电源管理
描述
该SC1218是一个高速，健壮，双输出驱动到
驱动高侧和低侧N MOSFET的同步
降压转换器。结合Semtech的多相
PWM控制器SC2649 ，可以建立高性能，
多功能稳压器的下一代微处理器的
处理机。
SC1218是建立在一个CMOS技术，提供
足够的电压，容量，以处理计算机应用。
此外，先进的定时电路被采用
过滤出非常窄的PWM脉冲的驱动器的输入。
锁存UVLO和改进的自适应贯通
保护进一步提高SC1218的鲁棒性。
借助集成的自举二极管，在SC1218提供的
这两个SOIC - 8封装， MLPQ - 8采用3x3mm封装。这些
功能进一步降低热应力和BOM成本。
高速
同步MOSFET驱动器
特点
先进的数码定时过滤出很窄的PWM
脉冲
+ 12V的栅极驱动电压
集成自举二极管
高的峰值驱动电流
自适应非重叠栅极驱动器提供了拍摄开启
通过保护
支持动态VID操作
超低传输延迟
浮顶栅驱动器
撬棍功能，过电压保护
高频率（高达2 MHz ）操作允许使用
小型电感器和低成本陶瓷电容器
欠压锁定
低静态电流
使能功能的门都关闭关闭
无铅部分和完全WEEE和RoHS标准
SC1218
应用
英特尔
下一代处理器电源
AMD
速龙
TM
和AMD- K8
TM
处理器电源
耗材
高电流低电压的DC-DC转换器
s
典型应用电路
VIN
CBST
1uF
BST
TG
DRN
保护地
BG
MTOP
CIN
RDRN
（可选）
MBOT
糊涂人
VOUT
PWM
EN
RV IN
2R2
CO
EN
VIN
简历
1uF
SC1218
COUT
修订： 2005年10月14日
1
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SC1218
电源管理
绝对最大额定值
超过下面的规格，可能会导致该设备，或设备故障造成永久性损坏。在所指定的参数的操作外
电气特性部分，是不是暗示。
参数
V
IN
电源电压
BST至DRN
BST到V
IN
TG至DRN
TG至DRN脉冲
BST到PGND
BST到PGND脉冲
DRN到PGND
DRN到PGND脉冲
BG到PGND
BG到PGND脉冲
PWM输入
使能输入
连续战俘呃耗散
T
A
=25
o
C，T
J
=125
o
C
热阻结到外壳
结温范围
存储温度范围
引线温度（焊接） 10秒。
符号
V
I N
V
BST- DRN
V
BST- VIN
V
TG- DRN
V
TG- DRN -PULSE
V
BST- PGND
V
BST- PGND -PULSE
V
DRN - PGND
V
DRN - PGND -PULSE
V
BG- PGND
V
BG- PGND -PULSE
CO
EN
P
D
条件
最大
-0.3 16
-0.3 16
-0.3 16
-0.3 16
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
W
V
PEAK
瓦特第i吨
脉冲
＆ LT ;为20ns
(1)
-2
-0.3到V
IN
+16
t
脉冲
<20ns
V
BST
-V
DRN
= 10V
V
PEAK
瓦特第i吨
脉冲
< 200ns的
(1)
V
PEAK
瓦特第i吨
脉冲
＆ LT ;为20ns
(1)
38
-2到V
IN
+16
-5 35
-8 35
-0.3到V
IN
+0.3
V
PEAK
瓦特第i吨
脉冲
＆ LT ;为20ns
(1)
-3.5
-0.3到V
IN
+0.3
-0.3到V
IN
+0.3
SOIC-8
MLPQ-8
SOIC-8
MLPQ-8
0.5
2.56
40
8
0至150
-65到150
o
θ
JC
T
J
T
英镑
T
领导
C / W
o
o
o
o
C
C
C
C
SOIC-8
MLPQ-8
300
260
注意事项：
测定三角尖峰波形的10％ （1 ）脉冲宽度。
（ 2）该装置是ESD敏感。使用标准的ESD处理措施是必需的。
电气特性
除另有规定：T已
A
= 25°C ; V
IN
= 12V.
参数
电源
电源电压
符号
条件
米
典型值
米斧
单位
V
I N
EN = 5V ; CO = 0V
5
12
3.35
2.9
1.35
14
4.4
4
2.5
V
mA
mA
mA
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V
I N
静态电流
2005年升特公司
I
Q
EN = 5V ; CO = 5V
EN=0V
2
SC1218
电源管理
引脚配置
SOIC - 8顶视图
MLPQ - 8 3x3毫米俯视图
BST
TG
BST
CO
EN
VIN
1
2
3
4
8
7
6
5
TG
DRN
保护地
BG
CO
EN
1
2
8
7
6
5
DRN
保护地
3
4
VIN BG
裸露焊盘必须焊接到
电源地平面
引脚说明
SOIC-8
1
2
3
4
5
6
M LPQ - 8
8
1
2
3
4
5
引脚名称
BST
CO
EN
VIN
BG
保护地
引脚功能
自举电源引脚上的栅极驱动。连接BST之间一个1uF的陶瓷电容
DRN引脚制定一个浮动自举电压高侧驱动器。
来自外部控制器的PWM输入信号。内部40Kohm电阻从这个引脚连接
为保护地线。
当高时，该引脚使器件的内部电路。当低， TG和BG被迫
低。
电力提供给底部栅极驱动器和内部控制电路。连接到输入电源
铁路的转换器和dcouple用1μF陶瓷引线的长度不超过0.2" （5毫米）的。
输出栅极驱动下（同步） MOSFET 。内部20Kohm电阻
此引脚与PGND连接。
供电接地回路。保持此引脚接近底部MOSFET的源极布局过程。
顶这个引脚连接到同步降压转换器的电源相位节点（源
MOSFET和底部MOSFET的漏极） 。在DRN引脚为顶栅驱动器的返回路径。
其电压deteced自适应贯通保护。此销经受负
-8V相对秒杀到PGND不影响操作。内部20Kohm电阻
此引脚与PGND连接。
输出栅极驱动顶部（开关） MOSFET 。
7
6
DRN
8
7
TG
订购信息
设备
SC1218STRT
(1)(3)
SC1218MLTRT
(2)(3)
包
SOIC-8
MLPQ-8
温度范围（T
J
)
0至150C
0至150C
注意：
（ 1 ）只有在磁带和卷轴封装可供选择。一卷包括2500设备。
（ 2 ）只有在磁带和卷轴封装可供选择。一卷包括3000设备。
（ 3 ）器件是无铅，完全WEEE和RoHS标准。
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