SBL10L30 ， SBLF10L30 ， SBLB10L30
威世通用半导体
低V
F
肖特基势垒整流器
TO-220AC
ITO-220AC
2
SBL10L30
销1
销2
2
1
SBLF10L30
销1
1
例
销2
TO-263AB
K
特点
Guardring过电压保护
更低的功率损耗，效率高
极低的正向电压降
高正向浪涌能力
??高频工作
符合MSL等级1 ，符合per J -STD- 020 ， LF最大
245 ° C（用于TO- 263AB封装）峰
浸焊260 ° C， 40秒（对于TO- 220AC和
ITO - 220AC封装）
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
典型应用
对于使用低电压，高频整流
交换式电源供应器， OR- ing二极管，
续流二极管，直流 - 直流转换器和极性
保护申请。
机械数据
案例：
TO- 220AC ， ITO - 220AC ， TO- 263AB
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD22- B102
E3后缀消费档次，满足JESD 201级
1A晶须测试， HE3后缀为高可靠性等级
（ AEC Q101标准） ，符合JESD 201 2级
晶须测试
极性：
由于标
安装扭矩：
最大10磅
2
1
SBLB10L30
销1
销2
K
散热器
主要特征
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
T
J
马克斯。
10 A
30 V
200 A
0.43 V
150 °C
最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大重复峰值反向电压
工作峰值反向电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流在T
C
= 140 °C
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷
在t重复峰值反向电流
p
= 2微秒， 1千赫
变化的电压率（额定V
R
)
工作结存储温度范围
隔离电压（ ITO - 220AC只） ，从终端到散热片T = 1分
符号
V
RRM
V
RWM
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
I
RRM
dv / dt的
T
J
, T
英镑
V
AC
价值
30
21
30
10
200
1.0
10 000
- 65至+ 150
1500
单位
V
V
V
A
A
A
V / μs的
°C
V
文档编号： 88724
修订： 07- 08年5月
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1
SBL10L30 ， SBLF10L30 ， SBLB10L30
威世通用半导体
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大正向电压
(1)
最大瞬时反向电流DC
阻断电压
(1)
注意：
（1 ）脉冲测试： 300微秒的脉冲宽度，2％占空比
测试条件
I
F
= 10 A
I
F
= 10 A
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
符号
V
F
I
R
价值
0.52
0.43
1.0
100
单位
V
mA
热特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
从结每腿到外壳的典型热阻
符号
R
θJC
SBL
4.3
SBLF
4.8
SBLB
4.3
单位
° C / W
订购信息
（例）
包
TO-220AC
ITO-220AC
TO-263AB
TO-263AB
TO-220AC
ITO-220AC
TO-263AB
TO-263AB
注意：
（ 1 ）汽车级AEC Q101标准
首选的P / N
SBL10L30-E3/45
SBLF10L30-E3/45
SBLB10L30-E3/45
SBLB10L30-E3/81
SBL10L30HE3/45
(1)
SBLF10L30HE3/45
(1)
SBLB10L30HE3/45
(1)
SBLB10L30HE3/81
(1)
单位重量（g ）
1.80
1.94
1.33
1.33
1.80
1.94
1.33
1.33
封装代码
45
45
45
81
45
45
45
81
基地数量
50/tube
50/tube
50/tube
800/reel
50/tube
50/tube
50/tube
800/reel
配送方式
管
管
管
磁带和卷轴
管
管
管
磁带和卷轴
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
12.5
100
正向平均整流电流（ A）
10
正向电流（A ）
负载电阻或电感
10
T
J
= 150 °C
7.5
1
T
J
= 125 °C
T
J
= 100 °C
5
0.1
2.5
T
J
= 25 °C
0
50
100
150
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
外壳温度（ ° C）
正向
电压
(V)
图1.正向电流降额曲线
图2.典型的正向特性
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2
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SBL10L30 ， SBLF10L30 ， SBLB10L30
威世通用半导体
1000
T
J
= 150 °C
100
10
1
0.1
0.01
T
J
= 75 °C
0.001
20
40
60
80
100
T
J
= 125 °C
T
J
= 100 °C
100
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
瞬时反向电流（mA ）
10
1
0.1
0.01
0.1
1
10
百分比额定峰值反向
电压
(%)
吨 - 脉冲持续时间（ S）
图3.典型的反向特性
图5.典型的瞬态热阻抗
10 000
结电容（pF ）
1000
100
10
0.1
1
10
100
反向
电压
(V)
图4.典型结电容
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3
SBL10L30 ， SBLF10L30 ， SBLB10L30
威世通用半导体
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
TO-220AC
0.415 （ 10.54 ） MAX 。
0.370 (9.40)
0.360 (9.14)
0.154 （ 3.91 ） DIA 。
0.148 （ 3.74 ） DIA 。
0.113 (2.87)
0.103 (2.62)
0.145 (3.68)
0.135 (3.43)
0.635 (16.13)
0.625 (15.87)
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
销1
销2
例
ITO-220AC
0.404 (10.26)
0.384 (9.75)
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
0.055 (1.39)
0.045 (1.14)
45 ° REF 。
0.671 (17.04)
0.651 (16.54)
针
0.076 （ 1.93 ） REF 。
0.076 （ 1.93 ） REF 。
7 ° REF 。
0.140 （ 3.56 ） DIA 。
0.125 （ 3.17 ） DIA 。
0.135 （ 3.43 ） DIA 。
0.122 （ 3.08 ） DIA 。
0.190 (4.83)
0.170 (4.32)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
1.148 (29.16)
1.118 (28.40)
0.603 (15.32)
0.573 (14.55)
0.600 (15.24)
0.580 (14.73)
7 ° REF 。
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
针
1
2
0.191 (4.85)
0.171 (4.35)
7 ° REF 。
2
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.037 (0.94)
0.027 (0.68)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.022 (0.56)
0.014 (0.36)
0.025 (0.64)
0.015 (0.38)
0.035 (0.89)
0.025 (0.64)
0.205 (5.21)
0.195 (4.95)
0.028 (0.71)
0.020 (0.51)
TO-263AB
0.411 (10.45)
0.380 (9.65)
0.245 (6.22)
分钟。
K
0.360 (9.14)
0.320 (8.13)
1
K
2
0.055 (1.40)
0.047 (1.19)
0.670 (17.02)
0.591 (15.00)
0.15 （ 3.81 ）最低。
0.08 （ 2.032 ） MIN 。
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.33 （ 8.38 ）最低。
0.190 (4.83)
0.160 (4.06)
0.055 (1.40)
0.045 (1.14)
贴装焊盘布局
0.42 （ 10.66 ） MIN 。
0.624 (15.85)
0.591 (15.00)
0.037 (0.940)
0.027 (0.686)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0 0.01 （ 0 0.254 ）
0.110 (2.79)
0.090 (2.29)
0.021 (0.53)
0.014 (0.36)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.140 (3.56)
0.110 (2.79)
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修订： 18 -JUL- 08
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