高速同步电源
MOSFET智能驱动
电源管理
描述
该SC1405B是内部一个双MOSFET驱动器
重叠保护电路，以防止直通。每
驱动器能够驱动一个3000pF的负载15ns的上升/
下降时间，并具有从IN-超低传输时延
把过渡到功率场效应管的栅极。自适应
重叠保护电路确保同步
FET不打开，直到上FET的源已达到
电压足够低，以防止直通。 DE-的
底部栅极变为低电平顶端栅极之间铺设
高转换外部通过一个可编程钙
pacitor以减少死区时间。底部FET可
通过保持S_MOD低触发残疾人在轻负载
异步操作，从而节省了底部的FET的
栅极驱动电流和电感纹波电流。一个跨
最终基准电压源允许的阈值调整
一个输出过电压保护电路，独立
PWM控制器。
欠压锁出电路包括以保障
这两个驱动器输出被关断时的Vcc是小于或
等于4.4V （典型值）的电源斜坡上升（ 4.35V的电源
减速） 。 CMOS输出提供了状态指示
的5V电源。低使能输入置于集成电路的待机动
模式下，电源电流降至低于10μA 。
SC1405B提供一个高音（ 0.025 “引线间距）
TSSOP封装。
SC1405B
特点
快速的上升和下降时间（ 15ns的有3000pF的负载）
14ns最大。传播延迟（ BG变低）
适应性和可编程直通
保护
宽广的输入电压范围（ 4.5-25V ）
省电异步模式控制
输出过电压保护/过温关断
欠压锁定和电源就绪信号
比少10μA待机电流（ EN =低）
SC1405TS改进驱版
高频（至1.2MHz ）允许运行使用
小型电感器和到位的低成本电容器
电解
应用
高密度/快速瞬变微处理器电源
耗材
电机驱动器/ D类放大器
高效率的笔记本电脑
典型应用电路
输入功率， 5-20V
+
VCC
10uF,6.3V
+
.1uF
8
3
<<
＆ GT ;＆ GT ;
P_READY
PWM IN
(20KHz-1MHz)
47pF
7
2
4
6
1
5
14
13
12
SC1405
9
11
10
2.2
2.2
MTB75N03
75A,30V
5817
.22uF
1.7V@30A
+
+
+
+
+
MTB75N03
75A,30V
<<
DSPS_DR
过电压检测
<<<输出反馈到PWM
调节器
修订： 2004年1月13日
1
www.semtech.com
SC1405B
电源管理
电气特性 - AC操作规范
参数
高端驱动器
上升时间
下降时间
传播延迟时间，
TG变高
传播延迟时间，
TG走出低
低 - 侧驱动器
上升时间
下降时间
传播延迟时间，
BG变高
传播延迟时间，
TG走出低
欠压锁定
V_5斜坡向上
V_5斜坡下降
PR
EN从低电平转换到
高
tpdhPRDY
V_5 >UVLO门槛，延迟
从EN > 2.0V测量到
PRDY > 3.5V
V_5 >UVLO门槛，延迟
从EN < 0.8V测量到
V_5V的PRDY < 10 ％
10
s
tPDH时间
UVLO
tPDH时间
UVLO
EN为高电平
EN为高电平
10
10
us
us
tr
BG
tr
BG
tPDH时间
BGHI
保持tPDL
BG
CI = 3nF的，V
CI = 3nF的，V
νs的
νs的
符号
条件
民
典型值
最大
单位
tr
TG1
tf
TG
tPDH时间
TG
保持tPDL
TG
CI = 3nF的，V
BST
- V
DRN
= 4.6V,
CI = 3nF的，V
BST
- V
DRN
= 4.6V,
CI = 3nF的，V
BST
- V
DRN
= 4.6V,
C-delay=0
CI = 3nF的，V
BST
- V
DRN
= 4.6V,
14
12
20
15
23
19
32
24
ns
ns
ns
ns
= 4.6V,
= 4.6V,
15
13
12
7
24
21
19
12
ns
ns
ns
ns
CI = 3nF的，V
BST
- V
DRN
= 4.6V,
C-delay=0
CI = 3nF的，V
νs的
= 4.6V,
DRN <1V
EN被来回转换前高后低
S·P S _D
上升/下降时间
传播延迟， DSPS_DR
去高
传播延迟， DSPS_DR
变低
过压保护
传播延迟
tpdhUVLO
500
s
tr
DSPS DR 。
tPDH时间
DSPS DR
保持tPDL
DSPS DR
CI = 100 PF ， V_5 = 4.6V
S_MOD变高和BG
变高或S_MOD变低
S_MOD变高和BG
变低
20
10
10
ns
ns
ns
tPDH时间
OVP S
V_5 + 4.6V ， TJ = 125
O
C,
OVP_S > 1.2V至BG > 90 ％
第五_5
1
s
注意：
（ 1 ）此设备ESD敏感。使用标准的ESD处理措施是必需的。
2004年升特公司
4
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MOSFET智能驱动
电源管理
描述
该SC1405B是内部一个双MOSFET驱动器
重叠保护电路，以防止直通。每
驱动器能够驱动一个3000pF的负载15ns的上升/
下降时间，并具有从IN-超低传输时延
把过渡到功率场效应管的栅极。自适应
重叠保护电路确保同步
FET不打开，直到上FET的源已达到
电压足够低，以防止直通。 DE-的
底部栅极变为低电平顶端栅极之间铺设
高转换外部通过一个可编程钙
pacitor以减少死区时间。底部FET可
通过保持S_MOD低触发残疾人在轻负载
异步操作，从而节省了底部的FET的
栅极驱动电流和电感纹波电流。一个跨
最终基准电压源允许的阈值调整
一个输出过电压保护电路，独立
PWM控制器。
欠压锁出电路包括以保障
这两个驱动器输出被关断时的Vcc是小于或
等于4.4V （典型值）的电源斜坡上升（ 4.35V的电源
减速） 。 CMOS输出提供了状态指示
的5V电源。低使能输入置于集成电路的待机动
模式下，电源电流降至低于10μA 。
SC1405B提供一个高音（ 0.025 “引线间距）
TSSOP封装。
SC1405B
特点
快速的上升和下降时间（ 15ns的有3000pF的负载）
14ns最大。传播延迟（ BG变低）
适应性和可编程直通
保护
宽广的输入电压范围（ 4.5-25V ）
省电异步模式控制
输出过电压保护/过温关断
欠压锁定和电源就绪信号
比少10μA待机电流（ EN =低）
SC1405TS改进驱版
高频（至1.2MHz ）允许运行使用
小型电感器和到位的低成本电容器
电解
应用
高密度/快速瞬变微处理器电源
耗材
电机驱动器/ D类放大器
高效率的笔记本电脑
典型应用电路
输入功率， 5-20V
+
VCC
10uF,6.3V
+
.1uF
8
3
<<
＆ GT ;＆ GT ;
P_READY
PWM IN
(20KHz-1MHz)
47pF
7
2
4
6
1
5
14
13
12
SC1405
9
11
10
2.2
2.2
MTB75N03
75A,30V
5817
.22uF
1.7V@30A
+
+
+
+
+
MTB75N03
75A,30V
<<
DSPS_DR
过电压检测
<<<输出反馈到PWM
调节器
修订： 2004年1月13日
1
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电源管理
电气特性 - AC操作规范
参数
高端驱动器
上升时间
下降时间
传播延迟时间，
TG变高
传播延迟时间，
TG走出低
低 - 侧驱动器
上升时间
下降时间
传播延迟时间，
BG变高
传播延迟时间，
TG走出低
欠压锁定
V_5斜坡向上
V_5斜坡下降
PR
EN从低电平转换到
高
tpdhPRDY
V_5 >UVLO门槛，延迟
从EN > 2.0V测量到
PRDY > 3.5V
V_5 >UVLO门槛，延迟
从EN < 0.8V测量到
V_5V的PRDY < 10 ％
10
s
tPDH时间
UVLO
tPDH时间
UVLO
EN为高电平
EN为高电平
10
10
us
us
tr
BG
tr
BG
tPDH时间
BGHI
保持tPDL
BG
CI = 3nF的，V
CI = 3nF的，V
νs的
νs的
符号
条件
民
典型值
最大
单位
tr
TG1
tf
TG
tPDH时间
TG
保持tPDL
TG
CI = 3nF的，V
BST
- V
DRN
= 4.6V,
CI = 3nF的，V
BST
- V
DRN
= 4.6V,
CI = 3nF的，V
BST
- V
DRN
= 4.6V,
C-delay=0
CI = 3nF的，V
BST
- V
DRN
= 4.6V,
14
12
20
15
23
19
32
24
ns
ns
ns
ns
= 4.6V,
= 4.6V,
15
13
12
7
24
21
19
12
ns
ns
ns
ns
CI = 3nF的，V
BST
- V
DRN
= 4.6V,
C-delay=0
CI = 3nF的，V
νs的
= 4.6V,
DRN <1V
EN被来回转换前高后低
S·P S _D
上升/下降时间
传播延迟， DSPS_DR
去高
传播延迟， DSPS_DR
变低
过压保护
传播延迟
tpdhUVLO
500
s
tr
DSPS DR 。
tPDH时间
DSPS DR
保持tPDL
DSPS DR
CI = 100 PF ， V_5 = 4.6V
S_MOD变高和BG
变高或S_MOD变低
S_MOD变高和BG
变低
20
10
10
ns
ns
ns
tPDH时间
OVP S
V_5 + 4.6V ， TJ = 125
O
C,
OVP_S > 1.2V至BG > 90 ％
第五_5
1
s
注意：
（ 1 ）此设备ESD敏感。使用标准的ESD处理措施是必需的。
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