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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第969页 > SB840F
WTE
功率半导体
SB820F - SB8100F
Pb
8.0A肖特基整流器
特点
!
!
!
!
!
!
肖特基芯片
保护环的瞬态保护
低正向压降
C
低反向漏电流
高浪涌电流能力
G
塑料材料具有防火
分类94V -O

D
F
P
I
H
L
B
ITO-220A
暗淡
最大
14.60
15.40
A
9.70
10.30
B
2.55
2.85
C
3.56
4.16
D
13.00
13.80
E
0.30
0.90
F
3.00
3.50
G
6.30
6.90
H
4.20
4.80
I
2.50
2.90
J
0.36
0.80
K
2.90
3.30
L
4.83
5.33
P
尺寸:mm
A
PIN1
3
机械数据
!
!
!
!
!
!
!
案例: ITO - 220A ,全模压塑料
终端:每焊镀信息
MIL- STD- 202方法208
极性:见图
重量:2.24克数(大约)
安装位置:任意
安装扭矩:11.5厘米千克( 10磅)最大。
无铅:对于符合RoHS /无铅版本,
新增“ -LF ”后缀型号,见第4页
E
PIN 1 +
J
K
PIN 3 -
最大额定值和电气特性
单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。
对于容性负载,减免电流20 % 。
SB
820F
20
14
SB
830F
30
21
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均整流输出电流@T
C
= 95°C
非重复峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
在额定负荷( JEDEC的方法)
正向电压
@I
F
= 8.0A
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R( RMS )
I
O
SB
840F
40
28
SB
845F
45
32
8.0
SB
850F
50
35
SB
860F
60
42
SB
880F
80
56
SB
8100F
100
70
单位
V
V
A
I
FSM
V
FM
I
RM
C
j
R
θJC
T
j
, T
英镑
0.55
150
0.75
0.5
50
700
5.0
-65到+150
0.85
A
V
mA
pF
° C / W
°C
峰值反向电流
@T
A
= 25°C
在额定阻断电压DC @T
A
= 100°C
典型结电容(注1 )
典型热阻(注2 )
工作和存储温度范围
注:1,测得1.0 MHz和应用的4.0V直流反接电压
2.热阻结到外壳上安装散热片。
SB820F - SB8100F
1 4
2006韩元鼎好电子
10
40
8
I
F
, NSTANTANEOUS正向电流( A)
I
(AV)
,平均输出电流( A)
SB820F - SB845F
20
6
SB850F - SB860F
SB880F - SB8100F
4
10
2
单脉冲半波
60赫兹电阻或电感性负载
T
j
= 25C
脉冲宽度= 300
s
2 %的占空比
0
10
40
60
80
100
120
140150
1
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
F
,正向电压( V)
图。 2典型正向特性
T
C
,外壳温度( ℃)
图。 1正向电流降额曲线
150
2000
T
j
= 25C
F = 1MHz的
I
FSM
,峰值正向浪涌电流( A)
120
C
j
,电容(pF )
8.3ms单半正弦波
JEDEC的方法
90
1000
60
30
100
0
1
10
100
循环次数在60赫兹
图。 3最大非重复性峰值正向浪涌电流
0.1
1.0
10
100
V
R
,反向电压(V)的
图。 4典型结电容
SB820F - SB8100F
2 4
2006韩元鼎好电子
标识信息
WTE
SB8xxF
WTE
SB8xxF
xx
极性
=制造商的标志
=设备号
= 20 ,30,40 ,45, 50 ,60, 80或100个
=对人体标示
包装信息
体积
管尺寸
长x宽x高(mm )
525 x 31 x 6
QUANTITY
( PCS)的
50
内箱尺寸
长x宽x高(mm )
555 x 145 x 95
QUANTITY
( PCS)的
2,000
外箱尺寸
长x宽x高(mm )
572 x 306 x 218
QUANTITY
( PCS)的
8,000
约。总重量
(公斤)
19.0
注意:
1.防静电管,水质清澈的颜色。
推荐的螺丝安装方式
全模压塑料封装提供了一个
硬件相比大幅减少
到一个标准的TO -220封装。不过,
预防措施应在安装进行
过程。
锥形垫圈应使用应用
适当的力到该设备。螺丝应
不会与任何类型的紧固空气被迫
扭矩或设备可能会导致裂纹
器件的封装。
在导热硅脂或导热垫一层
该接口将是相当有益的
散热。
6-32六角头螺丝
平垫圈
整流器器
散热器
锥形垫圈
6-32 HEX NUT
SB820F - SB8100F
3 4
2006韩元鼎好电子
订购信息
产品编号
SB820F
SB830F
SB840F
SB845F
SB850F
SB860F
SB880F
SB8100F
1.
2.
套餐类型
ITO-220A
ITO-220A
ITO-220A
ITO-220A
ITO-220A
ITO-220A
ITO-220A
ITO-220A
送货数量
50单位/管
50单位/管
50单位/管
50单位/管
50单位/管
50单位/管
50单位/管
50单位/管
鉴于航运量仅为最小包装量。对于最低
订货量,请咨询售楼部。
订购RoHS /无铅版本(与无铅完成) ,加上“ -LF ”后缀
上面的零件编号。例如, SB820F -LF 。
韩元鼎好电子有限公司( WTE )已仔细检查了所有的信息,并认为它是正确的,准确的。然而, WTE不承担任何
责任不准确。此外,这种信息不给半导体器件的购买者根据专利权的任何许可
制造商。 WTE保留此更改任何或所有信息,而无需另行通知的权利。
警告:
不要使用生命支持设备。垃圾发电功率半导体产品不授权在生活中使用的关键组件
支持设备或系统未经明确的书面批准。
韩元鼎好电子有限公司
44号谷喀嗯北三路,茅根陈DIST。 ,高雄,台湾
电话:
886-7-822-5408或886-7-822-5410
传真:
886-7-822-5417
电子邮件:
sales@wontop.com
互联网:
http://www.wontop.com
我们日常供电。
SB820F - SB8100F
4 4
2006韩元鼎好电子
SB820F通SB8100F
隔离肖特基整流器
电压 - 20至100伏
电流 - 8.0安培
ITO-220AC
特点
塑料包装有保险商实验室
利用可燃性分类94V- 0
阻燃环氧塑封料
超过MILS -二百二十八分之一万九千五百的环保标准
低功耗,高效率
低正向电压。高电流能力
高浪涌能力
适用于低电压,高频率逆变器
续流。和polarlity保护应用
高温焊接260
o
C / 10秒在终端
无铅产品提供99 %以上的锡能满足RoHS指令
环境物质指令的要求
机械数据
案例ITO220AC全模压塑料封装
终端铅焊每
MIL- STD- 202方法208
极性标记。
安装位置任意
为0.08盎司, 2.24克
最大RATIXGS及电气特性
25评分
o
除非另有说明C的环境温度
单相半波, 60HZ,电阻或电感性负载
对于容性负载,减免电流20 %
符号
SB820F SB830F SB840F SB850F SB860F SB880F SB8100F
单位
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流在T
C
=100
0
C
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
最大正向电压在8.0A
最大直流反向电流T
A
=25
0
C
额定阻断电压DC牛逼
A
=100
0
C
典型热阻
工作和存储温度范围
存储温度范围
R
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
I
FSM
V
F
I
R
JC
20
14
20
30
21
30
40
28
40
50
35
50
8.0
150
60
42
60
80
56
80
100
70
100
安培
安培
0.55
0.5
50
6
0.75
0.85
mA
0
C / W
0
T
J
T
J
T
英镑
-50至+150
-50至+150
C
C
0
www.paceleader.tw
1
SB820F通SB8100F
隔离肖特基整流器
额定值和特性曲线SB820F THRU SB8100F
www.paceleader.tw
2
SB820F系列
表面贴装肖特基整流器
电压
特点
塑料包装有保险商实验室
可燃性分类94V -O利用
阻燃环氧模塑料。
超过MIL -S -二百二十八分之一万九千五百的环保标准
低功耗,高效率。
低正向电压,高电流能力
高浪涌能力。
适用于低电压,高频率逆变器的使用
续流和polarlity保护应用。
在符合欧盟RoHS指令2002/95 / EC指令
20至60伏
当前
8安培
0.112(2.85)
0.100(2.55)
0.272(6.9)
0.248(6.3)
0.406(10.3)
0.381(9.7)
0.134(3.4)
0.118(3.0)
0.189(4.8)
0.165(4.2)
0.130(3.3)
0.114(2.9)
0.063(1.6)MAX.
0.606(15.4)
0.583(14.8)
机械数据
案例: ITO - 220AC全模压塑料封装
终端:每MIL -STD- 750方法2026无铅焊
极性:作为标记。
安装位置:任意
重量: 0.0655盎司, 1.859克。
0.055(1.4)
0.039(1.0)
0.055(1.4)
0.039(1.0)
0.028(0.7)
0.019(0.5)
0.100(2.55)
0.177(4.5)
0.137(3.5)
0.543(13.8)
0.512(13.0)
0.114(2.9)
0.098(2.5)
0.100(2.55)
0.027(0.67)
0.022(0.57)
最大额定值和电气特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。
对于容性负载,减免电流20 %
PA RA M E TE
马锡米庵重新 urre NT P EAK回复已经RSE武LTA GE
马锡米庵RM S武LTA克é
马锡米嗯D C B罗 K I NG武℃的克é
马锡米庵一个已经RA克è F 华道中URR鄂西北一吨
TC = 7 5
O
C
P·E A K F WA RD S URG式C URR鄂西北: 8 。 3米S S小我,吴乐
哈哈LF SI NE -Wa已经s提高ê里mposedon RA罗尚广告
(J E D权证M E寿四)
马锡米庵F RWA R D所武℃的克E A T 8 0.0一
马锡米嗯D C回复已经RS式C URR鄂西北
一吨镭TE D D C B罗 K I NG武℃的克é
典型I C A L皿一升重的I S T数控é
欧普erati吴 UNC化テラMPE吨茜吴镭ê
S T O镭克èテ米P·Eラ吨乌尔ê吴镭ê
T
J
= 2 5
O
C
T
J
= 1 0 0
O
C
S YMB OL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F( AV)
I
F S M
V
F
I
R
R
JC
T
J
T
s TG
-5 5吨O + 1 2 5
0 .5 5
0 .2
50
3
-5 5 + 1 5 0
-5 5 + 1 5 0
O
SB820F SB830F SB 840F SB845F SB850F SB860F
20
14
20
30
21
30
40
28
40
8
45
3 1 .5
45
50
35
50
60
42
60
单位
V
V
V
A
150
A
0 .7 5
V
mA
C / W
O
C
C
O
注意:
这两个粘接和芯片结构可供选择。
八月23,2010 - REV.03
PAGE 。 1
SB820F系列
额定值和特性曲线
150
平均正向电流
安培
10
20-30V
40-60V
峰值正向浪涌电流
安培
120
110
90
70
50
30
20
10
1
2
5
10
8
6
4
2
0
0
50
100
O
8.3ms单
由于半波
JEDEC的方法
150
外壳温度,C
20
50
100
NO 。周期在60Hz
FIG.1-正向电流降额曲线
Fig.2-最大 - 非重复浪涌电流
10
瞬时反向电流,毫安
正向电流
安培
40
20V~45V
10
8
6
4
2
1.0
T
J
=100 C
O
50~60V
1.0
T
J
=75 C
O
0.1
T
J
=25 C
O
0.8
0.6
0.4
0.2
0.1
0.3
1 %占空比
脉冲宽度= 300
m
s
O
T
J
=25 C
0.01
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0.001
0
20
40
60
80
100
正向电压,伏
百分之瞬时反向电压( % )
Fig.3-典型的反向特性
FIG.4-典型正向
特征
八月23,2010 - REV.03
PAGE 。 2
WTE
功率半导体
SB820F - SB8100F
8.0A隔离肖特基整流器
特点
!
!
!
!
!
!
肖特基芯片
保护环的瞬态保护
高电流能力,低正向
C
低反向漏电流
高浪涌电流能力
G
塑料材料具有防火
分类94V -O

D
F
P
I
L
H
B
ITO-220A
暗淡
最大
A
14.9
15.1
B
10.5
C
2.62
2.87
D
3.56
4.06
E
13.46
14.22
F
0.68
0.94
G
3.74
3.91
H
5.84
6.86
I
4.44
4.70
J
2.54
2.79
K
0.35
0.64
L
1.14
1.40
P
4.95
5.20
尺寸:mm
A
PIN1
2
机械数据
!
!
!
!
!
!
案例: ITO - 220A全模压塑料
终端:每焊镀信息
MIL- STD- 202方法208
极性:见图
重量:2.24克数(大约)
安装位置:任意
标记:型号数量
E
PIN 1 +
J
K
PIN 2 -
最大额定值和电气特性
单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。
对于容性负载,减免电流20 % 。
SB
820F
20
14
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均整流输出电流
@T
C
= 95°C
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R( RMS )
I
O
SB
830F
30
21
SB
840F
40
28
SB
850F
50
35
8.0
SB
860F
60
42
SB
880F
80
56
SB
8100F
100
70
单位
V
V
A
非重复性峰值正向浪涌电流8.3ms
单半正弦波叠加在额定负荷
( JEDEC的方法)
正向电压
峰值反向电流
在额定阻断电压DC
典型结电容(注1 )
典型热阻结到外壳(注2 )
工作和存储温度范围
@I
F
= 8.0A
@T
A
= 25°C
@T
A
= 100°C
I
FSM
V
FM
I
RM
C
j
R
θJC
T
j
, T
英镑
0.55
150
0.75
0.5
50
700
6.9
-65到+150
0.85
A
V
mA
pF
K / W
°C
注:1,测得1.0 MHz和应用的4.0V直流反接电压
2.热阻结到外壳上安装散热片。
SB820F - SB8100F
1作者:
3
2002韩元鼎好电子
10
40
8
I
F
, NSTANTANEOUS正向电流( A)
I
(AV)
,平均输出电流( A)
820F - 840F
20
6
850F - 860F
880F - 8100F
4
10
2
单脉冲半波
60赫兹电阻或电感性负载
T
j
= 25C
脉冲宽度= 300
s
2 %的占空比
0
10
40
60
80
100
120
140150
0.1
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
F
,正向电压( V)
图。 2典型正向特性
T
L
,焊接温度( ° C)
图。 1正向电流降额曲线
150
2000
T
j
= 25C
F = 1MHz的
I
FSM
,峰值正向浪涌电流( A)
120
C
j
,电容(pF )
8.3ms单半正弦波
JEDEC的方法
90
1000
60
30
100
0
1
10
100
循环次数在60赫兹
图。 3最大非重复性峰值正向浪涌电流
0.1
1.0
10
100
V
R
,反向电压(V)的
图。 4典型结电容
SB820F - SB8100F
2
of
3
2002韩元鼎好电子
订购信息
产品编号
SB820F
SB830F
SB840F
SB850F
SB860F
SB880F
SB8100F
套餐类型
ITO-220A
ITO-220A
ITO-220A
ITO-220A
ITO-220A
ITO-220A
ITO-220A
送货数量
50单位/管
50单位/管
50单位/管
50单位/管
50单位/管
50单位/管
50单位/管
鉴于航运量仅为最小包装量。最小订单
量,请咨询售楼部。
韩元鼎好电子有限公司( WTE )已仔细检查了所有的信息,并认为它是正确的,准确的。然而, WTE不承担任何
责任不准确。此外,这种信息不给半导体器件的购买者根据专利权的任何许可
制造商。 WTE保留此更改任何或所有信息,而无需另行通知的权利。
警告:
不要使用生命支持设备。垃圾发电功率半导体产品不授权在生活中使用的关键组件
支持设备或系统未经明确的书面批准。
韩元鼎好电子有限公司
44号谷喀嗯北三路,茅根陈DIST。 ,高雄,台湾
电话:
886-7-822-5408或886-7-822-5410
传真:
886-7-822-5417
电子邮件:
sales@wontop.com
互联网:
http://www.wontop.com
我们日常供电。
2002韩元鼎好电子
SB820F - SB8100F
3 3
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