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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第959页 > SBRD81035CTLT4G
MBRD1035CTLG,
MBRD1035CTLT4G,
SBRD81035CTLT4G
SWITCHMODE
肖特基功率整流器
DPAK功率表面贴装封装
该MBRD1035CTL采用肖特基原则在
大面积的金属到硅功率二极管。艺术几何状态
拥有外延建设与氧化物钝化和金属
覆盖接触。非常适用于低电压,高频率
开关电源,续流二极管和极性保护
二极管。
特点
http://onsemi.com
肖特基势垒
整流器器
10安培
35伏
高度稳定的氧化钝化结
Guardring应力保护
匹配双片建设
DPAK
CASE 369C
可以并联为大电流输出
DV dt能力高/
短散热器制造点击
不剪绒
极低的正向电压降
环氧符合UL 94 V - 0 @ 0.125
SBRD8前缀为汽车和其他需要的应用
独特的网站和控制变化的要求; AEC- Q101
合格的,有能力PPAP
这些器件是无铅和符合RoHS指令*
1
4
3
标记图
YWW
B10
35CLG
Y
WW
B1035CL
G
=年
=工作周
=器件代码
= Pb-Free包装
机械特性:
案例:环氧树脂,模压
重量:0.4克(约)
表面处理:所有外部表面耐腐蚀和终端
信息很容易焊
铅和安装表面焊接温度的目的:
260 ° C最大。为10秒
ESD额定值:
人体模型= 3B ( > 8千伏)
机型号= C ( > 400 V )
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第3页。
*有关我们的无铅战略和焊接细节,更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册, SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2012
, 2012年11月
9牧师
1
出版订单号:
MBRD1035CTL/D
MBRD1035CTLG , MBRD1035CTLT4G , SBRD81035CTLT4G
最大额定值
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
平均正向电流整流
(额定V
R
, T
C
= 115°C)
每腿
每包
重复峰值正向电流
(额定V
R
,方波, 20千赫,T
C
= 115°C)
每腿
非重复性峰值浪涌电流
(浪涌应用在额定负载条件下,半波,单相, 60赫兹)
每包
存储/工作温度
工作结温(注1 )
变化的电压率(额定V
R
, T
J
= 25°C)
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
O
5.0
10
I
FRM
10
I
FSM
50
T
英镑,
T
c
T
J
dv / dt的
55
+150
55
+150
10,000
°C
°C
V / ms的
A
A
价值
35
单位
V
A
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下,会影响
器件的可靠性。
1.生成必须小于从结到环境的热传导热: DP
D
/ DT
J
< 1 / R
qJA
.
热特性
等级
热阻,结到外壳
每腿
热阻,结到环境(注2 )
每腿
使用最小焊盘尺寸, FR4印刷电路板时, 2星级适用
符号
R
QJC
R
qJA
价值
3.0
137
单位
° C / W
° C / W
电气特性
等级
最大正向电压(注3 ) (见图2 )
每腿
(I
F
= 5安培,T
J
= 25°C)
(I
F
= 5安培,T
J
= 100°C)
(I
F
= 10安培,T
J
= 25°C)
(I
F
= 10安培,T
J
= 100°C)
最大瞬时反向电流(注3 ) (见图4 )
每腿
(V
R
= 35 V ,T
J
= 25°C)
(V
R
= 35 V ,T
J
= 100°C)
(V
R
= 17.5 V,T
J
= 25°C)
(V
R
= 17.5 V,T
J
= 100°C)
3.脉冲测试:脉冲宽度
250
女士,
占空比
2.0%
符号
V
F
0.47
0.41
0.56
0.55
I
R
2.0
30
0.20
5.0
mA
价值
单位
V
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2
MBRD1035CTLG , MBRD1035CTLT4G , SBRD81035CTLT4G
订购信息
设备
MBRD1035CTLG
MBRD1035CTLT4G
SBRD81035CTLT4G
DPAK
(无铅)
DPAK
(无铅)
DPAK
(无铅)
航运
75单位/铁
2500单位/带卷&
2500单位/带卷&
有关磁带和卷轴规格,包括部分方向和磁带大小,请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册, BRD8011 / D 。
典型特征
I F ,正向电流(安培)
100
I F ,正向电流(安培)
100
T
J
= 125°C
10
T
J
= 100°C
T
J
= 25°C
1.0
T
J
= - 40°C
10
T
J
= 125°C
1.0
T
J
= 25°C
T
J
= 100°C
0.1
0.10
0.30
0.50
0.70
0.90
1.10
0.1
0.10
0.30
0.50
0.70
0.90
1.10
V
F
,正向电压(伏)
V
F
,最大正向电压(伏)
图1.典型正向电压每支架
图2.最大正向电压每支架
100E-3
T
J
= 125°C
10E-3
1E-3
T
J
= 100°C
T
J
= 25°C
I R ,最大反向电流(安培)
1E+0
I R ,反向电流( AMPS )
1E+0
100E-3
T
J
= 125°C
10E-3
1E-3
T
J
= 100°C
100E-6
10E-6
1E-6
100E-6
T
J
= 25°C
10E-6
1E-6
0
10
20
V
R
,反向电压(伏)
30
35
0
10
20
V
R
,反向电压(伏)
30
35
图3.典型的反向电流每支架
图4.最大反向电流每支架
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3
MBRD1035CTLG , MBRD1035CTLT4G , SBRD81035CTLT4G
I O ,平均正向电流( AMPS )
8.0
dc
7.0
6.0
5.0
4.0
I
pk
/I
o
= 5
3.0
2.0
1.0
FREQ = 20千赫
0
0
20
40
60
80
100
120
140
T
L
,焊接温度( ° C)
I
pk
/I
o
= 10
I
pk
/I
o
= 20
方波
(50 %占空比)
I
pk
/I
o
=
p
PFO ,平均功耗(瓦)
4.0
3.5
3.0
2.5
I
pk
/I
o
= 5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
I
O
,平均正向电流(安培)
I
pk
/I
o
= 10
I
pk
/I
o
= 20
方波
(50 %占空比)
I
pk
/I
o
=
p
dc
图5.电流降额每支架
图6.正向功耗每支架
TJ ,降级运行温度(
°
C)
1000
T
J
= 25°C
125
R
qJA
= 2.43 ° C / W
115
R
qJA
= 25 ° C / W
105
R
qJA
= 48 ° C / W
95
R
qJA
= 67.5 ° C / W
85
75
65
0
5
10
15
20
25
30
35
V
R
,采用直流反接电压(伏)
R
qJA
= 84 ° C / W
C,电容(pF )
100
10
0
5
10
15
20
25
V
R
,反向电压(伏)
图7.电容每支架
图8.典型工作温度
降额每支架*
*反向功耗和热失控的可能性,必须在任何重新操作此设备时,应考虑
诗句电压条件下。的T计算
J
因此,必须包括正向和反向功率的效果。允许的操作
T
J
= T
JMAX
R(T) ( Pf的+ Pr的),其中
T
J
可以由下式计算:
R(T )=在给定条件下的热阻抗,
PF =正向功耗,
PR =反向功率耗散
此图显示了降额允许的牛逼
J
由于仅直流条件下反向偏压并且被计算为T
J
= T
JMAX
R(T ) PR,
其中,r (t)的= Rthja 。对于其他的电源应用进一步的计算必须执行。
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4
MBRD1035CTLG , MBRD1035CTLT4G , SBRD81035CTLT4G
R( T) ,瞬态热阻(标准化)
1.0
50 % (占空比)
20%
10%
0.1 5.0%
2.0%
1.0%
单脉冲
0.01
0.00001
R
TJL (T )
= R
TJL
r
(t)
0.0001
0.001
0.01
0.1
T,时间(S )
1.0
10
100
1000
图9.热响应结到外壳(每腿)
R( T) ,瞬态热阻(标准化)
1.0E+00
50 % (占空比)
20%
1.0E-01
10%
5.0%
2.0%
1.0%
1.0E-02
1.0E-03
单脉冲
1.0E-04
0.00001
R
TJL (T )
= R
TJL
r
(t)
0.001
0.01
0.1
T,时间(S )
1.0
10
100
1000
10000
0.0001
图10.热响应结到环境(每腿)
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5
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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