线性FET控制器
对于DDR用品
电源管理
描述
该SC1116是针对低功耗低成本控制器
线性DDR电源。
该SC1116是在一个节省空间的SOT- 23 6针
封装。
在SC1116提供了顶端串行双栅极驱动器
和底部并联的MOSFET通过内部拍摄
保护。
在宽范围的输入电压（3V至15V ）允许
芯片以在许多不同的应用程序中工作。
可变输出电压是从所述可编程
外与一个输入分频器或外部参考。
V范围宽
DDQ
，下降到0.5V
SC1116
特点
用户可以选择场效应晶体管，以优化系统电流
评价/差/成本
低V
DDQ
， 0.5V至2.5V
-40 ° C至+ 85 °C工作温度
能够为低ESR加载外部补偿
最少的外部元件
0.6毫安静态电流
保证不通过拍
SOT- 23 6L小包装。完全WEEE和RoHS
柔顺
应用
DDR用品
SCSI
线路终端
源/汇的LDO
典型应用电路
Q1
MOS FET
VDDQ=2.5Vtyp
R1
1k 0.5%
U1
SC1116
VTT=1.25Vtyp
4 7uF
典型值
GND
VCC = 3 15V
0 .1 uF的
1
VCC
DRVH
6
2
GND
FB
5
Q2
MOS FET
3
REF
DRVL
4
R2
1k 0.5%
0 .1 uF的
1k
典型值
4 0.7 nF的
典型值
1k
典型值
4 0.7 nF的
典型值
注意事项：
（ 1 ）用于可选的补偿值1K和4.7nF典型。
（ 2 ）当使用3V作为Vcc时，使用门槛低场效应管是必须的。
修订： 2007年3月28日
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电源管理
绝对最大额定值
超过下面的规格，可能会导致该设备，或设备故障造成永久性损坏。指定的参数的操作外
在电气特性部分，是不是暗示。
参数
输入电源电压
工作环境温度范围
工作结温范围
存储温度范围
热阻抗结到环境
热阻抗结到外壳
在T功耗
A
= 25°C
引线温度（焊接） 10秒
ESD额定值（人体模型）
符号
V
CC
T
A
T
J
T
英镑
θ
J A
θ
J·C
P
D
T
领导
ESD
最大
-0.3 16.5
-40至+85
-40到+125
-65到+150
95.7
61.7
250
300
2
单位
V
°C
°C
°C
° C / W
° C / W
mW
°C
kV
Electricial特点
除非另有规定ED ，V
CC
= 5V, 0.5V
≤
V
DDQ
≤
2.5V， R1 = R2 = 1kΩ的+/- 0.1 ％。
规范与标准字体为T
J
= 25°C ，而在极限
粗体
则适用于整个工作温度范围内
(T
A
= -40 ° C至+ 85°C ） 。
参数
电源电压
负载调整率
(1)
静态电流/待机电流
FB & REF输入电流
栅极驱动器
输出低
输出高
测试条件
民
3
典型值
最大
15
单位
V
%
IL ： 0 + 3A
IL ： 0 - 3A
V
CC
= 15V ，无负载= 0A
V
C C
= 15V
-1
+1
600
800
100
A
nA
I
SINK
= 2.5毫安
I
来源
= 2.5毫安
VCC -0.25
0.15
VCC -0.15
0.25
V
V
注意：
（ 1）负载调整率测试使用低占空比电流脉冲，测量VTT时。
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引脚配置
订购信息
产品型号
顶标
AH00
P ackag ê
SOT- 23 6L
SC1116ISKTR
(1)
SC1116ISKTRT
(1)(2)
顶视图
VCC
GND
REF
1
2
3
6
5
4
DRVH
FB
DRVL
注意事项：
（ 1 ）只有在磁带和卷轴封装可供选择。一个趔趄
包含3000设备。
（ 2 ）无铅选项。完全WEEE和RoHS标准。
（ SOT- 23 6L ）
引脚说明
针＃
1
2
3
4
5
6
引脚名称引脚功能
VC
GND
REF
DRVL
FB
DRVH
电源引脚，连接3V至15V的电源去耦至地， 0.1μF的陶瓷电容。
电源和信号地。
参考输入。输出电压将被调节到这个电压。
低边FET驱动输出。
反馈引脚。
高侧FET驱动输出。
框图
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应用信息
概观
在SC1116线性控制器是专为满足对
JEDEC规格为终止DDR- SDRAM内存。
双倍数据速率（ DDR ）内存主频相同
速度为较旧的SDRAM （同步动态随机
存取存储器） ，但处理的数据量的两倍
通过使用时钟信号的上升沿和下降沿
数据传输。另一个区别是， DDR内存
需要2.5V而不是3.3V使用标准的SDRAM 。
其他功能，从分离DDR内存
常规型是就业的V
TT
=终止
电压。对于V主要要求
TT
是，它必须
跟踪V的变化
DDQ
并能够提供（源）
目前，吸收（汇）的电流。
该SC1116控制器提供了DDR的低成本解决方案
通过使用外部旁路终止电压调节EL-
ements管（MOSFET ） 。具有选择的灵活性
的MOSFET允许优化成本的基础上/
特定应用的尺寸/性能。
测试电路波形&
下面的测试电路示于图1中。
需要注意的是V
REF
电压供给外部，以消除
不准确引起的电阻分压器。
V DDQ = 2.5V
C1
1 00 uF的
Q1
IR37 14
V TT = 1.25V （典型值）
ISO urce / ISINK
+/-3A
伊辛
3A ISOURCE
宝WER
苏LY页
3 2m
U1
SC1116
C6
2 70 uF的
V CC = 5V
C2
1 uF的
1
VCC
DRVH
6
2 2m
0A至6A步骤
5
Q2
IR37 14
2xIsin
2
摹ND
FB
浦LSE LOA D， DC = 50 ％
V REF = 1.25V
C3
0 .1uF
3
EF
DRVL
4
当前作
Pro中
R3
1k
C4
4.7nF
R4
1k
C5
4 .7nF
ê lectronic
LOA
图1 。
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典型特征
调节VTT与Vref的是@ / S = 1A ; VCC = 5V
2.0%
2.0%
调节VTT与Vref的是@ / S = 5A ; VCC = 5V
1.0%
1.0%
0.0%
0.0%
dVtt / VTT
dVtt / VTT
-1.0%
-1.0%
-2.0%
-2.0%
-3.0%
-3.0%
-4.0%
-4.0%
-5.0%
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
Vref的（ VDDQ / 2） ，V
-5.0%
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
Vref的（ VDDQ / 2） ，V
调节VTT与Vref的是@ / S = 1A ; VCC = 12V
2.0%
2.0%
调节VTT与Vref的是@ / S = 5A ; VCC = 12V
1.0%
1.0%
0.0%
0.0%
dVtt / VTT
dVtt / VTT
-1.0%
-1.0%
-2.0%
-2.0%
-3.0%
-3.0%
-4.0%
-4.0%
-5.0%
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
Vref的（ VDDQ / 2） ，V
-5.0%
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
Vref的（ VDDQ / 2） ，V
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