【半导体SBT5401FPNP硅晶体管描述通用扩增fi er高电压应用特点高集电极击穿电压： VCBO】,IC型号SBT5401F_1,SBT5401F_1 PDF资料,SBT5401F_1经销商,ic,电子元器件-51电子网

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半导体

SBT5401F

PNP硅晶体管

描述

通用扩增fi er

高电压应用

特点

高集电极击穿电压： V

CBO

= -160V, V

首席执行官

= -160V

低集电极饱和电压： V

CE （ SAT ）

=-0.5V(MAX.)

互补配对SBT5551F

订购信息

型号

SBT5401F

记号

NFN

封装代码

SOT-23F

外形尺寸

单位：

mm

1

3

2

引脚连接

1.基地

2.辐射源

3.收集

KST-2096-001

1

SBT5401F

绝对最大额定值

特征

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极耗散

结温

储存温度

(Ta=25°C)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

P

C

T

j

T

英镑

评级

-160

-160

-5

-600

200

150

-55~150

单位

V

V

V

mA

mW

°C

°C

电气特性

特征

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

直流电流增益

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

基射极饱和电压

跃迁频率

集电极输出电容

(Ta=25°C)

符号

BV

CBO

BV

首席执行官

BV

EBO

I

CBO

I

EBO

h

FE （1）

h

FE （2）

h

FE （3）

V

CE(sat)(1)

*

V

CE(sat)(2)

*

V

BE(sat)(1)

*

V

BE(sat)(2)

*

f

T

C

ob

测试条件

I

C

= -100μA ，我

E

=0

I

C

= -1mA ，我

B

=0

I

E

= -10μA ，我

C

=0

V

CB

= -120V ，我

E

=0

V

EB

= -3V ，我

C

=0

V

CE

= -5V ，我

C

=-1mA

V

CE

= -5V ，我

C

=-10mA

V

CE

= -5V ，我

C

=-50mA

I

C

= -10mA ，我

B

=-1mA

I

C

= -50mA ，我

B

=-5mA

I

C

= -10mA ，我

B

=-1mA

I

C

= -50mA ，我

B

=-5mA

V

CE

= -10V ，我

C

=-10mA

V

CB

= -10V ，我

E

= 0中，f = 1MHz的

分钟。典型值。马克斯。

-160

-160

-5

-

-

50

60

50

-

-

-

-

100

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-0.2

-0.5

-1

-1

400

6

240

-

-

-

-100

-100

单位

V

V

V

nA

nA

-

-

-

V

V

V

V

兆赫

pF

*

：脉冲测试：脉冲宽度

≤300s,

占空比

≤2.0%

KST-2096-001

2

SBT5401F

电气特性曲线

图。 1小时

FE

- I

C

图。 2我

C

- V

BE

图。 3 F

T

- I

C

图。 4 V

CE （SAT），

V

BE （ SAT ）

- I

C

图。 5℃

ob

- V

CB

KST-2096-001

3

SBT5401F

这些AUK产品用于使用一般的电子设备（办公室和

通信设备，测量设备，国内电气化等）。

请确保您与我们协商，然后再在equipm-使用这些AUK产品前

ents需要高品质和/或可靠性，并在设备，而可能

主要影响到人类生活（原子能控制，飞机，飞船，交通福利

信号，燃烧中心，所有类型的安全装置，等等）。

AUK不能接受赔偿责任可能发生的情况下，这些AUK产品的任何损坏

用于在上述设备没有与AUK事先咨询。

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4

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