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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第596页 > SB630FCT
SB620FCT通SB660FCT
隔离肖特基整流器
电压 - 20至60伏
电流 - 6.0安培
ITO-220AB
特点
塑料包装有保险商实验室
利用可燃性分类94V- 0
阻燃环氧塑封料
超过MILS -二百二十八分之一万九千五百的环保标准
低功耗,高效率
低正向电压。高电流能力
高浪涌能力
适用于低电压,高频率逆变器
续流。和polarlity保护应用
高温焊接260
o
C / 10秒在终端
无铅产品提供99 %以上的锡能满足RoHS指令
环境物质指令的要求
机械数据
案例ITO220AB全模压塑料封装
终端铅焊每
MIL- STD- 202方法208
极性标记。
安装位置任意
为0.08盎司, 2.24克
最大RATIXGS及电气特性
25评分
o
除非另有说明C的环境温度
单相半波, 60HZ,电阻或电感性负载
对于容性负载,减免电流20 %
SB620FCT
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流在T
C
=75
0
C
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
最大正向电压在每个元素3.0A
最大直流反向电流T
A
=25
0
C
额定阻断电压DC牛逼
A
=100
0
C
典型热阻注
R
JC
JA
SB630FCT
30
21
30
SB640FCT
40
28
40
6.0
75
SB650FCT
50
35
50
SB660FCT
60
42
60
单位
安培
安培
20
14
20
0.55
0.1
15
6.0
80
0.7
mA
0
C / W
0
工作和存储温度范围
存储温度范围
1.热阻结到环境
-55到+150
-55到+150
C
C
0
www.paceleader.tw
1
SB620FCT通SB660FCT
隔离肖特基整流器
额定值和特性曲线SB620FCT THRU SB660FCT
www.paceleader.tw
2
SB620FCT~SB660FCT
隔离肖特基二极管
电压
特点
塑料包装有保险商实验室
可燃性分类94V -O利用
阻燃环氧模塑料。
超过MIL -S -二百二十八分之一万九千五百的环保标准
低功耗,高效率。
低forwrd voltge ,高电流能力
高浪涌能力。
适用于低电压,高频率逆变器的使用
续流和polarlity保护应用。
在符合欧盟RoHS指令2002/95 / EC指令
20至60伏
当前
6.0安培
MECHANICALDATA
案例: ITO - 220AB全模压塑料封装
终端:每MIL -STD- 750方法2026无铅焊
极性:作为标记。
安装位置:任意
重量: 0.055盎司, 1.5615克。
.027(.67)
.022(.57)
最大额定值和电气特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。
对于容性负载,减免电流20 %
PA RA M E TE
米喜米庵 - [R EC乌尔重新NT P EAK 已经RSE V oltage
米喜米庵 - [R M传V L T A G é
米喜米嗯D C B升摄氏度K I NG V L T A G é
米喜米庵一个已经风靡F orward C-UR重新NT在T c = 5 7
O
C
P·E A K F R W A R S UR克式C乌尔鄂西北: 8 。 3米S S小我NG L E公顷升F小号我NE - W A已经
s上行erimposedonratedload ( JEDEC浩会见四)
米喜米庵F R W A R D V L T A G E A T第3 。 0
米喜米庵 C R ê已经R 5式C乌尔鄂西北牛逼
J
= 2 5
O
C
一件T R A T E D D C B升摄氏度K I NG V L T A G (E T)
J
= 1 0 0
O
C
TY P I C A L T ^ h é R M一l研究(E S)我S T A N权证
操作摄像恩膏特mperature 法兰
S T R A克éテ米P·E·R的T ü R A N G - é
S YM B○升
SB 6 2 0 FCTSB 6 3 0 FCTSB 6 4 0 FCTSB 6 5 0 FCTSB 6 6 0 FCT
加利I T S
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F( A V )
I
F S M
V
F
I
R
R
θ
J·C
T
J
T
s TG
-5 5 1 2 5
0 .5 5
0 .2
15
3
-5 5 1 5 0
-5 5 1 5 0
20
14
20
30
21
30
40
28
40
6 .0
75
0 .7
0 .1
15
50
35
50
60
42
60
V
V
V
A
A
V
mA
O
C /
W
C
C
O
O
注意事项:
这两个粘接和芯片结构可供选择。
STAD-APR.27.2009
1
PAGE 。 1
SB620FCT~SB660FCT
额定值和特性曲线
正向平均整流
安培电流
10.0
=20-30V
=40-60V
8.0
6.0
4.0
2.0
0
0
50
100
O
150
外壳温度,C
峰值正向浪涌电流
安培
NO 。周期在60Hz
FIG.1-正向电流降额曲线
Fig.2-最大 - 非重复浪涌
当前
10
瞬时反向电流,毫安
50
正向电流
安培
1.0
T
J
= 1 C
00
O
20-40V
10
0.1
T
J
= 7 C
5
O
1.0
50-60V
T
J
= 25 C
脉冲宽度= 300
m
s
1 %占空比
0.1
O
0.01
T
J
= 2 C
5
O
V
RRM
=20-40V
V
RRM
=50-60V
.001
.2
.3
.4
.5
.6
.7
.8
.9 1.0 1.1
0
20
40
60
80
100
正向电压,伏
百分之瞬时反向电压( % )
FIG.3-典型的反向特性
FIG.4-典型正向
特征
STAD-APR.27.2009
1
PAGE 。 2
数据表
SB620FCT~SB660FCT
隔离肖特基二极管
电压为2060伏
特点
塑料包装有保险商实验室
可燃性分类94V -O利用
阻燃环氧模塑料。
超过MIL-的环保标准
S-19500/228
低功耗,高效率。
低forwrd voltge ,高电流能力
高浪涌能力。
适用于低电压,高频率逆变器的使用
续流和polarlity保护应用。
0.161 ( 4.1 ) MAX
.543(13.8)
.512(13.0)
电流 - 6安培
.112(2.85)
.100(2.55)
ITO-220AB
.272(6.9)
.248(6.3)
单位:英寸(毫米)
0.406 ( 10.3 )最大
.134(3.4)
.118(3.0)
.189(4.8)MAX
.130(3.3)MAX
.606(15.4)
.583(14.8)
0.071 ( 1.8 ) MAX
.055 ( 1.4 ) MAX
.114(2.9)
.098(2.5)
.032(.8)
最大
机械数据
案例: ITO - 220AB全模压塑料封装
终端:每铅焊MIL -STD- 202方法208
极性:标示。
安装位置:任意
重量0.08盎司, 2.24克。
0.035 ( 0.9 ) MAX
.1
(2.55)
.1
(2.55)
AC
CT阳性
AC
+
最大额定值和电气特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。
对于容性负载,减免电流20 %
SB620FCT SB630FCT
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流在Tc = 75℃
峰值正向浪涌电流,
8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
最大正向电压在每个元素3.0A
最大DC反向电流在Tc = 25℃
每个元素锝= 100℃阻断电压DC
典型热阻注RθJC
RΘJA
工作和存储温度范围
存储温度范围
0.55
SB640FCT
40
28
40
6.0
SB650FCT SB660FCT
50
35
50
60
42
60
单位
V
V
V
A
A
20
14
20
30
21
30
75
0.70
0.1
15
6.0
80
-50至+125
-50至+150
V
mA
° C / W
°C
°C
注意事项:
1.热阻结到环境。
日期: OCT.10.2002
PAGE 。 1
10.0
8.0
20-30V
40-60V
O
C
外壳温度
O
C
正向电压,伏
FIG.1-正向电流降额曲线
Fig.2-典型正向
特征
O
C
O
C
O
C
周期在60Hz号
Fig.4-最大非重复性
浪涌电流
额定峰值百分比
反向电压, %
Fig.3-典型的反向
特征
FIG.5-典型结电容
日期: OCT.10.2002
PAGE 。 2
数据表
SB620FCT~SB660FCT
隔离肖特基二极管
电压
特点
.112(2.85)
.100(2.55)
.272(6.9)
.248(6.3)
20至60伏
当前
6.0安培
ITO-220AB
单位:英寸(毫米)
塑料包装有保险商实验室
可燃性分类94V -O利用
阻燃环氧模塑料。
超过MIL-的环保标准
S-19500/228
低功耗,高效率。
高浪涌能力。
适用于低电压,高频率逆变器的使用
续流和polarlity保护应用。
正常和无铅产品可供选择:
无铅: 98.5 %以上的Sn
正常情况: 80 95 %的锡, 5 20 %的Pb
低forwrd voltge ,高电流能力
.406(10.3)
.381(9.7)
.134(3.4)
.118(3.0)
.189(4.8)
.165(4.2)
.130(3.3)
.114(2.9)
.606(15.4)
.583(14.8)
MECHANICALDATA
案例: ITO - 220AB全模压塑料封装
终端:每铅焊MIL -STD- 202方法208
极性:标示。
安装位置:任意
重量0.08盎司, 2.24克。
.055(1.4)
.039(1.0)
.035(0.9)
.011(0.3)
.1
(2.55)
.1
(2.55)
.161(4.1)MAX
.543(13.8)
.512(13.0)
.071(1.8)
.055(1.4)
.114(2.9)
.098(2.5)
.032(.8)
最大
AC
CT阳性
AC
最大额定值和电气特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。
对于容性负载,减免电流20 %
PAR AME T E
米喜米庵 - [R EC乌尔重新NT P EAK 已经RSE V oltage
米喜米庵 - [R M传V L T A G é
米喜米嗯D C B升摄氏度K I NG V L T A G é
米喜米庵一个已经风靡F orward C-UR重新新台币。 3 7 5 " ( 9 5 M M )
L E A D L E毫微吨小时的吨锝= 7 5
O
C
P·E A K F R W A R S UR克式C乌尔鄂西北: 8 。 3米S S小我NG L E公顷升F小号我NE - W A已经
s上行erimposedonratedload ( JEDEC浩会见四)
米喜米庵F R W A R D V L T A G E A T第3 。 0
米喜米庵 C R ê已经R 5式C乌尔鄂西北牛逼
C
= 2 5
O
C
一件T R A T E D D C B升摄氏度K I NG武L T A G (E T)
C
= 1 0 0
O
C
TY P I C A L T ^ h é R M一l研究(E S)我S T A N权证
操作摄像恩膏特mperature 法兰
S T R A克éテ米P·E·R的T ü R A N G - é
S YM B OL SB 6 2 0 FCTSB 6 3 0 FCTSB 6 4 0 FCTSB 6 5 0 FCTSB 6 6 0 FCTUN它s
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
AV
I
F S M
V
F
0 .5 5
0 .2
15
6
80
-5 0 1 2 5
-5 0至1 5 0
O
20
14
20
30
21
30
40
28
40
6 .0
75
50
35
50
60
42
60
V
V
V
A
A
0 .7 0
V
I
R
Rθ J·C
Rθ J A
T
J
T
J
, T
s TG
mA
C / W
O
C
C
O
注意事项:
这两个粘接和芯片结构可供选择。
STAD-JUN.15.2004
PAGE 。 1
额定值和特性曲线
平均正向电流,
安培
10.0
8.0
外壳温度
O
C
,
峰值正向浪涌电流
安培
NO 。周期在60Hz
FIG.1-正向电流降额曲线
Fig.2-最大 - 非重复浪涌
当前
10.00
10.00
T
J
=
125
O
C
50-60V
正向电流,安培
1.00
20-40V
反向电流微安
T
J
=
7
5 C
O
0.10
1.00
0.01
T
J
=25 C
O
0.00
20-40V
50-60V
0.00
20
40
60
80
100
0.10
0.20
0.40
0.60
0.80
1.00
百分之额定峰值反向电压, %
正向电压,伏
Fig.3-典型的反向特性
FIG.4-典型正向
CHRACTERISTIC
STAD-JUN.15.2004
PAGE 。 2
WTE
功率半导体
SB620FCT - SB660FCT
Pb
6.0A双肖特基整流器
特点
!
!
!
!
!
!
肖特基芯片
保护环的瞬态保护
低正向压降
C
低反向漏电流
高浪涌电流能力
G
塑料材料具有防火
分类94V -O

D
F
P
I
H
L
B
ITO-220
暗淡
最大
14.60
15.40
A
9.70
10.30
B
2.55
2.85
C
3.56
4.16
D
13.00
13.80
E
0.30
0.90
F
3.00
3.50
G
6.30
6.90
H
4.20
4.80
I
2.50
2.90
J
0.36
0.80
K
2.90
3.30
L
2.29
2.79
P
尺寸:mm
A
PIN1
2
3
机械数据
!
!
!
!
!
!
!
案例: ITO - 220 ,全模压塑料
终端:每焊镀信息
MIL- STD- 202方法208
极性:见图
重量:2.24克数(大约)
安装位置:任意
安装扭矩:11.5厘米千克( 10磅)最大。
无铅:对于符合RoHS /无铅版本,
新增“ -LF ”后缀型号,见第4页
E
PIN 1 -
+
销2
J
K
PIN 3 -
最大额定值和电气特性
单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。
对于容性负载,减免电流20 % 。
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均整流输出电流
@T
C
= 75°C
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R( RMS )
I
O
SB620FCT SB630FCT SB640FCT SB650FCT SB660FCT
单位
20
14
30
21
40
28
6.0
50
35
60
42
V
V
A
非重复性峰值正向浪涌电流8.3ms
单半正弦波叠加在额定负荷
( JEDEC的方法)
正向电压
峰值反向电流
在额定阻断电压DC
@I
F
= 3.0A
@T
A
= 25°C
@T
A
= 100°C
I
FSM
V
FM
I
RM
C
j
T
j
, T
英镑
0.55
75
0.70
0.2
15
400
-65到+150
A
V
mA
pF
°C
典型结电容(注1 )
工作和存储温度范围
注:1,测得1.0 MHz和应用的4.0V直流反接电压
SB620FCT - SB660FCT
1 4
2006韩元鼎好电子
8
I
F
,正向电流(A)
10
40
I
( AV)
平均正向电流( A)
620 - 640
10
6
650 - 660
4
1.0
2
电阻或
感性负载
T
j
- 25
°
C
I
F
脉冲宽度= 300
s
0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
,外壳温度(
°
C)
图。 1正向电流降额曲线
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
F
,正向电压( V)
图。 2典型正向特性
3000
T
j
= 25
°
C
I
FSM
,峰值正向浪涌电流( A)
100
单半正弦波
( JEDEC的方法)
80
C
j
,电容(pF )
1000
60
40
20
0
1
10
100
循环次数在60Hz
图。 3最大非重复性峰值正向浪涌电流
I
R
,瞬时反向电流(mA)
100
T
j
= 125
°
C
100
0.1
1.0
10
100
V
R
,反向电压(V)的
图。 4典型结电容
10
1.0
T
j
= 75
°
C
0.1
0.01
T
j
= 25
°
C
0.001
0
20
40
60
80
100
120
140
1999额定峰值反向电压百分比(% )
图。 5典型的反向特性
SB620FCT - SB660FCT
2 4
2006韩元鼎好电子
标识信息
WTE
SB6x0FCT
WTE
SB6x0FCT
x
极性
=制造商的标志
=设备号
= 2, 3,4, 5或6个
=对人体标示
包装信息
体积
管尺寸
长x宽x高(mm )
525 x 31 x 6
QUANTITY
( PCS)的
50
内箱尺寸
长x宽x高(mm )
555 x 145 x 95
QUANTITY
( PCS)的
2,000
外箱尺寸
长x宽x高(mm )
572 x 306 x 218
QUANTITY
( PCS)的
8,000
约。总重量
(公斤)
19.0
注意:
1.防静电管,水质清澈的颜色。
推荐的螺丝安装方式
全模压塑料封装提供了一个
硬件相比大幅减少
到一个标准的TO -220封装。不过,
预防措施应在安装进行
过程。
锥形垫圈应使用应用
适当的力到该设备。螺丝应
不会与任何类型的紧固空气被迫
扭矩或设备可能会导致裂纹
器件的封装。
在导热硅脂或导热垫一层
该接口将是相当有益的
散热。
6-32六角头螺丝
平垫圈
整流器器
散热器
锥形垫圈
6-32 HEX NUT
SB620FCT - SB660FCT
3 4
2006韩元鼎好电子
订购信息
产品编号
SB620FCT
SB630FCT
SB640FCT
SB650FCT
SB660FCT
1.
2.
套餐类型
ITO-220
ITO-220
ITO-220
ITO-220
ITO-220
送货数量
50单位/管
50单位/管
50单位/管
50单位/管
50单位/管
鉴于航运量仅为最小包装量。对于最低
订货量,请咨询售楼部。
订购RoHS /无铅版本(与无铅完成) ,加上“ -LF ”后缀
上面的零件编号。例如, SB620FCT -LF 。
韩元鼎好电子有限公司( WTE )已仔细检查了所有的信息,并认为它是正确的,准确的。然而, WTE不承担任何
责任不准确。此外,这种信息不给半导体器件的购买者根据专利权的任何许可
制造商。 WTE保留此更改任何或所有信息,而无需另行通知的权利。
警告:
不要使用生命支持设备。垃圾发电功率半导体产品不授权在生活中使用的关键组件
支持设备或系统未经明确的书面批准。
韩元鼎好电子有限公司
44号谷喀嗯北三路,茅根陈DIST。 ,高雄,台湾
电话:
886-7-822-5408或886-7-822-5410
传真:
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