SBR2040CT
SBR2040CTF
SBR2040CTI
SBR2040CTB
采用先进设备，最先进的SBR IC制程技术，
以下功能成为可能在单个器件中：
主要额定值及特点
值
特征
I
F（ AV ）
方波
V
RRM
V
F
@
10A ， TJ = 125
O
C
Tj
（操作/储存）
20
40
0.43
-65到150
单位
A
V
V，典型值
O
C
设备的低正向压降，以优化
最大限度地提高电源效率的应用
电气：
*
低正向压降
*
可靠的高温运行
*
超级屏障设计
*
最柔软，快速开关能力
* 150
O
C
工作结温
机械：
*
模压塑料TO- 220AB ， TO- 262 ， TO- 263 ，和
ITO - 220封装
表壳款式
SBR2040CT
SBR2040CTF
SBR2040CTI
SBR2040CTB
2
1
阳极
常见
阴极
3
阳极
阳极
1
常见
阴极
2
2
3
阳极
阳极
2
3
阳极
阳极
1
常见
阴极
1
常见
阴极
3
阳极
TO-220AB
ITO-220
TO-262
TO-263
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1
SBR2040CT
SBR2040CTF
SBR2040CTI
SBR2040CTB
最大额定值和电气特性
（25
O
C除非另有说明）
符号
阻断电压DC
工作峰值反向电压
反向重复峰值电压
平均正向电流整流
（额定V
R
-20Khz方波） - 50％的税
周期
峰值正向浪涌电流 - 1/2 60HZ
峰值重复反向浪涌电流
(2uS-1Khz)
正向电压（每腿）
I
F
= 10A ;牛逼
J
= 25
O
C
I
F
= 10A ;牛逼
J
= 125
O
C
最大瞬时反向电流
为V
RM
T
J
= 25
O
C
T
J
= 125
O
C
电压变化率最大
（额定V
R
)
最大热阻JC （每站）
套餐= TO- 220AB ， TO- 262 ， & TO- 263
套餐= ITO -220
工作和存储结温
注：骰子可供客户应用程序。
*脉冲宽度< 300我们，占空比< 2 ％
单位
40
伏
V
RM
V
RWM
V
RRM
I
O
I
FSM
I
RRM
20
120
2
安培
安培
安培
V
F
典型值
---
---
典型值
---
---
10,000
最大
0.53
0.48
最大
0.5
100
伏
I
R
*
mA
mA
V /美
dv / dt的
Rθ
JC
T
J
2
4
-65到+150
O
C / W
O
C
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2
SBR2040CT
SBR2040CTF
SBR2040CTI
SBR2040CTB
100
Tj=150C
100
IF ，正向电流（安培）
IR ，反向电流（毫安）
Tj=125C
10
10
Tj=150C
Tj=125C
Tj=75C
1
1
Tj=75C
Tj=25C
Tj=25C
0.1
0
10
20
30
40
0.1
0.00
0.10
0.20
0.30
0.40
0.50
0.60
0.70
VR ，反向电压（伏）
VF ，正向电压（伏）
图1 ：典型的反向电流
图2 ：典型正向电压
10
如果，平均正向电流（安培）
5
0
0
25
50
75
100
125
150
TC，外壳温度（C ）
图3 ：电流降额，案例
APD半导体保留随时更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利。 APD半导体公司对于是否适合任何担保，声明或保证其
产品用于任何特定目的，也不APD半导体承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，并明确拒绝承担任何责任，包括但
不限于特殊，间接或附带损失。可在APD半导体数据手册和/或技术规格提供“典型”参数，并会根据不同的应用和实际
性能可能随时间变化。所有的操作参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 APD半导体不会转让任何许可证
根据其专利权或他人的权利。 APD半导体产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他
旨在支持或维持生命，或应用程序的任何其他应用程序中的APD半导体产品的故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。如果买方
购买或使用APD半导体产品的任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并APD半导体公司及其管理人员，雇员，子公司，关联公司，
和分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师因直接或间接地与此类意外或相关的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
未经授权的使用，即使此类索赔称， APD半导体在部件设计或制造疏忽造成的..
1泻湖驱动器， 410套房，红木城， CA 94065 ， USA
电话： 650 508 8896传真： 650 508 8865
主页： www.apdsemi.com
电子邮件： info@apdsemi.com
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采用先进设备，最先进的SBR IC制程技术，
以下功能成为可能在单个器件中：
主要额定值及特点
值
特征
I
F（ AV ）
方波
V
RRM
V
F
@
10A ， TJ = 125
O
C
Tj
（操作/储存）
20
40
0.43
-65到150
单位
A
V
V，典型值
O
C
设备的低正向压降，以优化
最大限度地提高电源效率的应用
电气：
*
低正向压降
*
可靠的高温运行
*
超级屏障设计
*
最柔软，快速开关能力
* 150
O
C
工作结温
机械：
*
模压塑料TO- 220AB ， TO- 262 ， TO- 263 ，和
ITO - 220封装
表壳款式
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SBR2040CTF
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2
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阳极
常见
阴极
3
阳极
阳极
1
常见
阴极
2
2
3
阳极
阳极
2
3
阳极
阳极
1
常见
阴极
1
常见
阴极
3
阳极
TO-220AB
ITO-220
TO-262
TO-263
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最大额定值和电气特性
（25
O
C除非另有说明）
符号
阻断电压DC
工作峰值反向电压
反向重复峰值电压
平均正向电流整流
（额定V
R
-20Khz方波） - 50％的税
周期
峰值正向浪涌电流 - 1/2 60HZ
峰值重复反向浪涌电流
(2uS-1Khz)
正向电压（每腿）
I
F
= 10A ;牛逼
J
= 25
O
C
I
F
= 10A ;牛逼
J
= 125
O
C
最大瞬时反向电流
为V
RM
T
J
= 25
O
C
T
J
= 125
O
C
电压变化率最大
（额定V
R
)
最大热阻JC （每站）
套餐= TO- 220AB ， TO- 262 ， & TO- 263
套餐= ITO -220
工作和存储结温
注：骰子可供客户应用程序。
*脉冲宽度< 300我们，占空比< 2 ％
单位
40
伏
V
RM
V
RWM
V
RRM
I
O
I
FSM
I
RRM
20
120
2
安培
安培
安培
V
F
典型值
---
---
典型值
---
---
10,000
最大
0.53
0.48
最大
0.5
100
伏
I
R
*
mA
mA
V /美
dv / dt的
Rθ
JC
T
J
2
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-65到+150
O
C / W
O
C
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SBR2040CTI
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100
Tj=150C
100
IF ，正向电流（安培）
IR ，反向电流（毫安）
Tj=125C
10
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Tj=150C
Tj=125C
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1
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Tj=75C
Tj=25C
Tj=25C
0.1
0
10
20
30
40
0.1
0.00
0.10
0.20
0.30
0.40
0.50
0.60
0.70
VR ，反向电压（伏）
VF ，正向电压（伏）
图1 ：典型的反向电流
图2 ：典型正向电压
10
如果，平均正向电流（安培）
5
0
0
25
50
75
100
125
150
TC，外壳温度（C ）
图3 ：电流降额，案例
APD半导体保留随时更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利。 APD半导体公司对于是否适合任何担保，声明或保证其
产品用于任何特定目的，也不APD半导体承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，并明确拒绝承担任何责任，包括但
不限于特殊，间接或附带损失。可在APD半导体数据手册和/或技术规格提供“典型”参数，并会根据不同的应用和实际
性能可能随时间变化。所有的操作参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 APD半导体不会转让任何许可证
根据其专利权或他人的权利。 APD半导体产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他
旨在支持或维持生命，或应用程序的任何其他应用程序中的APD半导体产品的故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。如果买方
购买或使用APD半导体产品的任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并APD半导体公司及其管理人员，雇员，子公司，关联公司，
和分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师因直接或间接地与此类意外或相关的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
未经授权的使用，即使此类索赔称， APD半导体在部件设计或制造疏忽造成的..
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