SC14428基带处理器的FP & PP DECT和WDCT
先进的信息
2004年3月
SC14428
基带处理器的FP & PP DECT和WDCT
1.0概述
.The SC14428是一个CMOS集成电路优化，以处理所有的
音频信号和数据处理需要的DECT内
（ 1.9千兆赫）或2.4GHz的ISM频段数字基站和
手机。
一个四通道ADPCM编码转换器，非常低功耗16位
编解码器和模拟前端被集成。直接连接
对PSTN或ISDN线路接口系统蒸发散是可能的。
该SC14428有一个可编程的通用DSP opti-
得到优化的电信应用。
该SC14428被设计为适合于任何无线电接口。一
专用的TDMA控制器处理所有物理层槽
格式和无线电控制。
美国国家半导体的标准CompactRISC
TM
CR16C微处理器需要的所有更高的协议护理
堆栈。
■
可编程的16位总线与系统总线接口
主机和从机操作。
■
用户可编程的通用DSP与固定电信
处理程序。
■
四个全双工32千比特/秒ADPCM编码转换器。
■
片上专用指令处理器（ DIP ）的所有
基于TDMA的事件，它支持的DCT 1.152MHz ，
0.576MHz和0.288MHz的数据传输速率。
■
ISM频段和DECT与9.216 ， 10.368和13.824兆赫
xtals 。
■
保护和不受保护的充分和双插槽B-领域
■
灵活的1.152 Mb / s的三线接口，收音机前
合成器。
■
一个16位线性编解码器
■
可选的快速天线分集操作或RSSI
测量峰值保持ADC。
■
三个输入通用8位ADC
■
两个通用定时器和看门狗定时器。
■
两个捕捉定时器的频率测量如
计量，振铃和呼叫进程音检测。
■
3个通用I / O端口有两个边沿/电亲
可编程中断
■
全双工UART和MICROWIRE
TM
界面。
■
SPI
TM
接口（主/从） 。
■
灵活的8 kHz的同步串行接口与外部
编解码器和ISDN接口电路。
■
三个可编程芯片选择
■
集成运算放大器的来电者ID
■
（ 80引脚PFQP和80 ） 128160引脚TQFP封装。
2.0特性
■
符合DECT ETS 300 175-2,3 & 8 SWAP -CA
V1.3版本1.3 20000616
■
1.8Volt工作电压2.65V带（典型值） IO焊盘。
■
两个芯片低压降稳压器
■
16位CompactRISCTM CR16C与微处理器
可编程时钟速度高达20.736兆赫。
■
四通道DMA控制器。
■
串行调试接口， Nexus的1类标准。
■
16K字节的共享， 6kbyte非共享内存
■
谭DSP 4K字节的共享内存
■
版本与ROM ，闪存和数据闪存
3.0系统图
SC14428
SC14428
SC14428
CID
HANDSFREE
ISDN或
数据
接口
PSTN
接口
PSTN
接口
ISDN
PSTN1
PSTN2
SC14428
SC14428
SC14428
CompactRISC
TM
是美国国家半导体公司的商标。
2004年美国国家半导体公司
www.national.com
SC14428
4.0特定网络阳离子
所有的最小/最大规格限制由设计或生产测试，或统计方法的保证。
表1.绝对最大额定值
1
参数
Vbat1_max
Vbat2_max
Ibat1_max
Ibat2_max
Ivddiotot_max
Ivddio_max
VDD_max
Vddiof_max
Vddio_max
Vldo1_ctrl_max
Vldo2_ctrl_max
Vpon_max
Vcharge_max
Vbat3_max
Vadc1_max
Vrdidig_max
Vrdiana_max
Vdig_max
Vana_max
Iprot_max
Iprotcid_max
Iprotmic_max
Iprotpon_max
Iprotcharge_max
Iprotvbat3_max
Iprotadc1_max
TSTORAGE
Ppackage
ILU
Ilu_rdi_25
Ilu_rdi_60
VESD_MM
VESD_HBM
描述
最大电池电压VBAT1
最大电池电压VBAT2
最大负电流为VBAT1
最大负电流为VBAT2
最大总电流为VDDIOs
最大电流通过I / O引脚
最大核心电压
（ VDD - VSS / AVD- AVS / AVD2 - AVS / VDDRF - VSSRF ）
最大I / O电源电压与Flash设备
（ VDDIO - VSS ）
最大I / O电源电压不使用闪光灯的设备
（ VDDIO - VSS ）
引脚LDO1_CTRL最大电压
引脚LDO2_CTRL最大电压
引脚PON最大电压
对引脚充电电压最高
引脚VBAT3最大电压
引脚ADC1最大电压
引脚RDI数字模式最大电压（最大3.6V ）
引脚RDI模拟模式最大电压
在数字输入引脚的最大电压（最大3.6V ）
在任何其他的输入电压最高（包括模拟垫）
最大电流通过普罗特。二极管上的任何引脚至VDDIO
最大电流通过普罗特。二极管管脚CID +/-至AGND
电流通过普罗特。二极管管脚MIC +/-至AGND
最大电流通过普罗特。 PON引脚电路。
最大电流通过普罗特。 CHARGE引脚电路。
最大电流通过普罗特。 VBAT3引脚电路。
最大电流通过普罗特。 ADC1管脚的电路。
储存温度
包装功耗@ 25°C
闩锁电流根据JEDEC 78的所有引脚
闩锁电流RDI引脚
闩锁电流RDI引脚
根据人机模式ESD电压
根据人体模型ESD电压
条件
民
最大
5.5
5.5
300
300
90
20
2.0
单位
V
V
mA
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
°C
mW
mA
mA
mA
V
V
记
2
记
3
记
4
记
4
VSS-0.3
VSS-0.3
VSS-0.3
VSS-0.3
VSS-0.3
VSS-0.3
VSS-0.3
VSS-0.3
VSS-0.3
VSS-0.3
3.0
3.6
5.25
5.25
2.85
2.85
2.85
2.85
VDDIO+0.3
2.0
VDDIO+0.3
2.0
100
1.0
2.4
记
5
记
5
记
5
-65
TA = 65 C
TA = 25℃
TA = 65 C
0.6
0.6
0.6
0.6
+150
500
100
100
50
100
1000
1.Absolute最大额定值是可施加最大50小时这些值。
超出这些值，可能会损坏设备。
2.8V与3.0V之间2.A电压可以在为了保证DE-应用进行1小时的最大时间
副规范。
3.3V与3.6V之间3.A电压可以施加50小时的最大时间，以保证
设备规格。
4.对于LDO1_CTRL ， LDO2_CTRL ，与5V输入保护， VDD必须是1.75V和2.0V或Vbat的1间
>2.0V或Vbat2>2.8V 。
版本1.0 （机密）
3
LMX9820
4.0特定网络阳离子
（续）
5，保护电流可以计算如下：
如果P1 [ 6 ] / PON ， P1 [ 7 ] / CHARGE ， VBAT3 ， P2 [ 3 ] / ADC1输入， Iprotxxx_max = （ VEXT -
2.55)/(500+Rext)
Rext的是一个外部电阻器，如果外部电压VEXT超过2.8V是必要的。
（例如，对100 uA的较低的保护电流值，建议在电源节能是很重要的）
如果P1 [ 6 ] / PON ， P1 [ 7 ] / CHARGE ， P2 [ 3 ] / ADC1输出， Iprotxxx_max = （ VDDIO - 2.55 ） / （ 500 ）
表2.工作条件
1
参数
Vbat1
Vbat2
VDD
AVD
Avd2
VDDRF
Vddiof
VDDIO
VDCS
VPON
VCHARGE
Vbat3
Vadc1
Vprot_mic
Iprotpon
Iprotcharge
Iprotvbat3
Iprotadc1
描述
电池供电电压VBAT1 - AVS
电池供电电压VBAT2 - AVS
数字内核电源电压
VDD ， VSS
模拟内核电源电压
AVD- AVS
模拟内核电源电压
AVD2-AVS
模拟XTAL和RFCLK供应
电压VDDRF - VSSRF
数字I / O电源电压VDDIO - VSS
与Flash设备
数字I / O电源电压VDDIO - VSS
对于不使用闪光灯的设备
DC_Sense引脚上的电压
在PON电压
在充电电压
在VBAT3电压
在ADC1电压
引脚电压MICN ， CIDP / N ，如果保护
化启用
电流通过PON的保护电路
引脚。
电流通过保护电路
CHARGE引脚。
电流通过保护电路
VBAT3 /呼入引脚。
电流通过保护电路
ADC1管脚。
在LDO1_CTRL电压
在LDO2_CTRL最大电压
PLL工作范围
环境温度
记
5
28
-10
所有国家
3
所有国家
3
记
3
记
3
记
4
记
3
记
3
记
3
记
3
0.4
记
2
记
2
记
2
记
2
条件
民
2.0
2.8
1.75
1.75
1.75
1.75
2.5
1.75
1.8
1.8
1.8
1.8
2.65
典型值
最大
5.0
5.0
1.98
1.98
1.98
1.98
2.8
3.3
2.0
2.8
2.8
2.8
2.8
1.4
0.5
0.5
0.5
0.5
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
Vldo1_ctrl
Vldo2_ctrl
Fpll_range
TA
5.0
5.0
48
60
V
V
兆赫
°C
1.Within规定的限制， 10年的续航时间得到了保证。
2.Full操作模式; AVD之间的差异， VDD可能不会超过300mV的;期间
短时间内如上电期间，超过300mV的差异是允许的。模拟性能
只从1.75-1.98V保证
www.national.com
4
（机密） 1.0修订版
SC14428
3.保护电流可以计算如下：
如果P1 [ 6 ] / PON ， P1 [ 7 ] / CHARGE ， VBAT3 ， P2 [ 3 ] / ADC1输入，
Iprotxxx_max = （ VEXT - 2.55 ） / （ 500 + REXT）
Rext的是一个外部电阻器，如果外部电压VEXT超过2.8V是必要的。
（例如，对100 uA的较低的保护电流值，建议在电源节能是很重要的）
如果P1 [ 6 ] / PON ， P1 [ 7 ] / CHARGE ， P2 [ 3 ] / ADC1输出， Iprotxxx_max = （ VDDIO - 2.55 ） / （ 500 ）
4.对于垫的保护电路启动，保护电流
必须
与外部的限制
源极电阻的Rext如果输入电压超过0.4V RESP 1.4V 。的Rext可以计算如下：
REXT > （ VEXT - 1.4 ） / Iprotxxx ） 。
5.Within这个温度范围内全面运作是guaranteed.Upto +70摄氏度的模拟perfor-
曼斯不能保证。
5.0产品状态定义
数据表状态
超前信息
产品状态
阶段或设计
德网络nition
本数据手册包含了设计规范
产品开发。产品规格可能会发生任何变化
的方式，恕不另行通知。
此数据表包含的初步数据。 Supplementa-
RY数据将在晚些时候公布。国家半自动
导体公司保留作出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计并提供最好的产品。
此数据表包含最终规格。国
半导体公司保留作出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计并提供最好的产品。
此数据表包含在产品规范，
已经停产了美国国家半导体Cor-
穿孔。数据表打印出来作为参考信息
只有和灰。
初步
一是生产
无标识注意到
满负荷生产
过时的
不在生产中
6.0美国国家半导体BV保留做出正确的
此更改，恕不另行通知任何产品，以提高
可靠性，功能和设计。国家不承担任何
责任所产生的任何产品的应用或使用，或
电路本文描述;它也没有传达任何许可
根据其专利权，也不是他人的权利。
版本1.0 （机密）
5
SC14428基带处理器的FP & PP DECT和WDCT
先进的信息
2004年3月
SC14428
基带处理器的FP & PP DECT和WDCT
1.0概述
.The SC14428是一个CMOS集成电路优化，以处理所有的
音频信号和数据处理需要的DECT内
（ 1.9千兆赫）或2.4GHz的ISM频段数字基站和
手机。
一个四通道ADPCM编码转换器，非常低功耗16位
编解码器和模拟前端被集成。直接连接
对PSTN或ISDN线路接口系统蒸发散是可能的。
该SC14428有一个可编程的通用DSP opti-
得到优化的电信应用。
该SC14428被设计为适合于任何无线电接口。一
专用的TDMA控制器处理所有物理层槽
格式和无线电控制。
美国国家半导体的标准CompactRISC
TM
CR16C微处理器需要的所有更高的协议护理
堆栈。
■
可编程的16位总线与系统总线接口
主机和从机操作。
■
用户可编程的通用DSP与固定电信
处理程序。
■
四个全双工32千比特/秒ADPCM编码转换器。
■
片上专用指令处理器（ DIP ）的所有
基于TDMA的事件，它支持的DCT 1.152MHz ，
0.576MHz和0.288MHz的数据传输速率。
■
ISM频段和DECT与9.216 ， 10.368和13.824兆赫
xtals 。
■
保护和不受保护的充分和双插槽B-领域
■
灵活的1.152 Mb / s的三线接口，收音机前
合成器。
■
一个16位线性编解码器
■
可选的快速天线分集操作或RSSI
测量峰值保持ADC。
■
三个输入通用8位ADC
■
两个通用定时器和看门狗定时器。
■
两个捕捉定时器的频率测量如
计量，振铃和呼叫进程音检测。
■
3个通用I / O端口有两个边沿/电亲
可编程中断
■
全双工UART和MICROWIRE
TM
界面。
■
SPI
TM
接口（主/从） 。
■
灵活的8 kHz的同步串行接口与外部
编解码器和ISDN接口电路。
■
三个可编程芯片选择
■
集成运算放大器的来电者ID
■
（ 80引脚PFQP和80 ） 128160引脚TQFP封装。
2.0特性
■
符合DECT ETS 300 175-2,3 & 8 SWAP -CA
V1.3版本1.3 20000616
■
1.8Volt工作电压2.65V带（典型值） IO焊盘。
■
两个芯片低压降稳压器
■
16位CompactRISCTM CR16C与微处理器
可编程时钟速度高达20.736兆赫。
■
四通道DMA控制器。
■
串行调试接口， Nexus的1类标准。
■
16K字节的共享， 6kbyte非共享内存
■
谭DSP 4K字节的共享内存
■
版本与ROM ，闪存和数据闪存
3.0系统图
SC14428
SC14428
SC14428
CID
HANDSFREE
ISDN或
数据
接口
PSTN
接口
PSTN
接口
ISDN
PSTN1
PSTN2
SC14428
SC14428
SC14428
CompactRISC
TM
是美国国家半导体公司的商标。
2004年美国国家半导体公司
www.national.com
SC14428
4.0特定网络阳离子
所有的最小/最大规格限制由设计或生产测试，或统计方法的保证。
表1.绝对最大额定值
1
参数
Vbat1_max
Vbat2_max
Ibat1_max
Ibat2_max
Ivddiotot_max
Ivddio_max
VDD_max
Vddiof_max
Vddio_max
Vldo1_ctrl_max
Vldo2_ctrl_max
Vpon_max
Vcharge_max
Vbat3_max
Vadc1_max
Vrdidig_max
Vrdiana_max
Vdig_max
Vana_max
Iprot_max
Iprotcid_max
Iprotmic_max
Iprotpon_max
Iprotcharge_max
Iprotvbat3_max
Iprotadc1_max
TSTORAGE
Ppackage
ILU
Ilu_rdi_25
Ilu_rdi_60
VESD_MM
VESD_HBM
描述
最大电池电压VBAT1
最大电池电压VBAT2
最大负电流为VBAT1
最大负电流为VBAT2
最大总电流为VDDIOs
最大电流通过I / O引脚
最大核心电压
（ VDD - VSS / AVD- AVS / AVD2 - AVS / VDDRF - VSSRF ）
最大I / O电源电压与Flash设备
（ VDDIO - VSS ）
最大I / O电源电压不使用闪光灯的设备
（ VDDIO - VSS ）
引脚LDO1_CTRL最大电压
引脚LDO2_CTRL最大电压
引脚PON最大电压
对引脚充电电压最高
引脚VBAT3最大电压
引脚ADC1最大电压
引脚RDI数字模式最大电压（最大3.6V ）
引脚RDI模拟模式最大电压
在数字输入引脚的最大电压（最大3.6V ）
在任何其他的输入电压最高（包括模拟垫）
最大电流通过普罗特。二极管上的任何引脚至VDDIO
最大电流通过普罗特。二极管管脚CID +/-至AGND
电流通过普罗特。二极管管脚MIC +/-至AGND
最大电流通过普罗特。 PON引脚电路。
最大电流通过普罗特。 CHARGE引脚电路。
最大电流通过普罗特。 VBAT3引脚电路。
最大电流通过普罗特。 ADC1管脚的电路。
储存温度
包装功耗@ 25°C
闩锁电流根据JEDEC 78的所有引脚
闩锁电流RDI引脚
闩锁电流RDI引脚
根据人机模式ESD电压
根据人体模型ESD电压
条件
民
最大
5.5
5.5
300
300
90
20
2.0
单位
V
V
mA
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
°C
mW
mA
mA
mA
V
V
记
2
记
3
记
4
记
4
VSS-0.3
VSS-0.3
VSS-0.3
VSS-0.3
VSS-0.3
VSS-0.3
VSS-0.3
VSS-0.3
VSS-0.3
VSS-0.3
3.0
3.6
5.25
5.25
2.85
2.85
2.85
2.85
VDDIO+0.3
2.0
VDDIO+0.3
2.0
100
1.0
2.4
记
5
记
5
记
5
-65
TA = 65 C
TA = 25℃
TA = 65 C
0.6
0.6
0.6
0.6
+150
500
100
100
50
100
1000
1.Absolute最大额定值是可施加最大50小时这些值。
超出这些值，可能会损坏设备。
2.8V与3.0V之间2.A电压可以在为了保证DE-应用进行1小时的最大时间
副规范。
3.3V与3.6V之间3.A电压可以施加50小时的最大时间，以保证
设备规格。
4.对于LDO1_CTRL ， LDO2_CTRL ，与5V输入保护， VDD必须是1.75V和2.0V或Vbat的1间
>2.0V或Vbat2>2.8V 。
版本1.0 （机密）
3
LMX9820
4.0特定网络阳离子
（续）
5，保护电流可以计算如下：
如果P1 [ 6 ] / PON ， P1 [ 7 ] / CHARGE ， VBAT3 ， P2 [ 3 ] / ADC1输入， Iprotxxx_max = （ VEXT -
2.55)/(500+Rext)
Rext的是一个外部电阻器，如果外部电压VEXT超过2.8V是必要的。
（例如，对100 uA的较低的保护电流值，建议在电源节能是很重要的）
如果P1 [ 6 ] / PON ， P1 [ 7 ] / CHARGE ， P2 [ 3 ] / ADC1输出， Iprotxxx_max = （ VDDIO - 2.55 ） / （ 500 ）
表2.工作条件
1
参数
Vbat1
Vbat2
VDD
AVD
Avd2
VDDRF
Vddiof
VDDIO
VDCS
VPON
VCHARGE
Vbat3
Vadc1
Vprot_mic
Iprotpon
Iprotcharge
Iprotvbat3
Iprotadc1
描述
电池供电电压VBAT1 - AVS
电池供电电压VBAT2 - AVS
数字内核电源电压
VDD ， VSS
模拟内核电源电压
AVD- AVS
模拟内核电源电压
AVD2-AVS
模拟XTAL和RFCLK供应
电压VDDRF - VSSRF
数字I / O电源电压VDDIO - VSS
与Flash设备
数字I / O电源电压VDDIO - VSS
对于不使用闪光灯的设备
DC_Sense引脚上的电压
在PON电压
在充电电压
在VBAT3电压
在ADC1电压
引脚电压MICN ， CIDP / N ，如果保护
化启用
电流通过PON的保护电路
引脚。
电流通过保护电路
CHARGE引脚。
电流通过保护电路
VBAT3 /呼入引脚。
电流通过保护电路
ADC1管脚。
在LDO1_CTRL电压
在LDO2_CTRL最大电压
PLL工作范围
环境温度
记
5
28
-10
所有国家
3
所有国家
3
记
3
记
3
记
4
记
3
记
3
记
3
记
3
0.4
记
2
记
2
记
2
记
2
条件
民
2.0
2.8
1.75
1.75
1.75
1.75
2.5
1.75
1.8
1.8
1.8
1.8
2.65
典型值
最大
5.0
5.0
1.98
1.98
1.98
1.98
2.8
3.3
2.0
2.8
2.8
2.8
2.8
1.4
0.5
0.5
0.5
0.5
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
Vldo1_ctrl
Vldo2_ctrl
Fpll_range
TA
5.0
5.0
48
60
V
V
兆赫
°C
1.Within规定的限制， 10年的续航时间得到了保证。
2.Full操作模式; AVD之间的差异， VDD可能不会超过300mV的;期间
短时间内如上电期间，超过300mV的差异是允许的。模拟性能
只从1.75-1.98V保证
www.national.com
4
（机密） 1.0修订版
SC14428
3.保护电流可以计算如下：
如果P1 [ 6 ] / PON ， P1 [ 7 ] / CHARGE ， VBAT3 ， P2 [ 3 ] / ADC1输入，
Iprotxxx_max = （ VEXT - 2.55 ） / （ 500 + REXT）
Rext的是一个外部电阻器，如果外部电压VEXT超过2.8V是必要的。
（例如，对100 uA的较低的保护电流值，建议在电源节能是很重要的）
如果P1 [ 6 ] / PON ， P1 [ 7 ] / CHARGE ， P2 [ 3 ] / ADC1输出， Iprotxxx_max = （ VDDIO - 2.55 ） / （ 500 ）
4.对于垫的保护电路启动，保护电流
必须
与外部的限制
源极电阻的Rext如果输入电压超过0.4V RESP 1.4V 。的Rext可以计算如下：
REXT > （ VEXT - 1.4 ） / Iprotxxx ） 。
5.Within这个温度范围内全面运作是guaranteed.Upto +70摄氏度的模拟perfor-
曼斯不能保证。
5.0产品状态定义
数据表状态
超前信息
产品状态
阶段或设计
德网络nition
本数据手册包含了设计规范
产品开发。产品规格可能会发生任何变化
的方式，恕不另行通知。
此数据表包含的初步数据。 Supplementa-
RY数据将在晚些时候公布。国家半自动
导体公司保留作出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计并提供最好的产品。
此数据表包含最终规格。国
半导体公司保留作出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计并提供最好的产品。
此数据表包含在产品规范，
已经停产了美国国家半导体Cor-
穿孔。数据表打印出来作为参考信息
只有和灰。
初步
一是生产
无标识注意到
满负荷生产
过时的
不在生产中
6.0美国国家半导体BV保留做出正确的
此更改，恕不另行通知任何产品，以提高
可靠性，功能和设计。国家不承担任何
责任所产生的任何产品的应用或使用，或
电路本文描述;它也没有传达任何许可
根据其专利权，也不是他人的权利。
版本1.0 （机密）
5
QQ：2881677436 复制
