降压型DC -DC转换器
偏置LDO射频功率放大器器
电源管理
描述
该SC250是一款同步降压转换器
设计具体来说，用作自适应电压
供应CDMA和WCDMA RF电源放大器ERS （ PAS） 。
输出电压可以动态之间调节
0.3V和（VIN - 0.4 ）V通过线性模拟控制输入。
对于高功率运行，最高控制输入信号
级别强制器件进入旁路模式，其中输入
直接经由内部的P被连接到输出
沟道MOSFET 。旁路模式时，也会发生
输出负载要求的工作循环中过量的
最大额定占空比。
该SC250还提供了一个LDO稳压器，它可以是
用于提供一个2.85V偏压到PA 。内部时钟
运行频率为1MHz ，以最大限度地提高EF网络效率，同时还允许
使用小型表面贴装电感器和电容器
都可以使用。
内部PMOS开关的峰值电流额定值允许
为600mA的直流输出电流。旁路PMOS电流
额定值允许的最小1A的直流输出电流在
旁路模式。关闭关闭所有的控制电路
达到0.1μA的典型关断电流。
SC250
特点
可调输出电压范围 - 0.3 3.6V
线性比例V
DAC
到V
OUT
对于关系
增加PA EF网络效率
通过模式的自动和按需
输入电压范围 - 2.7V至5V
典型的稳定时间 - 为40μs
输出电流能力 - 600毫安
最大输出电流旁路模式 - 1A
高达96％的英法fi效率
恒定频率工作 - 1MHz的
小于1μA关断电流更小
内部75mΩ旁路PMOS晶体管
PA偏置电源 - 2.85V ， 20mA时， 1.5 ％
MLPD - W8 ， 2.3× 2.3毫米包
应用
CDMA和WCDMA手机
手持对讲机
RF PC卡
电池供电的RF器件
典型应用电路
V
IN
C
IN
10μF
2
VIN
LX
VOUT
1
6
L1
4.7μH
C
OUT
4.7μF
VCC
启用
VDAC
7
5
8
SC250
EN
VDAC
保护地
VREF
GND
3
4
C
REF
1μF
RF输入
BIAS
PA
GND
RF输出
2006年8月28日
1
www.semtech.com
SC250
电源管理
绝对最大额定值
参数
输入电源电压
EN和VDAC输入
LX引脚电压（电源关闭）
VOUT电压
VOUT短路到地的持续时间
热阻抗结到环境
(1)
工作环境温度范围
结温
储存温度
峰值IR再溢流温度
ESD保护等级
(2)
符号
V
IN
V
EN
, V
DAC
V
LX
V
OUT
t
SC
θ
JA
T
A
T
JC
T
S
T
P
V
ESD
最大
-0.3 7
-0.3 7
-1到V
IN
+1 ， 7V MAX
-0.3 7
连续
110
-40至+85
+150
-60到+160
260
2
初步
超过下面的特定网络连接的阳离子可能导致对设备或设备故障造成永久性损坏。在参数特定网络版之外的操作
电气特性部分，不推荐。
单位
V
V
V
V
s
° C / W
°C
°C
°C
°C
kV
注意：
1 ）从包装在静止空气中计算，安装3“× 4.5” ， 4层FR4 PCB ，每JESD51标准的裸露焊盘下的散热孔。
2 ）根据JEDEC标准JESD22 - A114 -B测试。
电气特性
除非另有说明： V
IN
= V
EN
= 3.6V ，T
A
= -40到85°C 。典型值是在T
A
= +25°C.
参数
输入电压范围
V
OUT
准确性
V
OUT
线路调整
V
OUT
负载调整率
V
REF
准确性
V
REF
线路调整
V
REF
负载调整率
V
REF
负载电流
峰值电感电流
旁路FET电流限制
符号
V
IN
V
OUT
V
出格
V
OUT LOAD
V
REF
V
参考线
V
REF负载
I
REF
I
LX PK
I
通
条件
民
2.7
典型值
最大
5.0
单位
V
V
V
%/V
%
V
IN
= 4V, V
DAC
= 0.1V ，我
OUT
= 0.3A
V
IN
= 4V, V
DAC
= 1.1V ，我
OUT
= 0.3A
V
IN
= 2.7V至5.0V ，V
DAC
= 0.7V
I
OUT
= 0A至600毫安， V
DAC
= 0.7V
I
REF
= 10毫安
I
REF
= 1毫安，我
OUT
= 0A
I
REF
= 0.1到20毫安
0.25
3.23
0.3
3.3
0.35
3.37
0.4
-0.7
2.8
2.85
2.9
0.3
-0.5
20
0.8
1
1.5
2.5
V
%/V
%
mA
A
A
2006年升特公司
2
www.semtech.com
SC250
电源管理
电气特性（续）
参数
静态电流
关断电流
VDAC稳压输出
模式
VDAC直通
模式阈值
VDAC至VOUT转移
比
R
DS ON
绕道
P沟道FET
R
DS ON
P沟道
开关FET
R
DS ON
N沟道
开关FET
LX漏电流PMOS
LX漏电流NMOS
VOUT引脚旁路
PMOS泄漏
振荡器频率
（固定频率）
振荡器频率
（变频）
逻辑输入高
逻辑输入低
控制输入电流 - 高
控制输入电流 - 低
启用瞬时
过冲/下冲
启用瞬时沉降
时间
VDAC瞬态
过冲/下冲
VDAC瞬态建立
时间
2006年升特公司
初步
符号
I
Q
I
SD
V
DAC
V
DAC PT
G
V
R
通
R
DSP
R
DSN
I
LXP
I
LXN
I
LVOUT
f
OSC
f
OSCV
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
OS
EN
t
EN -ST
OS
VDAC
t
VDAC -ST
条件
正常模式（V
DAC
< 1V ）
旁路模式（V
DAC
＆ GT ; 1.4V ）
LX =开， EN = GND ，V
OUT
=开，
T
A
= 25°C
V
IN
= 4.2V
V
DAC
升起
V
DAC
落下
民
典型值
1.5
最大
单位
mA
1
0.1
0.10
1.28
1.20
3
1
1.20
1.37
V
1.3
V/V
mΩ
mΩ
mΩ
2
2
2
0.85
0.65
1.6
0.6
1
1.15
μA
μA
μA
兆赫
兆赫
V
V
μA
μA
%
μs
%
μs
www.semtech.com
μA
V
I
OUT
= 100mA时V
IN
= 3V, V
DAC
= 1.4V
I
OUT
= 100mA时V
IN
= 3V
I
OUT
= 100mA时V
IN
= 3V
V
IN
= 3.6V ， LX = 0V ， EN = GND
V
IN
= 3.6V ， LX = 3.6V ， EN = GND
V
IN
= 3.6V, V
OUT
= 0V ， EN = GND
V
DAC
> 0.2V
V
DAC
= 0.1V
75
400
250
VDAC / EN = 3.6V
VDAC / EN = GND
20
40
20
40
±2
±2
3
QQ：2880707522 复制
