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SBYV28-50通SBYV28-200
威世半导体
原通用半导体
软恢复
超快塑封整流
DO-201AD
反向电压
50 200V
正向电流
3.5A
特点
1.0 (25.4)
分钟。
0.210 (5.3)
0.190 (4.8)
DIA 。
0.375 (9.5)
0.285 (7.2)
塑料包装了美国保险商实验室
易燃性分类科幻阳离子94V- 0
非常适合在极高频开关
电源,逆变器和续流二极管
超快恢复时间的高效率
玻璃钝化结
高温焊接保证:
250 ℃/ 10秒0.375"设计(9.5mm )引线长度,
5磅。 ( 2.3千克)张力
机械数据
1.0 (25.4)
分钟。
0.052 (1.32)
0.048 (1.22)
DIA 。
尺寸以英寸(毫米)
案例:
JEDEC DO- 201AD模压塑料车身超过
钝化芯片
终端:
镀轴向引线,每焊
MIL- STD- 750 ,方法2026
极性:
颜色频带端为负极
安装位置:
任何
重量:
0.045盎司, 1.2克
最大额定值&热特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
参数
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
在100μA最小反向击穿电压
最大正向平均整流电流
0.375“设计(9.5mm )引线长度在T
L
= 85°C
峰值正向浪涌电流
8.3ms单一正弦半波叠加
在额定负荷在T
J
= 150°C
典型热阻
(1)
符号
SBYV28-50 SBYV28-100 SBYV28-150 SBYV28-200
单位
V
RRM
V
RMS
V
DC
V
( BR )
I
F( AV )
50
35
50
55
100
70
100
110
3.5
150
105
150
165
200
140
200
220
V
V
V
V
A
I
FSM
R
θJA
T
J
, T
英镑
90
25
-55到+150
A
° C / W
°C
工作和存储温度范围
电气特性
参数
最大正向电压
在3.5A
(2)
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
最大反向恢复时间
在我
F
= 0.5A ,我
R
= 1.0A ,我
rr
= 0.25A
在4.0V , 1MHz的典型结电容
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
符号
SBYV28-50 SBYV28-100 SBYV28-150 SBYV28-200
单位
T
J
=25°C
T
J
=150°C
T
A
=25°C
T
A
=100°C
T
J
=25°C
V
F
I
R
t
rr
C
J
1.1
0.89
5.0
300
20
20
V
A
ns
pF
注意事项:
署长于( 1 )导线长度= 3/8 “板带1.5 “ ×1.5 ”铜面
( 2 )脉冲测试:吨
p
= 300μS ,占空比
2%
文档编号88737
11-Feb-02
www.vishay.com
1
SBYV28-50通SBYV28-200
威世半导体
原通用半导体
收视率和
特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
图。 1 - 正向电流
降额曲线
正向平均整流电流( A)
6.0
90
图。 2 - 最大非重复性峰值
正向浪涌电流
峰值正向浪涌电流( A)
80
70
60
50
40
30
20
10ms的单一正弦半波
T
J
= 175°C
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
25
50
75
T
A
,环境温度
P.C.B.安装
0.5× 0.5" ( 12× 12毫米)
铜垫
负载电阻或电感
0.375 QUOT ;设计(9.5mm )引线长度
T
L
焊接温度
100
125
150
175
1
10
100
温度(℃)
周期数的AT 50 H
Z
图。 3 - 典型的瞬时
正向特性
100
1,000
图。 4 - 典型的反向漏
特征
瞬时反向漏
电流( μA )
正向电流(A )
T
J
= 100°C
10
T
J
= 25°C
脉冲宽度= 300μS
1 %占空比
100
T
J
= 100°C
10
1
1
T
J
= 25°C
0.1
0.1
0.01
0.4
0.01
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
0
20
40
60
80
100
正向电压( V)
1999额定峰值反向电压百分比(% )
图。 5 - 反向开关
特征
60
100
I
F
= 4.0A
V
R
=30V
di/dt=150A/s
图。 6 - 典型结电容
T
J
= 25°C
F = 1.0MH
Z
VSIG = 50mVp -P
恢复存储更改/反转
恢复时间, NC / NS
di/dt=100A/s
40
30
20
10
t
rr
Q
rr
0
0
25
50
75
100
125
150
175
di/dt=20A/s
di/dt=50A/s
di/dt=100A/s
di/dt=150A/s
di/dt=50A/s
di/dt=20A/s
结电容, pF的
50
10
1
0.1
1
10
100
结温( ° C)
反向电压( V)
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2
文档编号88737
11-Feb-02
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威世半导体
原通用半导体
软恢复
超快塑封整流
DO-201AD
反向电压
50 200V
正向电流
3.5A
特点
1.0 (25.4)
分钟。
0.210 (5.3)
0.190 (4.8)
DIA 。
0.375 (9.5)
0.285 (7.2)
塑料包装了美国保险商实验室
易燃性分类科幻阳离子94V- 0
非常适合在极高频开关
电源,逆变器和续流二极管
超快恢复时间的高效率
玻璃钝化结
高温焊接保证:
250 ℃/ 10秒0.375"设计(9.5mm )引线长度,
5磅。 ( 2.3千克)张力
机械数据
1.0 (25.4)
分钟。
0.052 (1.32)
0.048 (1.22)
DIA 。
尺寸以英寸(毫米)
案例:
JEDEC DO- 201AD模压塑料车身超过
钝化芯片
终端:
镀轴向引线,每焊
MIL- STD- 750 ,方法2026
极性:
颜色频带端为负极
安装位置:
任何
重量:
0.045盎司, 1.2克
最大额定值&热特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
参数
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
在100μA最小反向击穿电压
最大正向平均整流电流
0.375“设计(9.5mm )引线长度在T
L
= 85°C
峰值正向浪涌电流
8.3ms单一正弦半波叠加
在额定负荷在T
J
= 150°C
典型热阻
(1)
符号
SBYV28-50 SBYV28-100 SBYV28-150 SBYV28-200
单位
V
RRM
V
RMS
V
DC
V
( BR )
I
F( AV )
50
35
50
55
100
70
100
110
3.5
150
105
150
165
200
140
200
220
V
V
V
V
A
I
FSM
R
θJA
T
J
, T
英镑
90
25
-55到+150
A
° C / W
°C
工作和存储温度范围
电气特性
参数
最大正向电压
在3.5A
(2)
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
最大反向恢复时间
在我
F
= 0.5A ,我
R
= 1.0A ,我
rr
= 0.25A
在4.0V , 1MHz的典型结电容
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
符号
SBYV28-50 SBYV28-100 SBYV28-150 SBYV28-200
单位
T
J
=25°C
T
J
=150°C
T
A
=25°C
T
A
=100°C
T
J
=25°C
V
F
I
R
t
rr
C
J
1.1
0.89
5.0
300
20
20
V
A
ns
pF
注意事项:
署长于( 1 )导线长度= 3/8 “板带1.5 “ ×1.5 ”铜面
( 2 )脉冲测试:吨
p
= 300μS ,占空比
2%
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1
SBYV28-50通SBYV28-200
威世半导体
原通用半导体
收视率和
特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
图。 1 - 正向电流
降额曲线
正向平均整流电流( A)
6.0
90
图。 2 - 最大非重复性峰值
正向浪涌电流
峰值正向浪涌电流( A)
80
70
60
50
40
30
20
10ms的单一正弦半波
T
J
= 175°C
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
25
50
75
T
A
,环境温度
P.C.B.安装
0.5× 0.5" ( 12× 12毫米)
铜垫
负载电阻或电感
0.375 QUOT ;设计(9.5mm )引线长度
T
L
焊接温度
100
125
150
175
1
10
100
温度(℃)
周期数的AT 50 H
Z
图。 3 - 典型的瞬时
正向特性
100
1,000
图。 4 - 典型的反向漏
特征
瞬时反向漏
电流( μA )
正向电流(A )
T
J
= 100°C
10
T
J
= 25°C
脉冲宽度= 300μS
1 %占空比
100
T
J
= 100°C
10
1
1
T
J
= 25°C
0.1
0.1
0.01
0.4
0.01
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
0
20
40
60
80
100
正向电压( V)
1999额定峰值反向电压百分比(% )
图。 5 - 反向开关
特征
60
100
I
F
= 4.0A
V
R
=30V
di/dt=150A/s
图。 6 - 典型结电容
T
J
= 25°C
F = 1.0MH
Z
VSIG = 50mVp -P
恢复存储更改/反转
恢复时间, NC / NS
di/dt=100A/s
40
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t
rr
Q
rr
0
0
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125
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175
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di/dt=50A/s
di/dt=100A/s
di/dt=150A/s
di/dt=50A/s
di/dt=20A/s
结电容, pF的
50
10
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0.1
1
10
100
结温( ° C)
反向电压( V)
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软恢复
超快塑封整流
DO-201AD
反向电压
50 200V
正向电流
3.5A
特点
1.0 (25.4)
分钟。
0.210 (5.3)
0.190 (4.8)
DIA 。
0.375 (9.5)
0.285 (7.2)
塑料包装了美国保险商实验室
易燃性分类科幻阳离子94V- 0
非常适合在极高频开关
电源,逆变器和续流二极管
超快恢复时间的高效率
玻璃钝化结
高温焊接保证:
250 ℃/ 10秒0.375"设计(9.5mm )引线长度,
5磅。 ( 2.3千克)张力
机械数据
1.0 (25.4)
分钟。
0.052 (1.32)
0.048 (1.22)
DIA 。
尺寸以英寸(毫米)
案例:
JEDEC DO- 201AD模压塑料车身超过
钝化芯片
终端:
镀轴向引线,每焊
MIL- STD- 750 ,方法2026
极性:
颜色频带端为负极
安装位置:
任何
重量:
0.045盎司, 1.2克
最大额定值&热特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
参数
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
在100μA最小反向击穿电压
最大正向平均整流电流
0.375“设计(9.5mm )引线长度在T
L
= 85°C
峰值正向浪涌电流
8.3ms单一正弦半波叠加
在额定负荷在T
J
= 150°C
典型热阻
(1)
符号
SBYV28-50 SBYV28-100 SBYV28-150 SBYV28-200
单位
V
RRM
V
RMS
V
DC
V
( BR )
I
F( AV )
50
35
50
55
100
70
100
110
3.5
150
105
150
165
200
140
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V
V
V
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A
I
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R
θJA
T
J
, T
英镑
90
25
-55到+150
A
° C / W
°C
工作和存储温度范围
电气特性
参数
最大正向电压
在3.5A
(2)
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
最大反向恢复时间
在我
F
= 0.5A ,我
R
= 1.0A ,我
rr
= 0.25A
在4.0V , 1MHz的典型结电容
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
符号
SBYV28-50 SBYV28-100 SBYV28-150 SBYV28-200
单位
T
J
=25°C
T
J
=150°C
T
A
=25°C
T
A
=100°C
T
J
=25°C
V
F
I
R
t
rr
C
J
1.1
0.89
5.0
300
20
20
V
A
ns
pF
注意事项:
署长于( 1 )导线长度= 3/8 “板带1.5 “ ×1.5 ”铜面
( 2 )脉冲测试:吨
p
= 300μS ,占空比
2%
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威世半导体
原通用半导体
收视率和
特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
图。 1 - 正向电流
降额曲线
正向平均整流电流( A)
6.0
90
图。 2 - 最大非重复性峰值
正向浪涌电流
峰值正向浪涌电流( A)
80
70
60
50
40
30
20
10ms的单一正弦半波
T
J
= 175°C
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
25
50
75
T
A
,环境温度
P.C.B.安装
0.5× 0.5" ( 12× 12毫米)
铜垫
负载电阻或电感
0.375 QUOT ;设计(9.5mm )引线长度
T
L
焊接温度
100
125
150
175
1
10
100
温度(℃)
周期数的AT 50 H
Z
图。 3 - 典型的瞬时
正向特性
100
1,000
图。 4 - 典型的反向漏
特征
瞬时反向漏
电流( μA )
正向电流(A )
T
J
= 100°C
10
T
J
= 25°C
脉冲宽度= 300μS
1 %占空比
100
T
J
= 100°C
10
1
1
T
J
= 25°C
0.1
0.1
0.01
0.4
0.01
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
0
20
40
60
80
100
正向电压( V)
1999额定峰值反向电压百分比(% )
图。 5 - 反向开关
特征
60
100
I
F
= 4.0A
V
R
=30V
di/dt=150A/s
图。 6 - 典型结电容
T
J
= 25°C
F = 1.0MH
Z
VSIG = 50mVp -P
恢复存储更改/反转
恢复时间, NC / NS
di/dt=100A/s
40
30
20
10
t
rr
Q
rr
0
0
25
50
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100
125
150
175
di/dt=20A/s
di/dt=50A/s
di/dt=100A/s
di/dt=150A/s
di/dt=50A/s
di/dt=20A/s
结电容, pF的
50
10
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0.1
1
10
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结温( ° C)
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
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