可编程同步
直流/直流磁滞控制器
与VRM 9.0 VID范围
导言 - 2000年8月7日
SC1155
描述
该SC1155是一款同步降压开关模式CON-
控制器设计用于单端电源使用
应用中的效率是首要关注的问题。
该控制器是一个滞后型，与用户SE-
lectable滞后。该SC1155是理想的implement-
所需的功率高级MI-荷兰国际集团的DC / DC转换器
croprocessors如奔腾
LLI和Athlon
在这两个
单和多处理器配置。抑制，
欠压锁定和软启动功能，在 -
cluded受控电。
SC1155的功能包括一个集成的5位D / A CON-
变频器，温度补偿的电压基准，
限流比较器，过电流保护，
自适应死区时间电路，以防止直通
时开关转换的功率MOSFET 。
电源良好信号，逻辑兼容关机，
还提供过电压保护。在英特
磨碎的D / A转换器提供输出的可编程性
把电压从1.1V到1.85V以25mV为增量。
在SC1155高侧驱动器可以被配置为
任一个接地参考或作为浮举
驱动程序。高边和低边MOSFET驱动器有一个
的2安培峰值电流额定值。
特点
=
可编程迟滞
=
5位DAC可编程输出（ 1.1V - 1.85V ）
=
片上电源良好和OVP功能
=
设计符合Intel最新规范
=
高达95％的英法fi效率
=
在温度为+ 1 ％电压容差
应用
=
服务器系统和工作站
=
英特尔奔腾
三核电源
=
AMD速龙
核心耗材
=
多个微处理器用品
=
稳压器模块
订购信息
设备
(1)
包
SO-28
温度。范围（T
J
)
0 - 125°C
SC1155CSW.TR
SC1155EVB
评估板
典型应用电路
注意：
（ 1 ）只有在磁带和卷轴封装可供选择。一个趔趄
包含1000台设备。
U1
SC1155CSW
1
R1
2k
R3
2.7k
2
3
R2
1k
C2
0.01
R4
1k
C3
0.01
R5
100
C4
0.01
R6
20k
C6
0.1
4
5
6
7
C5
0.001
8
C7
0.1
C8
0.01
+5V
9
10
11
12
13
14
IOUT
垂
OCP
VHYST
VREFB
VSENSE
AGND
SOFTST
N / C
LODRV
LOHIB
DRVGND
LOWDR
DRV
PWRGD
VID0
VID1
VID2
VID3
VID4
抑制
IOUTLO
LOSENSE
海信
BOOTLO
HIGHDR
BOOT
VIN12V
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
+12V
15
Q2
R12 IRL2203S
3.9
C9
2.2uF
GND
R7
150
C21-C26
150uF/4V
C27
0.1
Q1
R11 IRL3103S
2.2
C13
0.33
L2
1.5uH
VOUT
C12
0.33
GND
C16
0.1
L1
1uH
VIN
C17-C19
150uF/16V
C20
0.1
R10
10k
INHIB
R9
10k
+5V
PWRGD
VIN + 5 + 12V
R8
10k
VOUT = 1.1 1.85V
C8
2.2uF
速龙是AMD公司的注册商标。
Pentium是Intel Corporation的注册商标。
1
2000 SEMTECH CORP 。
电话： 805-498-2111传真： 805-498-3804网址： HTTP ： //www.semtech.com
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SC1155
引脚说明
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
引脚名称引脚功能
IOUT
垂
OCP
VHYST
VREFB
电流输出。作为测量该管脚上的输出电压正比于负载电流
穿过高侧MOSFET ，并且近似等于2个R
DS （ ON）
X我
负载
.
下垂的电压。该引脚用于设置的输出电压设定点下垂量为
功能负载电流。该电压由IOUT与AGND之间的电阻分压器设定。
过电流保护。该引脚用于过电流保护由设置触发点为
IOUT和AGND之间的电阻分压器。
滞后设置引脚。该引脚用于设置滞后的由电阻所需要的量
VREFB和AGND之间的分压器。
缓冲基准电压（ VID从电路） 。
VSENSE输出电压检测。
AGND
SOFTST
NC
LODRV
LOHIB
小信号模拟和数字地。
软启动。连接电容此引脚与AGND设置的时间延迟。
没有连接
低驱动控制。此引脚连接到+ 5V能够正常运行。当LOHIB是
接地时，此引脚可被用来控制LOWDR 。
低端禁止。该引脚用于消除击穿直通电流。
DRVGND电源地。确保输出电容的接地连接到该引脚。
LOWDR
DRV
VIN12V
BOOT
HIGHDR
低端驱动器输出。连接至低边MOSFET的栅极。
驱动调节器的MOSFET驱动器。
12V电源。连接到12V电源轨。
自举。该引脚用于产生高侧FET驱动器的浮动驱动。
高边驱动器输出。连接到高边MOSFET栅极。
BOOTLO引导低。在桌面应用程序，此引脚连接到DRVGND 。
海信高电流检测。连接到高侧FET的漏极，或电流的输入端
输入和高侧FET之间的检流电阻。
LOSENSE低电流检测。连接到高侧FET的源或电流的FET方
输入和高侧FET之间的检流电阻。
IOUTLO
抑制
VID4
(1)
VID3
(1)
VID2
(1)
VID1
(1)
VID0
(1)
这是采样电容底边。该引脚上的电压是在LOSENSE销
当高侧FET接通。
抑制。如果此引脚接地时， MOSFET驱动器被禁用。通常连接到+ 5V
通过一个上拉电阻。
编程输入（MSB）。
编程输入。
编程输入。
编程输入。
编程输入（ LSB ） 。
PWRGD
(1)
电源良好。此集电极开路逻辑输出为高，如果输出电压在设定的5％
点。
3
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SC1155
电气特性
除非特别指定： 0 <牛逼
J
< 125°C ， VIN = 12V
参数
电源电压范围
电源电流（静态）
Symbo
L
VIN12V
I
IN
q
INH = 5V ， VID不是11111 ，
VIN以上在启动过程中UVLO门限，
f
SW
= 200kHz的， BOOTLO = 0V ，
C
DH
= C
DL
= 50pF的
INH = 0V或VID = 11111或低于VIN
在启动过程中UVLO门限，
BOOT = 13V ， BOOTLO = 0V
INH = 5V ， VID不是11111 ， VIN
上述启动过程中UVLO门限，
f
SW
= 200kHz的， BOOT = 13V ， BOOTLO = 0V ，
C
DH
= 50pF的
参考/电压识别
基准电压准确度
VID0 - VID4高门槛
电压
VID0 - VID4低阈值
电压
电源良好
欠压阈值
输出饱和电压
迟滞
V
TH （ PWRGD ）
V
SAT
V
HYS （ PWRG
D)
条件
民
11.4
典型值最大值单位
12
15
13
V
mA
高边驱动器电源
电流（静态）
I
BOOT
q
10
A
5
mA
V
REF
V
第（H）的
V
第（L）的
11.4V < VIN12V < 12.6V ，在整个VID
范围（见输出电压表）
-1
2.25
1
%
V
1
V
90
I
O
= 5毫安
0.5
10
95
% V
REF
V
mV
过电压保护
OVP触发点
迟滞
(1)
软启动
充电电流
I
CHG
V
SS
= 0.5V ，从VREFB引脚电阻
AGND = 20kΩ时，V
REFB
= 1.3V
注：我
CHG
= (I
VREFB
/ 5)
V
(S/S)
= 1V
1
10.4
13
15.6
A
V
OVP
V
HYS （ OVP ）
38
42
10
46
%V
OUT
mV
放电电流
抑制比较器
启动阈值
VIN12V UVLO
启动阈值
迟滞
Idischg
1
mA
VSTART
INH
VSTART
UVLO
VHYS
UVLO
2.0
2.4
V
9.25
1.8
10
2
10.75
2.2
V
V
4
2000 SEMTECH CORP 。
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