同步PWM控制器提供双
低压差稳压器控制器
电源管理
描述
该SC1109是专为最新的高速
主板。它结合了同步电压模式
控制器（开关部分）有两个低压差线性
稳压器控制器。电压模式控制器亲
志愿组织为系统AGTL总线供电。双
线性控制器功率的芯片组和时钟电路。
该SC1109A开关部分功能无损电流
感应，而SC1109C提供可编程的过电流
租限制。 SC1109还利用锁存驱动器输出。
增强抗干扰能力。 SC1109A和SC1109C能操作
吃在200kHz的固定频率， SC1109B是
可用的频率为500kHz的固定频率。 VTT输出
电压在内部固定为1.2V
在SC1109线性部分是低压降稳压器
设计时，开启跟踪3.3V电源
或关闭。的电压为线性控制器LDO1和LDO2
是1.8V / 1.5V 。
SC1109
特点
双路线性控制器
LDO的200mV的范围内跟踪输入电压（功能
使用MOSFET的），直到监管
集成驱动器
电源良好信号（ SC1109A ， SC1109B ）
软启动
无损电流检测
可编程过电流限制（ SC1109C ）
为200kHz （ SC1109A ， SC1109C ）和500kHz的（ SC1109B ）
固定频率。
应用
奔腾
III主板
三重电源
典型应用电路
在12V
5V待机
5V IN
C2
2x1500uF
C3
0.1uF
C5
0.1uF
SC1109ACSTR或SC1109BCSTR
11
4
C6
0.1uF
5
14
电源良好
C9
0.1uF
12
13
15
16
VCC
BCAP +
STBY
BST
DH
BCAP-
SS / EN
PWRGD
VOSENSE
GATE2
LDOS2
U1
DL
GND
GATE1
LDOS1
8
6
2
1
相
3
10
9
7
R1 2.2
C4
0.1uF
C1
0.1uF
+
Q1
MOSFET N
L1 4uH
C7
3x1500uF
Q2
MOSFET N
1.2V 6A
VTT
R2 2.2
+
C8
0.1uF
3.3V IN
Q3
MOSFET N
LDO2 = 1.5V
+
Q4
MOSFET N
LDO1 = 1.8V
C12
330uF
+
C10
330uF
+
C11
330uF
在12V
5V待机
5V IN
C2
2x1500uF
C3
0.1uF
C13
1nF
R3
待定
C5
0.1uF
U1
11
4
C6
0.1uF
5
14
OCSET
C9
0.1uF
12
13
15
16
VCC
BCAP +
STBY
BST
DH
BCAP-
SS / EN
OCSET
VOSENSE
GATE2
LDOS2
DL
GND
GATE1
LDOS1
8
6
2
1
相
3
10
9
7
R1 2.2
C4
0.1uF
C1
0.1uF
+
Q1
MOSFET N
L1 4uH
C7
Q2
3x1500uF
MOSFET N
1.2V 6A
VTT
R2 2.2
+
C8
0.1uF
SC1109CCSTR
3.3V IN
Q3
MOSFET N
LDO2 = 1.5V
+
Q4
MOSFET N
LDO1 = 1.8V
C12
330uF
+
C10
330uF
+
C11
330uF
修订： 2004年5月13日
1
www.semtech.com
SC1109
电源管理
绝对最大额定值
超过下面的规格，可能会导致该设备，或设备故障造成永久性损坏。指定的参数的操作外
在电气特性部分，是不是暗示。
参数
VCC和GND
STBY到GND
BST到GND
相对于GND
LDOSx
工作温度范围
结温范围
存储温度范围
引线温度（焊接） 10秒
热阻结到环境
热阻抗结到外壳
符号
最大
-0.3到+7
-0.3到+7
-0.3至+20
-1至+15
-0.3 5
单位
V
V
V
V
V
°C
°C
°C
°C
° C / W
° C / W
T
A
T
J
T
英镑
T
L
θ
JA
θ
JC
0至+70
0到+125
-65到+150
300
130
30
电气特性
除另有规定： VOSENSE = V
O
; VCC = 4.75V至5.25V ; STBY = 4.75V至5.25V ; BST = 11.4V至12.6V ;牛逼
A
= 0至70℃
参数
电源（V
CC
)
电源电压
供应静态电流
电源工作电流
开关部分
输出电压
(1)
(1)
符号
V
CC
I
CCQ
I
CC
V
TT
负载
REG
LINE
REG
f
OSC
D
VTRIP
ILIMIT
ITRIP
ILIMIT
条件
民
4.4
牛逼YP
5
8
最大
5.25
12
20
单位为s
V
mA
mA
V
%
%
V
CC
= 5V ， SS / EN = 0V
V
CC
= 5V ， SS / EN > 1V
I
O
= 2A
I
O
= 0A至6A
VIN = 4.75V至5.25V
SC1109A
175
450
175
90
SC1109A
SC1109B
SC1109C
VOSENSE到V
O
3.9
180
180
112
SC1109B
SC1109C
1.188
1.200
1
± 0.15
200
500
200
95
200
200
160
35
4.1
200
1.212
负载调整率（
(1)
线路调整
(1)
振荡器频率
振荡器的最大占空比
电流限制之旅（VIN -V
相
)
OscillatorGain （A
OL
)
门槛
迟滞
电源良好
电源良好阈值电压
软启动/启用
SS / EN源电流
SS / EN灌电流
(2)
关断电压
2004年升特公司
(2)
(3)
225
550
225
220
220
208
千赫
千赫
千赫
%
mV
mV
uA
dB
收益
VTT
VCC
高
VCC
HYST
PG
th
ISOURCE
SS / EN
ISINK
SS / EN
V
SS / EN
欠压锁定
4.4
V
mV
112
10
2
600
2
88
V
SS / EN
= 1.5V
V
SS / EN
= 1.5V
5
1
%
A
A
mV
12
3
650
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SC1109
电源管理
电气特性（续）
除另有规定： VOSENSE = V
O
; VCC = 4.75V至5.25V ; STBY = 4.75V至5.25V ; BST = 11.4V至12.6V ;牛逼
A
= 0至70℃
参数
内部驱动器
山顶DH源电流
山顶DH灌电流
山顶DL源电流
山顶DL灌电流
死区时间
线性部分
待机电压
待机静态电流
跟踪差异
(1)(4)
输出电压LDO1
输出电压LDO2
负载调整率
线路调整
局域态密度（ 1,2 ）输入阻抗
(3)
增益（ AOL ）
(3)
符号
条件
民
典型值
最大
单位
ISOURCE
DH
ISINK
DH
ISOURCE
DL
ISINK
DL
T
DEAD
BST -DH = 4.5V
DH- PHASE = 3.1V
DH- PHASE = 1.5V
VCC - DL = 4.5V
DL - GND = 3.1V
DL - GND = 1.5V
500
500
100
500
500
100
40
100
mA
mA
mA
mA
mA
mA
ns
V
STBY
I
STDBYQ
DELTA
轨道
V
LDO1
V
LDO2
负载
REG
LINE
REG
Z
IN
收益
LDO
局域态密度（ 1,2）到GATE （ 1,2 ）
I
O
= 0 4A ， VIN = 3.3V
I
O
= 0 4A ， VIN = 3.3V
I
O
= 0 4A ， VIN = 3.3V
IO = 2A ， VIN = 3.13V到3.47V
VSTBY = 5V ， SS / EN = 0V
4.4
5
5.25
9
V
mA
mV
200
1.782
1.470
1.818
1.500
0.3
0.3
10
50
1.854
1.530
V
V
%
%
k
dB
注意事项：
（1）所有的电气特性在16页上的应用电路。
（ 2 ）软启动功能被执行后， VCC是UVLO以上和SS / EN高于600mV的。软启动
电容充电，然后以恒定的10uA的电流，直到SS / EN高于1V收取。
（ 3 ）通过设计保证
（4）追踪差异被定义为在3.3V Vin和LDO1 ， LDO2输出电压之间的增量
的线性斜升，直到调节的实现。根据跟踪电压差可能会有所不同
MOSFET的RDS
ON
和负载条件。
（5 ）该设备是ESD敏感。使用标准的ESD处理措施是必需的。
2004年升特公司
3
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SC1109
电源管理
引脚配置
顶视图
LDOS1
GATE1
STBY
BCAP +
BCAP-
GND
相
DL
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
顶视图
LDOS2
GATE2
SS / EN
VOSENSE
PWRGD
VCC
BST
DH
LDOS1
GATE1
STBY
BCAP +
BCAP-
GND
相
DL
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
(SC1109A/B)
LDOS2
GATE2
SS / EN
VOSENSE
OCSET
VCC
BST
DH
订购信息
产品型号
(1)
SC1109ACSTR
SC1109BSTR
SC1109CSTR
SC1109EVB
P ackag ê
SO-16
SO-16
SO-16
线性
电压
1.8V/1.5V
1.8V/1.5V
1.8V/1.5V
PWM
频率
200kHz
500kHz
200kHz
评估板
过度
当前设置
国内
国内
外
温度
范围（T
J
)
0°到125℃
0°到125℃
0°到125℃
(SC1109C)
注意：
（ 1 ）只有在磁带和卷轴可用
包装。一卷包括2500设备。
引脚说明
针＃
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
引脚名称
LDOS1
GATE1
STBY
BC AP +
AP- BC
GND
相
DL
DH
BST
VC
PWRGD
OCSET
13
14
15
16
VOSENSE
SS / EN
GATE2
LDOS2
引脚功能
检测输入LDO1 。
栅极驱动输出LDO1 （ 1.8V ） 。
5V待机输入，电源功率为参考，电荷泵，振荡器和FET控制器。
应该存在先于其它电压和关闭最后一个。
正连接到升压电容。
负极连接到升压电容。
地面上。
PHASE节点。
低侧驱动器输出。
高侧驱动器输出。
提高输入。
电源输入。
打开Colector电源良好标记为1.2V Outpu T（ SC1109A ， SC1109B和） 。
过电流设定引脚的PWM （ SC1109C ） 。电阻的Mosfe'ts供应会
编程的过电流电平。
输出检测输入为1.2V输出。
软启动/启用。
栅极驱动输出LDO2 （ 1.5V ） 。
检测输入LDO2 。
4
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2004年升特公司
与同步PWM控制器
双低压差稳压器
控制器
导言 - 2000年10月16日
SC1109
描述
该SC1109是专为最新的高
速度主板。它结合了同步
电压模式控制器（开关部分）与
两个低压差线性稳压器控制器。该
电压模式控制器提供电源
供应系统AGTL总线。在1.8V和
2.5V线性控制器供电的芯片组和
时钟电路。
在SC1109开关部分功能无损
电流检测和锁存驱动器输出。
增强抗干扰能力。它工作在一个固定的
在200kHz的频率时，输出电压为
内部固定的1.2V
在SC1109线性部分是低压差
监管机构设计的跟踪3.3V电源
供给时，它可以打开或关闭。
特点
1.8V ， 2.5V线性控制器
LDO的轨道内200mV的输入电压，直到
规
集成驱动器
电源良好信号
软启动
无损电流检测
应用
奔腾III主板
三重电源
订购信息
产品型号
(1)
包
线性
电压
温度。
范围（T
J
)
SC1109CSTR
SC1109EVB
SO-16
1.8V / 2.5V 0°至125°C
评估板
典型应用电路
在12V
5V待机
5V IN
C2
2x1500uF
C3
0.1uF
11
C5
0.1uF
4
C6
0.1uF
5
14
电源良好
C9
0.1uF
12
13
15
16
注意：
（ 1 ）只有在磁带和卷轴封装可供选择。一个趔趄
包含1000台设备。
C1
0.1uF
C4
0.1uF
3
10
9
7
Q2
C7
3x1500uF
R1 2.2
Q1
L1
4uH
1.2V 6A
+
U4
VCC
BCAP +
SC1109CS
STBY
BST
DH
BCAP-
SS / EN
PWRGD
VOSENSE
GATE2
LDOS2
相
VTT
8
6
2
1
R2 2.2
+
C8
0.1uF
DL
GND
GATE1
LDOS1
3.3V IN
Q3
+
C10
330uF
2.5V
+
C11
330uF
+
C12
330uF
1.8V
Q4
Pentium是Intel Corporation的注册商标。
1
2000 SEMTECH CORP 。
电话： 805-498-2111传真： 805-498-3804网址： HTTP ： //www.semtech.com
与同步PWM控制器
双低压差稳压器
控制器
导言 - 2000年10月16日
SC1109
绝对最大额定值
参数
VCC和GND
STBY到GND
BST到GND
相对于GND
LDOSx
工作温度范围
结温范围
存储温度范围
引线温度（焊接） 10秒
热阻抗结到环境
热阻抗结到外壳
符号
最大
-0.3到+7
-0.3到+7
-0.3至+15
-1至8
-0.3 5
0至+70
0到+125
-65到+150
300
130
30
单位
V
V
V
V
V
°C
°C
°C
°C
° C / W
° C / W
T
A
T
J
T
英镑
T
L
θ
JA
θ
JC
注意：
超过绝对最大额定值可能会导致器件不可逆的损害。
电气特性
除另有规定： VOSENSE = V
O
; VCC = 4.75V至5.25V ; STBY = 4.75V至5.25V ; BST = 11.4V至12.6V ;牛逼
A
= 0至70℃
参数
电源（V
CC
)
电源电压
供应静态电流
电源工作电流
开关部分
输出电压
(1)
负载调整率
(1)
线路调整
(1)
振荡器频率
振荡器的最大占空比
电流限制之旅（VIN -V
相
)
增益（A
OL
)
(3)
欠压锁定
threashold
迟滞
电源良好
电源良好阈值电压
软启动/启用
SS / EN源电流
(2)
SS / EN灌电流
(2)
关断电压
符号
V
CC
I
CCQ
I
CC
V
TT
负载
REG
LINE
REG
f
OSC
D
VTRIP
ILIMIT
收益
VTT
VCC
高
VCC
HYST
PG
th
条件
民
4.4
6
典型值
5
8
最大
5.25
12
20
1.212
单位
V
mA
mA
V
%
%
千赫
%
mV
dB
V
mV
V
CC
= 5V ， SS / EN = 0V
V
CC
= 5V ， SS / EN > 1V
I
O
= 2A
I
O
= 0A至6A
VIN = 4.75V至5.25V
1.188
175
90
180
VOSENSE到V
O
1.200
1
±0.15
200
95
200
35
4.2
200
225
220
88
10
2
600
112
%
A
A
mV
ISOURCE
SS / EN
V
SS / EN
= 0V至3.5V
ISINK
SS / EN
V
SS / EN
= 0V至3.5V
V
SS / EN
2
2000 SEMTECH CORP 。
电话： 805-498-2111传真： 805-498-3804网址： HTTP ： //www.semtech.com
与同步PWM控制器
双低压差稳压器
控制器
导言 - 2000年10月16日
SC1109
电气特性（续）
除另有规定： VOSENSE = V
O
; VCC = 4.75V至5.25V ; STBY = 4.75V至5.25V ; BST = 11.4V至12.6V ;牛逼
A
= 0至70℃
参数
内部驱动器
山顶DH源电流
山顶DH灌电流
山顶DL源电流
山顶DL灌电流
死区时间
线性部分
待机电压
待机静态电流
跟踪差异
(4)
输出电压LDO1
输出电压LDO2
负载调整率
线路调整
局域态密度（ 1,2 ）输出阻抗
局域态密度（ 1,2 ）输入阻抗
增益（A
OL
)
(3)
LDO1栅极电压
LDO2栅极电压
符号
ISOURCE
DH
ISINK
DH
ISOURCE
DL
ISINK
DL
T
DEAD
V
STBY
I
STDBYQ
DELTA
轨道
V
LDO1
V
LDO2
负载
REG
LINE
REG
Z
OUT
Z
IN
收益
LDO
VGATE
LDO1
VGATE
LDO2
条件
BST -DH = 4.5V
DH- GND = 3.1V
DH- GND = 1.5V
VCC - DL = 4.5V
DL - GND = 3.1V
DL - GND = 1.5V
民
500
500
100
500
500
100
40
4.4
典型值
最大
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
ns
100
5
200
5.25
5
V
mA
mV
V
V
%
%
VSTBY = 5V ， SS / EN = 0V
I
O
= 0 4A ， 3.3V VIN = 3.3V
I
O
= 0 4A ， 3.3V VIN = 3.3V
I
O
= 0 4A ， 3.3V VIN = 3.3V
3.3V VIN = 3.13V到3.47V ，我
o
V
GATE(1,2)
= 6.5V
10
局域态密度（ 1,2）到GATE （ 1,2 ）
V
STDBY
= 5V
V
STDBY
= 5V
50
8
7
1.782 1.818 1.854
2.475 2.525 2.575
0.3
0.3
1
1.5
k
k
dB
V
V
注意事项：
（1）所有的电气特性在第6页上的应用电路。
（ 2 ）软启动功能被执行后， VCC是UVLO以上和SS / EN高于600mV的。软启动
电容充电，然后以恒定的10uA的电流，直到SS / EN高于1V收取。
（ 3 ）通过设计保证
（4）追踪差异被定义为在3.3V Vin和LDO1 ， LDO2输出电压之间的增量
线性斜坡，直到调节的实现。
3
2000 SEMTECH CORP 。
电话： 805-498-2111传真： 805-498-3804网址： HTTP ： //www.semtech.com
与同步PWM控制器
双低压差稳压器
控制器
导言 - 2000年10月16日
SC1109
引脚说明
针
1
2
3
引脚名称
LDOS1
GATE1
STBY
引脚功能
检测输入LDO1
栅极驱动输出LDO1 （ 1.8V ）
5V待机输入，供电为
参考文献，电荷泵，振荡器和场效应管
控制器。
正连接到升压电容
负极连接到升压电容
地
相节点
低端驱动器输出
高边驱动器输出
提高输入
电源输入
集电极开路电源良好标记为
1.2V输出
输出检测输入1.2V输出
软启动/启用
栅极驱动输出LDO2 （ 2.5V ）
检测输入LDO2
引脚配置
顶视图
LDOS1
GATE1
STBY
BCAP +
BCAP-
GND
相
DL
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
BCAP +
BCAP-
GND
相
DL
DH
BST
VCC
PWRGD
VOSENSE
SS / EN
GATE2
LDOS2
LDOS2
GATE2
SS / EN
VOSENSE
PWRGD
VCC
BST
DH
（ 16引脚SOIC ）
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2000 SEMTECH CORP 。
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与同步PWM控制器
双低压差稳压器
控制器
导言 - 2000年10月16日
SC1109
框图
VCC
VBG
1.2V
带隙
UVLO
200mV
+
-
过度
当前
+
-
-10%
+10%
高
SIDE
DRIVE
BST
DH
相
SHOOT
THRU
控制
-
PWRGD
+
振荡器
-
+
PWM
VCC
R
Q
S
低
SIDE
DRIVE
VOSENSE
VCC
VBG
-
+
误差放大器
-
+
设置主宰
DL
GND
S
10uA
0.8V
Q
+
R
-
打嗝LATCH
故障
低端关闭
SS / EN
SS / EN
0.6V
+
-
5VSTBY
2uA
5VSTBY
VBG
+
-
GATE2
LDOS2
5VSTBY
5VSTBY
收费
泵
STBY
振荡器
VBG
+
-
GATE1
LDOS1
BCAP +
BCAP-
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