高速同步电源
MOSFET驱动器
导言 - 1999年12月7日
SC1205
电话： 805-498-2111传真： 805-498-3804网址： HTTP ： //www.semtech.com
描述
该SC1205是一种符合成本效益的双MOSFET驱动器
专为开关高低压侧功率
的MOSFET。每个驱动器能够驱动一对
3000pF的负载在20ns的上升/下降时间，并有一个20ns的最大
传播延迟从输入过渡到栅极
功率FET的。内部的重叠保护税务局局长
CUIT防止直通从VIN至GND的
主开关和同步MOSFET的。该
重叠保护电路，保证了底部FET
不转，直到前FET源已达到
电压足够低，以防止交叉传导。
高电流驱动能力（ 2A峰值），可以快速
切换，从而减少了开关损耗在高
（ 1MHz的）的PWM频率。的高电压CMOS
过程可工作5-25伏在顶部MOSFET导
FET的漏极，从而使SC1205适合电池
供电的应用。连接使能引脚（ EN）到
逻辑低电平关闭两个驱动器，降低了operat-
荷兰国际集团至小于10微安的电流。
欠电压锁定输出电路用于瓜尔
antee两个驱动器输出低电平时， 5V
逻辑电平小于或等于4.4V （典型值） ，在供给
坡道（ 4.35V电源时减速） 。一个内部
温度传感器，关闭所有驱动器的情况下
的过热。 SC1205是利用制造
CMOS技术的低静态电流。该
SC1205是一个标准的SO- 8封装。
特点
快速的上升和下降时间（ 15ns的典型有3000pF的
负载）
2Amp峰值驱动电流
14ns的最大传播延迟（ BG变低）
自适应非重叠栅极驱动器提供
贯通保护
浮顶驱切换至25V
欠压锁定功能
过热保护
超过10uA的电源电流少当EN为低电平
低成本
应用
高密度sunchronous电源
电机驱动器/ D类放大器/半桥驱动器
高频率（ 1.2 MHz）的操作允许使用
小型电感器和低成本的瓶盖代替
电解
手提电脑
电池供电应用
订购信息
设备
(1)
包
SO-8
温度。范围（T
J
)
0 - 125°C
SC1205CS
注意：
（ 1 ）添加后缀“ TR ”的磁带和卷轴。
引脚配置
框图
顶视图
(SO-8)
1
1999 SEMTECH CORP 。
652 MITCHELL ROAD Newbury Park的CA 91320
高速同步电源
MOSFET驱动器
导言 - 1999年12月7日
SC1205
绝对最大额定值
参数
V
CC
电源电压
BST到PGND
BST至DRN
DRN到PGND
OVP_S到PGND
输入引脚
连续功率耗散
热阻结到外壳
热阻结到
环境
工作温度范围
存储温度范围
引线温度（焊接） 10秒
注意：
（1）规范指的是应用图1所示电路。
符号
V
MAX5V
VMAX
BST- PGND
VMAX
BST- DRN
VMAX
DRN - PGN
VMAX
OVP_S ，保护地
CO
Pd
θΧ
θ
JA
T
J
T
英镑
T
领导
条件
最大
7
30
7
25
10
-0.3 7.3
0.66
2.56
40
150
0到+125
-65到+150
300
单位
V
V
V
V
V
V
W
° C / W
° C / W
°C
°C
°C
环境温度Tamb = 25° C，T
J
= 125°C
温度上限= 25 ° C，T
J
= 125°C
电气特性（直流操作规范）
除另有规定： -0 <
θ
J
< 125°C ; V
CC
= 5V ; 4V < V
BST
< 26V
参数
电源
电源电压
静态电流，工作
静态电流
欠压锁定
启动阈值
迟滞
逻辑门限活跃
V
开始
VHYS
UVLO
V
法案
4.2
4.4
0.05
1.5
4.6
V
V
V
V
CC
Iq_op
Iq_stby
V
CC
V
CC
= 5V ，CO = 0V
EN = 0V
4.15
5
1
10
6.0
V
ma
A
符号
条件
民
典型值
最大
单位
2
1999 SEMTECH CORP 。
652 MITCHELL ROAD Newbury Park的CA 91320
高速同步电源
MOSFET驱动器
导言 - 1999年12月7日
SC1205
电气特性（直流操作规范）续。
参数
CO
高电平输入电压
低电平输入电压
热关断
超温跳闸点
迟滞
高侧驱动器
峰值输出电流
输出电阻
I
PKH
RSRC
TG
RSINK
TG
低侧驱动器
峰值输出电流
输出电阻
I
PKL
RSRC
BG
RSINK
BG
占空比< 2％ ， TPW <为100μs ，
T
J
= 125°C
V
V_5
= 4.6V, V
BG
= 4V （ SRC ） ，
或V
LOWDR
= 0.5V （汇）
2
1.2
A
占空比< 2％ ， TPW <为100μs ，
T
J
= 125°C ，V
BST
- V
DRN
= 4.5V,
V
TG
= 4.0V （ SRC ） + V
DRN
或V
TG
= 0.5V （片） + V
DRN
2
1
A
T
OTP
T
HYST
165
10
°C
°C
V
IH
V
IL
2.0
0.8
V
V
符号
条件
民
典型值
最大单位
.7
1.0
3
1999 SEMTECH CORP 。
652 MITCHELL ROAD Newbury Park的CA 91320
高速同步电源
MOSFET驱动器
导言 - 1999年12月7日
SC1205
AC操作规范
参数
符号
条件
民
典型值
最大单位
高侧驱动器
上升时间
tr
TG
,
CI = 3nF的，V
BST
- V
DRN
= 4.6V,
T
J
= 125°C
CI = 3nF的，V
BST
- V
DRN
= 4.6V,
T
J
= 125°C
CI = 3nF的，V
BST
- V
DRN
= 4.6V,
T
J
= 125°C
CI = 3nF的，V
BST
- V
DRN
= 4.6V,
T
J
= 125°C
14
23
ns
下降时间
tf
TG
12
19
ns
传播延迟时间，
TG变高
传播延迟时间，
TG走出低
低侧驱动器
tPDH时间
TG
20
32
ns
保持tPDL
TG
15
24
ns
上升时间
tr
BG
CI = 3nF的，V
V_5
= 4.6V,
T
J
= 125°C
CI = 3nF的，V
V_5
= 4.6V,
T
J
= 125°C
CI = 3nF的，V
V_5
= 4.6V,
T
J
= 125°C,
DRN < 1V
CI = 3nF的，V
V_5
= 4.6V,
T
J
= 125°C
15
24
ns
下降时间
tr
BG
13
21
ns
传播延迟时间
BG变高
progagation延迟时间
BG走出低
欠压锁定
tPDH时间
BGHI
12
19
ns
保持tPDL
BG
7
12
ns
V_5斜坡向上
tPDH时间
UVLO
EN为高电平
10
us
V_5斜坡下降
保持tPDL
UVLO
EN为高电平
10
us
4
1999 SEMTECH CORP 。
652 MITCHELL ROAD Newbury Park的CA 91320
高速同步电源
MOSFET驱动器
导言 - 1999年12月7日
SC1205
引脚说明
针＃
1
引脚名称
DRN
引脚功能
该引脚连接到开关和同步的交界处
MOSFET的。该管脚可以经受一个-2V最小相
保护地，而不会影响操作。
输出栅极驱动器的开关（高侧）的MOSFET 。
引导针。电容器连接BST和DRN引脚之间
开发浮动自举电压的高侧MOSFET 。该
电容值通常0.1pF和1pF （陶瓷）之间。
TTL电平的输入信号提供给MOSFET驱动器。
当高时，该引脚使器件的内部电路。当
低， TG ， BG和PRDY被迫低电源电流（ 5V ）是
超过10μA以内。
+ 5V电源。一个.22-1μF陶瓷电容应在5V连接
到PGND非常接近这个引脚。
输出驱动同步MOSFET 。
地面上。
2
3
TG
BST
4
5
CO
EN
6
7
8
注意：
VS
BG
保护地
（ 1）逻辑电平输入和输出开路集电极TTL兼容。
时序图
5
1999 SEMTECH CORP 。
652 MITCHELL ROAD Newbury Park的CA 91320
高速同步
功率MOSFET驱动器
电源管理
描述
该SC1205是一种符合成本效益的双MOSFET驱动器DE-
签署切换高，低侧功率MOSFET 。
每个驱动器能够驱动一个3000pF的负载为20ns的
最大上升/下降时间，并有一个20ns的最大传播DE-
从输入转移到功率场效应晶体管的栅极躺着。
内部的重叠保护电路可防止拍摄开启
通过从VIN至GND的主要和同步
MOSFET的。自适应重叠保护电路恩
祖雷斯贝尔底部FET不会打开，直到FET顶部
源已经达到了电压足够低，以防止
跨导。
高电流驱动能力（ 3A峰值），可以快速
切换，从而减少了开关损耗高（可达
为1MHz ）的频率不会出现过热的驱动程序。该
高电压CMOS工艺可工作5-25
伏顶部MOSFET的漏极，从而使SC1205 suit-
可用于电池供电的应用。连恩
能引脚（ EN）为逻辑低电平关闭两个驱动器和
降低工作电流小于10微安。
欠电压锁定输出电路用于瓜拉尼
发球这两个驱动器输出低电平时， 5V逻辑
电平小于或等于4.4V （典型值） ，在供给斜坡上升
（ 4.35V电源时减速） 。内部温度
传感器关闭所有驱动器的情况下
过热。 SC1205是捏造利用双CMOS
技术，低静态电流。该SC1205是OF-
fered在一个标准的SO- 8封装。
SC1205
特点
快速的上升和下降时间（ 15ns的典型有3000pF的
负载）
3安培峰值驱动电流
14ns的最大传播延迟（ BG变低）
自适应非重叠栅极驱动器提供
贯通保护
浮顶驱切换至25V
欠压锁定功能
过热保护
小于10
供电电流，当EN为低电平
低成本
应用
高密度sunchronous电源
电机驱动器/ D类放大器/半桥驱动器
高频率（ 1.2 MHz）的操作允许使用
小型电感器和低成本的瓶盖代替
电解
高效率的笔记本电脑
电池供电应用
典型应用电路
输入电压5-12V
2200uf
2.5m
10u,CER
10nf
10
70N03
TG
DRN
70N03
EN
CO
SC1205
GND
BG
以处理器
VID控制
1
2
3
4
5
6
7
VID4
VID3
VID2
VID1
VID0
ERROUT
FB
RREF
VCC
Bgout
OC +
OUT1
OUT2
OC-
UVLO
GND
16
15
14
13
12
11
10
9
+5V
VS
BST
BST
70N03
TG
DRN
70N03
Rf
8
VS
EN
SC2422A
CO
SC1205
Ri
GND
RREF
BG
核心电压， 1.7V ， 40A
修订： 2004年9月22日
1
www.semtech.com
SC1205
电源管理
绝对最大额定值
超过下面的规格，可能会导致该设备，或设备故障造成永久性损坏。指定的参数的操作外
在电气特性部分，是不是暗示。
参数
V
CC
电源电压
BST到PGND
BST至DRN
DRN到PGND
DRN到PGND脉冲
OVP_S到PGND
输入引脚
连续功率耗散
热阻结到外壳
热阻结到环境
工作温度范围
存储温度范围
引线温度（焊接） 10秒。
符号
V
IMAXSW
VMAX
BST- PGND
VMAX
BST- DRN
VMAX
DRN - PGN
VMAX
脉冲
VMAX
OVP S-保护地
CO
Pd
θ
J·C
θ
J A
T
J
T
英镑
T
领导
条件
最大
7
30
7
-2 25
单位
V
V
V
V
V
V
V
W
° C / W
° C / W
°C
°C
°C
t
脉冲
＆ LT ;为100ns
-5 25
10
-0.3 7.3
环境温度Tamb = 25° C，T
J
= 125°C
温度上限= 25 ° C，T
J
=125°C
0.66
2.56
40
150
0到+125
-65到+150
300
注意：
（1）规范指的是应用图1所示电路。
电气特性
除另有规定： -0 <
θ
J
< 125°C ; V
CC
= 5V ; 4V < V
BST
< 26V
参数
POW ER供应
电源电压
静态电流，工作
静态电流
欠压锁定
启动阈值
迟滞
逻辑门限活跃
EN
高电平输入电压
低电平输入电压
符号
条件
民
典型值
最大
单位
V
CC
Iq_op
Iq_stby
V
CC
V
CC
= 5V ，C
O
= 0V
EN = 0V
4.15
5
1
6.0
V
mA
10
A
V
开始
VHYS
UVLO
V
AC牛逼
4.2
4.4
0.05
4.6
V
V
1.5
V
V
IH
V
IL
2.0
0.8
V
V
2004年升特公司
2
www.semtech.com
SC1205
电源管理
电气特性（续）
参数
CO
高电平输入电压
低电平输入电压
热Shutdow
超温跳闸点
迟滞
高端驱动器
峰值输出电流
输出电阻
I
PKH
RSRC
TG
RSINK
TG
低 - 侧驱动器
峰值输出电流
输出电阻
I
PKL
RSRC
BG
RSINK
BG
占空比< 2％ ， TPW < 100微秒，
T
J
= 125
o
C,
V
νs的
= 4.6V, V
BG
= 4V （ SRC ） ，
或V
LOWDR
= 0.5V （汇）
3
1.2
1.0
A
占空比< 2％ ， TPW < 100微秒，
T
J
= 125°C ，V
BST
- V
DRN
= 4.5V,
V
TG
= 4.0V （ SRC ） + V
DRN
或V
TG
= 0.05V （片） + V
DRN
3
1
.7
A
T
OTP
T
HYST
165
10
°C
°C
V
IH
V
IL
2.0
0.8
V
V
符号
条件
民
典型值
最大
单位
AC操作规范
参数
高端驱动器
上升时间
下降时间
传播延迟时间，
TG变高
传播延迟时间，
TG走出低
低 - 侧驱动器
上升时间
tr
BG
CI = 3nF的，V
νs的
= 4.6V,
T
J
+ 125°C
15
24
ns
tr
TG1
tf
TG
tPDH时间
TG
保持tPDL
TG
CI = 3nF的，V
BST
- V
DRN
= 4.6V,
T
J
+ 125°C
CI = 3nF的，V
BST
- V
DRN
= 4.6V,
T
J
+ 125°C
CI = 3nF的，V
BST
- V
DRN
= 4.6V,
T
J
+ 125°C
CI = 3nF的，V
BST
- V
DRN
= 4.6V,
T
J
+ 125°C
14
12
20
15
23
19
32
24
ns
ns
ns
ns
符号
条件
民
典型值
最大
单位
注意：
（ 1 ）此设备ESD敏感。使用标准的ESD处理措施是必需的。
2004年升特公司
3
www.semtech.com
SC1205
电源管理
引脚配置
顶视图
订购信息
设备
(1)
P ackag ê
SO-8
温度范围（T
J
)
0°到125℃
SC1205CS.TR
SC1205CSTRT
(2)
(SO-8)
注意事项：
（ 1 ）只有在磁带和卷轴封装可供选择。一个趔趄
包含2500设备。
（ 2 ）无铅产品。该产品是完全WEEE和
符合RoHS 。
引脚说明
针＃
1
2
3
4
5
6
7
8
引脚名称
DRN
TG
BST
CO
EN
VS
BG
保护地
引脚功能
该引脚连接到开关和同步MOSFET的交界处。该引脚
可以进行一个-2V最小相对不影响操作到PGND 。
输出栅极驱动器的开关（高侧）的MOSFET 。
引导针。电容器连接BST和DRN引脚发展之间
浮动自举电压的高侧MOSFET 。电容值一般
之间的0.1μF和1μF （陶瓷） 。
TTL电平的输入信号提供给MOSFET驱动器。
当高时，该引脚使器件的内部电路。当低， TG和BG
被强制为低电平，电源电流（5V ）小于10μA 。
+ 5V电源。一个.22-1μF陶瓷电容被连接到5V至PGND很
关闭此引脚。
输出驱动器的同步（底部）的MOSFET 。
地面上。
注意：
（ 1）逻辑电平输入和输出开路集电极TTL兼容。
2004年升特公司
5
www.semtech.com
QQ：2881677436 复制
