500毫安SmartLDO随着上电
信号序列
导言 - 2000年1月17日
TM
SC1545
电话： 805-498-2111传真： 805-498-3804网址： HTTP ： //www.semtech.com
描述
该SC1545是专为即时可用moth-
erboard应用。作为升特家族的一部分
SmartLDO的它提供了额外的控制功能不
可在一个标准的LDO 。
该器件提供控制3 sep-能力
独的用品。有一个板上500毫安，2.5V
LDO与电流限制保护，驱动引脚的
N沟道MOSFET和P沟道MOSFET。之间
纳尔逻辑电路保证了系统启动时在一个
控制的方式，并且正确的输出是烯
在BF_CUT和SLP的特定序列禁止。
该LDO获取电源的5V待机电源，
和N沟道MOSFET的驱动器从所述衍生的
12V电源。
该SC1545可在表面贴装的SO - 8
封装。
特点
500毫安LDO具有过电流保护（ OCP ）
±2.5 ％的LDO调节过电压，负载和
温度
电源排序的三个电源
应用
立即可用的主板
嵌入式系统
台式电脑
订购信息
产品型号
SC1545CS
(1)
包
SO-8
注意：
（ 1 ）添加后缀“ TR ”的磁带和卷轴包装。
典型应用电路
在2.5V
Q1
2.5V输出
Si4410
C1
2× 100uF的
C2
100uF
3.3V IN
Q2
3.3V输出
IRLMS6802
C3
2× 100uF的
C4
100uF
U1
1
2.5V输出
2
3
4
C5
10uF
VO
GND
PDR
NDR
SC1545
5VSTBY
12VIN
BF_CUT
SLP
8
7
6
5
C6
1uF
C7
0.1uF
5V待机
在12V
BF_CUT
SLP
1
2000 SEMTECH CORP 。
652 MITCHELL ROAD Newbury Park的CA 91320
500毫安SmartLDO随着上电
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SC1545
绝对最大额定值
参数
12V输入电压范围
5V的输入电压范围
P沟道MOSFET栅极驱动器
N沟道MOSFET栅极驱动器
输入引脚
工作环境温度范围
工作结温范围
存储温度范围
引线温度（焊接） 10秒
热阻抗结到外壳
热阻抗结到环境
ESD额定值
注意：
（1） 2英寸的1/16“的FR-4 ，双面， 1盎司的正方形。最小的铜的重量。
(1)
符号
12VIN
5VSTBY
PDR
NDR
最大
-0.3至+15
-0.3到+7
-0.3 5VSTBY
-0.3 12VIN
-0.3到+7
单位
V
V
V
V
V
°C
°C
°C
°C
° C / W
° C / W
kV
T
A
T
J
T
英镑
T
领导
θ
JC
θ
JA
ESD
0至+70
0到+125
-65到+150
300
47
65
2
电气特性
除非特别指定， 12VIN = 12V ， 5VSTBY = 5V ，C
O
= 100μF分钟，T
A
= 25°C 。价值观
胆大
适用于整个工作温度范围内。
参数
12VIN
电源电压
静态电流
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
12VIN
I
Q12
11.28
12.00
12.72
800
1000
1200
V
A
5VSTBY
电源电压
静态电流
5VSTBY
I
Q5
LDO的
4.7
5.0
9.5
5.3
11
12
LDO关闭
3.0
4.0
5.0
欠压锁定（ 5V ）
UVLO阈值
UVLO
5VSTBY RISING
5VSTBY FALLING
迟滞
逻辑复位门限
HYST
RST
1.5
4.1
3.9
4.3
4.1
200
2.0
2.5
4.5
4.3
V
V
mV
V
mA
V
2
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TM
SC1545
电气特性（续）
除非特别指定， 12VIN = 12V ， 5VSTBY = 5V ，C
O
= 100μF分钟，T
A
= 25°C 。价值观
胆大
适用于整个工作温度范围内。
参数
VO
LDO输出电压
符号
测试条件
4.7V
≤
5VSTBY
≤
5.3V,
1mA
≤
I
O
≤
500mA
民
典型值
最大
单位
V
O
-1.5% 2.525 +1.5%
-2.5%
+2.5%
V
LDO输出电压在
(1)
负载瞬变
时间调节
(2)
V
O（ T）
t
REG
R
IN
V
IH
V
IL
I
NDR （ PK ）
V
NDR
t
DL （N ）
t
F（N ）
t
DH （N ）
t
R（ N）
I
PDR （ PK ）
V
PDR
t
DL （P）的
t
F（ P）的
t
DH （ P）
t
R（ p）的
I
CL
在0毫安提供最大500mA电流的负载阶跃
8A /μs的最大值。
-3.0%
2.525
+3.0%
5
V
s
输入（ BF_CUT & SLP ）
输入阻抗
高电平输入电压
低电平输入电压
NDR
峰值驱动电流
输出电压
驱动低延时
下降时间
驱动高延迟
上升时间
PDR
峰值驱动电流
输出电压
驱动低延时
下降时间
驱动高延迟
上升时间
过电流保护
电流限制阈值
V
O
= 0V
550
mA
下沉： PDR = 0.5V
来源： PDR = 3.5V
全对了，我
PDR
= 100A
从测量BF_CUT门槛
90 ％的PDR
测定从90 ％至10％
从BF_CUT / SLP的阈值测量
以人民民主共和国10 ％
测得的10％至90％的
30
3.5
5
150
1.0
300
1.0
mA
V
ns
s
ns
s
下沉： NDR = 0.5V
来源： NDR = 10V
全对了，我
NDR
= 100A
从测量BF_CUT门槛
90 ％的NDR
测定从90 ％至10％
从BF_CUT / SLP的阈值测量
以NDR的10 ％
测得的10％至90％的
30
10
12
150
1.0
300
1.0
mA
V
ns
s
ns
s
BF_CUT = SLP = 5V
1.0
2.0
0.8
10.0
M
V
V
注意事项：
（ 1） LDO将带来产量恢复到常规的V内
O
在限额不超过10微秒。
（ 2 ）外部2.5V ±2.5 ％适用于输出，关断时， NDR变低。
O
= 100μF到400μF ，我
O
= 50mA至
200mA.
3
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框图
引脚配置
顶视图
引脚说明
针
1
2
3
4
5
6
7
8
引脚名称引脚功能
VO
GND
PDR
NDR
SLP
LDO 2.5V输出。
逻辑和电源地。
栅极驱动信号为P沟道MOSFET 。
栅极驱动信号为N沟道MOSFET 。
控制输入＃ 1 。
BF_CUT控制输入＃ 2 。
12VIN
+ 12V的输入电源。仅用于生成NDR 。
5VSTBY + 5V输入电源。
SOIC-8
4
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典型特征
12VIN静态电流 -
结温
1000
12VIN = 12V
900
800
700
I
Q12
(A)
600
500
400
300
200
100
0
0
25
50
T
J
(°C)
75
100
125
I
Q5(ON)
（MA ）
9.5
9.0
8.5
8.0
7.5
7.0
6.5
6.0
5.5
5.0
0
25
50
T
J
(°C)
75
100
125
10.0
5VSTBY = 5V
5VSTBY静态电流（ON ）与
结温
5VSTBY静态电流（断开）与
结温
5.0
5VSTBY = 5V
4.5
4.0
3.5
I
Q5(OFF)
（MA ）
UVLO （ V）
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0
25
50
T
J
(°C)
75
100
125
4.5
4.4
4.4
4.3
4.3
4.2
4.2
4.1
4.1
4.0
0
4.5
5VSTBY欠压锁定与
结温
5VSTBY RISING
5VSTBY FALLING
25
50
T
J
(°C)
75
100
125
LDO输出电压 -
结温
2.550
5VSTBY = 5V
2.545
2.540
2.535
2.530
V
O
(V)
2.525
2.520
2.515
2.510
2.505
2.500
0
25
50
T
J
(°C)
75
100
125
I
O
= 500毫安
REG
LINE
（毫伏）
I
O
= 1毫安
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
25
10
LDO线性调整与
结温
5VSTBY = 4.7V至5.3V
50
T
J
(°C)
75
100
125
5
2000 SEMTECH CORP 。
652 MITCHELL ROAD Newbury Park的CA 91320
QQ：2880707522 复制
