SBG2030CT - SBG2045CT
20A表面贴装肖特基整流器
特点
·
·
·
·
·
·
·
·
肖特基芯片
保护环片施工
瞬态保护
低功耗，高效率
高浪涌能力
高电流能力和低正向
电压降
浪涌过载额定值到225A峰值
为了在低电压，高频率
逆变器，续流和极性
保护应用
塑料材质：防火
分类额定值94V- 0
E
A
4
D
2
PAK
G
H
J
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
民
9.65
14.60
0.51
2.29
4.37
1.14
1.14
8.25
0.30
2.03
2.29
最大
10.69
15.88
1.14
2.79
4.83
1.40
1.40
9.25
0.64
2.92
2.79
B
1
2
3
M
机械数据
·
·
·
·
·
·
案例：D
2
PAK模压塑料
码头：每MIL -STD- 202焊接的，
方法208
极性：见图
标记：型号数量
重量：2.7克数（大约）
安装位置：任意
D
C
销1
3脚
K
L
PIN 2 & 4
J
K
L
M
尺寸：mm
最大额定值和电气特性
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均整流输出电流
@ T
C
= 105°C
非重复峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加在额定负荷
（ JEDEC的方法）
正向电压，每个元件
峰值反向电流
在额定阻断电压DC
典型结电容（注2 ）
典型热阻结到外壳（注1 ）
工作和存储温度范围
@ I
F
= 10A
@ T
j
= 25°C
@ T
j
= 100°C
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R（ RMS ）
I
O
I
FSM
V
FM
I
RM
C
j
R
QJC
T
j,
T
英镑
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
SBG
2030CT
30
21
SBG
2035CT
35
25
20
225
0.55
1.0
50
650
2.0
SBG
2040CT
40
28
SBG
2045CT
45
32
单位
V
V
A
A
V
mA
pF
K / W
°C
-65到+125
注意事项：
1.热阻：结到外壳上安装散热片。
2.测得1.0MHz和应用4.0V DC反向电压。
DS30091修订版B- 2
1 2
SBG2030CT - SBG2045CT
LITE -ON
半导体
SBG2030CT通2045CT
反向电压
- 30
to
45
伏
正向电流
- 20
安培
肖特基势垒整流器器
特点
硅整流器的金属，多数载流子conducton
保护环的瞬态保护
低功耗，高效率
高电流能力，低VF
高浪涌能力
塑料包装已UL可燃性分类94V- 0
适用于低电压，高频率逆变器，免费使用
whelling ，和极性保护应用
D
2
PAK
K
A
K
I
D
B
F
C
1
K
2
DIM 。
A
B
C
D
E
F
D
2
PAK
分钟。
9.65
14.60
8.25
1.14
0.51
2.29
2.29
马克斯。
10.69
15.88
9.25
1.40
1.14
2.79
2.79
机械数据
案例：D PAK模压塑料
2
极性：标明阀体上
重量0.06盎司， 1.7克
销1
销2
G
E
J
H
K
散热器
2.92
2.03
1.14
1.40
I
J
0.30
0.64
K
4.37
4.83
在毫米波所有尺寸
G
H
最大额定值和电气特性
25评分
℃
环境温度，除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％
特征
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均
整流电流（参见图1 ）
符号
SBG2030CT
30
21
30
SBG2035CT
35
24.5
35
20
225
SBG2040CT
40
28
40
SBG2045CT
45
31.5
45
单位
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
（AV）
@T
C
=
105 C
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
最大正向电压
在10A DC （注1 ）
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
典型结电容
每个元素（注2 ）
典型热阻（注3 ）
工作温度范围
存储温度范围
I
FSM
V
F
A
0.55
1.0
50
350
2.0
-55到+125
-55到+150
V
mA
pF
C / W
@T
J
=25 C
@T
J
=100 C
I
R
C
J
R
0JC
T
J
T
英镑
C
C
REV 。 2 ， 01日-12月2000 ， KTHB08
注： 1。 300US脉宽， 2 ％的占空比。
2.测得1.0MHz和应用4.0V DC反向电压。
3.典型热阻结到管壳。
额定值和特性曲线
SBG2030CT通SBG2045CT
平均正向电流
安培
30
峰值正向浪涌电流，
安培
图1 - 正向电流降额曲线
图2 - 最大非重复浪涌电流
300
250
200
150
100
50
0
1
2
5
10
20
50
100
8.3ms单半正弦波
（ JEDEC的方法）
20
10
负载电阻或电感
0
25
50
75
100
125
150
175
外壳温度，C
循环次数在60Hz
图3 - 典型的反向特性
1000
图4 - 典型正向特性
100
瞬时正向电流（ A）
瞬时
反向电流（毫安）
100
T
J
= 100 C
10
T
J
= 25 C
10
T
J
= 75 C
1.0
1.0
0.1
T
J
= 25 C
脉宽300US
2 ％的占空比
0.01
0
20
40
60
80
100
120
140
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
额定峰值反向电压的百分比（ ％ ）
正向电压，伏
图5 - 典型结电容
10000
电容（PF ）
1000
T
J
= 25°C ， F = 1MHz的
100
0.1
1
4
10
100
反向电压，伏
REV 。 2 ， 01日-12月2000 ， KTHB08
SPICE模型： SBG2030CT SBG2035CT SBG2040CT SBG2045CT
SBG2030CT - SBG2045CT
20A表面贴装肖特基整流器
特点
·
·
·
·
·
·
·
·
肖特基芯片
保护环片施工瞬态保护
低功耗，高效率
高浪涌能力
高电流能力和低正向压降
浪涌过载额定值到225A峰值
适用于低电压，高频率逆变器，免费使用
续流和极性保护应用
无铅涂层/符合RoHS （注3 ）
E
A
4
D
2
PAK
G
H
J
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
民
9.65
14.60
0.51
2.29
4.37
1.14
1.14
8.25
0.30
2.03
2.29
最大
10.69
15.88
1.14
2.79
4.83
1.40
1.40
9.25
0.64
2.92
2.79
B
机械数据
·
·
·
·
·
·
·
·
·
案例：
D
2
PAK
外壳材料：模压塑料。防火
分类额定值94V- 0
湿度敏感性：每J- STD- 020C 1级
码头：完成 - 亮锡。每焊
MIL- STD- 202方法208
订购信息， 2页
极性：见图
标记：型号数量
安装位置：任意
重量： 1.7克（近似值）
1
2
3
M
D
C
销1
3脚
K
L
PIN 2 & 4
J
K
L
M
尺寸：mm
最大额定值和电气特性
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均整流输出电流
@ T
C
= 105°C
非重复峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加在额定负荷
（ JEDEC的方法）
正向电压，每个元件
峰值反向电流
在额定阻断电压DC
典型结电容（注2 ）
典型热阻结到外壳（注1 ）
工作和存储温度范围
注意事项：
1.
2.
3.
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R（ RMS ）
I
O
I
FSM
V
FM
I
RM
C
j
R
QJC
T
j,
T
英镑
SBG
2030CT
30
21
SBG
2035CT
35
25
20
225
0.55
1.0
50
650
2.0
SBG
2040CT
40
28
SBG
2045CT
45
32
单位
V
V
A
A
V
mA
pF
K / W
°C
@ I
F
= 10A
@ T
j
= 25°C
@ T
j
= 100°C
-65到+150
热阻：结到外壳上安装散热片。
测得1.0MHz和应用4.0V DC反向电压。
RoHS指令修订版2003年2月13日。玻璃和高温焊料豁免应用，看
欧盟指令附件注5和7 。
DS30091启5 - 2
1第3
www.diodes.com
SBG2030CT - SBG2045CT
Diodes公司
20
I
F
，正向电流（A）
25
100
I
O
，平均整流电流（ A）
T
j
= 25
°
C
10
15
10
1.0
5
0
0
50
100
150
T
C
，外壳温度（
°
C)
图。 1正向电流降额曲线
300
0.1
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
V
F
，正向电压（ V）
图。 2典型正向特性
10000
I
FSM
，峰值正向浪涌电流（ A）
T
j
= 25
°
C
F = 1.0MHz的
200
150
C
j
，结电容（pF ）
250
1000
100
50
0
1
10
循环次数在60Hz
图。 3最大不重复浪涌电流
100
100
0.1
1.0
10
100
V
R
，反向电压（V）的
图。 4典型结电容
订购信息
设备
（注4 ）
包装
D
2
PAK
D
2
PAK
D
2
PAK
D
2
PAK
航运
800 /磁带&卷轴， 13英寸
800 /磁带&卷轴， 13英寸
800 /磁带&卷轴， 13英寸
800 /磁带&卷轴， 13英寸
SBG2030CT-T-F
SBG2035CT-T-F
SBG2040CT-T-F
SBG2045CT-T-F
注意事项：
4.包装信息，请访问我们的网站： http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
DS30091启5 - 2
2 3
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SBG2030CT - SBG2045CT
重要通知
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生命支持
坐落在我们的网站产品
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3 3
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SBG2030CT - SBG2045CT
LITE -ON
半导体
SBG2030CT通2045CT
反向电压
- 30
to
45
伏
正向电流
- 20
安培
肖特基势垒整流器器
特点
硅整流器的金属，多数载流子conducton
保护环的瞬态保护
低功耗，高效率
高电流能力，低VF
高浪涌能力
塑料包装已UL可燃性分类94V- 0
适用于低电压，高频率逆变器，免费使用
whelling ，和极性保护应用
D
2
PAK
K
A
K
I
D
B
F
C
1
K
2
DIM 。
A
B
C
D
E
F
D
2
PAK
分钟。
9.65
14.60
8.25
1.14
0.51
2.29
2.29
马克斯。
10.69
15.88
9.25
1.40
1.14
2.79
2.79
机械数据
案例：D PAK模压塑料
2
极性：标明阀体上
重量0.06盎司， 1.7克
销1
销2
G
E
J
H
K
散热器
2.92
2.03
1.14
1.40
I
J
0.30
0.64
K
4.37
4.83
在毫米波所有尺寸
G
H
最大额定值和电气特性
25评分
℃
环境温度，除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％
特征
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均
整流电流（参见图1 ）
符号
SBG2030CT
30
21
30
SBG2035CT
35
24.5
35
20
225
SBG2040CT
40
28
40
SBG2045CT
45
31.5
45
单位
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
（AV）
@T
C
=
105 C
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
最大正向电压
在10A DC （注1 ）
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
典型结电容
每个元素（注2 ）
典型热阻（注3 ）
工作温度范围
存储温度范围
I
FSM
V
F
A
0.55
1.0
50
350
2.0
-55到+125
-55到+150
V
mA
pF
C / W
@T
J
=25 C
@T
J
=100 C
I
R
C
J
R
0JC
T
J
T
英镑
C
C
REV 。 2 ， 01日-12月2000 ， KTHB08
注： 1。 300US脉宽， 2 ％的占空比。
2.测得1.0MHz和应用4.0V DC反向电压。
3.典型热阻结到管壳。
额定值和特性曲线
SBG2030CT通SBG2045CT
平均正向电流
安培
30
峰值正向浪涌电流，
安培
图1 - 正向电流降额曲线
图2 - 最大非重复浪涌电流
300
250
200
150
100
50
0
1
2
5
10
20
50
100
8.3ms单半正弦波
（ JEDEC的方法）
20
10
负载电阻或电感
0
25
50
75
100
125
150
175
外壳温度，C
循环次数在60Hz
图3 - 典型的反向特性
1000
图4 - 典型正向特性
100
瞬时正向电流（ A）
瞬时
反向电流（毫安）
100
T
J
= 100 C
10
T
J
= 25 C
10
T
J
= 75 C
1.0
1.0
0.1
T
J
= 25 C
脉宽300US
2 ％的占空比
0.01
0
20
40
60
80
100
120
140
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
额定峰值反向电压的百分比（ ％ ）
正向电压，伏
图5 - 典型结电容
10000
电容（PF ）
1000
T
J
= 25°C ， F = 1MHz的
100
0.1
1
4
10
100
反向电压，伏
REV 。 2 ， 01日-12月2000 ， KTHB08
QQ：2881677436 复制
