半导体
SB3317 -G / SB3317 -G （B ）
高亮度LED灯
特点
无色透明镜片类型
φ3mm的（T -1）的
所有塑料模具类型
超级光度
外形尺寸
直筒型
3.0±
0.2
单位：
挡块型
3.0±
0.2
mm
5.3±
0.2
2.9±
0.2
5.3±
0.2
2.9±
0.2
5.2±
0.5
0.4
23.0MIN
0.4
23.0MIN
1.0MIN
2.54喃
2.54喃
1.0MIN
1 2
3.8±
0.2
3.6±
0.2
1 2
3.8±
0.2
3.6±
0.2
引脚连接
1.Anode
2.Cathode
KLB-2002-001
1
SB3317 -G / SB3317 -G （B ）
绝对最大额定值
特征
功耗
正向电流
*
1
最大正向电流
反向电压
工作温度
储存温度
*
2
焊接温度
符号
P
D
I
F
I
FP
V
R
T
OPR
T
英镑
T
SOL
评级
80
20
50
4
-2585
-30100
260 ℃ ，持续5秒
单位
mW
mA
mA
V
℃
℃
* 1.Duty比= 1/16 ，脉冲宽度= 0.1毫秒
* 2.Keep到LED封装件的底部的距离大于2.0毫米从印刷电路板
电气特性
特征
正向电压
*
4
发光强度
峰值波长
频谱带宽
反向电流
*
3
半角
符号
V
F
I
V
λ
P
Δ
λ
I
R
θ1/2
测试条件
I
F
= 20mA下
I
F
= 20mA下
I
F
= 20mA下
I
F
= 20mA下
V
R
=4V
I
F
= 20mA下
分钟。
-
520
-
-
-
-
典型值。
3.4
1000
468
26
-
±22
马克斯。
4.0
1760
-
-
10
-
单位
V
MCD
nm
nm
uA
度
*3.
θ1/2
是离轴角，其中所述发光强度为1/2的峰强度
* 4 。发光强度最大容差为每个等级划分界限是
±18%
* 4 。发光强度分类
P
520
~
780
Q
780
~
1170
R
1170
~
1760
KLB-2002-001
2
SB3317 -G / SB3317 -G （B ）
特性图
图。 1 I
F
- V
F
图。 2我
V
- I
F
正向电压V
F
[V]
发光强度I
v
[ MCD ]
前锋
电流I
F
[马]
前锋
电流I
F
[马]
图。 3我
F
- TA
图4频谱分布
电流I
F
[马]
前锋
环境温度Ta [
℃
]
相对强度[％]
波长
λ
[牛顿米]
图。 5辐射图
相对发光强度㈣ [ ％ ]
KLB-2002-001
3
半导体
SB3317 -G / SB3317 -G （B ）
高亮度LED灯
特点
无色透明镜片类型
φ3mm的（T -1）的
所有塑料模具类型
超级光度
外形尺寸
直筒型
3.0±
0.2
单位：
挡块型
3.0±
0.2
mm
5.3±
0.2
2.9±
0.2
5.3±
0.2
2.9±
0.2
5.2±
0.5
0.4
23.0MIN
0.4
23.0MIN
1.0MIN
2.54喃
2.54喃
1.0MIN
1 2
3.8±
0.2
3.6±
0.2
1 2
3.8±
0.2
3.6±
0.2
引脚连接
1.Anode
2.Cathode
KLB-2002-001
1
SB3317 -G / SB3317 -G （B ）
绝对最大额定值
特征
功耗
正向电流
*
1
最大正向电流
反向电压
工作温度
储存温度
*
2
焊接温度
符号
P
D
I
F
I
FP
V
R
T
OPR
T
英镑
T
SOL
评级
80
20
50
4
-2585
-30100
260 ℃ ，持续5秒
单位
mW
mA
mA
V
℃
℃
* 1.Duty比= 1/16 ，脉冲宽度= 0.1毫秒
* 2.Keep到LED封装件的底部的距离大于2.0毫米从印刷电路板
电气特性
特征
正向电压
*
4
发光强度
峰值波长
频谱带宽
反向电流
*
3
半角
符号
V
F
I
V
λ
P
Δ
λ
I
R
θ1/2
测试条件
I
F
= 20mA下
I
F
= 20mA下
I
F
= 20mA下
I
F
= 20mA下
V
R
=4V
I
F
= 20mA下
分钟。
-
520
-
-
-
-
典型值。
3.4
1000
468
26
-
±22
马克斯。
4.0
1760
-
-
10
-
单位
V
MCD
nm
nm
uA
度
*3.
θ1/2
是离轴角，其中所述发光强度为1/2的峰强度
* 4 。发光强度最大容差为每个等级划分界限是
±18%
* 4 。发光强度分类
P
520
~
780
Q
780
~
1170
R
1170
~
1760
KLB-2002-001
2
SB3317 -G / SB3317 -G （B ）
特性图
图。 1 I
F
- V
F
图。 2我
V
- I
F
正向电压V
F
[V]
发光强度I
v
[ MCD ]
前锋
电流I
F
[马]
前锋
电流I
F
[马]
图。 3我
F
- TA
图4频谱分布
电流I
F
[马]
前锋
环境温度Ta [
℃
]
相对强度[％]
波长
λ
[牛顿米]
图。 5辐射图
相对发光强度㈣ [ ％ ]
KLB-2002-001
3
QQ：2881677436 复制
