异步电压
模式PWM控制器
电源管理
描述
该SC1101是一款多功能，低成本，电压模式PWM
控制器设计用于低输出电压的DC / DC电源
电源应用。一个简单的，固定电压降压
调节器可以使用与所述SC1101被实现
最少的外部元件。内部电平转换和
驱动电路无需使用昂贵的
p沟道型，高侧开关。小器件尺寸
允许紧凑的电路设计。
SC1101功能包括补偿温度
基准电压源，三角波振荡器，电流限制
比较器，移频过电流保护，并且
内部补偿误差放大器。脉冲由脉冲
限流是通过检测所实现的
通过一个外部电阻器的差分电压，或
适当大小的印刷电路板走线。
在SC1101工作在200kHz的固定频率，
提供效率之间的最佳折衷，
外部组件的尺寸和成本。
SC1101
特点
低成本/小尺寸
开关模式效率高达95 ％
1％的基准电压准确度
过电流保护
500mA的输出驱动器
SO- 8封装
应用
奔腾P55核电源
低成本微处理器用品
外围卡供应
工业电源
高密度DC / DC转换器
典型应用电路
Q1
IRLR3103
L1
4uH
R5
0.05
VOUT = 2V @ 10A
+
C8
330/2.5V
C9
330/2.5V
C10
330/2.5V
C11
1.0
R6
76.8 *见注
R7
127
+5V
C1
1.0
C2
150/6.3V
C3
150/6.3V
D2
MBRD1035L
GND
GND
+12V
R1
10
R2
1k
R3
1k
1
U1
SC1101
VCC
GND
8
C6
0.01
R4
2.2
2
C4
0.1
C5
0.001
3
CS （ - ）
FB
7
CS（ +）
BST
6
C7
0.1
4
保护地
DH
5
*注意：
R6 = R7 ×（ VOUT / 1.25 - 1 ），四舍五入到最接近的1 ％值
修订： 2005年5月25日
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SC1101
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绝对最大额定值
超过下面的规格，可能会导致该设备，或设备故障造成永久性损坏。指定的参数的操作外
在电气特性部分，是不是暗示。
参数
输入电压
地面差分
提高输入电压
工作环境温度范围
存储温度范围
最高结温
引线温度（焊接） 10秒。
热阻结到环境
热阻结到外壳
符号
V
CC
到GND
P
GND
到GND
BST到GND
T
AMB
T
英镑
T
J
T
领导
θ
J A
θ
J·C
最大
-0.3到+7
±1
-0.3至+15
0至+70
-45至125
125
300
165
40
单位
V
V
V
°C
°C
°C
°C
° C / W
° C / W
电气特性
除另有规定： V
CC
= 4.75 5.25 ， GND = P
GND
= 0V, V
O
= 2.5V ，T
A
= 25
°
C， BST = 12V 。
每个测试电路中，除非另有规定。
参数
参考
符号
V
REF
条件
民
1.238
典型值
1.250
1.250
2.0
最大
1.263
1.275
8.0
8.0
1.0
0.5
单位
V
在0 125℃的温度。范围
反馈偏置电流
静态电流
负载调整率
线路调整
电流限制阈值
振荡器频率
振荡器的频率偏移
最大占空比
DH吸入/源出电流
UVLO阈值
I
O
V
UVLO
V
BST
- V
DH
= 4.5V / V
DH
-V
保护地
= 2V
V
FB
＆ LT ; V
REF
/2
I
FB
I
Q
目前进入V
CC
针
I
O
= 1A至10A
I
O
= 10A
CS （ + ） ，以CS （ - ）
1.225
uA
mA
%
%
mV
千赫
千赫
%
mA
5.0
0.5
60
170
70
200
50
80
230
90
500
95
3.8
V
注意：
（ 1 ）此设备ESD敏感。使用标准的ESD处理措施是必需的。
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SC1101
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应用信息
布局指南
仔细注意布局的要求是必要的
为成功实施SC1101 PWM的
控制器。大电流在200kHz开关存在
在地平面的电压适用范围和效果
年龄差必须理解和最小化。
1） 。该电路的高功率部件应进行布局
第一。一个接地层应使用的数量和
的接地平面的中断位置应该如
不保证接地层的完整性。
地平面的隔离或半隔离的区域可能
被意引入接地电流
到特定区域，例如输入电容器和
底部肖特基地。
2）。由输入电容（多个）形成的环（ Cin）和
顶场效应晶体管（ Q1）和所述肖特基（ D1），必须保持尽可能小
成为可能。这个循环包含了所有高电流，快速
转换开关。连接应尽可能宽，
尽可能的短，以减少回路电感。微型
mizing环面积将会减少电磁干扰，降低地面注射
化电流，造成电“清洁”的理由
对系统的其余部分，并尽量减少源振铃，
导致更可靠的门开关信号。
3）。的Q1， D1和连接点之间的连接
输出电感器应该是一个广泛的走线和铜
区。它应该尽可能短，实用。由于这CON-
nection有快速的电压转换，保持CON-
nection短会降低EMI 。之间的连接
输出电感器和感测电阻器应为一个
宽走线和铜区，没有快速的电压或
在这方面和长度的电流转变为不
如此重要，然而增加不必要的阻抗
会降低效率。
4 ）输出电容（S ） （ Cout）应该定位为
靠近负载成为可能，快速的瞬态负载电流
租金仅由Cout之间而已，而连接提供
Cout和负载必须短而宽的铜领域
降低电感和电阻。
5） SC1101最好放置在一个孤立的地面
平面面积。 GND和PGND应该返回到该
孤立地。这个与世隔绝的接地面积应CON
由一个跟踪运行的，连接到该主接地
GND引脚对（之一）的输出接地端
电容器（多个） 。如果这是不可能的， GND引脚可以是
连接到所述输出之间的接地路径
电容器（多个）和Cin的， Q 1 ， D 1环。在任何情况
姿态应GND返回到地面内的
霉素， Q 1 ， D 1环。
6 ）的Vcc为SC1101应该从5V供应
通过一个10Ω电阻供电， Vcc脚应该是
直接去耦至GND用一个0.1μF的陶瓷电容，
走线长度应尽量短。
7 ）电流检测电阻和两端的分
应形成尽可能小的环路成为可能，该迹线RUN-
宁回CS （+）和CS （ - ）上的SC1101应该运行
平行并彼此接近。
8 ）为了减小噪声的敏感FB引脚上，
反馈电阻都应该是接近SC1101
与底电阻（Rb ）返回到地
GND引脚。
欠压锁定
在SC1101保证的欠压锁定电路
的高边MOSFET驱动器输出保持在
关断状态时的电源电压下降到低于设定
参数。发生停摆，如果V
CC
低于3.8V 。去甲
MAL恢复运行一次V
CC
高于3.8V 。
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应用信息（续）
为SC1101布局图
V
O
= V
REF
（ 1 + RA / RB ）
在12V
5V
10
0.1uF
CIN
SC1101CS
1
2
3
0.001uF
4
VCC
CS （ - ）
CS（ +）
保护地
GND
FB
BST
DH
8
7
6
5
Q1
+
VOUT
Rb
D1
4uH
+
COUT
Ra
粗线表示
高电流路径。
应用电路
5V到2.0V @ 10A （自举）
D1
LL42
C7
0.1
Q1
IRLR3103
L1
4uH
R5
0.05
+5V
C8
330/2.5V
C9
330/2.5V
C10
330/2.5V
C11
1.0
+
R6
76.8 *见注
R7
127
C1
1.0
C2
150/6.3V
C3
150/6.3V
D2
MBRD1035L
VOUT = 2V @ 10A
GND
GND
R1
10
R2
1k
R3
1k
1
VCC
U1
SC1101
GND
8
C6
0.01
R4
2.2
2
C4
0.1
C5
0.001
3
CS （ - ）
FB
7
CS（ +）
BST
6
4
保护地
DH
5
*注意：
R6 = R7 ×（ VOUT / 1.25 - 1 ），四舍五入到最接近的1 ％值
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