB_GMCH
SS_GMCH
保护地
BG
TG
BST
5VSBY
COMP_GMCH
BF_CUT
TG_GMCH
BG_GMCH
GND_GMCH
POK
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
GMCH
锁存BF_CUT
3VCC
5VSBY
FBVDDQ
VDDQ
FB_GMCH
ATXPWR_OK
FB_GMCH
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SC2516
修订版8月。 2005年
1
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电源管理
绝对最大额定值
超过下面的规格，可能会导致该设备，或设备故障造成永久性损坏。指定的参数的操作外
在电气特性部分，是不是暗示。
参数
电源电压， BST至AGND
待机输入电压
输入
AGND至PGND或LGND
VTT输出C光凭目前
操作，实际吴香必耳鼻喉科温度范围
操作，实际纳克Juncti的温度
热RESI立场Juncti到香必耳鼻喉科
热RESI立场Juncti上到C ASE
存储温度范围
TG / BG / TG_GMC H / BG_GMC H D C电压
TG / BG / TG_GMC H / BG_GMC h交流传动电压
符号
V
BST
V
5V S B
I / O
最大
20
7
5VSTBY +0.3 ， AGND -0.3
0.3
ü尼特
V
V
V
V
A
o
I
O（ VTT ）
T
A
T
J
θ
JA
θ
JC
T
英镑
+/- 2
0到70
125
25
4
-65到150
BST + 0.3 ， -0.3 PGND
BST + 1.0 ， -4.0 PGND
吨< 100纳秒
（从50 ％开始，到50％）的
o
C
C
o
C / W
C / W
o
o
C
V
V
ESD慧慧纳克（人体模型）
ESD
2
KV
电气特性
除另有规定：T已
A
= 25
o
C， 5VSBY = 5V
参数
5VSBY电压
魁escent光凭目前
BF_C UT门槛
P_OK门槛
5VSBY欠压锁定
VD Q反馈参考
VD Q反馈光凭目前
SS / EN关断阈值
热关断
热关断Hysteresi s
符号
V
5V S B
ONDITIONS
民
4.5
典型值
5
12
8
最大
5.5
16
ü尼特
V
mA
BF_C UT低
I
Q(5VSBY)
GH BF_C UT喜
0.8
0.8
UVLO
5VSBY
V
REF
I
FB
V
EN（ TH）的
T
J- SHDN
T
J- HYST
V
FB
= 1.25V
VD Q / VTT @关闭
2.4
1.238
-2
0.3
10
2.4
2.4
3
1.263
V
V
V
V
uA
TTL
TTL
2.7
1.25
0.5
150
10
V
o
C
C
o
2005年升特公司
2
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SC2516
电源管理
引脚说明
针＃
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
引脚名称
COMP
FBVDDQ
SS / EN
VTTGND
VTT
VDDQ
AGND
VTTFB
REFSNS
FB_GMCH
SS_GMCH
POK
GND_GMCH
BG_GMCH
TG_GMCH
BF_CUT
引脚功能
补偿引脚的PWM跨导放大器为VDDQ切换。
反馈为VDDQ调节。连接到VDDQ感在负载点。
软启动电容到GND 。拉低禁用控制器。
VTT回报。连接到铜一架载有VTT返回电流。跟踪连接到该引脚
必须能够携带2安培。
VTT稳压器的输出。调节到1/2 VDDQ 。源和汇1.8安培。跟踪连接
该引脚必须能够携带2安培。
VDDQ电源输入VTT LDO 。跟踪连接到该引脚必须能够携带2安培。
模拟地。补偿元件和软启动电容连接到该地。
检测输入的VTT稳压器。连接到负载点的VTT电压。
检测输入的VDDQ电压。 VTT将被调节到其电压的1/2 。连接点
负载，其中产生在VREF为存储器。
检测输入的GMCH 。连接到负载点的GMCH轨道。
软启动器GMCH切换。一个电容连接到GND 。
连接到电源，从ATX电源OK信号。
栅极驱动器返回地面的GMCH调节。连接至底部FET的源代码。
底部FET的栅极驱动GMCH调节。
热门FET的栅极驱动GMCH调节。
从胶合片式锁存BF_CUT输入。
COMP_GMCH补偿引脚的PWM跨导放大器的GMCH切换
5VSBY
BST
连接到5VSTBY输入。
采用自举二极管/电容的顶部和底部栅极驱动bus.Generated 。另外一个
二极管还需要捕获峰值电压自举为BG驱动器。 （见典型
应用电路）
顶FET栅极驱动器。
底部FET的栅极驱动。
栅极驱动的回报。保持此引脚接近底部FET的源。
铜垫用于散热片的底部。它必须被连接在接地平面
IC 。
20
21
22
23
TG
BG
保护地
TH_PAD
2005年升特公司
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