WTE
功率半导体
SB820D - SB8100D
Pb
8.0A表面贴装肖特基整流器
特点
!
!
肖特基芯片
C
J
保护环片施工
A
瞬态保护
!
低正向压降
!
低功耗，高效率
B
!
高浪涌电流能力
D
E
销1
3
!
为了在低电压，高频率
逆变器，续流和极性
G
保护应用
H
K
P
P
D
2
PAK/TO-263
暗淡
民
最大
9.80
10.40
A
9.60
10.60
B
4.40
4.80
C
8.50
9.10
D
2.80
—
E
1.00
1.40
G
—
0.90
H
1.20
1.40
J
0.30
0.70
K
2.35
2.75
P
尺寸：mm
机械数据
!
!
!
!
!
!
!
案例：D
2
PAK / TO- 263 ，模压塑料
终端：每焊镀信息
MIL- STD- 202方法208
极性：见图
重量：2.7克数（大约）
安装位置：任意
标记：型号数量
无铅：对于符合RoHS /无铅版本，
新增“ -LF ”后缀型号，见第4页
PIN 1 +
PIN 3 -
+
例
最大额定值和电气特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。对于容性负载，减免电流20 ％ 。
SB
820D
20
14
SB
830D
30
21
SB
840D
40
28
SB
845D
45
32
8.0
SB
850D
50
35
SB
860D
60
42
SB
880D
80
56
SB
8100D
100
70
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均整流输出电流@T
C
= 100°C
非重复峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
在额定负荷（ JEDEC的方法）
正向电压
峰值反向电流
在额定阻断电压DC
@I
F
= 8.0A
@T
A
= 25°C
@T
A
= 100°C
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R（ RMS ）
I
O
单位
V
V
A
I
FSM
V
FM
I
RM
C
j
R
θJC
T
j
, T
英镑
0.55
150
0.75
0.5
50
400
3.0
-65到+150
0.85
A
V
mA
pF
° C / W
°C
典型结电容（注1 ）
典型热阻（注2 ）
工作和存储温度范围
注：1，测得1.0 MHz和应用的4.0V直流反接电压
2.热阻结到外壳上安装散热片。
SB820D - SB8100D
1 4
2006韩元鼎好电子
标识信息
推荐足迹
0.33
(8.38)
WTE
SB8xxD
0.42
(10.66)
0.12
(3.05)
0.08
(2.032)
0.24
(6.096)
0.04
(1.016)
WTE
SB8xxD
xx
极性
=制造商的标志
=设备号
= 20 ，30，40 ，45， 50 ，60， 80或100个
=对人体标示
0.63
(17.02)
英寸（毫米）
包装信息
磁带&卷轴
退绕方向
16mm
330mm
24mm
4mm
24mm
产品ID标签
1.6mm
卷筒直径
(mm)
330
QUANTITY
（ PCS）的
800
内箱尺寸
长x宽x高（mm ）
340 x 337 x 45
QUANTITY
（ PCS）的
800
外箱尺寸
长x宽x高（mm ）
370 x 370 x 420
QUANTITY
（ PCS）的
6,400
约。总重量
（公斤）
15.0
注意：
1.纸卷轴，白色或灰色。
2.组件是按照包装符合EIA标准481-1和481-2 。
SB820D - SB8100D
3 4
2006韩元鼎好电子
订购信息
产品编号
SB820D-T3
SB830D-T3
SB840D-T3
SB845D-T3
SB850D-T3
SB860D-T3
SB880D-T3
SB8100D-T3
1.
2.
套餐类型
PAK
PAK
PAK
PAK
PAK
PAK
PAK
PAK
2
2
2
2
2
2
2
2
送货数量
800 /磁带&卷轴
800 /磁带&卷轴
800 /磁带&卷轴
800 /磁带&卷轴
800 /磁带&卷轴
800 /磁带&卷轴
800 /磁带&卷轴
800 /磁带&卷轴
鉴于航运量仅为最小包装量。对于最低
订货量，请咨询售楼部。
订购RoHS /无铅版本（与无铅完成） ，加上“ -LF ”后缀
上面的零件编号。例如， SB820D -T3- LF 。
韩元鼎好电子有限公司（ WTE ）已仔细检查了所有的信息，并认为它是正确的，准确的。然而， WTE不承担任何
责任不准确。此外，这种信息不给半导体器件的购买者根据专利权的任何许可
制造商。 WTE保留此更改任何或所有信息，而无需另行通知的权利。
警告：
不要使用生命支持设备。垃圾发电功率半导体产品不授权在生活中使用的关键组件
支持设备或系统未经明确的书面批准。
韩元鼎好电子有限公司
44号谷喀嗯北三路，茅根陈DIST。 ，高雄，台湾
电话：
886-7-822-5408或886-7-822-5410
传真：
886-7-822-5417
电子邮件：
sales@wontop.com
互联网：
http://www.wontop.com
我们日常供电。
SB820D - SB8100D
4 4
2006韩元鼎好电子
数据表
SB820D~SB8150D
D
2
PAK表面MOUNTSCHOTTKY垒整流器
电压
特点
塑料包装有保险商实验室
可燃性分类94V -O利用
阻燃环氧模塑料。
超过MIL -S -二百二十八分之一万九千五百的环保标准
低功耗，高效率。
.418(10.6)
.357(9.1)
.335(8.5)
.409(10.4)
.387(9.80)
20至150伏特
当前
8安培
TO- 263 / D PAK
2
单位：英寸（毫米）
.189(4.8)
.137(4.4)
.055(1.4)
.047(1.2)
高浪涌能力。
适用于低电压，高频率逆变器的使用
续流和polarlity保护应用。
正常情况： 80 95 ％的锡， 5 20 ％的Pb
无铅： 99 ％以上的Sn
.110(2.8)
正常和无铅产品可供选择：
.236(6.0)
.197(5.0)
.035(0.9)MAX
.378(9.60)
低forwrd voltge ，高电流能力
.026(0.7)
.011(0.3)
MECHANICALDATA
案例： TO- 263 / D
2
PAK模压塑料封装
终端：每铅焊MIL -STD- 202G ，方法208
极性：标示。
安装位置：任意
重量： 0.06盎司，1.7克。
.055(1.4)
.039(1.0)
.108(2.75)
.092(2.35)
.108(2.75)
.092(2.35)
空白
最大额定值和电气特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％
PAR AME T E
米喜米庵 - [R EC乌尔重新NT P EAK 已经RSE V oltage
米喜米庵 - [R M传V L T A G é
米喜米嗯D C B升摄氏度K I NG V L T A G é
米喜米庵一个已经风靡F orward C-UR重新新台币。 3 7 5 " （ 9 5 M M ）
L E A D L E毫微吨小时的吨T C = 1 0 0
O
C
P·E A K F R W A R S UR克式C乌尔鄂西北： 8 。 3米S S小我NG L E公顷升F小号我NE -
WA已经s提高erimposedonratedload （ JEDEC浩会见四）
米喜米庵F R W A R D V L T A G E A T 8 。 0
M aximum DCR EVERSE光凭目前 TA = 2 5
O
C
为R ated DCB锁定V oltage TA = 1 0 0
O
C
TY P I C A L T ^ h é R M一l研究（E S）我S T A N权证
操作摄像恩膏特mperature 昂
S T R A克éテ米P·E·R的T ü R A N G -
S YM B OL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
AV
I
F S M
V
F
SB820D
20
14
20
SB830D
30
21
30
SB840D
40
28
40
SB850D
50
35
50
8
150
SB860D
60
42
60
SB880D
80
56
80
SB8100D SB8150D
100
70
100
150
105
150
加利它s
V
V
V
A
A
0 .5 5
0 .7 5
0 .5
50
6
-5 0 1 2 5
-5 0至1 5 0
0 .8 5
0.92
V
I
R
mA
RθJ
T
J
T
J
, T
s TG
O
C / W
O
C
C
O
注意事项：
这两个粘接和芯片结构可供选择。
STAD-FEB.21.2005
PAGE 。 1
SB820D系列
表面贴装肖特基整流器
电压
特点
塑料包装有保险商实验室
可燃性分类94V -O利用
阻燃环氧模塑料。
超过MIL -S -二百二十八分之一万九千五百的环保标准
低功耗，高效率。
低正向电压，高电流能力
高浪涌能力。
适用于低电压，高频率逆变器的使用
续流和polarlity保护应用。
在符合欧盟RoHS指令2002/95 / EC指令
0.110(2.8)
0.236(6.0)
0.197(5.0)
0.026(0.7)
0.011(0.3)
0.055(1.4)
0.039(1.0)
0.108(2.75)
0.092(2.35)
0.35(0.9)MAX.
0.357(9.1)
0.335(8.5)
20至60伏
当前
8安培
0.409(10.4)
0.387(9.80)
0.189(4.8)
0.137(4.4)
0.055(1.4)
0.047(1.2)
0.418(10.6)
0.378(9.60)
机械数据
案例： TO- 263 / D
2
PAK模压塑料封装
终端：每MIL -STD- 750方法2026无铅焊
极性：作为标记。
安装位置：任意
重量： 0.06盎司，1.7克。
0.108(2.75)
0.092(2.35)
最大额定值和电气特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％
霸岭我忒
马锡米庵重新 URR鄂西北P EAK回复已经RSE武LT时代
马锡米庵RM S武LTA克é
马锡米嗯D C B罗C k的我，吴武LTA克é
马锡米庵一个已经RA克è F 华道中urre新台币一吨
TC = 7 5
O
C
P EAK F或WA RD S URG式C URR鄂西北： 8 0.3毫秒SI吴乐哈哈LF SI NE -
WA已经s提高ê里mposedonraて LO广告（ JEDEC我的寿四）
马锡米庵F RWA R D所武LTA克E A T 8 0.0一
马锡米庵 C R ê已经RS电子C-UR重新新台币一吨镭德
D C B罗C k的我，吴武LTA克é
典型I C A L皿一升重的I的TA NC ê
在特MPE RA TURE镭吴è运时代TI NG UNC TI
S到RA克éテ米P·EラTUR ê吴镭ê
T
J
= 2 5
O
C
T
J
= 1 0 0
O
C
S YMB OL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV）
I
F S M
V
F
I
R
R
J
C
T
J
T
s TG
- 5 5 + 1 2 5
0 .5 5
0 .2
50
3
-5 5 + 1 5 0
- 5 5 + 1 5 0
O
SB820D SB830D SB840D SB850D SB860D
20
14
20
30
21
30
40
28
40
8
150
0 .7 5
50
35
50
60
42
60
单位
V
V
V
A
A
V
mA
C / W
O
C
C
O
注意：
这两个粘接和芯片结构可供选择。
八月19,2010 - REV.02
PAGE 。 1
SB820D系列
贴装焊盘布局
TO- 263 / D
2
PAK
0.428
(10.86)
单位：英寸（毫米）
0.309
(7.86)
0.143
(3.62)
0.045
(1.14)
0.200
(5.08)
订购信息
包装信息
T / R - 每13"塑料卷0.8K
法律声明
版权所有强茂国际有限公司2010
本文件中的信息被认为是准确和可靠。规格和此处信息
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八月19,2010 - REV.02
0.458
(11.64)
PAGE 。 3
SB820D THRU SB8100D
D
2
PAK表面贴装肖特基整流器
电压 - 20至100伏
特点
l
塑料包装有保险商实验室
可燃性分类94V -O利用
l
l
l
l
l
阻燃环氧塑封料
超过MIL -S -二百二十八分之一万九千五的环保标准
低功耗，高效率
低正向电压，高电流能力
高浪涌能力
适用于低电压，高频率逆变器
免费续流和polarlity保护应用
机械数据
案例：D
2
PAK / TO-263的模制塑料
端子：导线，每MIL -STD- 202 ，
方法208
极性：标示
安装位置：任意
重量0.06盎司， 1.7克
最大额定值和电气特性
25评分
J
环境温度，除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
SB820D
SB830D
SB840D
SB850D
SB860D
SB880D SB8100D
单位
电流 - 8.0安培
PAK / TO- 263
2
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流网络版
目前在T
C
=100
J
峰值正向浪涌电流，
8.3ms单半正弦波叠加
在额定负荷（ JEDEC的方法）
20
14
20
30
21
30
40
26
40
50
35
50
8.0
150
60
42
60
80
56
80
100
80
100
V
V
V
A
A
最大正向电压在8.0A每
元素
最大DC反向电流在
T
C
=25
J
每个器件T阻断电压DC
C
=100
J
典型热阻（注）R
K
JA
工作和存储温度范围T
J
0.55
0.75
0.5
50
60
-50至+150
0.85
V
mA
J
/W
J
注意事项：
热阻结到环境。
QQ：2881677436 复制
