产品说明
该SBW - 5089 （ Z）是一个高性能的InGaP /砷化镓HBT MMIC
功放。达林顿电路与制作工艺的InGaP
技术提供宽带RF性能高达8 GHz和
出色的散热性能。异质结增加
击穿电压和最大程度地减少结之间的漏电流。
的发射极结的非线性导致高消
抑制互调产物。只有一个操作需要
单一正电源电压， 2隔直流电容，偏压电阻
和一个射频扼流圈。
在Sirenza的无铅“Z”包雾锡涂层的应用
使用后退火处理，以减轻锡须的形成和
符合RoHS每欧盟指令2002/95标准。封装主体是
与不含绿色塑封料生产
三氧化二锑或卤化阻燃剂。
获得&回波损耗与频率的关系
I
D
= 80 mA（典型值）调谐应用电路（图1 ）
25
20
收益
增益（dB ）
SBW-5089
SBW-5089Z
Pb
符合RoHS
＆放大器;
绿色
包
DC - 8 GHz的级联
的InGaP /砷化镓HBT MMIC放大器
产品特点
可以在无铅，符合RoHS
绿色包装（Z后缀）
50欧姆的级联增益模块
宽带平坦增益至3 GHz ： +/- 1.4分贝
的P1dB = 13.4 @ 6 GHz的
输入/输出电压驻波比< 2:3到8GHz
专利散热设计
单电压电源供电
0
-5
回波损耗（分贝）
15
ORL
-10
10
IRL
5
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
频率（GHz ）
-15
-20
-25
应用
宽带仪表
光纤驱动器
OC-48
基站
SAT COM
ü尼特
频率
850兆赫
3000兆赫
4200兆赫
6000兆赫
850兆赫
1950年兆赫
850兆赫
1950年兆赫
1950MHz
分钟。
19.3
17.0
14.5
18.4
32.0
典型值。
20.3
18.0
17.2
15.5
20.1
19.4
35.5
34.0
13.0
6000
D C -6000MHz
D C -6000MHz
1950年兆赫
4.5
72
7
8
10
10
3.9
4.9
80
70
4.4
5.3
88
马克斯。
21.3
19.0
16.5
符号
参数
小思gnal盖
（印刷电路板和连接器损耗DE-包埋）
G
dB
P
1dB
OIP
3
噘
输出1分贝 ompressi电力
输出氏三阶截POI NT
输出功率@ -45dBc AC P IS- 95
9向前 hannels
分贝米
分贝米
分贝米
兆赫
dB
dB
dB
V
mA
° C / W
Bandwi嗞 etermi通过回波损耗定义（ >10分贝）
IRL
ORL
NF
V
D
I
D
R
TH
J-升
最坏情况下的输入回波损耗
最坏的情况下输出回波损耗
降噪器连接gure
EVI CE操作，实际电压NG
EVI CE操作，实际纳克光凭目前
热RESI立场（ juncti的领导）
测试条件：
V
S
= 8 V I
D
= 80毫安典型。
偏置电阻= 39欧姆
OIP
3
音间距= 1兆赫
每个音噘嘴= 0 dBm的
T
L
= 25C
Z
S
= Z
L
= 50欧姆
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。 Sirenza的Microdevices公司承担不准确或遗漏不承担任何责任。 Sirenza的Microdevices公司对因使用这些信息不承担任何责任，所有此类信息
应完全由用户自己承担风险。价格和规格如有变更，恕不另行通知。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。 Sirenza的Microdevices公司不授权或
保证任何Sirenza的Microdevices公司的产品用于生命支持设备和/或系统。版权所有2005 Sirenza的Microdevices公司，公司。保留所有权利世界范围内。
303南方科技法庭
布鲁姆菲尔德，CO 80021
EDS - 103325版本C
1
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
http://www.sirenza.com
SBW - 5089 DC- 8.0 GHz的MMIC可级联放大器
在重点工作频率典型RF性能
符号
参数
单位
频率（ MHz）的
500
850
1950
2400
3500
5800
G
OIP
3
P
1dB
IRL
ORL
S
12
NF
小信号增益
输出三阶截点
在1dB压缩输出功率
输入回波损耗
输出回波损耗
反向隔离
噪声系数
dB
分贝米
分贝米
dB
dB
dB
dB
20.5
36.5
20.2
26
19
22
3.6
20.3
35.5
20.1
26
17.5
23
3.6
19.1
34.0
19.4
19
12
23
3.9
18.7
33.0
19.4
15
11
23
3.9
17.3
30.5
17.5
12
10.5
23
4.1
T
领导
= 25C
Z
S
= Z
L
= 50欧姆
15.1
25.5
13.4
12.5
10.9
23
4.3
测试条件：
V
S
= 8 V
I
D
= 80毫安典型。
偏置电阻= 39欧姆
OIP
3
音间距= 1兆赫
每个音噘嘴= 0 dBm的
*
与调谐应用电路如图5.8GHz的测量数据。 2 。
绝对最大R atings
26
23
20
的P1dB与频率的关系
参数
马克斯。
EVI CE光凭目前
(I
D
)
马克斯。
EVI CE
电压（V
D
)
马克斯。
RF输入功率
马克斯。操作，实际纳克D我SSI pated
动力
马克斯。
Juncti的温度
. (T
J
)
操作，实际温度NG
。范围（T
L
)
绝对限制
130
mA
6V
+17 dBm的
0.65 W
+1
50
°C
-40 ° C至+ 85°C
+150°C
P1dB的（ DBM）
17
14
11
-40°C
马克斯。
储存温度
.
+25°C
+85°C
8
5
0
1
2
3
4
频率（GHz ）
5
6
操作，实际对THI第德维CE超越这些李密TS任何人可以
会造成永久性的损害。对别人一同孔蒂理性操作，实际，
在德维CE电压和电流不得超过马克西妈妈
吴操作，实际值特定网络编辑表中的一个页面上。
碧如康迪TI组件也应殉SFY在followi吴expressi ：
I
D
V
D
< （T
J
- T
L
) / R
TH
J-升
OIP3与频率的关系
39
36
33
6
5
4
噪声系数与频率的关系
OIP3 （ dBm的）
30
27
24
21
18
15
12
-40°C
+25°C
+85°C
NF（ dB）的
3
2
-40°C
1
0
+25°C
+85°C
0
1
2
3
4
频率（GHz ）
5
6
0
1
2
3
4
频率（GHz ）
5
6
303南方科技法庭
布鲁姆菲尔德，CO 80021
EDS - 103325版本C
2
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
http://www.sirenza.com
SBW - 5089 DC- 8.0 GHz的MMIC可级联放大器
典型的射频性能在焊接温度在基本应用电路（图2 ）
（偏置：我
D
= 80毫安典型值）。
25
20
|S
21
| （ dB）的
15
10
5
0
0
1
2
|
S
|
与频率的关系
21
0
-5
-10
|S
11
| （ dB）的
-15
-20
-25
-30
-35
-40
|
S
|
与频率的关系
11
-40°C
+25°C
+85°C
-40°C
+25°C
+85°C
3
4
5
6
7
8
9
10
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
频率（GHz ）
-10
-15
|S
12
| （ dB）的
-20
-25
-30
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
频率（GHz ）
频率（GHz ）
|
S
|
与频率的关系
12
0
-5
|S
22
| （ dB）的
-40°C
+25°C
+85°C
|
S
|
与频率的关系
22
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-40
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
频率（GHz ）
-40°C
+25°C
+85°C
注：可在完整的S参数数据
www.sirenza.com
IS- 95 @ 850MHz的
ADJ。频道压水堆。与通道输出压水堆。
-30
-35
-40
-45
dBc的
-50
-55
-60
-65
-70
6
-30
-35
-40
-45
dBc的
-50
-55
-60
-65
-70
6
IS-95 @ 1950MHz
ADJ。频道压水堆。与信道输出功率
-40°C
+25°C
+85°C
-40°C
+25°C
+85°C
8
10
DBM
12
14
16
8
10
DBM
12
14
16
303南方科技法庭
布鲁姆菲尔德，CO 80021
EDS - 103325版本C
3
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
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SBW - 5089 DC- 8.0 GHz的MMIC可级联放大器
典型的射频性能在焊接温度在调谐应用电路（图1 ）
（偏置：我
D
= 80毫安典型值）。
25
20
|S
21
| （ dB）的
15
10
5
0
0
1
2
|
S
|
与频率的关系
21
0
-10
|S
11
| （ dB）的
-20
-30
-40
|
S
|
与频率的关系
11
-40°C
+25°C
+85°C
-40°C
+25°C
+85°C
3
4
5
6
7
8
9
10
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
频率（GHz ）
频率（GHz ）
-10
-15
|S
12
| （ dB）的
-20
-25
-30
0
1
2
|
S
|
与频率的关系
12
0
-40°C
+25°C
+85°C
|
S
|
与频率的关系
22
-10
|S
22
| （ dB）的
-20
-30
-40
-40°C
+25°C
+85°C
3
4
5
6
7
8
9
10
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
频率（GHz ）
频率（GHz ）
注：可在完整的S参数数据
www.sirenza.com
4
在RF
BW5
1
SBW-5089
3
Zθ = 50Ω ELEC 。莱恩。 = 13.1
θ
RF OUT
C
1
2
IN
C1
C1 = 0.1pF 0805 AVX
OUT
基板材料= GETEK ML200C ，
0 0.031"厚， ER = 4.2 ， 1盎司包层
铜垫片
Sirenza的微器件
ECB- 100607修订版B
图1.调谐应用电路
303南方科技法庭
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EDS - 103325版本C
4
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
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SBW - 5089 DC- 8.0 GHz的MMIC可级联放大器
图。 2基本应用电路
R
BIAS
V
S
1 uF的
1000
pF
I
D
应用电路元件值
参考
代号
C
B
频率（ MHz）的
100
1000 pF的
100 pF的
470 nH的
500
850
1950
68 pF的
22 pF的
22 nH的
2400
56 pF的
22 pF的
18 nH的
3500
39 pF的
15 pF的
15 nH的
C
D
R
最不发达国家
BIAS
感应器
220 pF的100 pF的
100 pF的
68 nH的
68 pF的
33 nH的
C
D
L
C
L
C
4
在RF
C
B
1
SW-5089
推荐偏置电阻为我
D
= 80毫安
3
V
D
C
B
RF OUT
电源电压（V
S
)
（伏）
偏置电阻*
（欧姆）
<7
N / R
7
26
7.5
33
8
39
9
52
10
64
12
89
2
*偏置电阻= R
BIAS
+ R
最不发达国家
= ( V
S
-V
D
) / I
D
SELECT
R
BIAS
以便
R
BIAS
+
R
最不发达国家
推荐的偏置电阻。
使用1％或5 ％的容差resisistors或并行组合以实现
推荐的偏置电阻+/- 3％ 。
R
BIAS
提供电流稳定性
温度。
V
S
R
BIAS
1 uF的
1000 pF的
* N / R =否吨重C 0 M M ê次E D 。 C 0 NTA CT忿怒NZA德 HNI CALS了口FO
当供电电压为<7 V.指导
C
D
BW5
器件引脚输出指南
针＃
功能
在RF
描述
射频输入引脚。该引脚需要使用的
外部隔直流电容器选择用于
操作的次数。
连接到地。通孔作为提供
靠近器件的接地引线尽可能
减少接地电感和实现
最佳的RF性能。
RF输出和偏置引脚。该引脚需要的
使用外部隔直流电容器的
选择用于操作的频率。
L
C
C
B
C
B
1
2, 4
GND
3
RF OUT /
直流偏置
一部分标识标记
可靠性&资质信息
参数
ESD额定值 - 人体模型（ HBM ）
湿度敏感度等级
等级
1C类
1
4
4
BW5
1
2
3
1
2
3
BW5Z
2
3
2
产品合格报告可道nloaded在
W W w.sirenza.com
锡 - 铅
无铅
符合RoHS
订购信息
注意： ESD敏感
在搬运，包装适当的预防措施
和测试设备必须得到遵守。
部分
数
SBW-5089
SBW-5089Z
P ackag E / L EAD
作文
锡 - 铅
无铅，符合RoHS标准
1
鳗鱼
SIZ ê
7"
7"
3
MSL 1
器件
/ R鳗鱼
1000
1000
303南方科技法庭
布鲁姆菲尔德，CO 80021
EDS - 103325版本C
5
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
http://www.sirenza.com
初步数据表
产品说明
Sirenza的Microdevices的SBW - 5089是一款高性能
的InGaP / GaAs异质结双极晶体管MMIC
功放。达林顿电路配置设计的InGaP
工艺技术提供宽带性能达
8 GHz，具有优异的热性能比较。异质结
增加了击穿电压和最小漏电流
路口之间。的发射结不取消
非线性导致更高的抑制互调
产品。只有一个正电源电压，直流阻断
电容器，一个偏置电阻，和一个可选的RF扼流圈是
所需的操作。
获得&回波损耗与频率的关系
见附录电路Page 6
SBW-5089
DC - 8GHz的级联
的InGaP /砷化镓HBT MMIC放大器
产品特点
宽带平坦增益到3GHz ： +/- 1.4分贝
的P1dB = 13.4 @ 6GHz的
输入/输出VSWR < 2 ： 3至8GHz
工作在单电源
低热阻
30
20
10
0
-10
-20
-30
0
1
2
3
4
5
频率（GHz ）
6
7
8
S11
S22
S21
达林顿配置
应用
宽带仪器
光纤驱动器
OC- 48
- 基站
SAT COM
ü尼特
频率
850兆赫
3000兆赫
4200兆赫
6000兆赫
850兆赫
1950年兆赫
850兆赫
1950年兆赫
1950MHz
分钟。
19.3
17.0
16.2
14.5
18.4
32.0
典型值。
20.3
18.0
17.2
15.5
20.1
19.4
35.5
34.0
13.0
6000
D C -6000MHz
D C -6000MHz
1950年兆赫
4.5
72
7
8
10
11
3.9
4.9
80
97
4.4
5.3
88
马克斯。
21.3
19.0
18.2
16.5
符号
参数
小思gnal盖
（印刷电路板和连接器损耗DE-包埋）
G
dB
P
1dB
OIP
3
噘
输出1分贝 ompressi电力
输出氏三阶截POI NT
输出功率@ -45dBc AC P IS- 95
9向前 hannels
分贝米
分贝米
分贝米
兆赫
dB
dB
dB
V
mA
° C / W
Bandwi嗞 etermi通过回波损耗定义（ >10分贝）
IRL
ORL
NF
V
D
I
D
R
TH
J-升
最坏情况下的输入回波损耗
最坏的情况下输出回波损耗
降噪器连接gure
EVI CE操作，实际电压NG
EVI CE操作，实际纳克光凭目前
热RESI立场（ juncti的领导）
测试条件：
V
S
= 8 V
R
BIAS
= 39欧姆
I
D
= 80毫安典型。
T
L
= 25C
OIP
3
音间距= 1 MHz时，每个音噘= 0 dBm的
Z
S
= Z
L
= 50欧姆
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。 Sirenza的Microdevices公司承担不准确或遗漏不承担任何责任。 Sirenza的Microdevices公司不承担任何
对于使用这些信息，所有此类信息的责任应完全由用户自己承担风险。价格和规格如有变更，恕不另行通知。没有专利权或
许可证以本文所述的任何电路被暗示或任何第三方授权。 Sirenza的Microdevices公司不授权或担保任何Sirenza的Microdevices公司的产品在使用生命
支持的设备和/或system.Copyright 2003 Sirenza的Microdevices公司，公司。保留所有权利世界范围内。
303南方科技法庭，布鲁姆菲尔德，CO 80021电话： （ 800 ） SMI- MMIC
1
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EDS- 103325版本A
PreliminaryPreliminary
数据表
SBW - 5089宽带DC- 8 GHz的MMIC放大器
在重点工作频率典型RF性能
频率（MHz）
频率（MHz）
符号
参数
单位
500
850
1950
2400
3500
5800*
G
OIP
3
P
1dB
IRL
ORL
S
21
NF
小信号增益
输出三阶截点
在1dB压缩输出功率
输入回波损耗
输出回波损耗
反向隔离
噪声系数
dB
分贝米
分贝米
dB
dB
dB
dB
20.5
36.5
20.2
26
19
22
3.6
20.3
35.5
20.1
26
17.5
23
3.6
19.1
34.0
19.4
19
12
23
3.9
18.7
33.0
19.4
15
11
23
3.9
17.3
30.5
17.5
12
10.5
23
4.1
15.1
25.5
13.4
12.5
10.9
23
4.3
*
注：与调谐电路应用5.8GHz的测量数据
的P1dB与频率的关系
25
22.5
20
测试条件：
V = 8V
S
= 8 V
I
D
= 80毫安
V
I
D
= 80毫安典型。典型值。 OIP
3
OIP
3
音调间隔兆赫， PoutPout tonetone = 0
音间距= 1 = 1 MHz时，每= 0dBm的
测试条件：
S
DBM
T
L
= 25C
Z
S
= Z
L
= 50欧姆
基本应用电路
R
BIAS
= 39欧姆
R
BIAS
= 39欧姆
T
L
= 25C
Z
S
= Z
L
= 50欧姆
绝对最大额定值
参数
+25c
-40c
+85c
绝对限制
1
30
mA
马克斯。
器件的电流
(I
D
)
马克斯。
设备
电压（V
D
)
马克斯。
RF输入功率
最大工作功率耗散
马克斯。
结温
. (T
J
)
工作温度
。范围（T
L
)
6V
+17 dBm的
0.65 W
+150°C
-40 ° C至+ 85°C
+150°C
P1dB(dBm)
17.5
15
12.5
10
7.5
5
马克斯。
储存温度
.
ESD
1C类
0
1
2
3
频率（GHz ）
4
5
6
操作，实际对THI第德维CE超越这些李密TS可能引起的任何一个
P·E RMA NE NT D A MA克即F或重新李乐AB合作NTI没有我们OPE RA Ti对，去六CE
电压和电流不得超过马克西妈妈操作，实际值NG
1页表中指定。
偏置条件也应满足下面的表达式：
T
L
=T
领导
I
D
V
D
< （T
J
- T
L
) / R
TH
J-升
OIP
3
与频率的关系
40
37.5
35
32.5
+25c
-40c
+85c
噪声系数与频率的关系
8
+25c
7
-40c
+85c
OIP
3
（ dBm的）
30
27.5
25
22.5
20
17.5
15
噪声系数（dB ）
6
5
4
3
2
1
0
0
1
2
3
频率（GHz ）
4
5
6
0
1
2
3
频率（GHz ）
4
5
6
303南方科技法庭，布鲁姆菲尔德，CO 80021电话： （ 800 ） SMI- MMIC
2
http://www.sirenza.com
EDS- 103325版本A
PreliminaryPreliminary
数据表
SBW - 5089宽带DC- 8 GHz的MMIC放大器
测试条件：偏置T恤，ID = 80毫安，的Vsup层= 8V ， 39ohm电阻下降
基本应用电路第5页
|S
11
|与频率
0
-10
|S
21
|与频率
25
20
S21 （ dB）的
S11（ dB）的
15
10
5
0
+25C
-40C
+85C
-20
-30
-40
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
+25C
-40C
+85C
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
频率（GHz ）
频率（GHz ）
|S
12
|与频率
-10
-15
+25C
-40C
+85C
|S
22
|与频率
0
-10
S12 （ dB）的
S22 （ dB）的
-20
-25
-30
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
-20
-30
-40
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
+25C
-40C
+85C
频率（GHz ）
频率（GHz ）
IS- 95 @ 850MHz的
ADJ。频道压水堆。与通道输出压水堆。
-30
-35
-40
-45
-50
-55
-60
-65
-70
6
8
10
12
DBM
14
-30
-35
-40
-45
dBc的
+25c
-40c
+85c
IS-95 @ 1950MHz
ADJ。频道压水堆。与信道输出功率
dBc的
-50
-55
-60
-65
-70
6
8
10
12
DBM
14
+25c
-40c
+85c
16
16
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3
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PreliminaryPreliminary
数据表
SBW - 5089宽带DC- 8 GHz的MMIC放大器
测试条件：偏置T恤，ID = 80毫安， V供电= 8V ， 39ohm电阻下降
随着宽带偏置T型第6页调谐电路中的应用
|S
11
|与频率
0
-10
|S
21
|与频率
25
20
S11（ dB）的
S21 （ dB）的
15
10
5
0
+25C
-40C
+85C
-20
-30
-40
0
1
2
3
4
5
6
+25C
-40C
+85C
7
8
9
10
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
频率（GHz ）
频率（GHz ）
|S
12
|与频率
-10
+25C
|S
22
|与频率
0
-10
-15
-40C
S12 （ dB）的
S22 （ dB）的
+85C
-20
-25
-30
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
-20
-30
-40
0
1
2
3
4
5
6
7
+25C
-40C
+85C
8
9
10
频率（GHz ）
频率（GHz ）
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4
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初步
初步
数据表
SBW - 5089宽带DC- 8 GHz的MMIC放大器
基本应用电路（无调谐元件）
R
BIAS
1 uF的
1000
pF
应用电路元件值
频率（ MHz）的
参考
代号
500
850
1950
2400
3500
V
S
C
D
L
C
C
B
C
D
L
C
220 pF的
100 pF的
68 nH的
100 pF的
68 pF的
33 nH的
68 pF的
22 pF的
22 nH的
56 pF的
22 pF的
18 nH的
39 pF的
15 pF的
15 nH的
在RF
C
B
4
1
SWA-5089
3
2
C
B
RF OUT
推荐偏置电阻值我
D
=80mA
R
BIAS
=( V
S
-V
D
) / I
D
电源电压（V
S
)
R
BIAS
7.5 V
33
8V
39
10 V
68
12 V
91
V
S
R
BIAS
注释：R
BIAS
提供直流偏压温度稳定性。
1 uF的
1000 pF的
安装说明
1.焊铜焊盘上的背面
器件封装到接地平面。
2.使用带有镀很多大接地焊盘面积
通孔，如图所示。
3.我们推荐1或2盎司铜。测量
此数据表上的31密耳厚的FR -4制作
板两侧1盎司铜。
BW5
C
B
L
C
C
D
C
B
针＃
功能
在RF
描述
射频输入引脚。该引脚需要使用
外部DC阻塞电容器的
选择用于操作的频率。
连接到地。通孔用
为了获得最佳性能，以减少铅
电感接近地面会导致如
可能。
一部分标识标记
该部分将被标记上“ BW5 ”标志
包装件的顶表面上。
4
1
2, 4
GND
BW5
1
2
3
2
1
3
3
RF OUT / RF输出和偏置引脚。直流电压是
BIAS
目前该引脚上，因此DC
阻塞电容器是必要的
正确的操作。
注意： ESD敏感
在搬运，包装适当的预防措施，并
测试设备必须遵守。
产品型号订购信息
产品型号
SBW-5089
卷SIZ ê
7"
设备/卷
1000
303南方科技法庭，布鲁姆菲尔德，CO 80021电话： （ 800 ） SMI- MMIC
5
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EDS- 103325版本A
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