初步
产品说明
Sirenza的Microdevices的SBB -1089是一款高性能的InGaP HBT MMIC
放大器采用达林顿配置与有源偏置网络。
有源偏置网络提供稳定的电流随温度和
测试过程的变化。设计直接从5V电源运行时，
SBB- 1089不需要降压电阻相比，典型
达林顿放大器。在SBB -1089产品是专为高线性度
要求小尺寸和最少的外部5V增益模块的应用
组件。据内部匹配到50欧姆。
在Sirenza的无铅封装的雾锡涂层采用了退火后
过程中，以减轻锡须的形成和每欧盟RoHS标准
指令2002/95 。这个包还生产绿色成型
含有三氧化锑无卤化，也没有阻燃剂的化合物。
SBB-1089
SBB-1089Z
Pb
符合RoHS
＆放大器;
绿色
包
50 - 850兆赫，可级联
有源偏置的InGaP /砷化镓HBT MMIC放大器
产品特点
可以在无铅，符合RoHS标准， &绿色包装
IP3 = 43.1 dBm的@ 240MHz的
的P1dB = 19.6 dBm的@ 500MHz的
固定单5V电源
强大的1000V的ESD ， 1C类
专利散热设计&专利申请偏置电路
低热阻
获得&回波损耗与频率的关系（ W /应用程序。 CKT ）。
35
25
S21
15
dB
5
-5
-15
-25
-35
50
150
250
MSL 1潮湿的评价
S11
应用
S22
350
450
550
频率（MHz）
参数
650
750
850
接收机中频放大器
蜂窝，PCS ，GSM，UMTS
无线数据，卫星终端
符号
单位
频率
分钟。
典型值。
马克斯。
S
21
小信号增益
dB
70兆赫
240兆赫
400兆赫
70兆赫
240兆赫
400兆赫
70兆赫
240兆赫
400兆赫
14
15.5
15.5
15.5
19
19
19
42
43
41
50 - 850
17
P
1dB
在1dB压缩输出功率
DBM
18
IP
3
带宽
S
11
S
22
S
12
NF
V
D
I
D
R
TH
J-升
测试条件：
三阶截点
S
11
, S
22
：最小10dB的回波损耗（典型值）。
输入回波损耗
输出回波损耗
反向隔离
噪声系数
器件工作电压
器件工作电流
热阻（结 - 铅）
V
D
= 5V
T
L
= 25°C
I
D
= 90毫安典型。
Z
S
= Z
L
= 50欧姆
DBM
兆赫
dB
dB
dB
dB
V
mA
° C / W
41.5
70 -500MHz
70 -500MHz
70 -500MHz
500兆赫
18
16
18
3.2
5
82
90
97
4.2
5.3
98
OIP
3
音频间隔= 1MHz时，每个音噘= 0 dBm的
测试了偏压T型接头
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。 Sirenza的Microdevices公司承担不准确或遗漏不承担任何责任。 Sirenza的Microdevices公司对使用这种不负责
信息，所有此类信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格如有变更，恕不另行通知。没有专利的权利或许可的任何电路本文描述或暗示或
向任何第三方授予的。 Sirenza的Microdevices公司不授权或担保任何Sirenza的Microdevices公司的产品用于生命支持设备和/或系统。版权所有2001年Sirenza的Microdevices公司，公司..全球所有权利
版权所有。
303 S.技术的Ct 。
布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
1
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EDS - 103998修订版B
初步
SBB -1089 50-850 MHz的级联MMIC放大器
在重点工作频率典型RF性能（ 240 MHz的应用电路）
频率（MHz）
符号
参数
单位
50
70
100
240
400
500
850
S
21
OIP
3
P
1dB
S
11
S
22
S
12
NF
小信号增益
输出三阶截点
在1dB压缩输出功率
输入回波损耗
输出回波损耗
反向隔离
噪声系数
VCC = 5V
T
L
= 25°C
I
D
= 90毫安典型。
Z
S
= Z
L
= 50欧姆
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
dB
16
41.5
19
13
18
18
3.5
15.5
42
19
16
20
18
3.3
15.5
43
19
17
21
18
3.2
15.5
43
19
19
23
18
3.1
15.5
41
19
19
24
18
3.2
15.5
40
19
18
23
18
3.2
15
35
18
15
17
18
3.4
测试条件：
OIP
3
音频间隔= 1MHz时，每个音噘= 0 dBm的
噪声系数与频率的关系
6
在图表的数据采取240 MHz的应用程序。 CKT 。
5
4
dB
3
2
25C
1
0
50
150
-40C
85C
的P1dB与频率的关系
25
250
350
450
550
频率（MHz）
650
750
850
20
DBM
15
25C
50
OIP
3
与频率的关系
10
-40C
85C
45
5
50
150
250
350
450
550
频率（MHz）
650
750
850
DBM
40
35
25C
30
-40C
85C
25
50
150
250
350
450
550
频率（MHz）
650
750
850
303 S.技术的Ct 。
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电话： （ 800 ） SMI- MMIC
2
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初步
SBB -1089 50-850 MHz的级联MMIC放大器
与偏置T恤在整个温度范围采取S参数
-5
S11与频率
25
S21与频率
-10
-15
dB
20
dB
-20
15
25C
-25
25C
-40C
85C
10
-40C
85C
-30
50
150
250
350
450
550
频率（MHz）
650
750
850
5
50
150
250
350
450
550
频率（MHz）
650
750
850
S12与频率的关系
-5
-10
-15
dB
dB
-5
-10
-15
-20
-25
25C
S22与频率
-20
25C
-25
-30
50
150
250
350
450
550
频率（MHz）
650
-40C
85C
-30
-35
-40C
85C
750
850
50
150
250
350
450
550
频率（MHz）
650
750
850
器件电流在整个温度范围（ W /偏置T恤）
电流与电压温度过高。 （偏置T恤）
120
100
电流（mA ）
80
60
40
20
0
1.5
2
2.5
3
3.5
电压（V）的
4
4.5
5
5.5
-40C
25C
85C
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SBB -1089 50-850 MHz的级联MMIC放大器
240 MHz的应用电路S参数在整个温度范围
-5
-10
-15
db
-20
25C
S11与频率
25
20
S21与频率
15
dB
10
25C
-25
-30
50
150
250
350
450
550
频率（GHz ）
650
-40C
85C
5
0
-40C
85C
750
850
50
150
250
350
450
550
频率（GHz ）
650
750
850
S12与频率的关系
-5
-10
-15
dB
-5
-10
S22与频率
25C
-15
dB
-20
-25
-30
-35
50
150
250
350
450
550
频率（GHz ）
650
750
850
-40C
85C
-20
-25
-30
-35
25C
-40C
85C
50
150
250
350
450
550
频率（GHz ）
650
750
850
器件电流在整个温度范围（ W / CKT应用程序。 ）
电流与电压温度过高。 （附录CKT ）。
120
100
电流（mA ）
80
60
40
20
0
1.5
2
2.5
3
3.5
电压（V）的
4
4.5
5
5.5
-40C
25C
85C
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SBB -1089 50-850 MHz的级联MMIC放大器
应用原理
Vs
1uF
1200pF
应用电路元件值
参考
代号
频率（MHz）
50至850
C
B
L
C
8200pF
1200nH LS的Coilcraft
2.7nH东光
4
1
在RF
Cb
2
SBB-1089
Lc
3
RF OUT
Ls
Cb
L
S
评估板布局
绝对最大额定值
参数
+
绝对限制
110毫安
5.5 V
+12 dBm的
0.61 W
+150°C
-40 ° C至+ 85°C
+150°C
马。 DVICE电流（I
D
)
最大器件电压（V
D
)
马克斯。 RF输入功率
马克斯。经营消退
动力
马克斯。结温。 （T
J
)
工作温度RANGE （T
L
)
马克斯。储存温度。
此设备之外的这些限制中任一项的操作可能会引起
永久性损坏。为了保证可靠的连续运行，设备
电压和电流必须不超过最大操作
1页表中指定的值。
偏置条件也应满足下面的表达式：
T
L
=T
领导
I
D
V
D
< （T
J
- T
L
) / R
TH
J-升
静电放电1C类
在搬运，包装和测试适当的预防措施
设备必须遵守。
安装说明
1.焊铜焊盘上的器件封装的背面
接地平面。
2.使用大接地焊盘面积与许多镀通孔为
如图所示。
3.我们推荐1或2盎司铜。测量该
数据表是在31密耳厚的FR- 4电路板制作1
盎司铜的两侧。
MSL
（湿度敏感等级）
等级：1级
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电话： （ 800 ） SMI- MMIC
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SBB-1089Z
产品说明
Sirenza的Microdevices的SBB - 1089Z是一款高性能的InGaP HBT MMIC
放大器采用达林顿配置与有源偏置网络。
有源偏置网络提供稳定的电流随温度和
测试过程的变化。设计直接从5V电源运行时，
SBB- 1089Z不需要降压电阻相比，典型
达林顿放大器。在SBB - 1089Z产品是专为高线性度
要求小尺寸和最少的外部5V增益模块的应用
组件。据内部匹配到50欧姆。
在Sirenza的无铅封装的雾锡涂层采用了退火后
过程中，以减轻锡须的形成和每欧盟RoHS标准
指令2002/95 。这个包还生产绿色成型
含有三氧化锑无卤化，也没有阻燃剂的化合物。
50 - 850兆赫，可级联的有源偏置
的InGaP HBT MMIC放大器
Pb
符合RoHS
＆放大器;
绿色
包
产品特点
OIP3 = 43.1 dBm的@ 240MHz的
的P1dB = 19.6 dBm的@ 500MHz的
固定单5V电源
强大的1000V的ESD ， 1C类
专利散热设计&偏置电路
低热阻
MSL 1潮湿的评价
获得&回波损耗与频率的关系（ W /应用程序。 CKT ）。
35
25
S21
15
dB
5
-5
-15
-25
-35
50
150
250
应用
S11
接收机中频放大器
蜂窝，PCS ，GSM，UMTS
无线数据，卫星终端
S22
350
450
550
频率（MHz）
参数
650
750
850
符号
单位
频率
分钟。
典型值。
马克斯。
S
21
小信号增益
dB
70兆赫
240兆赫
400兆赫
70兆赫
240兆赫
400兆赫
70兆赫
240兆赫
400兆赫
14
14
15.5
15.5
15.5
19
19
19
42
43
40.5
50 - 850
17
17
P
1dB
在1dB压缩输出功率
DBM
18
IP
3
带宽
IRL
ORL
|S
12|
NF
V
D
I
D
R
TH
J-升
测试条件：
三阶截点
S
11
, S
22
：最小10dB的回波损耗（典型值）。
输入回波损耗
输出回波损耗
反向隔离
噪声系数
器件工作电压
器件工作电流
热阻（结 - 铅）
V
D
= 5V
T
L
= 25°C
I
D
= 90毫安典型。
Z
S
= Z
L
= 50欧姆
DBM
兆赫
dB
dB
dB
dB
V
mA
° C / W
38.5
70 -500MHz
70 -500MHz
70 -500MHz
500兆赫
14
12
18
16
18
3.5
5
4.2
5.3
98
82
90
48.8
OIP
3
音频间隔= 1MHz时，每个音噘= 0 dBm的
测试了偏压T型接头
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。 Sirenza的Microdevices公司承担不准确或遗漏不承担任何责任。 Sirenza的Microdevices公司对使用这种不负责
信息，所有此类信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格如有变更，恕不另行通知。没有专利的权利或许可的任何电路本文描述或暗示或
向任何第三方授予的。 Sirenza的Microdevices公司不授权或担保任何Sirenza的Microdevices公司的产品用于生命支持设备和/或系统。版权所有2001年Sirenza的Microdevices公司，公司..全球所有权利
版权所有。
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SBB- 1089Z 50-850 MHz的级联MMIC放大器
在重点工作频率典型RF性能（ 240 MHz的应用电路）
频率（MHz）
符号
参数
单位
50
70
100
240
400
500
850
S
21
OIP
3
P
1dB
S
11
S
22
S
12
NF
小信号增益
输出三阶截点
在1dB压缩输出功率
输入回波损耗
输出回波损耗
反向隔离
噪声系数
VCC = 5V
T
L
= 25°C
I
D
= 90毫安典型。
Z
S
= Z
L
= 50欧姆
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
dB
16
41.5
19
13
18
18
3.5
15.5
42
19
16
20
18
3.3
15.5
43
19
17
21
18
3.2
15.5
43
19
19
23
18
3.1
15.5
41
19
19
24
18
3.2
15.5
40
19
18
23
18
3.2
15
35
18
15
17
18
3.4
测试条件：
OIP
3
音频间隔= 1MHz时，每个音噘= 0 dBm的
噪声系数与频率的关系
6
在图表的数据采取240 MHz的应用程序。 CKT 。
5
4
dB
3
2
25C
1
0
50
150
-40C
85C
的P1dB与频率的关系
25
250
350
450
550
频率（MHz）
650
750
850
20
DBM
15
25C
50
OIP
3
与频率的关系
10
-40C
85C
45
5
50
150
250
350
450
550
频率（MHz）
650
750
850
DBM
40
35
25C
30
-40C
85C
25
50
150
250
350
450
550
频率（MHz）
650
750
850
303 S.技术的Ct 。
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电话： （ 800 ） SMI- MMIC
2
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SBB- 1089Z 50-850 MHz的级联MMIC放大器
S参数在整个温度范围（偏置T恤）
-5
S11与频率
25
S21与频率
-10
-15
dB
20
dB
-20
15
25C
-25
25C
-40C
85C
10
-40C
85C
-30
50
150
250
350
450
550
频率（MHz）
650
750
850
5
50
150
250
350
450
550
频率（MHz）
650
750
850
S12与频率的关系
-5
-10
-15
dB
dB
-5
-10
-15
-20
-25
25C
S22与频率
-20
25C
-25
-30
50
150
250
350
450
550
频率（MHz）
650
-40C
85C
-30
-35
-40C
85C
750
850
50
150
250
350
450
550
频率（MHz）
650
750
850
设备电流过温度（偏置T恤）
电流与电压温度过高。 （偏置T恤）
120
100
电流（mA ）
80
60
40
20
0
1.5
2
2.5
3
3.5
电压（V）的
4
4.5
5
5.5
-40C
25C
85C
303 S.技术的Ct 。
布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
3
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EDS - 103998版D
SBB- 1089Z 50-850 MHz的级联MMIC放大器
240 MHz的应用电路S参数在整个温度范围
-5
-10
-15
db
-20
25C
S11与频率
25
20
S21与频率
15
dB
10
25C
-25
-30
50
150
250
350
450
550
频率（GHz ）
650
-40C
85C
5
0
-40C
85C
750
850
50
150
250
350
450
550
频率（GHz ）
650
750
850
S12与频率的关系
-5
-10
-15
dB
-5
-10
S22与频率
25C
-15
dB
-20
-25
-30
-35
50
150
250
350
450
550
频率（GHz ）
650
750
850
-40C
85C
-20
-25
-30
-35
25C
-40C
85C
50
150
250
350
450
550
频率（GHz ）
650
750
850
器件电流在整个温度范围（ W /应用电路）
电流与电压温度过高。 （附录CKT ）。
120
100
电流（mA ）
80
60
40
20
0
1.5
2
2.5
3
3.5
电压（V）的
4
4.5
5
5.5
-40C
25C
85C
303 S.技术的Ct 。
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电话： （ 800 ） SMI- MMIC
4
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EDS - 103998版D
SBB- 1089Z 50-850 MHz的级联MMIC放大器
应用原理
Vs
1uF
1200pF
应用电路元件值
参考
代号
频率（MHz）
50至850
C
B
L
C
8200pF
1200nH LS的Coilcraft
2.7nH东光
4
1
在RF
Cb
2
SBB-1089
Lc
3
RF OUT
Ls
Cb
L
S
评估板布局
绝对最大额定值
参数
+
绝对限制
110毫安
5.5 V
+12 dBm的
0.61 W
+150°C
-40 ° C至+ 85°C
+150°C
马。 DVICE电流（I
D
)
最大器件电压（V
D
)
马克斯。 RF输入功率
马克斯。经营消退
动力
马克斯。结温。 （T
J
)
工作温度RANGE （T
L
)
马克斯。储存温度。
此设备之外的这些限制中任一项的操作可能会引起
永久性损坏。为了保证可靠的连续运行，设备
电压和电流必须不超过最大操作
1页表中指定的值。
偏置条件也应满足下面的表达式：
T
L
=T
领导
I
D
V
D
< （T
J
- T
L
) / R
TH
J-升
静电放电1C类
在搬运，包装和测试适当的预防措施
设备必须遵守。
安装说明
1.焊铜焊盘上的器件封装的背面
接地平面。
2.使用大接地焊盘面积与许多镀通孔为
如图所示。
3.我们推荐1或2盎司铜。测量该
数据表是在31密耳厚的FR- 4电路板制作1
盎司铜的两侧。
MSL
（湿度敏感等级）
等级：1级
303 S.技术的Ct 。
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EDS - 103998版D
初步
产品说明
Sirenza的Microdevices的SBB -1089是一款高性能的InGaP HBT MMIC
放大器采用达林顿配置与有源偏置网络。
有源偏置网络提供稳定的电流随温度和
测试过程的变化。设计直接从5V电源运行时，
SBB- 1089不需要降压电阻相比，典型
达林顿放大器。在SBB -1089产品是专为高线性度
要求小尺寸和最少的外部5V增益模块的应用
组件。据内部匹配到50欧姆。
在Sirenza的无铅封装的雾锡涂层采用了退火后
过程中，以减轻锡须的形成和每欧盟RoHS标准
指令2002/95 。这个包还生产绿色成型
含有三氧化锑无卤化，也没有阻燃剂的化合物。
SBB-1089
SBB-1089Z
Pb
符合RoHS
＆放大器;
绿色
包
50 - 850兆赫，可级联
有源偏置的InGaP /砷化镓HBT MMIC放大器
产品特点
可以在无铅，符合RoHS标准， &绿色包装
IP3 = 43.1 dBm的@ 240MHz的
的P1dB = 19.6 dBm的@ 500MHz的
固定单5V电源
强大的1000V的ESD ， 1C类
专利散热设计&专利申请偏置电路
低热阻
获得&回波损耗与频率的关系（ W /应用程序。 CKT ）。
35
25
S21
15
dB
5
-5
-15
-25
-35
50
150
250
MSL 1潮湿的评价
S11
应用
S22
350
450
550
频率（MHz）
参数
650
750
850
接收机中频放大器
蜂窝，PCS ，GSM，UMTS
无线数据，卫星终端
符号
单位
频率
分钟。
典型值。
马克斯。
S
21
小信号增益
dB
70兆赫
240兆赫
400兆赫
70兆赫
240兆赫
400兆赫
70兆赫
240兆赫
400兆赫
14
15.5
15.5
15.5
19
19
19
42
43
41
50 - 850
17
P
1dB
在1dB压缩输出功率
DBM
18
IP
3
带宽
S
11
S
22
S
12
NF
V
D
I
D
R
TH
J-升
测试条件：
三阶截点
S
11
, S
22
：最小10dB的回波损耗（典型值）。
输入回波损耗
输出回波损耗
反向隔离
噪声系数
器件工作电压
器件工作电流
热阻（结 - 铅）
V
D
= 5V
T
L
= 25°C
I
D
= 90毫安典型。
Z
S
= Z
L
= 50欧姆
DBM
兆赫
dB
dB
dB
dB
V
mA
° C / W
41.5
70 -500MHz
70 -500MHz
70 -500MHz
500兆赫
18
16
18
3.2
5
82
90
97
4.2
5.3
98
OIP
3
音频间隔= 1MHz时，每个音噘= 0 dBm的
测试了偏压T型接头
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。 Sirenza的Microdevices公司承担不准确或遗漏不承担任何责任。 Sirenza的Microdevices公司对使用这种不负责
信息，所有此类信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格如有变更，恕不另行通知。没有专利的权利或许可的任何电路本文描述或暗示或
向任何第三方授予的。 Sirenza的Microdevices公司不授权或担保任何Sirenza的Microdevices公司的产品用于生命支持设备和/或系统。版权所有2001年Sirenza的Microdevices公司，公司..全球所有权利
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初步
SBB -1089 50-850 MHz的级联MMIC放大器
在重点工作频率典型RF性能（ 240 MHz的应用电路）
频率（MHz）
符号
参数
单位
50
70
100
240
400
500
850
S
21
OIP
3
P
1dB
S
11
S
22
S
12
NF
小信号增益
输出三阶截点
在1dB压缩输出功率
输入回波损耗
输出回波损耗
反向隔离
噪声系数
VCC = 5V
T
L
= 25°C
I
D
= 90毫安典型。
Z
S
= Z
L
= 50欧姆
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
dB
16
41.5
19
13
18
18
3.5
15.5
42
19
16
20
18
3.3
15.5
43
19
17
21
18
3.2
15.5
43
19
19
23
18
3.1
15.5
41
19
19
24
18
3.2
15.5
40
19
18
23
18
3.2
15
35
18
15
17
18
3.4
测试条件：
OIP
3
音频间隔= 1MHz时，每个音噘= 0 dBm的
噪声系数与频率的关系
6
在图表的数据采取240 MHz的应用程序。 CKT 。
5
4
dB
3
2
25C
1
0
50
150
-40C
85C
的P1dB与频率的关系
25
250
350
450
550
频率（MHz）
650
750
850
20
DBM
15
25C
50
OIP
3
与频率的关系
10
-40C
85C
45
5
50
150
250
350
450
550
频率（MHz）
650
750
850
DBM
40
35
25C
30
-40C
85C
25
50
150
250
350
450
550
频率（MHz）
650
750
850
303 S.技术的Ct 。
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SBB -1089 50-850 MHz的级联MMIC放大器
与偏置T恤在整个温度范围采取S参数
-5
S11与频率
25
S21与频率
-10
-15
dB
20
dB
-20
15
25C
-25
25C
-40C
85C
10
-40C
85C
-30
50
150
250
350
450
550
频率（MHz）
650
750
850
5
50
150
250
350
450
550
频率（MHz）
650
750
850
S12与频率的关系
-5
-10
-15
dB
dB
-5
-10
-15
-20
-25
25C
S22与频率
-20
25C
-25
-30
50
150
250
350
450
550
频率（MHz）
650
-40C
85C
-30
-35
-40C
85C
750
850
50
150
250
350
450
550
频率（MHz）
650
750
850
器件电流在整个温度范围（ W /偏置T恤）
电流与电压温度过高。 （偏置T恤）
120
100
电流（mA ）
80
60
40
20
0
1.5
2
2.5
3
3.5
电压（V）的
4
4.5
5
5.5
-40C
25C
85C
303 S.技术的Ct 。
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3
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SBB -1089 50-850 MHz的级联MMIC放大器
240 MHz的应用电路S参数在整个温度范围
-5
-10
-15
db
-20
25C
S11与频率
25
20
S21与频率
15
dB
10
25C
-25
-30
50
150
250
350
450
550
频率（GHz ）
650
-40C
85C
5
0
-40C
85C
750
850
50
150
250
350
450
550
频率（GHz ）
650
750
850
S12与频率的关系
-5
-10
-15
dB
-5
-10
S22与频率
25C
-15
dB
-20
-25
-30
-35
50
150
250
350
450
550
频率（GHz ）
650
750
850
-40C
85C
-20
-25
-30
-35
25C
-40C
85C
50
150
250
350
450
550
频率（GHz ）
650
750
850
器件电流在整个温度范围（ W / CKT应用程序。 ）
电流与电压温度过高。 （附录CKT ）。
120
100
电流（mA ）
80
60
40
20
0
1.5
2
2.5
3
3.5
电压（V）的
4
4.5
5
5.5
-40C
25C
85C
303 S.技术的Ct 。
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电话： （ 800 ） SMI- MMIC
4
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应用原理
Vs
1uF
1200pF
应用电路元件值
参考
代号
频率（MHz）
50至850
C
B
L
C
8200pF
1200nH LS的Coilcraft
2.7nH东光
4
1
在RF
Cb
2
SBB-1089
Lc
3
RF OUT
Ls
Cb
L
S
评估板布局
绝对最大额定值
参数
+
绝对限制
110毫安
5.5 V
+12 dBm的
0.61 W
+150°C
-40 ° C至+ 85°C
+150°C
马。 DVICE电流（I
D
)
最大器件电压（V
D
)
马克斯。 RF输入功率
马克斯。经营消退
动力
马克斯。结温。 （T
J
)
工作温度RANGE （T
L
)
马克斯。储存温度。
此设备之外的这些限制中任一项的操作可能会引起
永久性损坏。为了保证可靠的连续运行，设备
电压和电流必须不超过最大操作
1页表中指定的值。
偏置条件也应满足下面的表达式：
T
L
=T
领导
I
D
V
D
< （T
J
- T
L
) / R
TH
J-升
静电放电1C类
在搬运，包装和测试适当的预防措施
设备必须遵守。
安装说明
1.焊铜焊盘上的器件封装的背面
接地平面。
2.使用大接地焊盘面积与许多镀通孔为
如图所示。
3.我们推荐1或2盎司铜。测量该
数据表是在31密耳厚的FR- 4电路板制作1
盎司铜的两侧。
MSL
（湿度敏感等级）
等级：1级
303 S.技术的Ct 。
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