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SEMIWELL
半导体
SBP13005
高压快速开关NPN功率晶体管
特点
◆
非常高开关速度（典型70ns@2.0A ）
◆
最小的地块对地块
FE
变异
◆
低V
CE （ SAT ）
（典型180mV@2.0A/0.5A ）
◆
广反向偏置S.O.A
符号
○
2.Collector
1.Base
○
○
3.Emitter
概述
该设备是专为高电压，高速开关
荷兰国际集团特性要求，例如照明系统，开关
稳压器，逆变器和偏转电路。
TO-220
1
2
3
绝对最大额定值
符号
V
CES
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
C
T
英镑
T
J
参数
集电极 - 发射极电压（V
BE
= 0 )
集电极 - 发射极电压（I
B
= 0 )
发射极 - 基极电压（I
C
= 0 )
集电极电流
集电极电流峰值（T
P
＜
5毫秒
)
基极电流
基峰电流（T
P
＜
5毫秒
)
总功耗在T
C
= 25 °C
储存温度
马克斯。工作结温
价值
700
400
9.0
4.0
8.0
2.0
4.0
75
- 65 ~ 150
150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
价值
1.67
62.5
单位
° C / W
° C / W
十月， 2002年第1版
版权所有@ SEMIWELL半导体有限公司，保留所有权利
1/6
SBP13005
电气特性
符号
I
CEV
V
CEO （ SUS ）
( T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
集电极截止电流
( V
BE
= - 1.5V )
集电极 - 发射极电压维持
( I
B
= 0 )
条件
V
CE
= 700V
V
CE
= 700V
I
C
= 10毫安
I
C
= 1.0A
I
C
= 2.0A
I
C
= 4.0A
I
C
= 1.0A
I
C
= 2.0A
I
C
= 1.0A
I
C
= 2.0A
I
C
= 2.0A
I
B1
= 0.4A
T
P
= 25
V
CC
= 15V
I
B1
= 0.4A
L = 0.35mH
V
CC
= 15V
I
B1
= 0.4A
L = 0.35mH
I
C
= 2.0A
I
B2
= - 1.0A
V
钳
= 300V
I
C
= 2.0A
I
B2
= - 1.0A
V
钳
= 300V
T
C
= 100 °C
I
B
= 0.2A
I
B
= 0.5A
I
B
= 1.0A
I
B
= 0.2A
I
B
= 0.5A
V
CE
= 5V
V
CE
= 5V
V
CC
= 125V
I
B2
= - 0.4A
T
C
= 100 °C
民
-
典型值
-
最大
1.0
5.0
-
单位
mA
400
-
V
V
CE （ SAT ）
集电极 - 发射极饱和电压
-
-
0.3
0.5
1.0
1.2
1.6
40
40
V
V
BE （ SAT ）
基射极饱和电压
-
-
V
h
FE
直流电流增益
阻性负载
贮存时间
下降时间
感性负载
贮存时间
下降时间
感性负载
贮存时间
下降时间
10
8
-
-
t
s
t
f
-
2.5
0.15
4.0
0.4
t
s
t
f
-
1.1
0.07
2.0
0.3
t
s
t
f
-
1.2
0.08
3.0
0.4
※
注意事项：
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300 ，占空比
≤
2%
2/6
SBP13005
图1.静态特性
6
I
B
=千毫安
I
B
= 800毫安
I
B
= 600毫安
I
B
= 500毫安
I
B
= 400毫安
3
I
B
= 300毫安
I
B
= 200毫安
2
I
B
= 100毫安
45
40
35
图2.直流电流增益
5
I
C
，集电极电流[ A]
h
FE
，直流电流增益
4
30
25
20
15
T
J
= 125 C
T
J
= 25 C
o
o
※
注意事项：
10
5
1
I
B
= 0毫安
0
0
1
2
3
4
5
0
0.01
V
CE
= 5V
V
CE
= 1V
0.1
1
V
CE
，集电极 - 发射极电压[V]
I
C
，集电极电流[ A]
图3.集电极 - 发射极饱和电压
10
1.2
1.1
图4.基射极饱和电压
V
CE
，集电极 - 发射极电压[V]
V
BE
，基射极电压[ V]
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.1
1
T
J
= 25 C
o
T
J
= 125 C
o
0.1
T
J
= 25 C
※
注意：
h
FE
= 5
o
T
J
= 125 C
※
注意：
h
FE
= 5
o
0.01
0.1
1
10
1
10
I
C
，集电极电流[ A]
I
C
，集电极电流[ A]
图5.阻性负载下降时间
1000
10
图6.阻性负载贮存时间
T
J
= 25 C
o
T
J
= 25 C
o
※
注意事项：
V
CC
= 125V
h
FE
= 5
I
B1
= - I
B2
T，时间[ NS ]
100
※
注意事项：
V
CC
= 125V
h
FE
= 5
I
B1
= - I
B2
10
T，时间[美国]
1
5
0
0
1
2
3
4
1
2
3
4
I
C
，集电极电流[ A]
I
C
，集电极电流[ A]
3/6
SBP13005
图7.安全作业区
5
图8.反向偏压安全操作
地区
※
注意事项：
T
J
≤
100 °C
I
B1
= 2 A
R
BB
= 0
L
C
= 0.35mH
10
1
I
C
，集电极电流[ A]
I
C
，集电极电流[ A]
10
s
4
3
10
0
100
s
DC
500
s
1ms
※
单脉冲
2
V
BE
（关） = -9V
10
-1
1
-5V
-1.5V
1
-3V
600
700
800
10
-2
10
0
10
10
2
10
3
0
0
100
200
300
400
500
V
CE
，集电极 - 发射极钳位电压[ V]
V
CE
，集电极 - 发射极钳位电压[ V]
图9.功率降额曲线
125
功率降额系数（ ％ ）
100
75
50
25
0
0
50
100
150
o
200
T
C
，外壳温度（ C）
4/6
SBP13005
感应负载开关& RBSOA测试电路
L
C
I
B1
I
C
I
B
V
CE
D.U.T
R
BB
V
BE
（关闭）
V
钳
V
CC
阻性负载开关测试电路
R
C
I
B1
I
C
I
B
V
CE
D.U.T
R
BB
V
BE
（关闭）
V
CC
5/6
SEMIWELL
半导体
SBP13005
高压快速开关NPN功率晶体管
特点
◆
非常高开关速度（典型70ns@2.0A ）
◆
最小的地块对地块
FE
变异
◆
低V
CE （ SAT ）
（典型180mV@2.0A/0.5A ）
◆
广反向偏置S.O.A
符号
○
2.Collector
1.Base
○
○
3.Emitter
概述
该设备是专为高电压，高速开关
荷兰国际集团特性要求，例如照明系统，开关
稳压器，逆变器和偏转电路。
TO-220
1
2
3
绝对最大额定值
符号
V
CES
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
C
T
英镑
T
J
参数
集电极 - 发射极电压（V
BE
= 0 )
集电极 - 发射极电压（I
B
= 0 )
发射极 - 基极电压（I
C
= 0 )
集电极电流
集电极电流峰值（T
P
＜
5毫秒
)
基极电流
基峰电流（T
P
＜
5毫秒
)
总功耗在T
C
= 25 °C
储存温度
马克斯。工作结温
价值
700
400
9.0
4.0
8.0
2.0
4.0
75
- 65 ~ 150
150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
价值
1.67
62.5
单位
° C / W
° C / W
十月， 2002年第1版
版权所有@ SEMIWELL半导体有限公司，保留所有权利
1/6
SBP13005
电气特性
符号
I
CEV
V
CEO （ SUS ）
( T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
集电极截止电流
( V
BE
= - 1.5V )
集电极 - 发射极电压维持
( I
B
= 0 )
条件
V
CE
= 700V
V
CE
= 700V
I
C
= 10毫安
I
C
= 1.0A
I
C
= 2.0A
I
C
= 4.0A
I
C
= 1.0A
I
C
= 2.0A
I
C
= 1.0A
I
C
= 2.0A
I
C
= 2.0A
I
B1
= 0.4A
T
P
= 25
V
CC
= 15V
I
B1
= 0.4A
L = 0.35mH
V
CC
= 15V
I
B1
= 0.4A
L = 0.35mH
I
C
= 2.0A
I
B2
= - 1.0A
V
钳
= 300V
I
C
= 2.0A
I
B2
= - 1.0A
V
钳
= 300V
T
C
= 100 °C
I
B
= 0.2A
I
B
= 0.5A
I
B
= 1.0A
I
B
= 0.2A
I
B
= 0.5A
V
CE
= 5V
V
CE
= 5V
V
CC
= 125V
I
B2
= - 0.4A
T
C
= 100 °C
民
-
典型值
-
最大
1.0
5.0
-
单位
mA
400
-
V
V
CE （ SAT ）
集电极 - 发射极饱和电压
-
-
0.3
0.5
1.0
1.2
1.6
40
40
V
V
BE （ SAT ）
基射极饱和电压
-
-
V
h
FE
直流电流增益
阻性负载
贮存时间
下降时间
感性负载
贮存时间
下降时间
感性负载
贮存时间
下降时间
10
8
-
-
t
s
t
f
-
2.5
0.15
4.0
0.4
t
s
t
f
-
1.1
0.07
2.0
0.3
t
s
t
f
-
1.2
0.08
3.0
0.4
※
注意事项：
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300 ，占空比
≤
2%
2/6
SBP13005
图1.静态特性
6
I
B
=千毫安
I
B
= 800毫安
I
B
= 600毫安
I
B
= 500毫安
I
B
= 400毫安
3
I
B
= 300毫安
I
B
= 200毫安
2
I
B
= 100毫安
45
40
35
图2.直流电流增益
5
I
C
，集电极电流[ A]
h
FE
，直流电流增益
4
30
25
20
15
T
J
= 125 C
T
J
= 25 C
o
o
※
注意事项：
10
5
1
I
B
= 0毫安
0
0
1
2
3
4
5
0
0.01
V
CE
= 5V
V
CE
= 1V
0.1
1
V
CE
，集电极 - 发射极电压[V]
I
C
，集电极电流[ A]
图3.集电极 - 发射极饱和电压
10
1.2
1.1
图4.基射极饱和电压
V
CE
，集电极 - 发射极电压[V]
V
BE
，基射极电压[ V]
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.1
1
T
J
= 25 C
o
T
J
= 125 C
o
0.1
T
J
= 25 C
※
注意：
h
FE
= 5
o
T
J
= 125 C
※
注意：
h
FE
= 5
o
0.01
0.1
1
10
1
10
I
C
，集电极电流[ A]
I
C
，集电极电流[ A]
图5.阻性负载下降时间
1000
10
图6.阻性负载贮存时间
T
J
= 25 C
o
T
J
= 25 C
o
※
注意事项：
V
CC
= 125V
h
FE
= 5
I
B1
= - I
B2
T，时间[ NS ]
100
※
注意事项：
V
CC
= 125V
h
FE
= 5
I
B1
= - I
B2
10
T，时间[美国]
1
5
0
0
1
2
3
4
1
2
3
4
I
C
，集电极电流[ A]
I
C
，集电极电流[ A]
3/6
SBP13005
图7.安全作业区
5
图8.反向偏压安全操作
地区
※
注意事项：
T
J
≤
100 °C
I
B1
= 2 A
R
BB
= 0
L
C
= 0.35mH
10
1
I
C
，集电极电流[ A]
I
C
，集电极电流[ A]
10
s
4
3
10
0
100
s
DC
500
s
1ms
※
单脉冲
2
V
BE
（关） = -9V
10
-1
1
-5V
-1.5V
1
-3V
600
700
800
10
-2
10
0
10
10
2
10
3
0
0
100
200
300
400
500
V
CE
，集电极 - 发射极钳位电压[ V]
V
CE
，集电极 - 发射极钳位电压[ V]
图9.功率降额曲线
125
功率降额系数（ ％ ）
100
75
50
25
0
0
50
100
150
o
200
T
C
，外壳温度（ C）
4/6
SBP13005
感应负载开关& RBSOA测试电路
L
C
I
B1
I
C
I
B
V
CE
D.U.T
R
BB
V
BE
（关闭）
V
钳
V
CC
阻性负载开关测试电路
R
C
I
B1
I
C
I
B
V
CE
D.U.T
R
BB
V
BE
（关闭）
V
CC
5/6
SEMIWELL
半导体
SBP13005
高压快速开关NPN功率晶体管
特点
◆
非常高开关速度（典型70ns@2.0A ）
◆
最小的地块对地块
FE
变异
◆
低V
CE （ SAT ）
（典型180mV@2.0A/0.5A ）
◆
广反向偏置S.O.A
符号
○
2.Collector
1.Base
○
○
3.Emitter
概述
该设备是专为高电压，高速开关
荷兰国际集团特性要求，例如照明系统，开关
稳压器，逆变器和偏转电路。
TO-220
1
2
3
绝对最大额定值
符号
V
CES
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
C
T
英镑
T
J
参数
集电极 - 发射极电压（V
BE
= 0 )
集电极 - 发射极电压（I
B
= 0 )
发射极 - 基极电压（I
C
= 0 )
集电极电流
集电极电流峰值（T
P
＜
5毫秒
)
基极电流
基峰电流（T
P
＜
5毫秒
)
总功耗在T
C
= 25 °C
储存温度
马克斯。工作结温
价值
700
400
9.0
4.0
8.0
2.0
4.0
75
- 65 ~ 150
150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
价值
1.67
62.5
单位
° C / W
° C / W
十月， 2002年第1版
版权所有@ SEMIWELL半导体有限公司，保留所有权利
1/6
SBP13005
电气特性
符号
I
CEV
V
CEO （ SUS ）
( T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
集电极截止电流
( V
BE
= - 1.5V )
集电极 - 发射极电压维持
( I
B
= 0 )
条件
V
CE
= 700V
V
CE
= 700V
I
C
= 10毫安
I
C
= 1.0A
I
C
= 2.0A
I
C
= 4.0A
I
C
= 1.0A
I
C
= 2.0A
I
C
= 1.0A
I
C
= 2.0A
I
C
= 2.0A
I
B1
= 0.4A
T
P
= 25
V
CC
= 15V
I
B1
= 0.4A
L = 0.35mH
V
CC
= 15V
I
B1
= 0.4A
L = 0.35mH
I
C
= 2.0A
I
B2
= - 1.0A
V
钳
= 300V
I
C
= 2.0A
I
B2
= - 1.0A
V
钳
= 300V
T
C
= 100 °C
I
B
= 0.2A
I
B
= 0.5A
I
B
= 1.0A
I
B
= 0.2A
I
B
= 0.5A
V
CE
= 5V
V
CE
= 5V
V
CC
= 125V
I
B2
= - 0.4A
T
C
= 100 °C
民
-
典型值
-
最大
1.0
5.0
-
单位
mA
400
-
V
V
CE （ SAT ）
集电极 - 发射极饱和电压
-
-
0.3
0.5
1.0
1.2
1.6
40
40
V
V
BE （ SAT ）
基射极饱和电压
-
-
V
h
FE
直流电流增益
阻性负载
贮存时间
下降时间
感性负载
贮存时间
下降时间
感性负载
贮存时间
下降时间
10
8
-
-
t
s
t
f
-
2.5
0.15
4.0
0.4
t
s
t
f
-
1.1
0.07
2.0
0.3
t
s
t
f
-
1.2
0.08
3.0
0.4
※
注意事项：
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300 ，占空比
≤
2%
2/6
SBP13005
图1.静态特性
6
I
B
=千毫安
I
B
= 800毫安
I
B
= 600毫安
I
B
= 500毫安
I
B
= 400毫安
3
I
B
= 300毫安
I
B
= 200毫安
2
I
B
= 100毫安
45
40
35
图2.直流电流增益
5
I
C
，集电极电流[ A]
h
FE
，直流电流增益
4
30
25
20
15
T
J
= 125 C
T
J
= 25 C
o
o
※
注意事项：
10
5
1
I
B
= 0毫安
0
0
1
2
3
4
5
0
0.01
V
CE
= 5V
V
CE
= 1V
0.1
1
V
CE
，集电极 - 发射极电压[V]
I
C
，集电极电流[ A]
图3.集电极 - 发射极饱和电压
10
1.2
1.1
图4.基射极饱和电压
V
CE
，集电极 - 发射极电压[V]
V
BE
，基射极电压[ V]
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.1
1
T
J
= 25 C
o
T
J
= 125 C
o
0.1
T
J
= 25 C
※
注意：
h
FE
= 5
o
T
J
= 125 C
※
注意：
h
FE
= 5
o
0.01
0.1
1
10
1
10
I
C
，集电极电流[ A]
I
C
，集电极电流[ A]
图5.阻性负载下降时间
1000
10
图6.阻性负载贮存时间
T
J
= 25 C
o
T
J
= 25 C
o
※
注意事项：
V
CC
= 125V
h
FE
= 5
I
B1
= - I
B2
T，时间[ NS ]
100
※
注意事项：
V
CC
= 125V
h
FE
= 5
I
B1
= - I
B2
10
T，时间[美国]
1
5
0
0
1
2
3
4
1
2
3
4
I
C
，集电极电流[ A]
I
C
，集电极电流[ A]
3/6
SBP13005
图7.安全作业区
5
图8.反向偏压安全操作
地区
※
注意事项：
T
J
≤
100 °C
I
B1
= 2 A
R
BB
= 0
L
C
= 0.35mH
10
1
I
C
，集电极电流[ A]
I
C
，集电极电流[ A]
10
s
4
3
10
0
100
s
DC
500
s
1ms
※
单脉冲
2
V
BE
（关） = -9V
10
-1
1
-5V
-1.5V
1
-3V
600
700
800
10
-2
10
0
10
10
2
10
3
0
0
100
200
300
400
500
V
CE
，集电极 - 发射极钳位电压[ V]
V
CE
，集电极 - 发射极钳位电压[ V]
图9.功率降额曲线
125
功率降额系数（ ％ ）
100
75
50
25
0
0
50
100
150
o
200
T
C
，外壳温度（ C）
4/6
SBP13005
感应负载开关& RBSOA测试电路
L
C
I
B1
I
C
I
B
V
CE
D.U.T
R
BB
V
BE
（关闭）
V
钳
V
CC
阻性负载开关测试电路
R
C
I
B1
I
C
I
B
V
CE
D.U.T
R
BB
V
BE
（关闭）
V
CC
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