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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第663页 > SBL3035PT
SBL3030PT通SBL3045PT
低V
F
肖特基势垒整流器器
尺寸TO- 247AD
A
C( TAB )
A
C
A
C
A
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
毫米
分钟。马克斯。
19.81 20.32
20.80 21.46
15.75 16.26
3.55 3.65
4.32
5.4
1.65
-
1.0
10.8
4.7
0.4
1.5
5.49
6.2
2.13
4.5
1.4
11.0
5.3
0.8
2.49
英寸
分钟。
马克斯。
0.780
0.819
0.610
0.140
0.170
0.212
0.065
-
0.040
0.426
0.185
0.016
0.087
0.800
0.845
0.640
0.144
0.216
0.244
0.084
0.177
0.055
0.433
0.209
0.031
0.102
A =阳极,C =阴极, TAB =阴极
V
RRM
V
30
35
40
45
V
RMS
V
21
24.5
28
31.5
V
DC
V
30
35
40
45
SBL3030PT
SBL3035PT
SBL3040PT
SBL3045PT
符号
I
(AV)
I
FSM
V
F
I
R
C
J
R
OJC
T
J
T
英镑
特征
最大正向平均整流电流
@T
C
=90
o
C
最大额定值
30
275
0.55
@T
J
=25
o
C
@T
J
=100
o
C
1
75
700
2.0
-55到+125
-55到+150
单位
A
A
V
mA
pF
o
峰值正向浪涌电流8.3ms单半正弦波
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
最大正向电压在15.0A DC
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
每个元素典型结电容(注1 )
典型热阻(注2 )
工作温度范围
存储温度范围
C / W
o
o
C
C
注: 1.测得1.0MHz和应用反向电压4.0V DC 。
2.热阻结到管壳。
特点
*硅整流器的金属,多数载流子conducton
*保护环的瞬态保护
*低功耗,高效率
*高电流能力,低V
F
*高浪涌能力
*对于使用低电压,高频率逆变器,
whelling ,和极性保护应用
机械数据
*案例: TO- 247AD模压塑料
*极性:标明阀体上
*重量:0.2盎司, 5.6克
*安装位置:任意
SBL3030PT通SBL3045PT
低V
F
肖特基势垒整流器器
SBL3030PT通SBL3045PT
低V
F
肖特基势垒整流器器
尺寸TO- 247AD
A
C( TAB )
A
C
A
C
A
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
毫米
分钟。马克斯。
19.81 20.32
20.80 21.46
15.75 16.26
3.55 3.65
4.32
5.4
1.65
-
1.0
10.8
4.7
0.4
1.5
5.49
6.2
2.13
4.5
1.4
11.0
5.3
0.8
2.49
英寸
分钟。
马克斯。
0.780
0.819
0.610
0.140
0.170
0.212
0.065
-
0.040
0.426
0.185
0.016
0.087
0.800
0.845
0.640
0.144
0.216
0.244
0.084
0.177
0.055
0.433
0.209
0.031
0.102
A =阳极,C =阴极, TAB =阴极
V
RRM
V
30
35
40
45
V
RMS
V
21
24.5
28
31.5
V
DC
V
30
35
40
45
SBL3030PT
SBL3035PT
SBL3040PT
SBL3045PT
符号
I
(AV)
I
FSM
V
F
I
R
C
J
R
OJC
T
J
T
英镑
特征
最大正向平均整流电流
@T
C
=90
o
C
最大额定值
30
275
0.55
@T
J
=25
o
C
@T
J
=100
o
C
1
75
700
2.0
-55到+125
-55到+150
单位
A
A
V
mA
pF
o
峰值正向浪涌电流8.3ms单半正弦波
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
最大正向电压在15.0A DC
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
每个元素典型结电容(注1 )
典型热阻(注2 )
工作温度范围
存储温度范围
C / W
o
o
C
C
注: 1.测得1.0MHz和应用反向电压4.0V DC 。
2.热阻结到管壳。
特点
*硅整流器的金属,多数载流子conducton
*保护环的瞬态保护
*低功耗,高效率
*高电流能力,低V
F
*高浪涌能力
*对于使用低电压,高频率逆变器,
whelling ,和极性保护应用
机械数据
*案例: TO- 247AD模压塑料
*极性:标明阀体上
*重量:0.2盎司, 5.6克
*安装位置:任意
SBL3030PT通SBL3045PT
低V
F
肖特基势垒整流器器
SBL3030PT通SBL3045PT
低V
F
肖特基势垒整流器器
尺寸TO- 247AD
A
C( TAB )
A
C
A
C
A
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
毫米
分钟。马克斯。
19.81 20.32
20.80 21.46
15.75 16.26
3.55 3.65
4.32
5.4
1.65
-
1.0
10.8
4.7
0.4
1.5
5.49
6.2
2.13
4.5
1.4
11.0
5.3
0.8
2.49
英寸
分钟。
马克斯。
0.780
0.819
0.610
0.140
0.170
0.212
0.065
-
0.040
0.426
0.185
0.016
0.087
0.800
0.845
0.640
0.144
0.216
0.244
0.084
0.177
0.055
0.433
0.209
0.031
0.102
A =阳极,C =阴极, TAB =阴极
V
RRM
V
30
35
40
45
V
RMS
V
21
24.5
28
31.5
V
DC
V
30
35
40
45
SBL3030PT
SBL3035PT
SBL3040PT
SBL3045PT
符号
I
(AV)
I
FSM
V
F
I
R
C
J
R
OJC
T
J
T
英镑
特征
最大正向平均整流电流
@T
C
=90
o
C
最大额定值
30
275
0.55
@T
J
=25
o
C
@T
J
=100
o
C
1
75
700
2.0
-55到+125
-55到+150
单位
A
A
V
mA
pF
o
峰值正向浪涌电流8.3ms单半正弦波
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
最大正向电压在15.0A DC
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
每个元素典型结电容(注1 )
典型热阻(注2 )
工作温度范围
存储温度范围
C / W
o
o
C
C
注: 1.测得1.0MHz和应用反向电压4.0V DC 。
2.热阻结到管壳。
特点
*硅整流器的金属,多数载流子conducton
*保护环的瞬态保护
*低功耗,高效率
*高电流能力,低V
F
*高浪涌能力
*对于使用低电压,高频率逆变器,
whelling ,和极性保护应用
机械数据
*案例: TO- 247AD模压塑料
*极性:标明阀体上
*重量:0.2盎司, 5.6克
*安装位置:任意
SBL3030PT通SBL3045PT
低V
F
肖特基势垒整流器器
BL
特点
银河电子
SBL3030PT - - - SBL30100PT
电压范围:
30
---
100
V
当前位置:
30
A
肖特基势垒整流器
金属半导体结与保护环
外延建设
低正向压降,低开关损耗
高浪涌能力
为了在低电压,高频率逆变器免费
xxxx
续流和极性保护应用
塑料材料进行U / L承认94V - 0
TO-247AD(TO-3P)
0.645(16.4)
0.625(15.9)
0.245(6.2)
0.225(5.7)
0.840(21.3)
0.820(20.8)
0.160(4.1)
0.140(3.5)
0.795(20.2)
0.775(19.6)
0.127(3.22)
0.117(2.97)
1
2
3
0.203(5.16)
0.323(8.2)
0.313(7.9)
0.170(4.3)
0.086(2.18)
0.076(1.93)
0.142(3.6)
0.138(3.5)
0.193(4.90)
30°
10°TYP
两旁
1°REF
两旁
0.118(3.0)
0.108(2.7)
0.078REF
(1.98)
10°
机械数据
0.225(5.7)
0.048(1.22)
0.044(1.12)
PIN1
0.030(0.76)
0.020(0.51)
PIN2
案例: JEDEC TO - 247AD ,模压塑料
终端:信息每焊
MIL-STD -750 ,方法2026
极性:标示
重量: 0.223盎司, 6.3克
安装位置:任意
0.205(5.2)
PIN3
尺寸以英寸(毫米)
英寸(毫米)
最大额定值和电气特性
25评分
环境温度,除非另有规定。
单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。对于容性负载, 20%减免。
SBL
SBL SBL
SBL
SBL
SBL
SBL
SBL
3030PT 3035PT 3040PT 3045PT 3050PT 3060PT 3080PT 30100PT
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大平均FORW ARD整流电流
T
C
=100
山顶FORW ARD浪涌电流
8.3ms单半正弦波-W AVE
叠加在额定负荷
最大瞬时FORW ARD电压
@ 15 A
最大反向电流
@T
C
=25
单位
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F( AV )
30
21
30
35
25
35
40
28
40
45
32
45
30
50
35
50
60
42
60
80
56
80
100
70
100
I
FSM
V
F
I
R
R
θ
JC
T
J
T
英镑
275
A
0.55
1.0
75
1.5
0.75
0.85
V
mA
/W
在额定阻断电压DC @T
C
=100
典型热阻
(Note1)
工作结温范围
存储温度范围
注:1,热阻结到外壳。
-55--- + 125
-55--- + 150
www.galaxycn.com
文档编号0266072
BL
银河电子
1
.
收视率和特性曲线
图1 - 峰值正向浪涌电流
平均正向输出电流,
安培
峰值正向浪涌电流,
SBL3030PT---SBL30100PT
图2 - 前降额曲线
300
275
240
8.3ms单半正弦波
T
J
=125
50
40
安培
30
180
20
120
10
60
0
0
1
0
25
50
75
100
125
10
100
循环次数的AT 60H的
Z
温度,
图3 - 典型正向特性
图4 - 典型的反向特性
瞬时正向电流,
安培
瞬时反向电流,
微安
10
Tc=100
1.0
2
0
0
1
0
0
SBL3030PT-SBL3045PT
SBL3080PT-SBL30100PT
10
SBL3050PT-SBL3060PT
T
C
=25
0.1
T
J
= 2 5
P ü LS东西ID吨H = 3 0 0
1 %D ü吨 乐
s
1
.1
.3
.5
.7
.9
1 .1
1 .3
1 .5
1 .7
1 .9
2 .1
.01
0
20
40
60
80
100
120
140
百分比额定峰值反向电压
正向电压,伏
www.galaxycn.com
文档编号0266072
BL
银河电子
2.
SBL3030PT - SBL3060PT
30A肖特基整流器
SPICE模型: SBL3030PT SBL3035PT SBL3040PT SBL3045PT SBL3050PT SBL3060PT
特点
·
·
·
·
·
·
·
肖特基芯片
保护环片施工
瞬态保护
低功耗,高效率
高浪涌能力
高电流能力和低正向压降
适用于低电压,高频率逆变器,免费使用
续流和极性保护应用
无铅产品,符合RoHS (注3 )
暗淡
A
TO-3P
1.88
4.87
21.25
19.60
2.10
0.51
15.75
1.93
2.90
3.78
5.20
1.12
1.90
2.93
11.70
最大
2.08
5.13
21.75
20.10
2.40
0.76
16.25
2.18
3.20
4.38
5.70
1.22
2.16
3.22
12.80
H
A
B
B
C
D
E
S
R
P
N
J
C
K
L
G
G
H
J
K
机械数据
·
·
·
·
·
·
·
·
案例: TO- 3P
外壳材料:模压塑料。防火
分类额定值94V- 0
湿度敏感性:每J- STD- 020C 1级
码头:完成 - 亮锡。每焊
MIL- STD- 202方法208
极性:对人体标示
订购信息:见最后一页
标记:型号数量
重量: 5.6克(近似值)
Q
D
L
M
N
P
Q
R
S
E
M
M
4.40典型
尺寸:mm
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
最大额定值和电气特性
单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。
对于容性负载,减免电流20 % 。
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均整流输出电流
@ T
C
= 95°C
(注1 )
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R( RMS )
I
O
I
FSM
V
FM
I
RM
C
T
R
QJC
T
j,
T
英镑
SBL
3030PT
30
21
SBL
3035PT
35
24.5
SBL
3040PT
40
28
30
SBL
3045PT
45
31.5
SBL
3050PT
50
35
SBL
3060PT
60
42
单位
V
V
A
A
非重复峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加在额定负荷
( JEDEC的方法)
正向电压降
峰值反向电流
在额定阻断电压DC
典型的总电容
典型热阻结到外壳
工作和存储温度范围
注意事项:
275
0.55
1.0
75
1100
2.0
-65到+150
0.70
@ I
F
= 15A ,T
C
= 25°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 100°C
(注2 )
(注1 )
V
mA
pF
° C / W
°C
1.热阻结到外壳上安装散热片。
2.测得1.0MHz和应用4.0V DC反向电压。
3. RoHS指令修订版2003年2月13日。玻璃和高温焊料豁免应用,看
欧盟指令附件注5和7 。
DS23018牧师10 - 2
1第3
www.diodes.com
SBL3030PT - SBL3060PT
Diodes公司
I
F
,正向电流(A)
30
100
SBL3030PT - SBL30450PT
I
(AV)
,平均整流电流( A)
24
10
SBL3050PT - SBL3060PT
18
12
1.0
6
0
0
100
50
T
C
,外壳温度( ° C)
图。 1正向降额曲线
150
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
V
F
,正向电压( V)
图。每单元2典型正向特性
I
FSM
,峰值正向浪涌电流( A)
300
C
T
,结电容(pF )
8.3ms单一正弦半波
JEDEC的方法
4000
T
j
= 25°C
F = 1MHz的
250
200
1000
150
100
50
100
0
1
10
100
循环次数在60赫兹
图。 3最大不重复正向浪涌电流
0.1
1.0
10
V
R
,反向电压(V)的
图。每单元4典型电容
100
I
R
,瞬时反向电流( A)
100
T
C
= 100°C
10
T
C
= 75°C
1.0
T
C
= 25°C
0.1
0.01
120
40
80
的峰值反向电压百分比( % )
图。每单元5典型的反向特性
0
DS23018牧师10 - 2
2 3
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SBL3030PT - SBL3060PT
订购信息
设备
SBL3030PT
SBL3035PT
SBL3040PT
SBL3045PT
SBL3050PT
SBL3060PT
注意事项:
(注4 )
包装
TO-3P
TO-3P
TO-3P
TO-3P
TO-3P
TO-3P
航运
30/Tube
30/Tube
30/Tube
30/Tube
30/Tube
30/Tube
4.包装信息,请访问我们的网站: http://www.diodes.com/datasheets/ap2008.pdf
DS23018牧师10 - 2
3 3
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SBL3030PT - SBL3060PT
SBL3030PT - SBL3060PT
30A肖特基整流器
特点
·
·
·
·
·
·
·
肖特基芯片
保护环片施工
瞬态保护
低功耗,高效率
高浪涌能力
高电流能力和低正向
电压降
为了在低电压,高频率
逆变器,续流和极性
保护中的应用
塑料材质:防火
分类额定值94V- 0
TO-3P
暗淡
A
3.20
4.59
20.80
19.70
2.10
0.51
15.90
1.70
3.10
3.50
5.20
1.12
1.93
2.97
11.70
最大
3.50
5.16
21.30
20.20
2.40
0.76
16.40
2.70
3.30
4.51
5.70
1.22
2.18
3.22
12.80
H
S
R
P*
* 2地方
N
Q
L
G
A
B
B
C
D
E
G
H
J
K
J
K
C
机械数据
·
·
·
·
·
·
案例:模压塑料
终端:每焊镀信息
MIL- STD- 202方法208
极性:对人体标示
标记:型号数量
重量:2.24克数(大约)
安装位置:任意
D
L
M
N
E
M
M
P
Q
R
S
4.30典型
尺寸:mm
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
最大额定值和电气特性
单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。
对于容性负载,减免电流20 % 。
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均整流输出电流
@ T
C
= 95°C
(注1 )
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R( RMS )
I
O
I
FSM
V
FM
I
RM
C
j
R
QJC
T
j,
T
英镑
SBL
3030PT
30
21
SBL
3035PT
35
24.5
SBL
3040PT
40
28
30
SBL
3045PT
45
31.5
SBL
3050PT
50
35
SBL
3060PT
60
42
单位
V
V
A
A
非重复峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加在额定负荷
( JEDEC的方法)
正向电压降
峰值反向电流
在额定阻断电压DC
典型结电容
典型热阻结到外壳
工作和存储温度范围
@ I
F
= 15A ,T
C
= 25°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 100°C
(注2 )
(注1 )
275
0.55
1.0
75
1100
2.0
-65到+150
0.70
V
mA
pF
K / W
°C
注意事项:
1.热阻结到外壳上安装散热片。
2.测得1.0MHz和应用4.0V DC反向电压。
DS23018修订版E-2
1 2
SBL3030PT - SBL3060PT
I
F
,正向电流(A)
30
100
SBL3030PT - SBL30450PT
I
(AV)
,平均整流电流( A)
24
10
SBL3050PT - SBL3060PT
18
12
1.0
6
0
0
100
50
T
C
,外壳温度( ° C)
图。 1正向降额曲线
150
0.1
T
j
= 25°C
脉冲宽度= 300微秒
2 %的占空比
0.2
0.4
0.6
0.8
V
F
,正向电压( V)
图。每单元2典型正向特性
I
FSM
,峰值正向浪涌电流( A)
300
250
200
150
4000
C
j
,结电容(pF )
8.3ms单一正弦半波
JEDEC的方法
T
j
= 25°C
F = 1MHz的
1000
100
50
0
10
100
循环次数在60赫兹
图。 3最大非重复性峰值正向浪涌电流
1
100
0.1
1.0
10
100
V
R
,反向电压(V)的
图。 4典型结电容每元
I
R
,瞬时反向电流( A)
100
T
C
= 100°C
10
T
C
= 75°C
1.0
0.1
T
C
= 25°C
0.01
120
40
80
的峰值反向电压百分比( % )
图。每单元5典型的反向特性
0
DS23018修订版E-2
2 2
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