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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第329页 > SBL1035CT
SBL1030CT通SBL1045CT
低V
F
肖特基势垒整流器器
尺寸TO- 220AB
A
C( TAB )
A
C
A
C
A
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
M
N
Q
R
A =阳极,C =阴极, TAB =阴极
V
RRM
V
30
35
40
45
V
RMS
V
21
24.5
28
31.5
V
DC
V
30
35
40
45
SBL1030CT
SBL1035CT
SBL1040CT
SBL1045CT
英寸
分钟。
马克斯。
0.500 0.550
0.580 0.630
0.390 0.420
0.139 0.161
0.230 0.270
0.100 0.125
0.045 0.065
0.110 0.230
0.025 0.040
0.100
BSC
0.170 0.190
0.045 0.055
0.014 0.022
0.090 0.110
横行
分钟。
马克斯。
12.70 13.97
14.73 16.00
9.91 10.66
3.54
4.08
5.85
6.85
2.54
3.18
1.15
1.65
2.79
5.84
0.64
1.01
2.54
BSC
4.32
4.82
1.14
1.39
0.35
0.56
2.29
2.79
符号
I
(AV)
I
FSM
V
F
I
R
C
J
R
OJC
T
J
T
英镑
特征
最大正向平均整流电流
@T
C
=95
o
C
最大额定值
10
125
0.55
@T
J
=25
o
C
@T
J
=100
o
C
0.5
50
250
3.0
-55到+125
-55到+150
单位
A
A
V
mA
pF
o
峰值正向浪涌电流8.3ms单半正弦波
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
最大正向电压在5.0A DC (注1 )
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
每个元素典型结电容(注2 )
典型热阻(注3 )
工作温度范围
存储温度范围
C / W
o
o
C
C
注:1. 300US脉冲宽度, 2 %的占空比。
2.测得1.0MHz和应用4.0V DC反向电压。
3.热阻结到外壳。
特点
*硅整流器的金属,多数载流子conducton
*保护环的瞬态保护
*低功耗,高效率
*高电流能力,低V
F
*高浪涌能力
*对于使用低电压,高频率逆变器,
whelling ,和极性保护应用
机械数据
*案例: TO- 220AB模压塑料
*极性:标明阀体上
*重量0.08盎司, 2.24克
*安装位置:任意
SBL1030CT通SBL1045CT
低V
F
肖特基势垒整流器器
峰值正向浪涌电流,
安培
图1 - 正向电流降额曲线
平均正向电流
安培
12
10
8
6
4
2
0
负载电阻或电感
图2 - 最大非重复浪涌电流
150
125
100
75
50
25
0
1
2
5
10
20
50
100
8.3ms单半正弦波
( JEDEC的方法)
25
50
75
100
125
150
175
外壳温度,C
循环次数在60Hz
图3 - 典型的反向特性
1000
图4 - 典型正向特性
100
瞬时正向电流( A)
瞬时
反向电流(毫安)
100
10
10
T
J
= 100 C
1.0
T
J
= 75 C
1.0
T
J
= 25 C
0.1
T
J
= 25 C
脉冲宽度300ua
300us
2 %的占空比
0.01
0
20
40
60
80
100
120
140
0.1
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
百分比额定峰值反向电压(伏)
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
正向电压,伏
图5 - 典型结电容
1000
电容(PF )
100
T
J
= 25°C , F = 1MHz的
10
0.1
1
4
10
100
反向电压,伏
SBL1030CT通SBL1045CT
低V
F
肖特基势垒整流器器
尺寸TO- 220AB
A
C( TAB )
A
C
A
C
A
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
M
N
Q
R
A =阳极,C =阴极, TAB =阴极
V
RRM
V
30
35
40
45
V
RMS
V
21
24.5
28
31.5
V
DC
V
30
35
40
45
SBL1030CT
SBL1035CT
SBL1040CT
SBL1045CT
英寸
分钟。
马克斯。
0.500 0.550
0.580 0.630
0.390 0.420
0.139 0.161
0.230 0.270
0.100 0.125
0.045 0.065
0.110 0.230
0.025 0.040
0.100
BSC
0.170 0.190
0.045 0.055
0.014 0.022
0.090 0.110
横行
分钟。
马克斯。
12.70 13.97
14.73 16.00
9.91 10.66
3.54
4.08
5.85
6.85
2.54
3.18
1.15
1.65
2.79
5.84
0.64
1.01
2.54
BSC
4.32
4.82
1.14
1.39
0.35
0.56
2.29
2.79
符号
I
(AV)
I
FSM
V
F
I
R
C
J
R
OJC
T
J
T
英镑
特征
最大正向平均整流电流
@T
C
=95
o
C
最大额定值
10
125
0.55
@T
J
=25
o
C
@T
J
=100
o
C
0.5
50
250
3.0
-55到+125
-55到+150
单位
A
A
V
mA
pF
o
峰值正向浪涌电流8.3ms单半正弦波
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
最大正向电压在5.0A DC (注1 )
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
每个元素典型结电容(注2 )
典型热阻(注3 )
工作温度范围
存储温度范围
C / W
o
o
C
C
注:1. 300US脉冲宽度, 2 %的占空比。
2.测得1.0MHz和应用4.0V DC反向电压。
3.热阻结到外壳。
特点
*硅整流器的金属,多数载流子conducton
*保护环的瞬态保护
*低功耗,高效率
*高电流能力,低V
F
*高浪涌能力
*对于使用低电压,高频率逆变器,
whelling ,和极性保护应用
机械数据
*案例: TO- 220AB模压塑料
*极性:标明阀体上
*重量0.08盎司, 2.24克
*安装位置:任意
SBL1030CT通SBL1045CT
低V
F
肖特基势垒整流器器
峰值正向浪涌电流,
安培
图1 - 正向电流降额曲线
平均正向电流
安培
12
10
8
6
4
2
0
负载电阻或电感
图2 - 最大非重复浪涌电流
150
125
100
75
50
25
0
1
2
5
10
20
50
100
8.3ms单半正弦波
( JEDEC的方法)
25
50
75
100
125
150
175
外壳温度,C
循环次数在60Hz
图3 - 典型的反向特性
1000
图4 - 典型正向特性
100
瞬时正向电流( A)
瞬时
反向电流(毫安)
100
10
10
T
J
= 100 C
1.0
T
J
= 75 C
1.0
T
J
= 25 C
0.1
T
J
= 25 C
脉冲宽度300ua
300us
2 %的占空比
0.01
0
20
40
60
80
100
120
140
0.1
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
百分比额定峰值反向电压(伏)
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
正向电压,伏
图5 - 典型结电容
1000
电容(PF )
100
T
J
= 25°C , F = 1MHz的
10
0.1
1
4
10
100
反向电压,伏
BL
特点
银河电子
SBL1030CT - - - SBL10100CT
电压范围:
30
---
100
V
当前位置:
10
A
肖特基势垒整流器
金属半导体结与保护环
外延建设
低正向压降,低开关损耗
高浪涌能力
为了在低电压,高频率逆变器免费
xxxx
续流和极性保护应用
塑料材料进行U / L承认94V - 0
TO-220AB
机械数据
案例: JEDEC TO - 220AB ,注塑
终端:信息每焊
MIL-STD -750 ,方法2026
极性:标示
重量: 0.08盎司, 2.24克
安装位置:任意
最大额定值和电气特性
25评分
环境温度,除非另有规定。
单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。对于容性负载, 20%减免。
SBL
SBL SBL SBL SBL SBL SBL SBL
单位
1030CT 1035CT 1040CT 1045CT 1050CT 1060CT 1080CT10100CT
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大平均FORW ARD整流电流
T
C
=107
山顶FORW ARD浪涌电流
8.3ms单半正弦波-W AVE
叠加在额定负荷牛逼
J
=125
最大瞬时FORW ARD电压
@ 5.0A
最大反向电流
@T
C
=25
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F( AV )
30
21
30
35
25
35
40
28
40
45
32
45
10
50
35
50
60
42
60
80
56
80
100
70
100
V
V
V
A
I
FSM
V
F
I
R
R
θ
JC
T
J
T
英镑
175
A
0.55
0.5
50
3.0
0.70
0.85
V
mA
/W
在额定阻断电压DC @T
C
=100
典型热阻
(Note1)
工作结温范围
存储温度范围
注:1,热阻结到外壳。
-55--- + 150
-55--- + 150
www.galaxycn.com
文档编号0266073
BL
银河电子
1
.
收视率和特性曲线
图1 - 峰值正向浪涌电流
平均正向输出电流,
安培
峰值正向浪涌电流,
SBL1030CT---SBL10100CT
图2 - 前降额曲线
200
175
160
8.3ms单半正弦波
T
J
=125
1
0
8
安培
6
120
4
80
2
40
0
25
50
75
100
125
150
0
1
10
100
循环次数的AT 60H的
Z
温度,
图3 - 典型正向特性
图4 - 典型的反向特性
瞬时正向电流,
安培
瞬时反向电流,
毫安
10
Tc=100
1.0
2
0
0
1
0
0
SBL1030CT-SBL1045CT
SBL1080CT-SBL10100CT
10
SBL1050CT-SBL1060CT
T
C
=25
0.1
T
J
= 2 5
P ü LS东西ID吨H = 3 0 0
1 %D ü吨 乐
s
1
.
2
.
4
.
6
.
8
1.0
1 .
2
1 .
4
1 .
6
1 .
8
2.0
2.2
.01
0
20
40
60
80
100
120
140
百分比额定峰值反向电压
正向电压,伏
www.galaxycn.com
文档编号0266073
BL
银河电子
2.
SPICE模型: SBL1030CT SBL1035CT SBL1040CT SBL1045CT SBL1050CT SBL1060CT
SBL1030CT - SBL1060CT
10A肖特基整流器
特点
·
·
·
·
·
·
·
肖特基芯片
保护环片施工
瞬态保护
低功耗,高效率
高浪涌能力
高电流能力和低正向压降
适用于低电压,高频率逆变器,免费使用
续流和极性保护应用
无铅产品,符合RoHS (注3 )
K
C
D
A
1
2
3
TO-220AB
L
B
M
暗淡
A
B
C
D
E
G
14.48
10.00
2.54
5.90
2.80
12.70
2.40
0.69
3.54
4.07
1.15
0.30
2.04
最大
15.75
10.40
3.43
6.40
3.93
14.27
2.70
0.93
3.78
4.82
1.39
0.50
2.79
机械数据
·
·
·
·
·
·
·
案例: TO- 220AB
外壳材料:模压塑料。防火
分类额定值94V- 0
湿度敏感性:每J- STD- 020C 1级
极性:对人体标示
码头:完成 - 亮锡。每焊
MIL- STD- 202方法208
标记:型号数量
重量:2.24克数(大约)
J
E
G
N
H
J
K
L
M
N
P
H H
PIN 1 +
PIN 2 -
PIN 3 +
+
P
尺寸:mm
最大额定值和电气特性
单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。
对于容性负载,减免电流20 % 。
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均整流输出电流
@ T
C
= 95°C
(注1 )
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
SBL
符号1030CT
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R( RMS )
I
O
I
FSM
V
FM
I
RM
C
j
R
QJC
T
j,
T
英镑
30
21
SBL
1035CT
35
24.5
SBL
1040CT
40
28
SBL
1045CT
45
31.5
SBL
1050CT
50
35
SBL
1060CT
60
42
单位
V
V
A
A
10
175
0.55
0.5
50
450
5.5
-65到+150
0.70
非重复峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加在额定负荷
( JEDEC的方法)
正向电压降
峰值反向电流
在额定阻断电压DC
典型结电容
典型热阻结到外壳
工作和存储温度范围
注意事项:
@ I
F
= 5.0A ,T
C
= 25°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
(注2 )
(注1 )
V
mA
pF
° C / W
°C
1.热阻结到外壳上安装散热片。
2.测得1.0MHz和应用4.0V DC反向电压。
3. RoHS指令修订版2003年2月13日。玻璃和高温焊料豁免应用,看
欧盟指令附件注5和7 。
DS23048牧师4 - 2
1第3
www.diodes.com
SBL1030CT - SBL1060CT
Diodes公司
I
F
,正向电流(A)
20
100
I
(AV)
,平均正向电流( A)
16
SBL1030CT - SBL10450CT
10
12
SBL1050CT - SBL1060CT
8
1.0
4
0
0
50
100
150
T
C
,外壳温度( ° C)
图。 1正向电流降额曲线
300
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
V
F
,正向电压( V)
图。每单元2典型正向特性
4000
8.3ms单半正弦波
JEDEC的方法
I
FSM
,峰值正向浪涌电流( A)
T
j
= 25
°
C
250
C
j
,电容(pF )
200
1000
150
100
50
100
0
1
10
循环次数在60Hz
图。 3最大不重复浪涌电流
I
R
,瞬时反向电流(mA)
10
T
C
= 125
°
C
100
0.1
1.0
10
100
V
R
,反向电压(V)的
图。 4典型结电容每元
1.0
T
C
= 75
°
C
0.1
T
C
= 25
°
C
0.01
0.001
0
40
80
120
1999额定峰值反向电压百分比(% )
图。 5典型的反向特性
DS23048牧师4 - 2
2 3
www.diodes.com
SBL1030CT - SBL1060CT
订购信息
设备
SBL10xxCT*
(注4 )
包装
TO-220AB
航运
50/Tube
* XX =设备类型,例如, SBL1045CT
注意事项:
4.包装信息,请访问我们的网站: http://www.diodes.com/datasheets/ap02008.pdf 。
DS23048牧师4 - 2
3 3
www.diodes.com
SBL1030CT - SBL1060CT
SBL1030CT - SBL1060CT
10A肖特基整流器
特点
·
·
·
·
·
·
·
肖特基芯片
保护环片施工
瞬态保护
低功耗,高效率
高浪涌能力
高电流能力和低正向
电压降
为了在低电压,高频率
逆变器,续流和极性
保护应用
塑料材质:防火
分类额定值94V- 0
TO-220AB
L
B
C
K
D
A
1
2
3
暗淡
M
14.22
9.65
2.54
5.84
12.70
2.29
0.51
3.53
3.56
1.14
0.30
2.03
最大
15.88
10.67
3.43
6.86
6.35
14.73
2.79
1.14
4.09
4.83
1.40
0.64
2.92
A
B
C
D
E
G
E
J
N
G
H
J
K
L
机械数据
·
·
·
·
·
·
案例:模压塑料
终端:每焊镀信息
MIL- STD- 202方法208
极性:对人体标示
标记:型号数量
重量:2.24克数(大约)
安装位置:任意
H H
销1
销2
3脚
P
M
N
P
尺寸:mm
最大额定值和电气特性
单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。
对于容性负载,减免电流20 % 。
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均整流输出电流
@ T
C
= 95°C
(注1 )
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
SBL
符号1030CT
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R( RMS )
I
O
I
FSM
V
FM
I
RM
C
j
R
QJC
T
j,
T
英镑
30
21
SBL
1035CT
35
24.5
SBL
1040CT
40
28
SBL
1045CT
45
31.5
SBL
1050CT
50
35
SBL
1060CT
60
42
单位
V
V
A
A
10
175
0.55
0.5
50
450
5.5
-65到+150
0.70
非重复峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加在额定负荷
( JEDEC的方法)
正向电压降
峰值反向电流
在额定阻断电压DC
典型结电容
典型热阻结到外壳
工作和存储温度范围
@ I
F
= 5.0A ,T
C
= 25°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
(注2 )
(注1 )
V
mA
pF
° C / W
°C
注意事项:
1.热阻结到外壳上安装散热片。
2.测得1.0MHz和应用4.0V DC反向电压。
DS23048版本C - 2
1 2
SBL1030CT - SBL1060CT
16
I
F
,正向电流(A)
20
100
I
(AV)
,平均正向电流( A)
SBL1030CT - SBL10450CT
10
12
SBL1050CT - SBL1060CT
8
1.0
4
0
0
50
100
150
0.1
0.2
T
j
= 25
°
C
脉冲宽度= 300
s
2 %的占空比
0.4
0.6
0.8
T
C
,外壳温度( ° C)
图。 1正向电流降额曲线
I
FSM
,峰值正向浪涌电流( A)
300
250
200
150
C
j
,电容(pF )
8.3ms单半正弦波
JEDEC的方法
V
F
,正向电压( V)
图。每单元2典型正向特性
4000
T
j
= 25
°
C
1000
100
50
0
100
1
10
循环次数在60Hz
图。 3最大不重复浪涌电流
I
R
,瞬时反向电流(mA)
10
100
0.1
1.0
10
100
V
R
,反向电压(V)的
图。 4典型结电容每元
T
C
= 125
°
C
1.0
T
C
= 75
°
C
0.1
T
C
= 25
°
C
0.01
0.001
0
40
80
120
1999额定峰值反向电压百分比(% )
图。 5典型的反向特性
DS23048版本C - 2
2 2
SBL1030CT - SBL1060CT
SBL1030CT通SBL1045CT
低V
F
肖特基势垒整流器器
尺寸TO- 220AB
A
C( TAB )
A
C
A
C
A
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
M
N
Q
R
A =阳极,C =阴极, TAB =阴极
V
RRM
V
30
35
40
45
V
RMS
V
21
24.5
28
31.5
V
DC
V
30
35
40
45
SBL1030CT
SBL1035CT
SBL1040CT
SBL1045CT
英寸
分钟。
马克斯。
0.500 0.550
0.580 0.630
0.390 0.420
0.139 0.161
0.230 0.270
0.100 0.125
0.045 0.065
0.110 0.230
0.025 0.040
0.100
BSC
0.170 0.190
0.045 0.055
0.014 0.022
0.090 0.110
横行
分钟。
马克斯。
12.70 13.97
14.73 16.00
9.91 10.66
3.54
4.08
5.85
6.85
2.54
3.18
1.15
1.65
2.79
5.84
0.64
1.01
2.54
BSC
4.32
4.82
1.14
1.39
0.35
0.56
2.29
2.79
符号
I
(AV)
I
FSM
V
F
I
R
C
J
R
OJC
T
J
T
英镑
特征
最大正向平均整流电流
@T
C
=95
o
C
最大额定值
10
125
0.55
@T
J
=25
o
C
@T
J
=100
o
C
0.5
50
250
3.0
-55到+125
-55到+150
单位
A
A
V
mA
pF
o
峰值正向浪涌电流8.3ms单半正弦波
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
最大正向电压在5.0A DC (注1 )
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
每个元素典型结电容(注2 )
典型热阻(注3 )
工作温度范围
存储温度范围
C / W
o
o
C
C
注:1. 300US脉冲宽度, 2 %的占空比。
2.测得1.0MHz和应用4.0V DC反向电压。
3.热阻结到外壳。
特点
*硅整流器的金属,多数载流子conducton
*保护环的瞬态保护
*低功耗,高效率
*高电流能力,低V
F
*高浪涌能力
*对于使用低电压,高频率逆变器,
whelling ,和极性保护应用
机械数据
*案例: TO- 220AB模压塑料
*极性:标明阀体上
*重量0.08盎司, 2.24克
*安装位置:任意
SBL1030CT通SBL1045CT
低V
F
肖特基势垒整流器器
峰值正向浪涌电流,
安培
图1 - 正向电流降额曲线
平均正向电流
安培
12
10
8
6
4
2
0
负载电阻或电感
图2 - 最大非重复浪涌电流
150
125
100
75
50
25
0
1
2
5
10
20
50
100
8.3ms单半正弦波
( JEDEC的方法)
25
50
75
100
125
150
175
外壳温度,C
循环次数在60Hz
图3 - 典型的反向特性
1000
图4 - 典型正向特性
100
瞬时正向电流( A)
瞬时
反向电流(毫安)
100
10
10
T
J
= 100 C
1.0
T
J
= 75 C
1.0
T
J
= 25 C
0.1
T
J
= 25 C
脉冲宽度300ua
300us
2 %的占空比
0.01
0
20
40
60
80
100
120
140
0.1
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
百分比额定峰值反向电压(伏)
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
正向电压,伏
图5 - 典型结电容
1000
电容(PF )
100
T
J
= 25°C , F = 1MHz的
10
0.1
1
4
10
100
反向电压,伏
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