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SBL2030PT - SBL2060PT
20A肖特基整流器
特点
·
·
·
·
·
·
·
肖特基芯片
保护环片施工
瞬态保护
低功耗,高效率
高浪涌能力
高电流能力和低正向
电压降
为了在低电压,高频率
逆变器,续流和极性
保护中的应用
塑料材料 - 防火
分类科幻阳离子94V- 0
TO-3P
暗淡
3.20
4.59
20.80
19.70
2.10
0.51
15.90
1.70
3.10
3.50
5.20
1.12
1.93
2.97
11.70
最大
3.50
5.16
21.30
20.20
2.40
0.76
16.40
2.70
3.30
4.51
5.70
1.22
2.18
3.22
12.80
A
B
C
D
E
G
H
J
K
H
A
B
S
R
P*
* 2地方
Q
J
K
L
G
C
机械数据
·
·
·
·
·
·
案例:模压塑料
终端:每焊镀信息
MIL- STD- 202方法208
极性:对人体标示
重量: 5.6克(约)
安装位置:任意
标记:型号数量
N
D
L
M
N
E
M
M
P
Q
R
S
4.30典型
尺寸:mm
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
最大额定值和电气特性
单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。
对于容性负载,减免电流20 % 。
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均整流输出电流
(注1 )
@ T
C
= 100°C
非重复性峰值正向浪涌电流8.3ms
单半正弦波叠加在额定负荷
( JEDEC的方法)
正向电压降
峰值反向电流
在额定阻断电压DC
典型结电容(注2 )
典型热阻结到外壳(注1 )
工作和存储温度范围
注意事项:
@ I
F
= 10A ,T
C
= 25°C
@T
C
= 25°C
@ T
C
= 100°C
SBL
符号2030PT
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R( RMS )
I
O
I
FSM
V
FM
I
RM
C
j
R
QJC
T
j,
T
英镑
30
21
SBL
2035PT
35
24.5
SBL
2040PT
40
28
SBL
2045PT
45
31.5
SBL
2050PT
50
35
SBL
2060PT
60
42
单位
V
V
A
A
20
250
0.55
1.0
50
1100
2.5
-65到+150
0.75
V
mA
pF
K / W
°C
1.热阻结到外壳上安装散热片。
2.测得1.0 MHz和应用的4.0V直流反向电压。
DS23047修订版B- 2
1 2
SBL2030PT-SBL2060PT
I
F
,正向电流(A)
20
100
I
(AV)
,平均正向电流( A)
16
SBL2030PT - SBL20450PT
12
10
SBL2050PT - SBL2060PT
8
1.0
4
0
0
50
100
150
T
C
,外壳温度( ° C)
图。 1正向电流降额曲线
0.1
0.1
T
j
= 25°C
脉冲宽度= 300微秒
2 %的占空比
0.3
0.5
0.7
0.9
V
F
,正向电压( V)
图。每单元2典型正向特性
300
I
FSM
,峰值正向电流( A)
8.3ms单一正弦半波
JEDEC的方法
4000
T
j
= 25°C
F = 1MHz的
250
200
C
j
,电容(pF )
1000
150
100
50
0
1
10
100
循环次数在60Hz
图。 3最大不重复浪涌电流
100
100
0.1
1.0
10
100
V
R
,反向电压(V)的
图。 4典型结电容每元
I
R
,瞬时反向电流(mA)
10
T
j
= 100°C
T
j
= 75°C
1.0
0.1
T
j
= 25°C
0.01
0
40
80
120
1999额定峰值反向电压百分比(% )
图。每单元5典型的反向特性
DS23047修订版B- 2
2 2
SBL2030PT-SBL2060PT
SBL2050PT通SBL2060PT
低V
F
肖特基势垒整流器器
尺寸TO- 247AD
A
C( TAB )
A
C
A
C
A
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
毫米
分钟。马克斯。
19.81 20.32
20.80 21.46
15.75 16.26
3.55 3.65
4.32
5.4
1.65
-
1.0
10.8
4.7
0.4
1.5
5.49
6.2
2.13
4.5
1.4
11.0
5.3
0.8
2.49
英寸
分钟。
马克斯。
0.780
0.819
0.610
0.140
0.170
0.212
0.065
-
0.040
0.426
0.185
0.016
0.087
0.800
0.845
0.640
0.144
0.216
0.244
0.084
0.177
0.055
0.433
0.209
0.031
0.102
A =阳极,C =阴极, TAB =阴极
SBL2050PT
SBL2060PT
V
RRM
V
50
60
V
RMS
V
35
42
V
DC
V
50
60
J
K
L
M
N
符号
I
(AV)
I
FSM
V
F
I
R
C
J
R
OJC
T
J
T
英镑
特征
最大正向平均整流电流
@T
C
=95
o
C
最大额定值
20
250
0.75
@T
J
=25
o
C
@T
J
=100
o
C
1
50
600
2.5
-55到+125
-55到+150
单位
A
A
V
mA
pF
o
峰值正向浪涌电流8.3ms单半正弦波
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
最大正向电压在10A DC (注1 )
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
每个元素典型结电容(注2 )
典型热阻(注3 )
工作温度范围
存储温度范围
C / W
o
o
C
C
注:1. 300US脉冲宽度, 2 %的占空比。
2.测得1.0MHz和应用4.0V DC反向电压。
3.热阻结到外壳。
特点
*硅整流器的金属,多数载流子conducton
*保护环的瞬态保护
*低功耗,高效率
*高电流能力,低V
F
*高浪涌能力
*对于使用低电压,高频率逆变器,
whelling ,和极性保护应用
机械数据
*案例: TO- 247AD模压塑料
*极性:标明阀体上
*重量:0.2盎司, 5.6克
*安装位置:任意
SBL2050PT通SBL2060PT
低V
F
肖特基势垒整流器器
SBL2030PT - SBL2060PT
20A肖特基整流器
SPICE模型: SBL2030PT SBL2035PT SBL2040PT SBL2045PT SBL2050PT SBL2060PT
特点
·
·
·
·
·
·
·
肖特基芯片
保护环片施工瞬态保护
低功耗,高效率
高浪涌能力
高电流能力和低正向压降
适用于低电压,高频率逆变器,免费使用
续流和极性保护应用
无铅产品,符合RoHS (注3 )
暗淡
TO-3P
1.88
4.68
20.63
18.5
2.1
0.51
15.38
1.90
2.9
3.78
5.2
0.89
1.82
2.92
11.70
最大
2.08
5.36
22.38
21.5
2.4
0.76
16.25
2.70
3.65
4.50
5.7
1.53
2.46
3.23
12.84
6.10
A
B
C
D
E
G
H
J
K
H
A
B
S
R
J
C
K
L
G
机械数据
·
·
·
·
·
·
·
·
案例: TO- 3P
外壳材料:模压塑料。防火
分类额定值94V- 0
湿度敏感性:每J- STD- 020C 1级
码头:完成
明亮的天。焊镀信息
每MIL -STD- 202方法208
极性:对人体标示
订购信息:见最后一页
标记:型号数量
重量: 5.6克(近似值)
P
N
Q
D
L
M
N
P
Q
R
S
E
M
M
尺寸:mm
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
最大额定值和电气特性
单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。
对于容性负载,减免电流20 % 。
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均整流输出电流
(注1 )
@ T
C
= 100°C
非重复性峰值正向浪涌电流8.3ms
单半正弦波叠加在额定负荷
( JEDEC的方法)
正向电压降
峰值反向电流
在额定阻断电压DC
典型的总电容(注2 )
典型热阻结到外壳(注1 )
工作和存储温度范围
注意事项:
SBL
符号2030PT
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R( RMS )
I
O
I
FSM
V
FM
I
RM
C
T
R
QJC
T
j,
T
英镑
30
21
SBL
2035PT
35
24.5
SBL
2040PT
40
28
SBL
2045PT
45
31.5
SBL
2050PT
50
35
SBL
2060PT
60
42
单位
V
V
A
A
20
250
0.55
1.0
50
1100
2.5
-65到+150
0.75
@ I
F
= 10A ,T
C
= 25°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 100°C
V
mA
pF
° C / W
°C
1.热阻结到外壳上安装散热片。
2.测得1.0 MHz和应用的4.0V直流反向电压。
3. RoHS指令修订版2003年2月13日。玻璃和高温焊料豁免应用,看
欧盟指令附件注5和7 。
DS23047牧师4 - 2
1第3
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SBL2030PT - SBL2060PT
Diodes公司
I
F
,正向电流(A)
20
100
I
(AV)
,平均整流电流( A)
16
SBL2030PT - SBL20450PT
10
SBL2050PT - SBL2060PT
12
8
1.0
4
0
0
50
100
150
T
C
,外壳温度( ° C)
图。 1正向电流降额曲线
I
FSM
,峰值正向浪涌电流( A)
300
250
0.1
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
V
F
,正向电压( V)
图。每单元2典型正向特性
8.3ms单一正弦半波
JEDEC的方法
4000
T
j
= 25°C
F = 1MHz的
200
C
T
,电容(pF )
1
10
循环次数在60Hz
图。 3最大非重复正向
浪涌电流
100
1000
150
100
50
0
100
0.1
1.0
10
100
V
R
,反向电压(V)的
图。每单元4典型的总电容
I
R
,瞬时反向电流(mA)
100
10
T
j
= 100°C
T
j
= 75°C
1.0
0.1
T
j
= 25°C
0.01
0
40
80
120
1999额定峰值反向电压百分比(% )
图。每单元5典型的反向特性
DS23047牧师4 - 2
2 3
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SBL2030PT - SBL2060PT
订购信息
设备
SBL2030PT
SBL2035PT
SBL2040PT
SBL2045PT
SBL2050PT
SBL2060PT
注意事项:
(注4 )
包装
TO-3P
TO-3P
TO-3P
TO-3P
TO-3P
TO-3P
航运
30/Tube
30/Tube
30/Tube
30/Tube
30/Tube
30/Tube
4.包装信息,请访问我们的网站: http://www.diodes.com/datasheets/ap02008.pdf 。
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SBL2050PT通SBL2060PT
低V
F
肖特基势垒整流器器
尺寸TO- 247AD
A
C( TAB )
A
C
A
C
A
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
毫米
分钟。马克斯。
19.81 20.32
20.80 21.46
15.75 16.26
3.55 3.65
4.32
5.4
1.65
-
1.0
10.8
4.7
0.4
1.5
5.49
6.2
2.13
4.5
1.4
11.0
5.3
0.8
2.49
英寸
分钟。
马克斯。
0.780
0.819
0.610
0.140
0.170
0.212
0.065
-
0.040
0.426
0.185
0.016
0.087
0.800
0.845
0.640
0.144
0.216
0.244
0.084
0.177
0.055
0.433
0.209
0.031
0.102
A =阳极,C =阴极, TAB =阴极
SBL2050PT
SBL2060PT
V
RRM
V
50
60
V
RMS
V
35
42
V
DC
V
50
60
J
K
L
M
N
符号
I
(AV)
I
FSM
V
F
I
R
C
J
R
OJC
T
J
T
英镑
特征
最大正向平均整流电流
@T
C
=95
o
C
最大额定值
20
250
0.75
@T
J
=25
o
C
@T
J
=100
o
C
1
50
600
2.5
-55到+125
-55到+150
单位
A
A
V
mA
pF
o
峰值正向浪涌电流8.3ms单半正弦波
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
最大正向电压在10A DC (注1 )
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
每个元素典型结电容(注2 )
典型热阻(注3 )
工作温度范围
存储温度范围
C / W
o
o
C
C
注:1. 300US脉冲宽度, 2 %的占空比。
2.测得1.0MHz和应用4.0V DC反向电压。
3.热阻结到外壳。
特点
*硅整流器的金属,多数载流子conducton
*保护环的瞬态保护
*低功耗,高效率
*高电流能力,低V
F
*高浪涌能力
*对于使用低电压,高频率逆变器,
whelling ,和极性保护应用
机械数据
*案例: TO- 247AD模压塑料
*极性:标明阀体上
*重量:0.2盎司, 5.6克
*安装位置:任意
SBL2050PT通SBL2060PT
低V
F
肖特基势垒整流器器
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数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    SBL2050PT
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2581021098 复制

电话:0755-22929859
联系人:朱先生
地址:深圳福田区振兴路华康大厦211
SBL2050PT
Diodes
2025+
26820
TO-3P-3
【原装优势★★★绝对有货】
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
SBL2050PT
Diodes Incorporated
24+
10000
TO-3P
原厂一级代理,原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
SBL2050PT
DIODES/美台
2443+
23000
TO-3P
一级代理专营,原装现货,价格优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
SBL2050PT
Diodes Incorporated
24+
10000
TO-3P
全新原装现货,原厂代理。
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881243225 复制

电话:0755-83268779
联系人:吴
地址:深圳市福田区华强北赛格科技园4栋西6楼A座611(本公司为一般纳税人,可以开17%增值税)
SBL2050PT
DIODES
13+
25800
全新原装正品,大量现货库存,可以出样品,欢迎咨询洽谈
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1281623813 复制 点击这里给我发消息 QQ:1281623813 复制

电话:0755-23914006/18318877587
联系人:陈佳隆
地址:深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
SBL2050PT
DIODES/美台
24+
21000
TO-3P
真实库存信息/只做原装正品/支持实单
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1076493713 复制 点击这里给我发消息 QQ:173779730 复制
电话:0755-82170267
联系人:李经理
地址:深圳市福田区园岭街道上林社区八卦四路2号先科机电大厦1210
SBL2050PT
DIODES/美台
22+
43129
DIP 16
有挂就有货 支持订货.备货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:892174007 复制 点击这里给我发消息 QQ:2300949663 复制 点击这里给我发消息 QQ:2719079875 复制

电话:15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
SBL2050PT
DIODES
2024
20918
TO3P
原装现货上海库存,欢迎查询
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
SBL2050PT
DIODES/美台
21+
15360
TO3P
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
SBL2050PT
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