产品说明
Sirenza的Microdevices的SBA - 5086是一款高性能的InGaP /
砷化镓异质结双极晶体管MMIC放大器。一
达林顿配置设计的InGaP工艺技术
提供宽带性能高达5 GHz，具有优良的
热性能比较。异质结增加击穿
电压和最大程度地减少结之间的漏电流。
的发射结的非线性导致更高取消
抑制互调产物。只有一个正
电源电压，隔直流电容，偏置电阻和一个
可选RF扼流圈所需要的操作。
SBA-5086
SBA-5086Z
Pb
符合RoHS
＆放大器;
绿色
包
DC - 5GHz的，可级联
的InGaP /砷化镓HBT MMIC放大器
产品特点
在Sirenza的无铅封装的雾锡涂层采用了
现在，在无铅，符合RoHS可用
兼容， &绿色包装
后退火处理，以减轻锡须的形成和
符合RoHS每欧盟指令2002/95标准。这个包是
IP3 = 34.0dBm @ 1950MHz
还制造了绿色塑封料的CON组
噘= 13.3dBm @ -45dBc ACP IS- 95 1950MHz
覃三氧化锑的无卤化，也没有阻燃剂。
获得&回波损耗
25
20
15
10
5
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
强大的1000V的ESD ， 1C类
S21
工作在单电源
专利的散热设计
应用
S11
S22
P一R A M E TE
PA驱动放大器
蜂窝，PCS ，GSM，UMTS
IF放大器
无线数据，卫星终端
加利其
dB
DBM
DBM
DBM
兆赫
dB
dB
dB
V
mA
° C / W
1950年M赫兹
1950年M赫兹
1950年M赫兹
4 .7
72
1 1 .0
1 4 .0
f重新Q ü简
850微米赫兹
1950年M赫兹
850微米赫兹
1950年M赫兹
850微米赫兹
1950年M赫兹
1950年M赫兹
M IN 。
1 7 .5
1 5 .7
18
3 2 .0
TY页。
1 9 .0
1 7 .2
1 9 .5
1 9 .5
3 6 .9
3 4 .0
1 3 .3
5000
1 3 .0
1 9 .0
4 .5
4 .9
80
102
5 .5
5 .3
88
M AX 。
2 0 .5
1 8 .7
频率（GHz ）
SYM BOL
G
P
1dB
IP
3
P
OUT
B一N D瓦特I D日
S M一ll S I克N A L G一I N
ü TP UT P owerat 1天BC OMP重新裂变
ü TP UT牛逼喜RD RD ER在TE RC EPT P oint
ü TP ü吨P 2 O宽E @ -4 5 D C A C P B为-9 5
9 F RW一个RD ] C H A N否E LS
D E TE RM inedby TU RN L OSS （ > 1 0 D B ）
在P ü吨 TU RN 1。· S S小
ü TP ü吨 TU RN 1。· S S小
O I S E F I G ü重新
D E六，权证 P·EラTI体中V LTA克é
D E六，权证 P·EラTI 克碳④此吨
牛逼 马币一l研究（E S）我的TA 权证
测试条件：
IR L
ORL
NF
V
D
I
D
R
牛逼
J-升
（菊N c个TI 0：N勒一四）
I
D
= 80毫安典型。
T
L
= 25C
V
S
= 8 V
R
BIAS
= 39欧姆
OIP
3
音间距= 1 MHz时，每个音噘= 0 dBm的
Z
S
= Z
L
= 50欧姆
性能测试和等级评定为Sirenza的Microdevices的产品进行了内部执行由Sirenza的测量，并使用特定的计算机系统和/或与组件和反映的大致性能
这些测试测量产品。在电路实现，测试软件和测试设备的任何差异都可能影响实际性能。本文提供的信息被认为是可靠的，在记者发稿时与Sirenza
微型器件对使用这些信息不承担任何责任。所有这些使用应完全由用户自己承担风险。价格和规格Sirenza的Microdevices的产品如有变更，恕不另行通知。
购房者应咨询Sirenza的Microdevices的标准销售条款与Sirenza的有限保修的条件就其产品。没有专利的权利或许可的任何电路本文描述或暗示或
向任何第三方授予的。 Sirenza的Microdevices公司不授权或保证任何产品的生命支持设备和/或系统。
303南科技的Ct 。 ，布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
1
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EDS - 102742 Rev. D的
SBA- 5086 DC- 5GHz的级联MMIC放大器
初步
在重点工作频率典型RF性能
频率（MHz）
符号
参数
单位
100
500
850
1950
2400
3500
G
OIP
3
P
1dB
IRL
ORL
S
12
NF
小信号增益
输出三阶截点
在1dB压缩输出功率
输入回波损耗
输出回波损耗
反向隔离
噪声系数
V
S
= 8 V
R
BIAS
= 39欧姆
V
S
= 8 V
R
BIAS
= 39欧姆
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
dB
20.4
36.4
19.8
31
26
22.5
4.2
20.1
36.2
19.7
20
26
22.8
4.5
频率（MHz）
19.0
17.2
15.8
33.7
18.7
12.9
19
23
----
13.7
30.8
17.1
12.4
18.7
23
----
36.9
19.5
17.5
25
23
4.2
34.0
19.5
13.0
19.0
23
4.4
测试条件：
测试条件：
I
D
= 80毫安典型。
T
L
= 25C
I
D
= 80毫安典型。
T
L
= 25C
OIP
3
音间距= 1 MHz时，每个音噘= 0 dBm的
Z
S
= Z
L
= 50欧姆
OIP
3
音间距= 1 MHz时，每个音噘= 0 dBm的
Z
S
= Z
L
= 50欧姆
噪声系数与频率
5.5
绝对最大额定值
参数
绝对限制
130毫安
5
噪声系数（dB ）
马克斯。
器件的电流
(I
D
)
马克斯。
设备
电压（V
D
)
马克斯。
RF输入功率
最大工作耗散
动力
+25c
-40c
+85c
4.5
4
3.5
3
2.5
2
0
0.5
1
1.5
2
6V
+17 dBm的
0.65 W
+150°C
-40 ° C至+ 85°C
+150°C
马克斯。
结温。
(T
J
)
工作温度。
范围（T
L
)
马克斯。
储存温度。
频率（GHz ）
此设备的运行超出了这些限制任何人不得
会造成永久性的损害。对于连续可靠运行，
器件电压和电流必须不超过最大
第一页上表中规定的工作值。
偏置条件也应满足下面的表达式：
T
L
=T
领导
I
D
V
D
< （T
J
- T
L
) / R
TH
J-升
OIP3与频率
40
38
36
34
20
19
21
P1 dB的与频率
IP3 （ dB）的
32
30
28
26
24
22
20
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
+25c
-40c
+85c
DBM
18
17
+25c
16
15
0
0.5
1
1.5
2
-40c
+85c
2.5
3
3.5
频率（GHz ）
频率（GHz ）
303南科技的Ct 。 ，布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
2
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EDS - 102742 Rev. D的
SBA- 5086 DC- 5GHz的级联MMIC放大器
初步
初步数据表
|S
11
|与频率
0
-5
+25c
|S
21
|与频率
25
22.5
+25c
-40c
+85c
-10
s11(dB)
-15
-20
-25
-30
-35
0
1
2
3
频率（GHz ）
4
5
20
S21 （ dB）的
17.5
15
12.5
10
7.5
5
6
0
1
2
3
4
5
-40c
+85c
6
频率（GHz ）
|S
12
|与频率
-20
+25c
|S
22
|与频率
0
-40c
+85c
-21
-22
S12 （ dB）的
-5
-10
S22 （ dB）的
-15
-20
-25
-30
-35
+25c
-40c
+85c
-23
-24
-25
-26
0
1
2
3
4
5
6
0
1
2
3
4
5
6
频率（GHz ）
频率（GHz ）
850MHz的形容词。陈。 PWR与信道输出功率
-30
-35
-40
ACP （ DBC）
ACP （ DBC）
-30
-35
-40
-45
-50
-55
-60
-65
-70
1950MHz ADJ。陈。 PWR VS通道输出功率
-45
-50
-55
-60
-65
-70
6
7
8
9
10 11 12 13
信道压水堆（ dBm的）
14
15
16
17
+ 25℃ ACP
-40℃ ACP
+ 85℃ ACP
+25c
-40c
+85c
5
6
7
8
9
10
11
12
信道压水堆（ dBm的）
13
14
15
16
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SBA- 5086 DC- 5GHz的级联MMIC放大器
初步
初步数据表
基本应用电路
R
BIAS
应用电路元件值
频率（MHz）
参考
代号
500
850
1950
2400
3500
V
S
1 uF的
1000
pF
C
D
Lc
C
B
C
D
L
C
220 pF的
100 pF的
68 nH的
100 pF的
68 pF的
33 nH的
68 pF的
22 pF的
22 nH的
56 pF的
22 pF的
18 nH的
39 pF的
15 pF的
15 nH的
在RF
C
B
1
4
SBA-
5086
3
C
B
RF OUT
2
推荐偏置电阻值我
D
=80mA
R
BIAS
=( V
S
-V
D
) / I
D
电源电压（V
S
)
R
BIAS
7.5 V
33
8V
39
10 V
68
12 V
91
注释：R
BIAS
提供直流偏压温度稳定性。
安装说明
1.根据使用的器件引脚2大接地焊盘面积
和4具有许多通孔镀敷，如图所示。
2.我们推荐1或2盎司铜。测量
此数据表上的31密耳厚的FR -4制作
板两侧1盎司铜。
针＃
功能
在RF
描述
射频输入引脚。该引脚需要使用
外部DC阻塞电容器的
选择用于操作的频率。
连接到地。通孔用
为了获得最佳性能，以减少铅
电感接近地面会导致如
可能。
一部分标识标记
该部分将标有“ BA5 ”或“ B5Z ”
指示符在封装的上表面。
3
3
1
2, 4
GND
4
BA5
1
2
4
B5Z
1
3
2
RF OUT / RF输出和偏置引脚。直流电压是
BIAS
目前该引脚上，因此DC
阻塞电容器是必要的
正确的操作。
产品型号订购信息
产品型号
注意： ESD敏感
在搬运，包装适当的预防措施
和测试设备必须得到遵守。
带尺寸
设备/卷
SBA-5086
SBA-5086Z
7"
7"
1000
1000
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电话： （ 800 ） SMI- MMIC
4
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SBA- 5086 DC- 5GHz的级联MMIC放大器
初步
初步数据表
PCB焊盘布局
尺寸以英寸[毫米]
标称封装尺寸
尺寸以英寸[毫米]
参见图纸张贴在
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对于公差。
303南科技的Ct 。 ，布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
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