MBRS1100T3G,
SBRS81100T3G,
MBRS190T3G,
SBRS8190T3G
首选设备
肖特基功率整流器
表面贴装功率封装
肖特基功率整流器采用采用肖特基势垒
原则上在一个大面积的金属到硅功率二极管。国家的最先进的
几何特征的外延建设与氧化和钝化
金属覆盖层接触。非常适用于低电压，高频率
整改，或续流和极性保护二极管，在
表面安装的应用程序，其中紧凑的尺寸和重量是至关重要的
到系统中。国家的最先进的，这些设备具有以下
产品特点：
特点
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肖特基势垒
整流器器
1.0安培
90 ， 100伏
小型紧凑型表面贴装封装，带J-弯信息
矩形包装的自动化处理
高度稳定的氧化钝化结
高阻断电压
100伏
175 ° C工作结温
Guardring应力保护
AEC - Q101标准，并有能力PPAP
SBRS8前缀为汽车和其他需要的应用
独特的网站和控制变化的要求
所有封装均为无铅*
机械特性
SMB
CASE 403A
标记图
AYWW
B1xG
G
B1
x
案例：环氧树脂，模压
重量： 95毫克（大约）
表面处理：所有外部表面耐腐蚀和终端
=器件代码
= C的MBRS1100T3
9 MBRS190T3
A
=大会地点
Y
=年
WW =工作周
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
信息很容易焊
铅和安装表面焊接温度的目的：
260 ° C最大。为10秒
运12毫米磁带和卷轴2500单位每卷
阴极极性带
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2012
2012年1月
启示录10
1
出版订单号：
MBRS1100T3/D
MBRS1100T3G ， SBRS81100T3G ， MBRS190T3G ， SBRS8190T3G
最大额定值
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
MBRS190T3
MBRS1100T3
平均正向电流整流
T
L
= 163C
T
L
= 148C
非重复性峰值浪涌电流
（浪涌应用在额定负载条件下半波，单相， 60赫兹）
工作结温（注1 ）
变化的电压率
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
价值
单位
V
90
100
1.0
2.0
50
65
到+175
10
A
I
F（ AV ）
I
FSM
T
J
dv / dt的
A
C
V / ns的
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
1.生成必须小于从结到环境的热传导热： DP
D
/ DT
J
< 1 / R
qJA
.
热特性
特征
热阻
结到铅（T
L
= 25C)
符号
R
qJL
价值
22
单位
° C / W
电气特性
特征
最大正向电压（注2 ）（一
F
= 1.0 A，T
J
= 25C)
最大瞬时反向电流（注2 ）
（额定直流电压， TJ = 25°C ）
（额定直流电压，T
J
= 100C)
2.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比
2.0%.
符号
V
F
I
R
价值
0.75
0.5
5.0
单位
V
mA
订购信息
设备
MBRS1100T3G
SBRS81100T3G
MBRS190T3G
SBRS8190T3G
记号
B1C
B1C
B19
B19
包
SMB
（无铅）
SMB
（无铅）
SMB
（无铅）
SMB
（无铅）
航运
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
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2
MBRS1100T3G ， SBRS81100T3G ， MBRS190T3G ， SBRS8190T3G
典型电气特性
I F ，正向电流（安培）
20
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
1
1.1 1.2 1.3
100C
25C
T
J
= 150C
1K
400
200
100
40
20
10
4
2
1
0.4
0.2
0.1
0.04
0.02
0.01
I R ，反向电流（
A)
T
J
= 150C
125C
100C
25C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
v
F
，瞬时电压（伏）
V
R
，反向电压（伏）
图1.典型正向电压
图2.典型的反向电流*
*所示的曲线是典型的电压的最高电压装置
分组。典型的反向电流为低电压的选择可以被估计
从这些曲线中若V
R
充足低于额定V
R
.
PF （ AV ） ，平均功耗（瓦）
2.8
T
J
= 100C
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
方
WAVE
DC
I F （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
3.2
2.0
DC
1.5
1.0
方
WAVE
0.5
0
145
150
155
160
165
170
175
180
I
F（ AV ）
，平均正向电流（安培）
T
C
，外壳温度（ ° C）
图3.功耗
280
260
240
220
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
图4.电流降额，案例，每腿
注：典型电容
注意：
在0 V = 270 pF的
C，电容（pF ）
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
V
R
，反向电压（伏）
图5.典型电容
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3
MBRS1100T3G ， SBRS81100T3G ， MBRS190T3G ， SBRS8190T3G
包装尺寸
SMB
CASE 403A -03
ISSUE
H
E
E
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3. D尺寸应测量WITHIN维P.
暗淡
A
A1
b
c
D
E
H
E
L
L1
民
1.90
0.05
1.96
0.15
3.30
4.06
5.21
0.76
MILLIMETERS
喃
最大
2.20
2.28
0.10
0.19
2.03
2.20
0.23
0.31
3.56
3.95
4.32
4.60
5.44
5.60
1.02
1.60
0.51 REF
民
0.075
0.002
0.077
0.006
0.130
0.160
0.205
0.030
英寸
喃
0.087
0.004
0.080
0.009
0.140
0.170
0.214
0.040
0.020 REF
最大
0.090
0.007
0.087
0.012
0.156
0.181
0.220
0.063
b
D
极性检测指示灯
根据系统需要可选
A
L
L1
c
A1
焊接足迹*
2.261
0.089
2.743
0.108
2.159
0.085
尺度8:1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
安森美半导体
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