SBR20100CT
SBR20100CTFP
SBR20100CTB
20A SBR
超级无障碍整流器
特点
低正向压降
优良的高温稳定性
超级屏障设计
柔软，快速开关能力
2
模压塑料TO- 220AB ，D包，
和ITO - 220AB封装
无铅产品，符合RoHS （注2 ）
机械数据
外壳材料：模压塑料，防火
分类额定值94V- 0
湿度敏感性：每J- STD- 020C 1级
终端：雾锡完成了退火
铜引线框架。每MIL -STD- 202焊接的，
方法208
标记：见第4页
订购信息：见第4页
最大额定值
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均整流输出电流@ T
C
= 150C
非重复性峰值正向浪涌电流8.3ms
单半正弦波叠加在额定负荷
峰值重复反向浪涌电流（ 2uS时间- 1KHZ ）
最大热电阻（每站）
套餐= TO- 220AB & 白
套餐= ITO - 220AB
工作和存储温度范围
2
符号
V
RRM
V
RWM
V
RM
V
R（ RMS ）
I
O
I
FSM
I
RRM
R
θJC
T
J
, T
英镑
价值
100
71
20
150
2
2
4
-65到+175
单位
V
V
A
A
A
° C / W
C
电气特性
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
反向击穿电压（注1 ）
正向电压降
泄漏电流（注1 ）
符号
V
（ BR ）R
V
F
I
R
民
100
-
-
典型值
-
-
0.67
-
最大
-
0.82
0.75
0.1
10
单位
V
V
mA
测试条件
I
R
- 0.1毫安
I
F
= 10A ，T
J
= 25C
I
F
= 10A ，T
J
= 125C
V
R
= 100V ，T
J
= 25 C
V
R
= 100V ，T
J
= 125 C
注意事项：
1.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
2. RoHS指令修订版2003年2月13日。采用高温焊料豁免，见
欧盟指令附件注7 。
__________
SBR是Diodes公司的注册商标。
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1 4
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2007年1月
Diodes公司
SBR20100CT
SBR20100CTFP
SBR20100CTB
标志，极性，重量&订购信息
SBR20100CT
SBR20100CTFP
SBR20100CTB
机箱样式
TO-220AB
例
ITO-220AB
D
2
PAK
例
t
极性
常见
阳极阴极阳极
t
t
常见
阳极阴极阳极
常见
阳极阴极阳极
记号
重量
2.1g
1.9g
1.6g
订购
信息
日期代码
其它标记
信息
SBR20100CT
50件/管
SBR20100CTFP
50件/管
YY =最后两位数字年，前= 06 = 2006
WW =周（ 01-52 ）
A =铸造码
B =汇编代码
SBR20100CTB
50件/管
重要通知
Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改，补充，改进，修正或其他变更的权利
恕不另行通知任何产品在此。 Diodes公司不承担由此产生的任何产品的应用或使用任何责任
本文描述的;它也没有传达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。的产品中，例如应用程序的用户应
承担所有使用风险，并会同意举行Diodes公司，其产品代表我们的网站上的所有公司，
反对一切损害无害。
生命支持
未经明确的书面Diodes公司的产品不得用于生命支持设备或系统中的关键组件
审批Diodes公司的总裁。
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Diodes公司
SBR20100CT
SBR20100CTF
SBR20100CTI
SBR20100CTB
采用先进设备，最先进的SBR IC制程技术，
以下功能成为可能在单个器件中：
主要额定值及特点
值
特征
I
F（ AV ）
方波
V
RRM
V
F
@
10A ， TJ = 125
O
C
Tj
（操作/储存）
20
100
0.67
-65 175
单位
A
V
V，典型值
O
C
设备适用于高温优化
电源的应用
电气：
*
低正向压降
*
可靠的高温运行
*
超级屏障设计
*
最柔软，快速开关能力
* 175
O
C
工作结温
机械：
*
模压塑料TO- 220AB ， TO- 262 ， TO- 263 ，和
ITO - 220封装
表壳款式
SBR20100CT
SBR20100CTF
SBR20100CTI
SBR20100CTB
2
1
阳极
常见
阴极
2
3
阳极
阳极
2
3
阳极
阳极
2
阳极
1
常见
阴极
1
常见
阴极
3
阳极
1
常见
阴极
3
阳极
TO-220AB
ITO-220
TO-262
TO-263
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1
SBR20100CT
SBR20100CTF
SBR20100CTI
SBR20100CTB
最大额定值和电气特性
（25
O
C除非另有说明）
符号
阻断电压DC
工作峰值反向电压
反向重复峰值电压
平均正向电流整流
（额定V
R
-20Khz方波） - 50％的税
周期
峰值正向浪涌电流 - 1/2 60HZ
峰值重复反向浪涌电流
(2uS-1Khz)
正向电压（每腿）
I
F
= 10A ;牛逼
J
= 25
O
C
I
F
= 10A ;牛逼
J
= 125
O
C
最大瞬时反向电流
为V
RM
T
J
= 25
O
C
T
J
= 125
O
C
电压变化率最大
（额定V
R
)
最大热阻JC （每站）
套餐= TO- 220AB ， TO- 262 ， & TO- 263
套餐= ITO -220
工作和存储结温
*脉冲宽度< 300我们，占空比< 2 ％
单位
100
伏
V
RM
V
RWM
V
RRM
I
O
I
FSM
I
RRM
20
120
2
安培
安培
安培
V
F
典型值
---
---
典型值
---
---
10,000
最大
0.82
0.75
最大
100
10
伏
I
R
*
uA
mA
V /美
dv / dt的
Rθ
JC
T
J
2
4
-65到+175
O
C / W
O
C
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2
SBR20100CT
SBR20100CTF
SBR20100CTI
SBR20100CTB
100
Tj=175C
100
IF ，正向电流（安培）
IR ，反向电流（毫安）
10
Tj=125C
Tj=175C
10
1
Tj=75C
0.1
Tj=25C
Tj=125C
1
Tj=75C
0.01
Tj=25C
0.001
0
20
40
60
80
100
VR ，反向电压（伏）
0.1
0.10
0.20
0.30
0.40
0.50
0.60
0.70
0.80
0.90
VF ，正向电压（伏）
图1 ：典型的反向电流
图2 ：典型正向电压
10
如果，平均正向电流（安培）
5
0
0
25
50
75
100
125
150
175
TC，外壳温度（C ）
图3 ：电流降额，案例
APD半导体保留随时更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利。 APD半导体公司对于是否适合任何担保，声明或保证其
产品用于任何特定目的，也不APD半导体承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，并明确拒绝承担任何责任，包括但
不限于特殊，间接或附带损失。可在APD半导体数据手册和/或技术规格提供“典型”参数，并会根据不同的应用和实际
性能可能随时间变化。所有的操作参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 APD半导体不会转让任何许可证
根据其专利权或他人的权利。 APD半导体产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他
旨在支持或维持生命，或应用程序的任何其他应用程序中的APD半导体产品的故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。如果买方
购买或使用APD半导体产品的任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并APD半导体公司及其管理人员，雇员，子公司，关联公司，
和分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师因直接或间接地与此类意外或相关的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
未经授权的使用，即使此类索赔称， APD半导体在部件设计或制造疏忽造成的..
1泻湖驱动器， 410套房，红木城， CA 94065 ， USA
电话： 650 508 8896传真： 650 508 8865
主页： www.apdsemi.com
电子邮件： info@apdsemi.com
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SBR20100CT
SBR20100CTF
SBR20100CTI
SBR20100CTB
采用先进设备，最先进的SBR IC制程技术，
以下功能成为可能在单个器件中：
主要额定值及特点
值
特征
I
F（ AV ）
方波
V
RRM
V
F
@
10A ， TJ = 125
O
C
Tj
（操作/储存）
20
100
0.67
-65 175
单位
A
V
V，典型值
O
C
设备适用于高温优化
电源的应用
电气：
*
低正向压降
*
可靠的高温运行
*
超级屏障设计
*
最柔软，快速开关能力
* 175
O
C
工作结温
机械：
*
模压塑料TO- 220AB ， TO- 262 ， TO- 263 ，和
ITO - 220封装
表壳款式
SBR20100CT
SBR20100CTF
SBR20100CTI
SBR20100CTB
2
1
阳极
常见
阴极
2
3
阳极
阳极
2
3
阳极
阳极
2
阳极
1
常见
阴极
1
常见
阴极
3
阳极
1
常见
阴极
3
阳极
TO-220AB
ITO-220
TO-262
TO-263
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SBR20100CT
SBR20100CTF
SBR20100CTI
SBR20100CTB
最大额定值和电气特性
（25
O
C除非另有说明）
符号
阻断电压DC
工作峰值反向电压
反向重复峰值电压
平均正向电流整流
（额定V
R
-20Khz方波） - 50％的税
周期
峰值正向浪涌电流 - 1/2 60HZ
峰值重复反向浪涌电流
(2uS-1Khz)
正向电压（每腿）
I
F
= 10A ;牛逼
J
= 25
O
C
I
F
= 10A ;牛逼
J
= 125
O
C
最大瞬时反向电流
为V
RM
T
J
= 25
O
C
T
J
= 125
O
C
电压变化率最大
（额定V
R
)
最大热阻JC （每站）
套餐= TO- 220AB ， TO- 262 ， & TO- 263
套餐= ITO -220
工作和存储结温
*脉冲宽度< 300我们，占空比< 2 ％
单位
100
伏
V
RM
V
RWM
V
RRM
I
O
I
FSM
I
RRM
20
120
2
安培
安培
安培
V
F
典型值
---
---
典型值
---
---
10,000
最大
0.82
0.75
最大
100
10
伏
I
R
*
uA
mA
V /美
dv / dt的
Rθ
JC
T
J
2
4
-65到+175
O
C / W
O
C
________________________________________________________________________________________________
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2
SBR20100CT
SBR20100CTF
SBR20100CTI
SBR20100CTB
100
Tj=175C
100
IF ，正向电流（安培）
IR ，反向电流（毫安）
10
Tj=125C
Tj=175C
10
1
Tj=75C
0.1
Tj=25C
Tj=125C
1
Tj=75C
0.01
Tj=25C
0.001
0
20
40
60
80
100
VR ，反向电压（伏）
0.1
0.10
0.20
0.30
0.40
0.50
0.60
0.70
0.80
0.90
VF ，正向电压（伏）
图1 ：典型的反向电流
图2 ：典型正向电压
10
如果，平均正向电流（安培）
5
0
0
25
50
75
100
125
150
175
TC，外壳温度（C ）
图3 ：电流降额，案例
APD半导体保留随时更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利。 APD半导体公司对于是否适合任何担保，声明或保证其
产品用于任何特定目的，也不APD半导体承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，并明确拒绝承担任何责任，包括但
不限于特殊，间接或附带损失。可在APD半导体数据手册和/或技术规格提供“典型”参数，并会根据不同的应用和实际
性能可能随时间变化。所有的操作参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 APD半导体不会转让任何许可证
根据其专利权或他人的权利。 APD半导体产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他
旨在支持或维持生命，或应用程序的任何其他应用程序中的APD半导体产品的故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。如果买方
购买或使用APD半导体产品的任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并APD半导体公司及其管理人员，雇员，子公司，关联公司，
和分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师因直接或间接地与此类意外或相关的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
未经授权的使用，即使此类索赔称， APD半导体在部件设计或制造疏忽造成的..
1泻湖驱动器， 410套房，红木城， CA 94065 ， USA
电话： 650 508 8896传真： 650 508 8865
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