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半导体

SBT5551F

NPN硅晶体管

说明

通用扩增fi er

高电压应用

特点

高集电极击穿电压： V

CBO

= 180V, V

首席执行官

= 160V

低集电极饱和电压： V

CE （ SAT ）

=0.5V(MAX.)

互补配对SBT5401F

订购信息

型号

SBT5551F

记号

FNF

封装代码

SOT-23F

外形尺寸

单位：

mm

2.4±0.1

1.6±0.1

1

2.9±0.1

1.90 BSC

3

0.4±0.05

0.9±0.1

2

0.15±0.05

引脚连接

1.基地

2.辐射源

3.收集

0~0.1

KST-2097-000

1

SBT5551F

绝对最大额定值

特征

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极耗散

结温

储存温度

(Ta=25°C)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

P

C

T

j

T

英镑

评级

180

160

6

600

200

150

-55~150

单位

V

V

V

mA

mW

°C

°C

电气特性

特征

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

直流电流增益

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

基射极饱和电压

跃迁频率

集电极输出电容

(Ta=25°C)

符号

BV

CBO

BV

首席执行官

BV

EBO

I

CBO

I

EBO

h

FE （1）

h

FE （2）

h

FE （3）

V

CE(sat)(1)

*

V

CE(sat)(2)

*

V

BE(sat)(1)

*

V

BE(sat)(2)

*

f

T

C

ob

测试条件

I

C

= 100μA ，我

E

=0

I

C

= 1mA时，我

B

=0

I

E

= 10μA ，我

C

=0

V

CB

= 120V ，我

E

=0

V

EB

= 4V ，我

C

=0

V

CE

= 5V ，我

C

=1mA

V

CE

= 5V ，我

C

=10mA

V

CE

= 5V ，我

C

=50mA

I

C

= 10毫安，我

B

=1mA

I

C

= 50mA时我

B

=5mA

I

C

= 10毫安，我

B

=1mA

I

C

= 50mA时我

B

=5mA

V

CE

= 10V ，我

C

=10mA

V

CB

= 10V ，我

E

= 0中，f = 1MHz的

分钟。典型值。马克斯。

180

160

6

-

-

80

80

30

-

-

-

-

100

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

0.2

0.5

1

1

400

6

250

-

-

-

100

100

单位

V

V

V

nA

nA

-

-

-

V

V

V

V

兆赫

pF

*

：脉冲测试：脉冲宽度

≤300s,

占空比

≤2.0%

KST-2097-000

2

SBT5551F

电气特性曲线

图。 1小时

FE

- I

C

图。 2我

C

- V

BE

图。 3 F

T

- I

C

v

图。 4 V

CE （SAT），

V

BE （ SAT ）

- I

C

图。 5℃

ob

- V

CB

KST-2097-000

3

SBT5551F

NPN硅晶体管

说明

通用扩增fi er

高电压应用

引脚连接

3

1

2

特点

高集电极击穿电压：

V

CBO

= 180V, V

首席执行官

= 160V

低集电极饱和电压：

V

CE （ SAT ）

=0.5V(MAX.)

互补配对SBT5401F

SOT-23F

订购信息

型号

SBT5551F

记号

FNF

□

① ②

①

器件代码

②

Year&Week码

封装代码

SOT-23F

绝对最大额定值

特征

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极耗散

结温

储存温度

(Ta=25°C)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

P

C

T

j

T

英镑

评级

180

160

6

600

200

150

-55~150

单位

V

V

V

mA

mW

°C

°C

电气特性

特征

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

直流电流增益

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

基射极饱和电压

跃迁频率

集电极输出电容

(Ta=25°C)

符号

BV

CBO

BV

首席执行官

BV

EBO

I

CBO

I

EBO

h

FE （1）

h

FE （2）

h

FE （3）

V

CE(sat)(1)

*

V

CE(sat)(2)

*

*

测试条件

I

C

= 100μA ，我

E

=0

I

C

= 1mA时，我

B

=0

I

E

= 10μA ，我

C

=0

V

CB

= 120V ，我

E

=0

V

EB

= 4V ，我

C

=0

V

CE

= 5V ，我

C

=1mA

V

CE

= 5V ，我

C

=10mA

V

CE

= 5V ，我

C

=50mA

I

C

= 10毫安，我

B

=1mA

I

C

= 50mA时我

B

=5mA

I

C

= 10毫安，我

B

=1mA

I

C

= 50mA时我

B

=5mA

V

CE

= 10V ，我

C

=10mA

V

CB

= 10V ，我

E

= 0中，f = 1MHz的

分钟。典型值。马克斯。

180

160

6

-

-

80

80

30

-

-

-

-

100

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

0.2

0.5

1

1

400

6

250

-

-

-

100

100

单位

V

V

V

nA

nA

-

-

-

V

V

V

V

兆赫

pF

V

BE(sat)(1)

f

T

C

ob

V

BE(sat)(2)

*

*

：脉冲测试：脉冲宽度

≤300μs,

占空比

≤2.0%

KSD-T5C076-000

1

SBT5551F

电气特性曲线

图。 1小时

FE

- I

C

图。 2我

C

- V

BE

图。 3 F

T

- I

C

v

图。 4 V

CE （SAT），

V

BE （ SAT ）

- I

C

图。 5℃

ob

- V

CB

KSD-T5C076-000

2

SBT5551F

外形尺寸

※推荐

PCB焊盘[单位：mm ]

KSD-T5C076-000

3

SBT5551F

该AUK公司产品用于使用在一般的电子元件

设备（办公室和通信设备，测量设备，家用

设备等）。

请确保您与我们协商，然后再使用这些AUK公司产品前

在需要较高的质量和/或可靠性，设备和在设备，而

可能主要影响到人类生活的福利（原子能控制，飞机，

飞船，运输，燃烧控制，所有类型的安全装置，等等）。 AUK

公司不承担责任，以可能发生的情况下，这些AUK公司的任何损害

产品使用在上述设备不与AUK事先协商

公司..

本出版物中提到的规格如有变更，恕不另行通知。

KSD-T5C076-000

4

半导体

SBT5551F

NPN硅晶体管

说明

通用扩增fi er

高电压应用

特点

高集电极击穿电压： V

CBO

= 180V, V

首席执行官

= 160V

低集电极饱和电压： V

CE （ SAT ）

=0.5V(MAX.)

互补配对SBT5401F

订购信息

型号

SBT5551F

记号

FNF

封装代码

SOT-23F

外形尺寸

单位：

mm

2.4±0.1

1.6±0.1

1

2.9±0.1

1.90 BSC

3

0.4±0.05

0.9±0.1

2

0.15±0.05

引脚连接

1.基地

2.辐射源

3.收集

0~0.1

KST-2097-000

1

SBT5551F

绝对最大额定值

特征

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极耗散

结温

储存温度

(Ta=25°C)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

P

C

T

j

T

英镑

评级

180

160

6

600

200

150

-55~150

单位

V

V

V

mA

mW

°C

°C

电气特性

特征

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

直流电流增益

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

基射极饱和电压

跃迁频率

集电极输出电容

(Ta=25°C)

符号

BV

CBO

BV

首席执行官

BV

EBO

I

CBO

I

EBO

h

FE （1）

h

FE （2）

h

FE （3）

V

CE(sat)(1)

*

V

CE(sat)(2)

*

V

BE(sat)(1)

*

V

BE(sat)(2)

*

f

T

C

ob

测试条件

I

C

= 100μA ，我

E

=0

I

C

= 1mA时，我

B

=0

I

E

= 10μA ，我

C

=0

V

CB

= 120V ，我

E

=0

V

EB

= 4V ，我

C

=0

V

CE

= 5V ，我

C

=1mA

V

CE

= 5V ，我

C

=10mA

V

CE

= 5V ，我

C

=50mA

I

C

= 10毫安，我

B

=1mA

I

C

= 50mA时我

B

=5mA

I

C

= 10毫安，我

B

=1mA

I

C

= 50mA时我

B

=5mA

V

CE

= 10V ，我

C

=10mA

V

CB

= 10V ，我

E

= 0中，f = 1MHz的

分钟。典型值。马克斯。

180

160

6

-

-

80

80

30

-

-

-

-

100

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

0.2

0.5

1

1

400

6

250

-

-

-

100

100

单位

V

V

V

nA

nA

-

-

-

V

V

V

V

兆赫

pF

*

：脉冲测试：脉冲宽度

≤300s,

占空比

≤2.0%

KST-2097-000

2

SBT5551F

电气特性曲线

图。 1小时

FE

- I

C

图。 2我

C

- V

BE

图。 3 F

T

- I

C

v

图。 4 V

CE （SAT），

V

BE （ SAT ）

- I

C

图。 5℃

ob

- V

CB

KST-2097-000

3

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柒号芯城电子商务（深圳）有限公司

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联系人：连

地址：福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

SBT5551F

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终端采购配单精选

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深圳市晨豪科技有限公司

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联系人：罗先生/严小姐/叶先生/林先生

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SBT5551F

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23+

89630

SOT-23

当天发货全新原装现货

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联系人：李

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SBT5551F

AUK

2407+

20000

SOT-23F

原装现货!欢迎骚扰！天天原装！时时特价！

北京显周科技有限公司

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SBT5551F

√ 欧美㊣品

▲10/11+

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联系人：陈小姐张先生

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SBT5551F

AUK

21+

29000

SOT-23

全新原装，欢迎订购！

深圳市金镇发科技有限公司

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电话：0755-83515980

联系人：陈先生

地址：深圳市福田区中航路都会大厦B座23X

SBT5551F

AUK

21+

4044

SOT-23

原装正品

北京首天伟业科技有限公司

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联系人：刘经理

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AUK

09+P

11000

SOT-23

全新原装正品/质量有保证

深圳市华美锐科技有限公司

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联系人：邓小姐

地址：深圳市福田区福华路29号16G(深圳市华美锐科技有限公司)

SBT5551F

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2001

9006

N/A

原装正品！价格优势！

GERMANY XIANZHOU GROUP CO., LTD

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联系人：刘先生

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√ 欧美㊣品

▲10/11+

9041

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