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半导体
SBC557
PNP硅晶体管
说明
通用的应用程序
开关应用
特点
高电压: V
首席执行官
=-45V
互补配对SBC547
订购信息
型号
SBC557
记号
SBC557
封装代码
TO-92
外形尺寸
3.45±0.1
4.5±0.1
2.25±0.1
单位:
mm
4.5±0.1
0.4±0.02
2.06±0.1
14.0±0.40
1.27 (典型值)
.
2.54 TYP
.
1 2 3
1.20±0.1
0.38
引脚连接
1.集热器
2.基
3.辐射源
KST-2010-000
1
SBC557
绝对最大额定值
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散
结温
储存温度
(Ta=25°C)
°
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
评级
-50
-45
-5
-100
625
150
-55~150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
电气特性
特征
集电极 - 发射极击穿电压
基地发射极导通电压
基地发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
集电极输出电容
噪声系数
(Ta=25°C)
°
符号
BV
首席执行官
V
BE(上)
V
BE ( SAT )
V
CE ( SAT )
I
CBO
h
FE
*
f
T
C
ob
NF
测试条件
I
C
= -2mA ,我
B
=0
V
CE
= -5V ,我
C
=-2mA
I
C
= -100mA ,我
B
=-5mA
I
C
= -100mA ,我
B
=-5mA
V
CB
= -35V ,我
E
= 0
V
CE
= -5V ,我
C
=-2mA
V
CB
= -5V ,我
C
=-10mA
V
CB
= -10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
V
CE
= -5V ,我
C
=-200A,
f=1KHz,Rg=2K
分钟。典型值。马克斯。
-45
-
-
-
-
110
-
-
-
-
-
-900
-
-
-
150
-
-
-
-700
-
-650
-15
800
-
4.5
10
单位
V
mV
mV
mV
nA
-
兆赫
pF
dB
* : h
FE
排名/ A : 110 220 , B: 200 450 ,C : 420 800
KST-2010-000
2
SBC557
电气特性曲线
图。 1 P
C
-T
a
图。 2我
C-
V
BE
图。 3我
C-
V
CE
图。 4小时
FE-
I
C
图。 5 V
CE (SAT) -
I
C
KST-2010-000
3
半导体
SBC557
PNP硅晶体管
说明
通用的应用程序
开关应用
特点
高电压: V
首席执行官
=-45V
互补配对SBC547
订购信息
型号
SBC557
记号
SBC557
封装代码
TO-92
外形尺寸
3.45±0.1
4.5±0.1
2.25±0.1
单位:
mm
4.5±0.1
0.4±0.02
2.06±0.1
14.0±0.40
1.27 (典型值)
.
2.54 TYP
.
1 2 3
1.20±0.1
0.38
引脚连接
1.集热器
2.基
3.辐射源
KST-2010-000
1
SBC557
绝对最大额定值
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散
结温
储存温度
(Ta=25°C)
°
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
评级
-50
-45
-5
-100
625
150
-55~150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
电气特性
特征
集电极 - 发射极击穿电压
基地发射极导通电压
基地发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
集电极输出电容
噪声系数
(Ta=25°C)
°
符号
BV
首席执行官
V
BE(上)
V
BE ( SAT )
V
CE ( SAT )
I
CBO
h
FE
*
f
T
C
ob
NF
测试条件
I
C
= -2mA ,我
B
=0
V
CE
= -5V ,我
C
=-2mA
I
C
= -100mA ,我
B
=-5mA
I
C
= -100mA ,我
B
=-5mA
V
CB
= -35V ,我
E
= 0
V
CE
= -5V ,我
C
=-2mA
V
CB
= -5V ,我
C
=-10mA
V
CB
= -10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
V
CE
= -5V ,我
C
=-200A,
f=1KHz,Rg=2K
分钟。典型值。马克斯。
-45
-
-
-
-
110
-
-
-
-
-
-900
-
-
-
150
-
-
-
-700
-
-650
-15
800
-
4.5
10
单位
V
mV
mV
mV
nA
-
兆赫
pF
dB
* : h
FE
排名/ A : 110 220 , B: 200 450 ,C : 420 800
KST-2010-000
2
SBC557
电气特性曲线
图。 1 P
C
-T
a
图。 2我
C-
V
BE
图。 3我
C-
V
CE
图。 4小时
FE-
I
C
图。 5 V
CE (SAT) -
I
C
KST-2010-000
3
半导体
SBC557
PNP硅晶体管
说明
通用的应用程序
开关应用
特点
高电压: V
首席执行官
=-45V
互补配对SBC547
订购信息
型号
SBC557
记号
SBC557
封装代码
TO-92
外形尺寸
3.45±0.1
4.5±0.1
2.25±0.1
单位:
mm
4.5±0.1
0.4±0.02
2.06±0.1
14.0±0.40
1.27 (典型值)
.
2.54 TYP
.
1 2 3
1.20±0.1
0.38
引脚连接
1.集热器
2.基
3.辐射源
KST-2010-000
1
SBC557
绝对最大额定值
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散
结温
储存温度
(Ta=25°C)
°
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
评级
-50
-45
-5
-100
625
150
-55~150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
电气特性
特征
集电极 - 发射极击穿电压
基地发射极导通电压
基地发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
集电极输出电容
噪声系数
(Ta=25°C)
°
符号
BV
首席执行官
V
BE(上)
V
BE ( SAT )
V
CE ( SAT )
I
CBO
h
FE
*
f
T
C
ob
NF
测试条件
I
C
= -2mA ,我
B
=0
V
CE
= -5V ,我
C
=-2mA
I
C
= -100mA ,我
B
=-5mA
I
C
= -100mA ,我
B
=-5mA
V
CB
= -35V ,我
E
= 0
V
CE
= -5V ,我
C
=-2mA
V
CB
= -5V ,我
C
=-10mA
V
CB
= -10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
V
CE
= -5V ,我
C
=-200A,
f=1KHz,Rg=2K
分钟。典型值。马克斯。
-45
-
-
-
-
110
-
-
-
-
-
-900
-
-
-
150
-
-
-
-700
-
-650
-15
800
-
4.5
10
单位
V
mV
mV
mV
nA
-
兆赫
pF
dB
* : h
FE
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2
SBC557
电气特性曲线
图。 1 P
C
-T
a
图。 2我
C-
V
BE
图。 3我
C-
V
CE
图。 4小时
FE-
I
C
图。 5 V
CE (SAT) -
I
C
KST-2010-000
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    SBC557
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:316279873 复制 点击这里给我发消息 QQ:1298863740 复制

电话:0755-82561519 0755-82567969 18928435545
联系人:李
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
SBC557
AUK
2407+
20000
TO-92
原装现货!欢迎骚扰!天天原装!时时特价!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
SBC557
√ 欧美㊣品
▲10/11+
8291
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