数据表
SB4020PT~SB4060PT
隔离肖特基二极管
电压
特点
塑料包装有保险商实验室
可燃性分类94V -O 。
阻燃环氧模塑料。
超过MIL -S -二百二十八分之一万九千五百的环保标准
低功耗，高效率。
高浪涌能力。
适用于低电压，高频率逆变器的使用
续流和polarlity保护应用。
正常和无铅产品可供选择：
正常情况： 80 95 ％的锡， 5 20 ％的Pb
无铅： 99 ％以上的锡能达到RoHS环境物质指令的要求
.126(3.2)
.110(2.8)
.050(1.25)
.045(1.15)
.600(15.25)
.580(14.75)
20
to
60
伏
当前
40
安培
TO-3P
单位：英寸（毫米）
.640(16.25)
.620(15.75)
.142(3.6)
.125(3.2)
.199(5.05)
.175(4.45)
低forwrd voltge ，高电流能力
.087(2.2)
.070(1.8)
.839(21.3)
.819(20.8)
.095(2.4)
.798(20.25)
.777(19.75)
.170(4.3)
.145(3.7)
MECHANCALDATA
案例： TO- 3P模压塑料
码头：焊接镀，每MIL -STD- 202G ，方法208焊
极性：标示。
标准包装：任何
重量：0.2盎司， 5.6克。
AC
CT阳性
AC
.225(5.7)
.204(5.2)
.225(5.7)
.204(5.2)
.030(0.75)
.017(0.45)
最大额定值和电气特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％
参数
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大平均正向电流.375 “
设计（9.5mm ）导线
长度吨锝= 100 ℃
峰值正向浪涌电流8.3ms单半正弦
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
最大正向电压在20A
最大直流反向电流TA = 25 ℃
在额定阻断电压DC TA = 100 ℃
最大热阻
工作结存储温度范围
符号
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
AV
I
FSM
V
F
I
R
R
θJC
T
J
,T
英镑
SB40
20PT
20
14
20
SB40
30PT
30
21
30
SB40
35PT
35
24.5
35
SB40
40PT
40
28
40
40
350
SB40
45PT
45
31.5
45
SB40
50PT
50
35
50
SB40
单位
60PT
60
42
60
V
V
V
A
A
0.55
1.0
100
1.5
- 50 + 150
0.70
V
mA
℃/
W
℃
注。
这两个粘接和芯片结构可供选择。
STAD-JAN.10.2005
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SB4020PT系列
肖特基势垒整流器器
电压
20至60伏
当前
特点
塑料包装有保险商实验室
可燃性分类94V -O 。
阻燃环氧模塑料。
超过MIL -S -二百二十八分之一万九千五百的环保标准
低功耗，高效率。
低正向电压，高电流能力
高浪涌能力。
适用于低电压，高频率逆变器的使用
续流和polarlity保护应用。
在符合欧盟RoHS指令2002/95 / EC指令
0.087(2.20)
0.070(1.80)
0.126(3.20)
0.110(2.80)
0.050(1.25)
0.045(1.15)
0.142(3.60)
0.125(3.20)
0.640(16.25)
0.620(15.75)
0.199(5.05)
0.175(4.45)
40安培
0.600(15.25)
0.580(14.75)
0.839(21.30)
0.819(20.80)
0.095(2.40)
0.170(4.30)
0.145(3.70)
0.798(20.25)
0.777(19.75)
机械数据
案例： TO- 247AD / TO- 3P模压塑料
码头：焊接镀，每MIL -STD- 750 ，方法2026
极性：作为标记。
标准包装：任何
重量： 0.2245盎司， 6.3673克。
0.030(0.75)
0.017(0.45)
0.225(5.70)
0.204(5.20)
0.225(5.70)
0.204(5.20)
最大额定值和电气特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％
霸岭我忒
马锡米庵重新 urre NT P EAK回复已经RSE武LTA GE
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C
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J
= 2 5
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C
T
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O
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S YM B OL
SB 4 0 2 0 PTSB 4 0 3 0 PTSB 4 0 4 0 PTSB 4 0 4 5 PTSB 4 0 5 0 PTSB 4 0 6 0 PT
其未
V
RRM
V
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V
DC
I
F（ AV）
I
F S M
V
F
I
R
R
J
C
T
J
,T
s TG
-5 5 + 1 2 5
0 .5 5
0 .2
50
1 .5
- 5 5 + 1 5 0
20
14
20
30
21
30
40
28
40
40
45
3 1 .5
40
50
35
50
60
42
60
V
V
V
A
350
A
0 .7 0
V
mA
O
C /
W
C
O
注意：
这两个粘接和芯片结构可供选择。
八月31,2010 - REV.03
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