产品说明
Sirenza的Microdevices的SBF - 5089是一款高性能的InGaP /
砷化镓异质结双极晶体管MMIC放大器。一
达林顿配置设计过程的InGaP
技术提供宽带性能高达0.5 GHz的
具有优良的热性能比较。异质结
增加了击穿电压和最小漏电流
路口之间。的发射结不取消
非线性导致更高的抑制互调
产品。只有一个正电源电压，直流阻断
电容器，一个偏置电阻，和一个可选的RF扼流圈是
所需的操作。
在Sirenza的无铅封装的雾锡涂层采用了
后退火处理，以减轻锡须的形成和
符合RoHS每欧盟指令2002/95标准。这个包是
还制造了绿色塑封料的
含有三氧化锑的无卤化，也没有阻燃剂。
摹艾因& ETU RN 1。· SS V S F REQ ü EN CY + 25℃
25
22 .5
20
17 .5
15
12 .5
10
7 .5
5
0
10 0
20 0
3 00
4 00
50 0
60 0
7 00
80 0
90 0
S2 1
S1 1
S2 2
SBF-5089
SBF-5089Z
Pb
符合RoHS
＆放大器;
绿色
包
DC - 500兆赫，可级联
的InGaP /砷化镓HBT MMIC放大器
产品特点
可以在无铅，符合RoHS标准，
&绿色包装
IP3 = 41dBm @ 240MHz的
稳定增益过温
强大的1000V的ESD ， 1C类
工作在单电源
低热阻
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-40
IRL ，ORL （ dB）的
增益（ dB）的
应用
接收器IF应用
蜂窝， PCS ， GSM ， UMTS
中频放大器
无线数据，卫星终端
ü尼特
dB
频率
70兆赫
240兆赫
500兆赫
70兆赫
240兆赫
400兆赫
70兆赫
240兆赫
400兆赫
500兆赫
500兆赫
500兆赫
4.5
82
分钟。
18.5
18.0
典型值。
20.5
20.0
19.5
21
21
20.7
39.0
41.0
39.5
18
16
2.8
4.9
90
43
3.8
5.3
98
马克斯。
21.5
21.0
f重新Q ü简 （M赫兹）
符号
G
参数
小思gnal盖
P
1dB
输出1分贝 ompressi电力
分贝米
19.2
OIP
3
IRL
ORL
NF
V
D
I
D
R
TH
J-升
输出氏三阶截POI NT
输入回波损耗
输出回波损耗
降噪器连接gure
EVI CE操作，实际电压NG
EVI CE操作，实际纳克光凭目前
热RESI立场（ juncti的领导）
V
S
= 8 V
R
BIAS
= 33欧姆
I
D
= 90毫安典型。
T
L
= 25C
分贝米
dB
dB
dB
V
mA
° C / W
37.5
14
12
测试条件：
OIP
3
音间距= 1 MHz时，每个音噘= 0 dBm的
Z
S
= Z
L
= 50欧姆，
应用电路第4页
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。 Sirenza的Microdevices公司承担不准确或遗漏不承担任何责任。 Sirenza的Microdevices公司对使用不承担任何责任
这些信息，所有此类信息应完全由用户??自己的风险。价格和规格如有变更，恕不另行通知。本文描述的任何专利权或许可给任何电路都
暗示或向任何第三方授予的。 Sirenza的Microdevices公司不授权或担保任何Sirenza的Microdevices公司的产品用于生命支持设备和/或系统。版权
2004年Sirenza的Microdevices公司，公司。保留所有权利世界各地。
303南方科技法庭，布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
1
http://www.sirenza.com
EDS - 103413版本C
初步
SBF - 5089 DC- 500 MHz的级联MMIC放大器
在重点工作频率典型RF性能
频率（MHz）
频率（MHz）
符号
参数
单位
70
100
240
400
500
850
G
OIP
3
P
1dB
IRL
ORL
S
12
NF
小信号增益
输出三阶截点
在1dB压缩输出功率
输入回波损耗
输出回波损耗
反向隔离
噪声系数
V= 8 V
V
SS
=8 V
R
BIAS
39欧姆
R
BIAS
== 33欧姆
L
dB
分贝米
分贝米
dB
dB
dB
dB
20.5
39
21.0
19.4
17.2
25.2
2.7
S
20.4
39
21.0
19.9
15.8
22.4
2.8
L
20.1
41
21.0
20.1
18.6
22.3
2.7
19.8
39.5
20.7
20.9
24.0
22.3
2.8
19.5
39
20.8
22.0
37.5
22.3
2.8
18.2
34
18.6
26.8
15.5
22.4
2.8
测试条件：
测试条件：
I
80毫安典型。
I
DD
== 90毫安典型。
= 25C
TT
L
= 25C
OIP音调间隔
兆赫，每个音0 dBm的噘
OIP
3 3
ToneSpacing == 11MHz ，每个音== 0 dBm的噘
ZZ
S
=Z
L
=使用应用电路50欧姆见第4页
= Z = 50欧姆
绝对最大额定值
P1dB为VS温度
21.5
输出功率（dBm ）
21
20.5
20
19.5
19
18.5
18
17.5
50
150
250
350 450 550
频率（MHz）
650
750
850
+25c
-40c
+85c
参数
马克斯。
器件的电流
(I
D
)
马克斯。
设备
电压（V
D
)
马克斯。
RF输入功率
最大工作耗散
动力
马克斯。
结温
. (T
J
)
工作温度
。范围（T
L
)
绝对限制
1
50
mA
6V
+19 dBm的
0.8 W
+150°C
-40 ° C至+ 85°C
+150°C
马克斯。
储存温度
.
此设备的运行超出了这些限制任何人不得
会造成永久性的损害。对于连续可靠运行，
器件电压和电流必须不超过最大
第一页上表中规定的工作值。
偏置条件也应满足下面的表达式：
T
L
=T
领导
I
D
V
D
< （T
J
- T
L
) / R
TH
J-升
TOIP VS温度
43
41
39
37
35
33
31
29
27
25
50
150
250
350
450
550
650
750
850
+25c
-40c
+85c
噪声系数VS温度
5
4.5
4
3.5
TOIP （ dB）的
NF（ dB）的
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
50
150
250
350
450
550
650
750
850
+25c
-40c
+85c
频率（MHz）
频率（MHz）
303南方科技法庭，布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
2
http://www.sirenza.com
EDS - 103413版本C
初步
SBF - 5089 DC- 500 MHz的级联MMIC放大器
测试条件： VS = 8V ， R-偏压= 33ohm ，ID = 90毫安，温度= + 25℃
|S
11
|与频率
-10
-12
-14
-16
+25c
-40c
+85c
|S
21
|与频率
22
21.5
21
20.5
+25c
-40c
+85c
S11（ dB）的
-20
-22
-24
-26
-28
-30
50
150
250
350
450
550
650
750
850
S21 （ dB）的
-18
20
19.5
19
18.5
18
17.5
17
50
150
250
350
450
550
650
750
850
频率（MHz）
频率（MHz）
|S
12
|与频率
-20
-20.5
-21
-21.5
+25c
-40c
+85c
|S
22
|与频率
-10
-12
-14
-16
+25c
-40c
+85c
S12 （ dB）的
S22 （ dB）的
-22
-22.5
-23
-23.5
-24
-24.5
-25
50
150
250
350
450
550
650
750
850
-18
-20
-22
-24
-26
-28
-30
50
150
250
350
450
550
650
750
850
频率（MHz）
频率（MHz）
偏置扫描与温度的关系
100
+25c
-40c
+85c
注：输出回波损耗可
在频带的低端与L1的改进
选择，请参阅第4页的应用电路。
80
电流（mA ）
60
40
20
0
0
2
4
源极电压
6
8
303南方科技法庭，布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
3
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EDS - 103413版本C
初步
SBF - 5089 DC- 500 MHz的级联MMIC放大器
基本应用电路
R
BIAS
1 uF的
1000
pF
应用电路元件值
指南
esignator
频率（ MHz）的
70
100
240
500
850
V
S
C
D
C
B
1uF
1 uF的
6.8uH
6.8nH
1000 pF的
100 pF的
1.2 uH容
6.8nH
1000 pF的
100 pF的
1.2uH
6.8nH
220 pF的
100 pF的
68 nH的
6.8nH
100pF
68 pF的
33 nH的
6.8nH
L
C
RF OUT
L1
C
B
C
D
L
C
L1
在RF
C
B
4
1
SBF-5089
3
2
推荐偏置电阻值我
D
=90mA
R
BIAS
=( V
S
-V
D
) / I
D
电源电压（V
S
)
R
BIAS
7.5 V
27
8V
33
10 V
55
12 V
77
注释：R
BIAS
提供直流偏压温度稳定性。
RBIAS
CD
安装说明
1.注：对于宽带RF无条件稳定性不
把接地过孔在背面裸露接地焊盘。
CB
LC
CB
L1
2.焊铜垫的背面
器件封装到接地平面。
3.使用带镀很多大接地焊盘面积
通孔，如图所示。
4.我们推荐1或2盎司铜。测量
此数据表上的31密耳厚的FR -4制作
板两侧1盎司铜。
针＃
功能
在RF
描述
射频输入引脚。该引脚需要使用
外部DC阻塞电容器的
选择用于操作的频率。
连接到地。通孔用
为了获得最佳性能，以减少铅
电感接近地面会导致如
可能。
一部分标识标记
4
4
1
BF5
1
2
3
1
2
3
1
BF5Z
2
3
2
2, 4
GND
锡 - 铅
无铅
注意： ESD敏感
在搬运，包装适当的预防措施
和测试设备必须得到遵守。
3
3
RF OUT / RF输出和偏置引脚。直流电压是
BIAS
目前该引脚上，因此DC
阻塞电容器是必要的
正确的操作。
产品型号订购信息
部分N赭
SBF-5089
SBF-5089Z
鳗鱼SIZ ê
7"
7"
evices / R鳗鱼
1000
1000
303南方科技法庭，布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
4
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EDS - 103413版本C
初步
SBF - 5089 DC- 500 MHz的级联MMIC放大器
PCB焊盘布局
尺寸以英寸[毫米]
0.3255 [8.27]
注：对于宽带RF
无条件稳定性不
把孔下暴露GND
0.0750 [1.91] (2X)
0.0640 [1.63] (2X)
0.0540 [1.37] (2X)
0.0250 [0.64] (2X)
0.0775 [1.97]
0.0750 [1.91]
0.2560 [6.50]
输入/输出TRACE
CENTERLINE
0.0899 [2.28]
0.0449 [1.14]
0.0506 [1.29]
0.0800 [2.03]
0.0270 [0.69]
0.0600 [1.52]
0.0450 [1.14]
0.0420 [1.07]
0.0200 [ 0.51 ] GND通过9X
0.0540 [1.37]
设备
CENTERLINE
请参阅应用笔记AN- 075
对于封装外形图
303南方科技法庭，布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
5
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EDS - 103413版本C
产品说明
Sirenza的Microdevices的SBF - 5089是一款高性能的InGaP /
砷化镓异质结双极晶体管MMIC放大器。一
达林顿配置设计过程的InGaP
技术提供宽带性能高达0.5 GHz的
具有优良的热性能比较。异质结
增加了击穿电压和最小漏电流
路口之间。的发射结不取消
非线性导致更高的抑制互调
产品。只有一个正电源电压，直流阻断
电容器，一个偏置电阻，和一个可选的RF扼流圈是
所需的操作。
在Sirenza的无铅封装的雾锡涂层采用了
后退火处理，以减轻锡须的形成和
符合RoHS每欧盟指令2002/95标准。这个包是
还制造了绿色塑封料的
含有三氧化锑的无卤化，也没有阻燃剂。
摹艾因& ETU RN 1。· SS V S F REQ ü EN CY + 25℃
25
22 .5
20
17 .5
15
12 .5
10
7 .5
5
0
10 0
20 0
3 00
4 00
50 0
60 0
7 00
80 0
90 0
S2 1
S1 1
S2 2
SBF-5089
SBF-5089Z
Pb
符合RoHS
＆放大器;
绿色
包
DC - 500兆赫，可级联
的InGaP /砷化镓HBT MMIC放大器
产品特点
可以在无铅，符合RoHS标准，
&绿色包装
IP3 = 41dBm @ 240MHz的
稳定增益过温
强大的1000V的ESD ， 1C类
工作在单电源
低热阻
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-40
IRL ，ORL （ dB）的
增益（ dB）的
应用
接收器IF应用
蜂窝， PCS ， GSM ， UMTS
中频放大器
无线数据，卫星终端
ü尼特
dB
频率
70兆赫
240兆赫
500兆赫
70兆赫
240兆赫
400兆赫
70兆赫
240兆赫
400兆赫
500兆赫
500兆赫
500兆赫
4.5
82
分钟。
18.5
18.0
典型值。
20.5
20.0
19.5
21
21
20.7
39.0
41.0
39.5
18
16
2.8
4.9
90
43
3.8
5.3
98
马克斯。
21.5
21.0
f重新Q ü简 （M赫兹）
符号
G
参数
小思gnal盖
P
1dB
输出1分贝 ompressi电力
分贝米
19.2
OIP
3
IRL
ORL
NF
V
D
I
D
R
TH
J-升
输出氏三阶截POI NT
输入回波损耗
输出回波损耗
降噪器连接gure
EVI CE操作，实际电压NG
EVI CE操作，实际纳克光凭目前
热RESI立场（ juncti的领导）
V
S
= 8 V
R
BIAS
= 33欧姆
I
D
= 90毫安典型。
T
L
= 25C
分贝米
dB
dB
dB
V
mA
° C / W
37.5
14
12
测试条件：
OIP
3
音间距= 1 MHz时，每个音噘= 0 dBm的
Z
S
= Z
L
= 50欧姆，
应用电路第4页
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。 Sirenza的Microdevices公司承担不准确或遗漏不承担任何责任。 Sirenza的Microdevices公司对使用不承担任何责任
这些信息，所有此类信息应完全由用户??自己的风险。价格和规格如有变更，恕不另行通知。本文描述的任何专利权或许可给任何电路都
暗示或向任何第三方授予的。 Sirenza的Microdevices公司不授权或担保任何Sirenza的Microdevices公司的产品用于生命支持设备和/或系统。版权
2004年Sirenza的Microdevices公司，公司。保留所有权利世界各地。
303南方科技法庭，布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
1
http://www.sirenza.com
EDS - 103413版本C
初步
SBF - 5089 DC- 500 MHz的级联MMIC放大器
在重点工作频率典型RF性能
频率（MHz）
频率（MHz）
符号
参数
单位
70
100
240
400
500
850
G
OIP
3
P
1dB
IRL
ORL
S
12
NF
小信号增益
输出三阶截点
在1dB压缩输出功率
输入回波损耗
输出回波损耗
反向隔离
噪声系数
V= 8 V
V
SS
=8 V
R
BIAS
39欧姆
R
BIAS
== 33欧姆
L
dB
分贝米
分贝米
dB
dB
dB
dB
20.5
39
21.0
19.4
17.2
25.2
2.7
S
20.4
39
21.0
19.9
15.8
22.4
2.8
L
20.1
41
21.0
20.1
18.6
22.3
2.7
19.8
39.5
20.7
20.9
24.0
22.3
2.8
19.5
39
20.8
22.0
37.5
22.3
2.8
18.2
34
18.6
26.8
15.5
22.4
2.8
测试条件：
测试条件：
I
80毫安典型。
I
DD
== 90毫安典型。
= 25C
TT
L
= 25C
OIP音调间隔
兆赫，每个音0 dBm的噘
OIP
3 3
ToneSpacing == 11MHz ，每个音== 0 dBm的噘
ZZ
S
=Z
L
=使用应用电路50欧姆见第4页
= Z = 50欧姆
绝对最大额定值
P1dB为VS温度
21.5
输出功率（dBm ）
21
20.5
20
19.5
19
18.5
18
17.5
50
150
250
350 450 550
频率（MHz）
650
750
850
+25c
-40c
+85c
参数
马克斯。
器件的电流
(I
D
)
马克斯。
设备
电压（V
D
)
马克斯。
RF输入功率
最大工作耗散
动力
马克斯。
结温
. (T
J
)
工作温度
。范围（T
L
)
绝对限制
1
50
mA
6V
+19 dBm的
0.8 W
+150°C
-40 ° C至+ 85°C
+150°C
马克斯。
储存温度
.
此设备的运行超出了这些限制任何人不得
会造成永久性的损害。对于连续可靠运行，
器件电压和电流必须不超过最大
第一页上表中规定的工作值。
偏置条件也应满足下面的表达式：
T
L
=T
领导
I
D
V
D
< （T
J
- T
L
) / R
TH
J-升
TOIP VS温度
43
41
39
37
35
33
31
29
27
25
50
150
250
350
450
550
650
750
850
+25c
-40c
+85c
噪声系数VS温度
5
4.5
4
3.5
TOIP （ dB）的
NF（ dB）的
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
50
150
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650
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850
+25c
-40c
+85c
频率（MHz）
频率（MHz）
303南方科技法庭，布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
2
http://www.sirenza.com
EDS - 103413版本C
初步
SBF - 5089 DC- 500 MHz的级联MMIC放大器
测试条件： VS = 8V ， R-偏压= 33ohm ，ID = 90毫安，温度= + 25℃
|S
11
|与频率
-10
-12
-14
-16
+25c
-40c
+85c
|S
21
|与频率
22
21.5
21
20.5
+25c
-40c
+85c
S11（ dB）的
-20
-22
-24
-26
-28
-30
50
150
250
350
450
550
650
750
850
S21 （ dB）的
-18
20
19.5
19
18.5
18
17.5
17
50
150
250
350
450
550
650
750
850
频率（MHz）
频率（MHz）
|S
12
|与频率
-20
-20.5
-21
-21.5
+25c
-40c
+85c
|S
22
|与频率
-10
-12
-14
-16
+25c
-40c
+85c
S12 （ dB）的
S22 （ dB）的
-22
-22.5
-23
-23.5
-24
-24.5
-25
50
150
250
350
450
550
650
750
850
-18
-20
-22
-24
-26
-28
-30
50
150
250
350
450
550
650
750
850
频率（MHz）
频率（MHz）
偏置扫描与温度的关系
100
+25c
-40c
+85c
注：输出回波损耗可
在频带的低端与L1的改进
选择，请参阅第4页的应用电路。
80
电流（mA ）
60
40
20
0
0
2
4
源极电压
6
8
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电话： （ 800 ） SMI- MMIC
3
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初步
SBF - 5089 DC- 500 MHz的级联MMIC放大器
基本应用电路
R
BIAS
1 uF的
1000
pF
应用电路元件值
指南
esignator
频率（ MHz）的
70
100
240
500
850
V
S
C
D
C
B
1uF
1 uF的
6.8uH
6.8nH
1000 pF的
100 pF的
1.2 uH容
6.8nH
1000 pF的
100 pF的
1.2uH
6.8nH
220 pF的
100 pF的
68 nH的
6.8nH
100pF
68 pF的
33 nH的
6.8nH
L
C
RF OUT
L1
C
B
C
D
L
C
L1
在RF
C
B
4
1
SBF-5089
3
2
推荐偏置电阻值我
D
=90mA
R
BIAS
=( V
S
-V
D
) / I
D
电源电压（V
S
)
R
BIAS
7.5 V
27
8V
33
10 V
55
12 V
77
注释：R
BIAS
提供直流偏压温度稳定性。
RBIAS
CD
安装说明
1.注：对于宽带RF无条件稳定性不
把接地过孔在背面裸露接地焊盘。
CB
LC
CB
L1
2.焊铜垫的背面
器件封装到接地平面。
3.使用带镀很多大接地焊盘面积
通孔，如图所示。
4.我们推荐1或2盎司铜。测量
此数据表上的31密耳厚的FR -4制作
板两侧1盎司铜。
针＃
功能
在RF
描述
射频输入引脚。该引脚需要使用
外部DC阻塞电容器的
选择用于操作的频率。
连接到地。通孔用
为了获得最佳性能，以减少铅
电感接近地面会导致如
可能。
一部分标识标记
4
4
1
BF5
1
2
3
1
2
3
1
BF5Z
2
3
2
2, 4
GND
锡 - 铅
无铅
注意： ESD敏感
在搬运，包装适当的预防措施
和测试设备必须得到遵守。
3
3
RF OUT / RF输出和偏置引脚。直流电压是
BIAS
目前该引脚上，因此DC
阻塞电容器是必要的
正确的操作。
产品型号订购信息
部分N赭
SBF-5089
SBF-5089Z
鳗鱼SIZ ê
7"
7"
evices / R鳗鱼
1000
1000
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4
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初步
SBF - 5089 DC- 500 MHz的级联MMIC放大器
PCB焊盘布局
尺寸以英寸[毫米]
0.3255 [8.27]
注：对于宽带RF
无条件稳定性不
把孔下暴露GND
0.0750 [1.91] (2X)
0.0640 [1.63] (2X)
0.0540 [1.37] (2X)
0.0250 [0.64] (2X)
0.0775 [1.97]
0.0750 [1.91]
0.2560 [6.50]
输入/输出TRACE
CENTERLINE
0.0899 [2.28]
0.0449 [1.14]
0.0506 [1.29]
0.0800 [2.03]
0.0270 [0.69]
0.0600 [1.52]
0.0450 [1.14]
0.0420 [1.07]
0.0200 [ 0.51 ] GND通过9X
0.0540 [1.37]
设备
CENTERLINE
请参阅应用笔记AN- 075
对于封装外形图
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产品说明
Sirenza的Microdevices的SBF - 5089是一款高性能的InGaP /
砷化镓异质结双极晶体管MMIC放大器。一
达林顿配置设计过程的InGaP
技术提供宽带性能高达0.5 GHz的
具有优良的热性能比较。异质结
增加了击穿电压和最小漏电流
路口之间。的发射结不取消
非线性导致更高的抑制互调
产品。只有一个正电源电压，直流阻断
电容器，一个偏置电阻，和一个可选的RF扼流圈是
所需的操作。
在Sirenza的无铅封装的雾锡涂层采用了
后退火处理，以减轻锡须的形成和
符合RoHS每欧盟指令2002/95标准。这个包是
还制造了绿色塑封料的
含有三氧化锑的无卤化，也没有阻燃剂。
摹艾因& ETU RN 1。· SS V S F REQ ü EN CY + 25℃
25
22 .5
20
17 .5
15
12 .5
10
7 .5
5
0
10 0
20 0
3 00
4 00
50 0
60 0
7 00
80 0
90 0
S2 1
S1 1
S2 2
SBF-5089
SBF-5089Z
Pb
符合RoHS
＆放大器;
绿色
包
DC - 500兆赫，可级联
的InGaP /砷化镓HBT MMIC放大器
产品特点
可以在无铅，符合RoHS标准，
&绿色包装
IP3 = 41dBm @ 240MHz的
稳定增益过温
强大的1000V的ESD ， 1C类
工作在单电源
低热阻
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-40
IRL ，ORL （ dB）的
增益（ dB）的
应用
接收器IF应用
蜂窝， PCS ， GSM ， UMTS
中频放大器
无线数据，卫星终端
ü尼特
dB
频率
70兆赫
240兆赫
500兆赫
70兆赫
240兆赫
400兆赫
70兆赫
240兆赫
400兆赫
500兆赫
500兆赫
500兆赫
4.5
82
分钟。
18.5
18.0
典型值。
20.5
20.0
19.5
21
21
20.7
39.0
41.0
39.5
18
16
2.8
4.9
90
43
3.8
5.3
98
马克斯。
21.5
21.0
f重新Q ü简 （M赫兹）
符号
G
参数
小思gnal盖
P
1dB
输出1分贝 ompressi电力
分贝米
19.2
OIP
3
IRL
ORL
NF
V
D
I
D
R
TH
J-升
输出氏三阶截POI NT
输入回波损耗
输出回波损耗
降噪器连接gure
EVI CE操作，实际电压NG
EVI CE操作，实际纳克光凭目前
热RESI立场（ juncti的领导）
V
S
= 8 V
R
BIAS
= 33欧姆
I
D
= 90毫安典型。
T
L
= 25C
分贝米
dB
dB
dB
V
mA
° C / W
37.5
14
12
测试条件：
OIP
3
音间距= 1 MHz时，每个音噘= 0 dBm的
Z
S
= Z
L
= 50欧姆，
应用电路第4页
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。 Sirenza的Microdevices公司承担不准确或遗漏不承担任何责任。 Sirenza的Microdevices公司对使用不承担任何责任
这些信息，所有此类信息应完全由用户??自己的风险。价格和规格如有变更，恕不另行通知。本文描述的任何专利权或许可给任何电路都
暗示或向任何第三方授予的。 Sirenza的Microdevices公司不授权或担保任何Sirenza的Microdevices公司的产品用于生命支持设备和/或系统。版权
2004年Sirenza的Microdevices公司，公司。保留所有权利世界各地。
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SBF - 5089 DC- 500 MHz的级联MMIC放大器
在重点工作频率典型RF性能
频率（MHz）
频率（MHz）
符号
参数
单位
70
100
240
400
500
850
G
OIP
3
P
1dB
IRL
ORL
S
12
NF
小信号增益
输出三阶截点
在1dB压缩输出功率
输入回波损耗
输出回波损耗
反向隔离
噪声系数
V= 8 V
V
SS
=8 V
R
BIAS
39欧姆
R
BIAS
== 33欧姆
L
dB
分贝米
分贝米
dB
dB
dB
dB
20.5
39
21.0
19.4
17.2
25.2
2.7
S
20.4
39
21.0
19.9
15.8
22.4
2.8
L
20.1
41
21.0
20.1
18.6
22.3
2.7
19.8
39.5
20.7
20.9
24.0
22.3
2.8
19.5
39
20.8
22.0
37.5
22.3
2.8
18.2
34
18.6
26.8
15.5
22.4
2.8
测试条件：
测试条件：
I
80毫安典型。
I
DD
== 90毫安典型。
= 25C
TT
L
= 25C
OIP音调间隔
兆赫，每个音0 dBm的噘
OIP
3 3
ToneSpacing == 11MHz ，每个音== 0 dBm的噘
ZZ
S
=Z
L
=使用应用电路50欧姆见第4页
= Z = 50欧姆
绝对最大额定值
P1dB为VS温度
21.5
输出功率（dBm ）
21
20.5
20
19.5
19
18.5
18
17.5
50
150
250
350 450 550
频率（MHz）
650
750
850
+25c
-40c
+85c
参数
马克斯。
器件的电流
(I
D
)
马克斯。
设备
电压（V
D
)
马克斯。
RF输入功率
最大工作耗散
动力
马克斯。
结温
. (T
J
)
工作温度
。范围（T
L
)
绝对限制
1
50
mA
6V
+19 dBm的
0.8 W
+150°C
-40 ° C至+ 85°C
+150°C
马克斯。
储存温度
.
此设备的运行超出了这些限制任何人不得
会造成永久性的损害。对于连续可靠运行，
器件电压和电流必须不超过最大
第一页上表中规定的工作值。
偏置条件也应满足下面的表达式：
T
L
=T
领导
I
D
V
D
< （T
J
- T
L
) / R
TH
J-升
TOIP VS温度
43
41
39
37
35
33
31
29
27
25
50
150
250
350
450
550
650
750
850
+25c
-40c
+85c
噪声系数VS温度
5
4.5
4
3.5
TOIP （ dB）的
NF（ dB）的
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
50
150
250
350
450
550
650
750
850
+25c
-40c
+85c
频率（MHz）
频率（MHz）
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测试条件： VS = 8V ， R-偏压= 33ohm ，ID = 90毫安，温度= + 25℃
|S
11
|与频率
-10
-12
-14
-16
+25c
-40c
+85c
|S
21
|与频率
22
21.5
21
20.5
+25c
-40c
+85c
S11（ dB）的
-20
-22
-24
-26
-28
-30
50
150
250
350
450
550
650
750
850
S21 （ dB）的
-18
20
19.5
19
18.5
18
17.5
17
50
150
250
350
450
550
650
750
850
频率（MHz）
频率（MHz）
|S
12
|与频率
-20
-20.5
-21
-21.5
+25c
-40c
+85c
|S
22
|与频率
-10
-12
-14
-16
+25c
-40c
+85c
S12 （ dB）的
S22 （ dB）的
-22
-22.5
-23
-23.5
-24
-24.5
-25
50
150
250
350
450
550
650
750
850
-18
-20
-22
-24
-26
-28
-30
50
150
250
350
450
550
650
750
850
频率（MHz）
频率（MHz）
偏置扫描与温度的关系
100
+25c
-40c
+85c
注：输出回波损耗可
在频带的低端与L1的改进
选择，请参阅第4页的应用电路。
80
电流（mA ）
60
40
20
0
0
2
4
源极电压
6
8
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电话： （ 800 ） SMI- MMIC
3
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初步
SBF - 5089 DC- 500 MHz的级联MMIC放大器
基本应用电路
R
BIAS
1 uF的
1000
pF
应用电路元件值
指南
esignator
频率（ MHz）的
70
100
240
500
850
V
S
C
D
C
B
1uF
1 uF的
6.8uH
6.8nH
1000 pF的
100 pF的
1.2 uH容
6.8nH
1000 pF的
100 pF的
1.2uH
6.8nH
220 pF的
100 pF的
68 nH的
6.8nH
100pF
68 pF的
33 nH的
6.8nH
L
C
RF OUT
L1
C
B
C
D
L
C
L1
在RF
C
B
4
1
SBF-5089
3
2
推荐偏置电阻值我
D
=90mA
R
BIAS
=( V
S
-V
D
) / I
D
电源电压（V
S
)
R
BIAS
7.5 V
27
8V
33
10 V
55
12 V
77
注释：R
BIAS
提供直流偏压温度稳定性。
RBIAS
CD
安装说明
1.注：对于宽带RF无条件稳定性不
把接地过孔在背面裸露接地焊盘。
CB
LC
CB
L1
2.焊铜垫的背面
器件封装到接地平面。
3.使用带镀很多大接地焊盘面积
通孔，如图所示。
4.我们推荐1或2盎司铜。测量
此数据表上的31密耳厚的FR -4制作
板两侧1盎司铜。
针＃
功能
在RF
描述
射频输入引脚。该引脚需要使用
外部DC阻塞电容器的
选择用于操作的频率。
连接到地。通孔用
为了获得最佳性能，以减少铅
电感接近地面会导致如
可能。
一部分标识标记
4
4
1
BF5
1
2
3
1
2
3
1
BF5Z
2
3
2
2, 4
GND
锡 - 铅
无铅
注意： ESD敏感
在搬运，包装适当的预防措施
和测试设备必须得到遵守。
3
3
RF OUT / RF输出和偏置引脚。直流电压是
BIAS
目前该引脚上，因此DC
阻塞电容器是必要的
正确的操作。
产品型号订购信息
部分N赭
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7"
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evices / R鳗鱼
1000
1000
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电话： （ 800 ） SMI- MMIC
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初步
SBF - 5089 DC- 500 MHz的级联MMIC放大器
PCB焊盘布局
尺寸以英寸[毫米]
0.3255 [8.27]
注：对于宽带RF
无条件稳定性不
把孔下暴露GND
0.0750 [1.91] (2X)
0.0640 [1.63] (2X)
0.0540 [1.37] (2X)
0.0250 [0.64] (2X)
0.0775 [1.97]
0.0750 [1.91]
0.2560 [6.50]
输入/输出TRACE
CENTERLINE
0.0899 [2.28]
0.0449 [1.14]
0.0506 [1.29]
0.0800 [2.03]
0.0270 [0.69]
0.0600 [1.52]
0.0450 [1.14]
0.0420 [1.07]
0.0200 [ 0.51 ] GND通过9X
0.0540 [1.37]
设备
CENTERLINE
请参阅应用笔记AN- 075
对于封装外形图
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