BL
特点
银河电子
SBL830---SBL8100
电压范围：
30
---
100
V
当前位置：
8.0
A
肖特基势垒整流器
金属半导体结与保护环
外延建设
低正向压降，低开关损耗
高浪涌能力
为了在低电压，高频率逆变器免费
xxxx
续流和极性保护应用
塑料材料进行U / L承认94V - 0
TO - 220AC
机械数据
案例： JEDEC TO - 220AC ，模压塑料
终端：信息每焊
MIL-STD -750 ，方法2026
极性：标示
重量： 0.064盎司， 1.81克
安装位置：任意
(mm)
最大额定值和电气特性
25评分
环境温度，除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。对于容性负载， 20％减免。
SBL
SBL SBL SBL SBL SBL SBL SBL SBL SBL
单位
830 835 840 845 850 860 870 880 890 8100
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大平均FORW ARD整流电流
T
C
=95
山顶FORW ARD浪涌电流
8.3ms单半正弦波-W AVE
叠加在额定负荷牛逼
J
=125
最大瞬时FORW ARD电压
@ 8.0A
最大反向电流
@T
C
=25
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
30
21
30
35
25
35
40
28
40
45
32
45
50
35
50
8.0
60
42
60
70
49
70
80
56
80
90
63
90
100
70
100
V
V
V
A
I
FSM
V
F
I
R
R
θ
JC
T
J
T
英镑
0.55
200
A
0.70
0.5
55
6.9
-55--- + 150
-55--- + 150
0.85
V
mA
/W
在额定阻断电压DC @T
C
=100
典型热阻
(Note1)
工作结温范围
存储温度范围
注：1，热阻结到外壳。
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文档编号0267061
BL
银河电子
1.
SPICE模型： SBL830 SBL835 SBL840 SBL845 SBL850 SBL860
SBL830 - SBL860
8.0A肖特基整流器
特点
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
肖特基芯片
保护环的瞬态保护
低功耗，高效率
高电流能力，低V
F
高浪涌能力
适用于低电压，高频率逆变器，免费使用
续流和极性保护应用
无铅产品，符合RoHS （注3 ）
K
C
D
A
B
L
M
TO-220AC
暗淡
A
B
C
D
E
销1
销2
民
14.48
10.00
2.54
5.90
2.80
12.70
0.69
3.54
4.07
1.15
0.30
2.04
4.83
最大
15.75
10.40
3.43
6.40
3.93
14.27
0.93
3.78
4.82
1.39
0.50
2.79
5.33
机械数据
案例： TO- 220AC
外壳材料：模压塑料。防火
分类额定值94V- 0
湿度敏感性：每J- STD- 020C 1级
极性：见图
码头：完成 - 亮锡。每焊
MIL- STD- 202方法208
标记：型号数量
重量： 2.3克（约）
J
R
P
PIN 1 +
PIN 2 -
+
例
G
E
G
N
J
K
L
M
N
P
R
尺寸：mm
最大额定值和电气特性
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均整流输出电流
（注1 ）
@ T
C
= 95°C
非重复性峰值正向浪涌电流8.3ms
单半正弦波叠加在额定负荷
（ JEDEC的方法）
正向电压
峰值反向电流
在额定阻断电压DC
典型结电容（注2 ）
典型热阻结到外壳（注1 ）
工作和存储温度范围
注意事项：
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R（ RMS ）
I
O
I
FSM
V
FM
I
RM
C
j
R
QJC
T
j,
T
英镑
SBL
830
30
21
SBL
835
35
24.5
SBL
840
40
28
8
200
0.55
0.5
50
700
6.9
SBL
845
45
31.5
SBL
850
50
35
SBL
860
60
42
单位
V
V
A
A
@ I
F
= 8A ，T
C
= 25°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 100°C
0.70
V
mA
pF
° C / W
°C
-65到+150
1.热阻结到外壳上安装散热片。
2.测得1.0MHz和应用4.0V DC反向电压。
3. RoHS指令修订版2003年2月13日。玻璃和高温焊料豁免应用，看
欧盟指令附件注5和7 。
DS23044牧师4 - 2
1第3
www.diodes.com
SBL830-SBL860
Diodes公司
订购信息
设备
SBL8xx*
（注4 ）
包装
TO-220AC
航运
50/Tube
* XX =设备类型，例如， SBL845
注意事项：
4.包装信息，请访问我们的网站： http://www.diodes.com/datasheets/ap02008.pdf 。
DS23044牧师4 - 2
3 3
www.diodes.com
SBL830-SBL860
SBL830通SBL845
低V
F
肖特基势垒整流器器
尺寸TO- 220AC
A
C（ TAB ）
A
C
C
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
Q
A =阳极，C =阴极， TAB =阴极
V
RRM
V
30
35
40
45
V
RMS
V
21
24.5
28
31.5
V
DC
V
30
35
40
45
SBL830
SBL835
SBL840
SBL845
英寸
分钟。
马克斯。
0.500 0.580
0.560 0.650
0.380 0.420
0.139 0.161
2.300 0.420
0.100 0.135
0.045 0.070
-
0.250
0.025 0.035
0.190 0.210
0.140 0.190
0.015 0.022
0.080 0.115
0.025 0.055
横行
分钟。
马克斯。
12.70 14.73
14.23 16.51
9.66 10.66
3.54
4.08
5.85
6.85
2.54
3.42
1.15
1.77
-
6.35
0.64
0.89
4.83
5.33
3.56
4.82
0.38
0.56
2.04
2.49
0.64
1.39
符号
I
（AV）
I
FSM
V
F
I
R
C
J
R
OJC
T
J
T
英镑
特征
最大正向平均整流电流
@T
C
=95
o
C
最大额定值
8
200
0.55
@T
J
=25
o
C
@T
J
=100
o
C
0.5
50
450
3.0
-55到+125
-55到+150
单位
A
A
V
mA
pF
o
峰值正向浪涌电流8.3ms单半正弦波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
最大正向电压在8.0A DC （注1 ）
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
典型结电容（注2 ）
典型热阻（注3 ）
工作温度范围
存储温度范围
C / W
o
o
C
C
注：1. 300US脉冲宽度， 2 ％的占空比。
2.测得1.0MHz和应用4.0V DC反向电压。
3.热阻结到外壳。
特点
*硅整流器的金属，多数载流子conducton
*保护环的瞬态保护
*低功耗，高效率
*高电流能力，低V
F
*高浪涌能力
*对于使用低电压，高频率逆变器，
whelling ，和极性保护应用
机械数据
*案例： TO- 220AC模压塑料
*极性：标明阀体上
*重量0.08盎司， 2.24克
*安装位置：任意
SBL830 - SBL860
8.0A肖特基整流器
特点
·
·
·
·
·
·
·
肖特基芯片
保护环的瞬态保护
低功耗，高效率
高电流能力，低V
F
高浪涌能力
为了在低电压，高频率
逆变器，续流和极性
保护应用
塑料材质：防火
分类额定值94V- 0
TO-220AC
L
B
C
K
D
A
销1
销2
M
暗淡
A
B
C
D
E
G
民
14.22
9.65
2.54
5.84
12.70
0.51
3.53
3.56
1.14
0.30
2.03
4.83
最大
15.88
10.67
3.43
6.86
6.35
14.73
1.14
4.09
4.83
1.40
0.64
2.92
5.33
机械数据
·
·
·
·
·
·
案例：模压塑料
端子：镀信息，每焊
MIL- STD- 202方法208
极性：见图
重量： 2.3克（约）
安装位置：任意
标记：型号数量
J
R
E
N
G
J
K
L
M
P
销1
销2
例
N
P
R
尺寸：mm
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
最大额定值和电气特性
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均整流输出电流
（注1 ）
@ T
C
= 95°C
非重复性峰值正向浪涌电流8.3ms
单半正弦波叠加在额定负荷
（ JEDEC的方法）
正向电压
峰值反向电流
在额定阻断电压DC
典型结电容（注2 ）
典型热阻结到外壳（注1 ）
工作和存储温度范围
@ I
F
= 8A ，T
C
= 25°C
@T
C
= 25°C
@ T
C
= 100°C
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R（ RMS ）
I
O
I
FSM
V
FM
I
RM
C
j
R
QJC
T
j,
T
英镑
SBL
830
30
21
SBL
835
35
24.5
SBL
840
40
28
8
200
0.55
0.5
50
700
6.9
SBL
845
45
31.5
SBL
850
50
35
SBL
860
60
42
单位
V
V
A
A
0.70
V
mA
pF
° C / W
°C
-65到+150
注意事项：
1.热阻结到外壳上安装散热片。
2.测得1.0MHz和应用4.0V DC反向电压。
DS23044版本C - 2
1 2
SBL830-SBL860
SBL830通SBL845
低V
F
肖特基势垒整流器器
尺寸TO- 220AC
A
C（ TAB ）
A
C
C
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
Q
A =阳极，C =阴极， TAB =阴极
V
RRM
V
30
35
40
45
V
RMS
V
21
24.5
28
31.5
V
DC
V
30
35
40
45
SBL830
SBL835
SBL840
SBL845
英寸
分钟。
马克斯。
0.500 0.580
0.560 0.650
0.380 0.420
0.139 0.161
2.300 0.420
0.100 0.135
0.045 0.070
-
0.250
0.025 0.035
0.190 0.210
0.140 0.190
0.015 0.022
0.080 0.115
0.025 0.055
横行
分钟。
马克斯。
12.70 14.73
14.23 16.51
9.66 10.66
3.54
4.08
5.85
6.85
2.54
3.42
1.15
1.77
-
6.35
0.64
0.89
4.83
5.33
3.56
4.82
0.38
0.56
2.04
2.49
0.64
1.39
符号
I
（AV）
I
FSM
V
F
I
R
C
J
R
OJC
T
J
T
英镑
特征
最大正向平均整流电流
@T
C
=95
o
C
最大额定值
8
200
0.55
@T
J
=25
o
C
@T
J
=100
o
C
0.5
50
450
3.0
-55到+125
-55到+150
单位
A
A
V
mA
pF
o
峰值正向浪涌电流8.3ms单半正弦波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
最大正向电压在8.0A DC （注1 ）
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
典型结电容（注2 ）
典型热阻（注3 ）
工作温度范围
存储温度范围
C / W
o
o
C
C
注：1. 300US脉冲宽度， 2 ％的占空比。
2.测得1.0MHz和应用4.0V DC反向电压。
3.热阻结到外壳。
特点
*硅整流器的金属，多数载流子conducton
*保护环的瞬态保护
*低功耗，高效率
*高电流能力，低V
F
*高浪涌能力
*对于使用低电压，高频率逆变器，
whelling ，和极性保护应用
机械数据
*案例： TO- 220AC模压塑料
*极性：标明阀体上
*重量0.08盎司， 2.24克
*安装位置：任意
QQ：2881677436 复制
