SB580 THRU SB5100
肖特基势垒
整流器器
电压： 80 100V
电流： 5.0A
特征
高电流能力，低正向电压降
低功耗，高效率
高浪涌能力
高温焊接保证
250 ° /10sec/0.375"引线长度在5 lbs紧张
C
DO-201AD
机械数据
终端：镀轴向引线焊元
MIL- STD 202E ，方法208C
案例：模压与UL - 94 V-0级阻燃认可
阻燃环氧树脂
极性：颜色频带为负极
安装位置：任意
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和电气特性
（单相半波， 60HZ，电阻或电感的在25 ° C，除非另有说明）
符号
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流网络版
目前8"分之3引线长度
峰值正向浪涌电流8.3ms单
半正弦波叠加在额定负荷
最大正向电压在5.0A （ （注1 ）
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
TA = 25_C
TA = 100 ℃
C
VRRM
VRMS
VDC
IF （ AV ）
IFSM
Vf
Ir
R（ JA ）
Tj
0.8
500
25
25.0
-50至+150
SB
580
80
57
80
SB
590
90
65
90
5.0
150.0
0.85
SB
5100
100
71
100
单位
V
V
V
A
A
V
uA
mA
° /W
C
°
C
典型热阻
（注2 ）
存储和工作结温
注意：
1.脉冲测试： 300μS脉冲宽度， 1 ％的占空比
从结点2到环境的热阻为0.5"引线长度，垂直PC板装
1
1
Rev.A5
www.gulfsemi.com
1
额定值和特性曲线SB580 THRU SB5100
2
2
牧师Rev.A5
www.gulfsemi.com
2
SB520通SB5100
肖特基势垒整流器
反向电压 - 20至100伏特
正向电流 - 5.0安培
特点
●
●
●
●
●
塑料包装进行保险商实验室
易燃性分类科幻阳离子94V- 0
施工采用无空隙
模压塑料技术
低反向漏
高正向浪涌电流能力
高温焊接保证：
250 ℃/ 10秒0.375
”
设计（9.5mm ）引线长度，
5磅。 （ 2.3千克）张力
DO-201AD
1.0 (25.4)
分钟。
0.210 (5.3)
0.190 (4.8)
DIA 。
机械数据
例
： JEDEC DO- 201AD模压塑体
码头
：镀轴向引线，每MIL -STD- 750 ，
方法2026
极性
：颜色频带端为负极
安装位置
：任何
重量
0.04盎司， 1.10克
0.375 (9.50)
0.285(7.20)
1.0 (25.4)
分钟。
0.052 (1.32)
0.048 (1.22)
DIA 。
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和电气特性
在25℃的环境温度额定值除非另有规定。
单相半波60赫兹，电阻或电感性负载，容性负载电流降额20％ 。
特征
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
0.375
”
设计（9.5mm ）引线长度（见图1 ）
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
额定负荷（ JEDEC的方法）
在5.0A最大正向电压
反向电流最大DC
T
A
=25 C
在额定阻断电压DC
T
A
=100 C
典型结电容（注1 ）
典型热阻（注2 ）
工作结温范围
存储温度范围
符号
SB520
SB540
SB560
SB580
SB5100
单位
V
V
V
A
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
（AV）
I
FSM
V
F
I
R
C
J
R
JA
T
J
,
T
英镑
20
14
20
40
28
40
60
42
60
5.0
150.0
80
56
80
100
70
100
0.55
50.0
500
-65到+125
0.70
0.5
25.0
400
0.85
V
mA
pF
C / W
C
C
25.0
-65到+150
-65到+150
注意：
1.Measured在1MHz和应用4.0V DC反向电压
结2.Thermal耐环境在0.375
”
设计（9.5mm ）引线长度， P.C.B 。安装
SB520 THRU SB5A0
肖特基势垒整流器器
反向电压 - 20至100伏特
正向电流 - 5.0安培
特点
塑料包装有保险商实验室可燃性
分类科幻阳离子94V- 0
金属硅交界处，多数载流子传导
保护环，过电压保护
低功耗，高效率
高电流能力，低正向电压降
高浪涌能力
适用于低电压，高频率逆变器，免费使用
续流和极性保护应用
高温焊接保证： 250 ℃ / 10秒
在码头， 0.375“设计（9.5mm ）引线长度， 5磅。 （ 2.3公斤）张力
机械数据
案例：
模压塑料机身， JEDEC DO- 201AD 。
终端：
轴向引线，每MIL -STD- 750焊接的方法2026
极性：
颜色频带端为负极。
安装位置：
任何
绝对最大额定值和特性
25评分
0
C环境温度，除非另有规定。单相半波，电阻或电感性负载。
对于容性负载， 20％减免
符号
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
0.375“设计（9.5mm ）引线长度
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
在额定负荷（ JEDEC的方法）
最大正向电压
5 A（注1 ）
最大反向电流
在额定反向电压（注1 ）
典型结电容（注2 ）
典型的热电阻，从结点到环境（注3）
典型热阻，结到铅（注3 ）
工作结温范围
存储温度范围
T
A
= 25
O
C
T
A
= 100
O
C
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
（AV）
SB
520
20
14
20
SB
530
30
21
30
SB
540
40
28
40
SB
550
50
35
50
5.0
SB
560
60
42
60
SB
580
80
57
80
SB
5A0
100
71
100
单位
V
V
V
A
I
FSM
V
F
I
R
C
合计
R
θ
JA
R
θ
JL
T
J
T
S
-65到+125
0.55
150
0.70
2.5
50
500
25
8.0
-65到+150
-65到+150
25
400
O
O
A
0.80
0.85
V
mA
pF
C / W
C / W
O
O
C
C
注意事项：
（1 ）脉冲测试： 300μS脉冲宽度， 1 ％的占空比
（ 2 ）测得1MH
Z
和施加的4伏的反向电压
结（ 3 ）热阻导致垂直PCB，装有0.375“设计（9.5mm ）引线长度
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
升特国际控股有限公司， acompany
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 19/05/2003
SB520 THRU SB5A0
正向电流降额曲线
平均正向电流，A
最大非重复峰值
正向浪涌电流
150
峰值正向浪涌电流，A
5
4
3
2
1
0
0
SB520-SB540
SB550-SB5A0
电阻或
感性负载
100
50
T
J
=T
J
MAX 8.3毫米单半
正弦波（ JEDEC的方法）
50
100
150
0
1
10
循环次数在60Hz
100
焊接温度（ C）
典型正向
特征
50
瞬时正向电流，A
TJ = 125℃
TJ = 150℃
典型的反向特性
20
10
瞬时反向电流，A
TJ = 125℃
10
脉冲宽度= 300秒
1 ％占空比
1
TJ = 75℃
1
0.1
SB520-SB540
SB550-SB5A0
TJ = 25℃
0.1
SB520-SB540
SB550-SB5A0
0.01
TJ = 25℃
0.01
0
0.4
0.8
1.2
1.6
正向电压，V
0.001
0
40
80
100
百分之额定峰值反向电压， ％
典型结电容
结电容， pF的
4000
瞬态热阻抗， C / W
典型的瞬态热阻抗
100
TJ = 25℃
f=1MHz
VSIG = 50mvp P
1000
10
SB520-SB540
SB550-SB5A0
1
100
0.1
1
10
反向电压，伏
100
0.1
0.01
0.1
1
10
100
T，脉冲持续时间，秒。
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
升特国际控股有限公司， acompany
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 19/05/2003
思雨
R
塑封肖特基二极管
DO-27
SB520 ...... SB5100
塑料肖特基
垒整流器器
特征
特点
·大电流承受½力。High
电流能力
·正向压降½。Low
正向电压降
1.0(25.4)
民
.052(1.3)
迪亚
.048(1.2)
·高温焊接保证
高温焊接保证：
260℃/10
秒,
0.375"设计（9.5mm ）引线长度。
260 ℃ / 10秒0.375"设计（9.5mm ）引线长度，
·引线可承受5 磅
(2.3kg)
拉力。
5磅。 （ 2.3千克）张力
.375(9.5)
.335(8.5)
.220(5.6)
迪亚
.197(5.0)
1.0(25.4)
民
·引线和管½皆符合RoHS标准 。
铅和符合RoHS规范体
机械数据
机械数据
·端子: 镀锡½向引线
端子：镀轴向引线
·极性: 色环端为负极
极性：颜色频带端为负极
·安装½½: 任意
安装位置：任意
单位：英寸（毫米）
极限值和电参数
TA = 25°
除非另有规定。
最大额定值&电气特性
符号
符号
最大峰值反向电压
最大重复峰值反向电压
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
SB
520
SB
530
SB
540
SB
550
SB
560
SB
580
SB
5100
单½
单位
V
RRM
V
R（ RMS ）
V
DC
I
FM
V
F
I
FSM
IR
R
θJA
Cj
TJ ，T
英镑
20
14
20
30
21
30
40
28
40
50
35
50
5.0
60
42
60
80
56
80
100
70
100
V
V
V
A
最大反向有效值电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
最大正向平均整流电流
最大正向电压降
最大正向电压
IF = 5.0A
0.5
0.7
150
0.5
5
15
400
-55 --- +150
0.85
V
A
mA
℃/W
pF
℃
峰值正向浪涌电流8.3ms的单一正弦半波
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
最大反向漏电流
最大反向电流
TA = 25°
TA = 100 °
典型热阻
典型结电容
典型热阻
VR = 4.0V F = 1.0MHz的
典型结电容
工½温度和存储温度
工作结存储温度范围
大昌电子
大昌电子
SB520-SB5100
SB520 - SB5100
特点
金属与硅整流，多数
载流子传导。
为了在低电压，高
变频器免费
续流和极性
保护应用。
低功耗，高效率。
高电流能力，低V
F.
高浪涌能力。
DO-201AD
颜色频带为负极
肖特基整流器
绝对最大额定值*
符号
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
T
英镑
T
J
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
520
最高重复反向电压
平均正向电流整流
.375 "引线长度@ T
A
= 75°C
非重复峰值正向浪涌电流
8.3ms单一正弦半波
存储温度范围
工作结温
20
530
30
540
40
价值
550
50
5.0
150
-50至+150
-50至+150
560
60
580
80
5100
100
单位
V
A
A
°C
°C
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
热特性
符号
P
D
R
θJA
参数
功耗
热阻，结到环境
价值
5.0
25
单位
W
° C / W
电气特性
符号
V
F
I
R
C
T
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
520
正向电压@ 5.0
反向电流@额定V
R
总电容
V
R
= 4.0 V，F = 1.0 MHz的
T
A
= 25°C
T
A
= 100°C
50
500
530
0.55
设备
540
550
0.5
25
380
560
580
5100
0.67
0.85
单位
V
mA
mA
pF
2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
SB520 - SB5100 ，版本C
SB520-SB5100
肖特基整流器
（续）
典型特征
平均正向电流整流，我
F
[A]
4
SB520-SB540
SB550-SB5100
峰值正向浪涌电流，I
FSM
[A]
5
150
120
3
单相
半波
60HZ
电阻或
感性负载
0.375" （ 9.00毫米） LOAD
长度
90
2
60
1
30
0
0
25
50
75
100
125
环境温度[摄氏度]
150
175
0
1
2
5
10
20
50
循环次数在60Hz
100
图1.正向电流降额曲线
图2.不重复浪涌电流
40
SB520-SB540
20
10
反向电流，I
R
[马]
SB520-SB540
SB550-SB5100
T
A
= 100
C
正向电流I
F
[A]
10
SB580-SB5100
1
SB520-SB540
T
A
= 75
C
SB550-SB560
0.1
T
A
= 25
C
SB550-SB5100
1
T
A
= 25
C
脉冲宽度= 300μS
2 ％的占空比
0.01
0.1
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
正向电压，V
F
[V]
1
1.1
0.001
0
20
40
60
80
100 120 140
额定峰值反向电压（％）百分比
图3.正向电压特性
图4.反向电流与反向电压
5000
总电容，C
T
[ pF的]
2000
1000
SB520-SB540
500
SB550-SB5100
200
100
0.1
1
10
反向电压， V
R
[V]
100
图5.总电容
2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
SB520 - SB5100 ，版本C
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DenseTrench
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
TM
EnSigna
TM
FACT
FACT静音系列
放弃
快
FASTr
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
等平面
LittleFET
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
SILENT SWITCHER
SMART START
* STAR POWER
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
STAR *电源根据许可证使用
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
支持设备或系统，其故障执行能
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
可以合理预期造成的生命的失败
不履行时，按照正确使用
支持设备或系统，或影响其安全性或
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
H4牧师
BL
特点
银河电子
SB520 - - -SB5A0
电压范围： 20 ---
100
V
CURRENT ： 5.0
肖特基势垒整流器
金属半导体结与保护环
外延建设
低正向压降，低开关损耗
高浪涌能力
为了在低电压，高频率逆变器免费
xxxx
续流和极性保护应用
塑料材料进行U / L承认94V - 0
DO - 27
机械数据
案例： JEDEC DO - 27 ，模压塑料
终端：轴向引线，每焊
MIL-STD - 202方法208
极性：颜色频带为负极
重量： 0.041盎司， 1.15克
安装位置：任意
最大额定值和电气特性
25评分
关环境tem温度，除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。对于容性负载， 20％减免。
SB520 SB530 SB540 SB550 SB560
SB580 SB5A0
单位
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大平均FORW ARD整流电流
9.5毫米引线长度，
（参见图1）
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
20
14
20
30
21
30
40
28
40
50
35
50
5.0
60
42
60
80
56
80
100
70
100
V
V
V
A
山顶FORW ARD浪涌电流
8.3ms单半正弦波-W AVE
叠加在额定负荷
@T
J
=125
I
FSM
150.0
A
最大瞬时FORW ARD电压
@ 5.0 A（注1 ）
最大反向电流
@T
A
=25
V
F
I
R
C
J
R
θ
JA
T
J
T
英镑
0.55
0.5
50.0
50
10
0.67
0.85
V
在额定阻断电压DC @T
A
=100
典型结电容
典型热阻
(Note2)
(Note3)
25.0
mA
pF
/W
工作结温范围
存储温度范围
-55 --- +150
-55 --- +150
www.galaxycn.com
注： 1.脉冲测试： 300秒的脉冲宽度， 1 ％的关税CY CLE 。
2.测得1.0MHz和应用4.0V DC转ERSE V oltage 。
3.Thermal阻力结到环境
文档编号0266028
BL
银河电子
1.
数据表
SB520通SB5150
肖特基势垒整流器器
电压
特点
塑料包装有保险商实验室
可燃性分类94V -O利用
阻燃环氧模塑料。
超过MIL -S -二百二十八分之一万九千五百的环保标准
适用于低电压，高频率逆变器，续流，
和极性保护应用。
无铅产品可供选择：
99 ％以上的锡能符合ROHS环境物质
.375(9.5)
.285(7.2)
1.0(25.4)MIN.
.052(1.3)
.048(1.2)
20至150伏特
当前
5安培
DO-201AD
单位：英寸（毫米）
指令要求
MECHANICALDATA
终端：轴向引线，每MIL -STD -750 ，方法2026焊
极性：颜色频带为负极
安装位置：任意
重量0.04盎司， 1.1克
1.0(25.4)MIN.
案例： DO - 201AD模压塑料
.210(5.3)
.188(4.8)
最大额定值和电气特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
PAR AME T E
米喜米庵 - [R EC乌尔重新NT P EAK 已经RSE V oltage
米喜米庵 - [R M传V L T A G é
米喜米嗯D C B升摄氏度K I NG V L T A G é
米喜米庵一个已经风靡F orward ectified C-UR重新新台币
。 3 7 5 " （ 9 。 5毫米）的leadle NG那件T
L
= 6 0
O
C
P·E A K F R W A R S UR克式C乌尔鄂西北： 8 。 3米S S小我NG L E公顷升F
SI NE - 华已经s提高erimposedonratedload （ JEDEC
M E吨浩四）
米喜米庵F R W A R D V L T A G E A吨5 。 0
米喜米庵 C R ê已经R 5式C乌尔鄂西北牛逼
A
= 2 5
O
C
一件T R A T E D D C B升摄氏度K I NG V L T A G （E T）
A
= 1 0 0
O
C
米喜米微米升rmal esista NC E（N OTE 1 ）
操作摄像 unctione特mperature 法兰
S T R A克éテ米P·E·R的T ü R A N G - é
S YM B OL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
AV
SB520
SB530
SB540
SB550
SB560
SB580
SB5100
SB5150
加利它s
V
V
V
A
20
14
20
30
21
30
40
28
40
50
35
50
5
60
42
60
80
56
80
100
70
100
150
105
150
I
F S M
150
A
V
F
0 .5 5
0 .7 0
0 .5
50
0 .8 5
0.92
V
I
R
mA
Rθ 1 J L
T
J
T
s TG
15
-5 0 1 2 5
-5 0至1 5 0
10
O
C / W
O
C
C
O
注意事项：
1.热阻结到铅立式PC主板安装.375 “设计（9.5mm ）引线长度。
STAD-FEB.21.2005
PAGE 。 1
WTE
功率半导体
SB520 - SB5100
Pb
5.0A肖特基二极管
特点
!
!
肖特基芯片
保护环片施工
瞬态保护
!
高电流能力
A
B
!
低功耗，高效率
!
高浪涌电流能力
!
为了在低电压，高频率
逆变器，续流和极性
保护应用
D
A
C
机械数据
!
!
!
!
!
!
!
案例： DO - 201AD ，模压塑料
终端：每焊镀信息
MIL- STD- 202方法208
极性：负极频带
重量： 1.2克（约）
安装位置：任意
标记：型号数量
无铅：对于符合RoHS /无铅版本，
新增“ -LF ”后缀型号，见第4页
DO-201AD
暗淡
民
最大
25.4
—
A
7.20
9.50
B
1.20
1.30
C
4.80
5.30
D
尺寸：mm
最大额定值和电气特性
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均整流输出电流
（注1 ）
@T
L
= 100°C
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R（ RMS ）
I
O
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
SB520 SB530 SB540
20
14
30
21
40
28
SB550 SB560
50
35
5.0
60
42
SB580 SB5100
80
56
100
70
单位
V
V
A
非重复性峰值正向浪涌电流8.3ms
单半正弦波叠加在额定负荷
（ JEDEC的方法）
正向电压
峰值反向电流
在额定阻断电压DC
@I
F
= 5.0A
@T
A
= 25°C
@T
A
= 100°C
I
FSM
V
FM
I
RM
C
j
R
θJA
T
j
, T
英镑
500
0.55
150
0.70
0.5
50
400
10
-65到+150
0.85
A
V
mA
pF
° C / W
°C
典型结电容（注2 ）
典型热阻（注1 ）
工作和存储温度范围
注：1。有效的规定，引线被保持在环境温度下从所述壳体的距离9.5毫米。
2.测得1.0 MHz和应用的4.0V直流反接电压
SB520 - SB5100
1 4
2006韩元鼎好电子
标识信息
大坪规格
0.8mm
最大
10mm
SB5x0
WTE
阴极
SB5x0
x
WTE
=极性带
=设备号
= 2， 3 ，4，5 ，6，8或10个
=制造商的标志
1.2mm
最大
6mm
52.4mm
阴极带：红色
阳极带：白色
0.8mm
最大
包装信息
磁带盒&
磁带&卷轴
产品ID标签
150mm
检查孔
（两端）
330mm
255mm
75mm
体积
80±5mm
40mm
200mm
产品ID标签
85mm
包装
磁带&卷轴
磁带盒&
体积
卷筒直径/
箱尺寸（mm ）
330
255 x 75 x 150
200 x 85 x 40
QUANTITY
（ PCS）的
1,200
1,200
500
外箱尺寸
(mm)
370 x 370 x 420
400 x 273 x 415
459 x 214 x 256
QUANTITY
（ PCS）的
6,000
12,000
12,500
约。总重量
（公斤）
10.0
17.0
16.0
注意：
1.纸卷轴，白色或灰色。芯材：塑料或金属。
2.部件都装在符合EIA标准RS - 296 -E 。
SB520 - SB5100
3 4
2006韩元鼎好电子
订购信息
产品编号
SB520-T3
SB520-TB
SB520
SB530-T3
SB530-TB
SB530
SB540-T3
SB540-TB
SB540
SB550-T3
SB550-TB
SB550
SB560-T3
SB560-TB
SB560
SB580-T3
SB580-TB
SB580
SB5100-T3
SB5100-TB
SB5100
1.
2.
3.
套餐类型
DO-201AD
DO-201AD
DO-201AD
DO-201AD
DO-201AD
DO-201AD
DO-201AD
DO-201AD
DO-201AD
DO-201AD
DO-201AD
DO-201AD
DO-201AD
DO-201AD
DO-201AD
DO-201AD
DO-201AD
DO-201AD
DO-201AD
DO-201AD
DO-201AD
送货数量
1200 /磁带&卷轴
1200 /磁带盒&
500单位/箱
1200 /磁带&卷轴
1200 /磁带盒&
500单位/箱
1200 /磁带&卷轴
1200 /磁带盒&
500单位/箱
1200 /磁带&卷轴
1200 /磁带盒&
500单位/箱
1200 /磁带&卷轴
1200 /磁带盒&
500单位/箱
1200 /磁带&卷轴
1200 /磁带盒&
500单位/箱
1200 /磁带&卷轴
1200 /磁带盒&
500单位/箱
产品上市
胆大
是WTE
首选
设备。
鉴于航运量仅为最小包装量。对于最低
订货量，请咨询售楼部。
订购RoHS /无铅版本（与无铅完成） ，加上“ -LF ”
后缀上面的零件编号。例如， SB520 - TB- LF 。
韩元鼎好电子有限公司（ WTE ）已仔细检查了所有的信息，并认为它是正确的，准确的。然而， WTE不承担任何
责任不准确。此外，这种信息不给半导体器件的购买者根据专利权的任何许可
制造商。 WTE保留此更改任何或所有信息，而无需另行通知的权利。
警告：
不要使用生命支持设备。垃圾发电功率半导体产品不授权在生活中使用的关键组件
支持设备或系统未经明确的书面批准。
韩元鼎好电子有限公司
44号谷喀嗯北三路，茅根陈DIST。 ，高雄，台湾
电话：
886-7-822-5408或886-7-822-5410
传真：
886-7-822-5417
电子邮件：
sales@wontop.com
互联网：
http://www.wontop.com
我们日常供电。
SB520 - SB5100
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2006韩元鼎好电子
SB520-SB5100
SB520 - SB5100
特点
金属与硅整流，多数
载流子传导。
为了在低电压，高
变频器免费
续流和极性
保护应用。
低功耗，高效率。
高电流能力，低V
F.
高浪涌能力。
DO-201AD
颜色频带为负极
肖特基整流器
绝对最大额定值*
符号
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
T
英镑
T
J
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
520
最高重复反向电压
平均正向电流整流
.375 "引线长度@ T
A
= 75°C
非重复峰值正向浪涌电流
8.3ms单一正弦半波
存储温度范围
工作结温
20
530
30
540
40
价值
550
50
5.0
150
-50至+150
-50至+150
560
60
580
80
5100
100
单位
V
A
A
°C
°C
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
热特性
符号
P
D
R
θJA
参数
功耗
热阻，结到环境
价值
5.0
25
单位
W
° C / W
电气特性
符号
V
F
I
R
C
T
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
520
正向电压@ 5.0
反向电流@额定V
R
总电容
V
R
= 4.0 V，F = 1.0 MHz的
T
A
= 25°C
T
A
= 100°C
50
500
530
0.55
设备
540
550
0.5
25
380
560
580
5100
0.67
0.85
单位
V
mA
mA
pF
2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
SB520 - SB5100 ，版本C
SB520-SB5100
肖特基整流器
（续）
典型特征
平均正向电流整流，我
F
[A]
4
SB520-SB540
SB550-SB5100
峰值正向浪涌电流，I
FSM
[A]
5
150
120
3
单相
半波
60HZ
电阻或
感性负载
0.375" （ 9.00毫米） LOAD
长度
90
2
60
1
30
0
0
25
50
75
100
125
环境温度[摄氏度]
150
175
0
1
2
5
10
20
50
循环次数在60Hz
100
图1.正向电流降额曲线
图2.不重复浪涌电流
40
SB520-SB540
20
10
反向电流，I
R
[马]
SB520-SB540
SB550-SB5100
T
A
= 100
C
正向电流I
F
[A]
10
SB580-SB5100
1
SB520-SB540
T
A
= 75
C
SB550-SB560
0.1
T
A
= 25
C
SB550-SB5100
1
T
A
= 25
C
脉冲宽度= 300μS
2 ％的占空比
0.01
0.1
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
正向电压，V
F
[V]
1
1.1
0.001
0
20
40
60
80
100 120 140
额定峰值反向电压（％）百分比
图3.正向电压特性
图4.反向电流与反向电压
5000
总电容，C
T
[ pF的]
2000
1000
SB520-SB540
500
SB550-SB5100
200
100
0.1
1
10
反向电压， V
R
[V]
100
图5.总电容
2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
SB520 - SB5100 ，版本C
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DenseTrench
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
TM
EnSigna
TM
FACT
FACT静音系列
放弃
快
FASTr
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
等平面
LittleFET
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
SILENT SWITCHER
SMART START
* STAR POWER
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
STAR *电源根据许可证使用
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
支持设备或系统，其故障执行能
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
可以合理预期造成的生命的失败
不履行时，按照正确使用
支持设备或系统，或影响其安全性或
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
H4牧师
QQ：2880707522 复制
