SB320-SB3100
SB320 - SB3100
特点
在T 3.0安培操作
A
= 75°C
无热失控。
为了在低电压，高
变频器免费
续流和极性
保护应用。
DO-201AD
颜色频带为负极
肖特基整流器
绝对最大额定值*
符号
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
T
英镑
T
J
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
最高重复反向电压
平均正向电流整流
.375 "引线长度@ T
A
= 75°C
非重复峰值正向浪涌电流
8.3ms单一正弦半波
存储温度范围
工作结温
20
30
40
价值
320 330 340 350 360 380
50
3.0
80
-65到+125
-65到+125
60
80
3100
100
单位
V
A
A
°C
°C
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
热特性
符号
P
D
R
θJA
参数
功耗
热阻，结到环境
价值
3.6
40
单位
W
° C / W
电气特性
符号
V
F
I
R
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
正向电压@ 3.0阿
反向电流@额定V
R
T
A
= 25°C
T
A
= 100°C
满载最大反向电流，
全周期
T
A
= 100°C
总电容
V
R
= 4.0 V，F = 1.0 MHz的
20
500
设备
320 330 340 350 360 380
740
0.5
10
30
180
10
3100
850
单位
mV
mA
mA
mA
pF
I
rr
C
T
2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
SB320 - SB3100 ，版本C
SB320-SB3100
肖特基整流器
（续）
典型特征
平均正向电流整流，我
F
[A]
4
20
10
正向电流I
F
[A]
T
J
= 25
C
脉冲宽度= 200μS
SB380-SB3100
SB320-SB340
3
单相
半波
60HZ
电阻或
感性负载
0.375" 9.5毫米LEAD
长度
2
SB350-SB360
1
1
0
0
20
40
60
80
100
铅温度（ ℃）
120
140
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
正向电压，V
F
[V]
0.8
0.9
图1.正向电流降额曲线
图2.正向电压特性
峰值正向浪涌电流，I
FSM
[A]
80
70
60
50
40
30
20
10
1
2
5
10
20
循环次数在60Hz
50
100
8.3ms单半正弦波
JEDEC的方法
100
SB320
T
J
= 125
C
反向电流，I
R
[马]
10
SB360
T
J
= 75
C
SB3100
T
J
= 25
C
1
0.1
0.01
5
10
15
20
25
30
反向电压， V
R
[V]
35
40
图3.不重复浪涌电流
图4.反向电流与反向电压
1000
800
600
总电容，C
T
[ pF的]
400
200
100
80
60
40
20
10
0.1
0.4
1
4
10
反向电压， V
R
[V]
40
100
图5.总电容
2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
SB320 - SB3100 ，版本C
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DenseTrench
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
TM
EnSigna
TM
FACT
FACT静音系列
放弃
快
FASTr
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
等平面
LittleFET
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
SILENT SWITCHER
SMART START
* STAR POWER
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
STAR *电源根据许可证使用
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
支持设备或系统，其故障执行能
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
可以合理预期造成的生命的失败
不履行时，按照正确使用
支持设备或系统，或影响其安全性或
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
H4牧师
SB320 ... SB3100
SB320 ... SB3100
肖特基势垒整流器器
肖特基势垒Gleichrichter
版本2006-04-18
额定电流
Nennstrom
4.5
±0.1
3A
20...100 V
DO- 201
1g
反向重复峰值电压
Periodische Spitzensperrspannung
塑料外壳
Kunststoffgehuse
重量约。
Gewicht约
±0.5
TYPE
62.5
7.5
±0.1
1.2
±0.05
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装录音中的弹药盒
在弹药，包装标准Lieferform gegurtet
尺寸 - 集体[MM ]
最大额定值和特性
TYPE
典型值
SB320
SB330
SB340
SB350
SB360
SB390
SB3100
反向重复峰值电压
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
20
30
40
50
60
90
100
浪涌峰值反向电压
Stospitzensperrspannung
V
RSM
[V]
20
30
40
50
60
90
100
T
A
= 75°C
F > 15赫兹
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
Grenz- UND Kennwerte
正向电压
Durchlass - Spannung
V
F
[V]
1
)
< 0.50
< 0.50
< 0.50
< 0.70
< 0.70
< 0.79
< 0.79
I
FAV
I
FRM
I
FSM
i
2
t
3 A
2
)
15 A
2
)
150 A
110 A
2
s
-50...+150°C
-50...+175°C
马克斯。正向平均整流电流， R-负荷
Dauergrenzstrom在Einwegschaltung麻省理工学院的R-最后
重复峰值正向电流
Periodischer Spitzenstrom
峰值正向浪涌电流， 50赫兹正弦半波
Stostrom献给EINE 50赫兹窦Halbwelle
额定值融合，T < 10毫秒
Grenzlastintegral ，T < 10毫秒
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
T
S
T
j
1
2
I
F
= 3 A，T
j
= 25°C
有效的，如果引线被保持在环境温度下从壳体的距离为10毫米
Gültig ，德恩死Anschlussdrhte 10mm长度Abstand VOM Gehuse奥夫Umgebungstemperatur gehalten werden
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
1
SB320 ... SB3100
特征
漏电流
Sperrstrom
T
j
= 25°C
SB320...360
V
R
= V
RRM
SB390 ... 3100 V
R
= V
RRM
I
R
I
R
R
THA
R
THL
Kennwerte
＆ LT ; 0.5毫安
< 0.6毫安
< 25 K / W
1
)
< 8 K / W
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
热阻结到引线
Wrmewiderstand Sperrschicht - Anschlussdraht
120
[%]
100
10
2
[A]
SB320...340
10
80
1
SB350...360
60
40
10
20
I
FAV
0
0
T
A
50
100
150
[°C]
I
F
10
-2
-1
SB390...3100
T
j
= 25°C
0
V
F
0.4
0.6
[V]
1.0
额定正向电流与环境温度
1
)
祖尔。 Richtstrom在ABH 。冯明镜Umgebungstemp 。
1
)
正向特性（典型值）
Durchlasskennlinien （ typische Werte ）
1
有效的，如果引线被保持在环境温度下从壳体的距离为10毫米
Gültig ，德恩死Anschlussdrhte 10mm长度Abstand VOM Gehuse奥夫Umgebungstemperatur gehalten werden
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
2
WTE
功率半导体
SB320 - SB3100
Pb
3.0A肖特基二极管
特点
!
!
肖特基芯片
保护环片施工
瞬态保护
!
高电流能力
A
B
!
低功耗，高效率
!
高浪涌电流能力
!
为了在低电压，高频率
逆变器，续流和极性
保护应用
D
A
C
机械数据
!
!
!
!
!
!
!
案例： DO - 201AD ，模压塑料
终端：每焊镀信息
MIL- STD- 202方法208
极性：负极频带
重量： 1.2克（约）
安装位置：任意
标记：型号数量
无铅：对于符合RoHS /无铅版本，
新增“ -LF ”后缀型号，见第4页
DO-201AD
暗淡
民
最大
25.4
—
A
7.20
9.50
B
1.20
1.30
C
4.80
5.30
D
尺寸：mm
最大额定值和电气特性
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均整流输出电流
（注1 ）
@T
L
= 95°C
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R（ RMS ）
I
O
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
SB320 SB330 SB340
20
14
30
21
40
28
SB350 SB360
50
35
3.0
60
42
SB380 SB3100
80
56
100
70
单位
V
V
A
非重复性峰值正向浪涌电流8.3ms
单半正弦波叠加在额定负荷
（ JEDEC的方法）
正向电压
峰值反向电流
在额定阻断电压DC
@I
F
= 3.0A
@T
A
= 25°C
@T
A
= 100°C
I
FSM
V
FM
I
RM
C
j
R
θJA
T
j
, T
英镑
0.50
80
0.75
0.5
20
250
20
-65到+150
0.85
A
V
mA
pF
° C / W
°C
典型结电容（注2 ）
典型热阻（注1 ）
工作和存储温度范围
注：1。有效的规定，引线被保持在环境温度下从所述壳体的距离9.5毫米。
2.测得1.0 MHz和应用的4.0V直流反接电压
SB320 - SB3100
1 4
2006韩元鼎好电子
标识信息
大坪规格
0.8mm
最大
10mm
SB3x0
WTE
阴极
SB3x0
x
WTE
=极性带
=设备号
= 2， 3 ，4，5 ，6，8或10个
=制造商的标志
1.2mm
最大
6mm
52.4mm
阴极带：红色
阳极带：白色
0.8mm
最大
包装信息
磁带盒&
磁带&卷轴
产品ID标签
150mm
检查孔
（两端）
330mm
255mm
75mm
体积
80±5mm
40mm
200mm
产品ID标签
85mm
包装
磁带&卷轴
磁带盒&
体积
卷筒直径/
箱尺寸（mm ）
330
255 x 75 x 150
200 x 85 x 40
QUANTITY
（ PCS）的
1,200
1,200
500
外箱尺寸
(mm)
370 x 370 x 420
400 x 273 x 415
459 x 214 x 256
QUANTITY
（ PCS）的
6,000
12,000
12,500
约。总重量
（公斤）
10.0
17.0
16.0
注意：
1.纸卷轴，白色或灰色。芯材：塑料或金属。
2.部件都装在符合EIA标准RS - 296 -E 。
SB320 - SB3100
3 4
2006韩元鼎好电子
订购信息
产品编号
SB320-T3
SB320-TB
SB320
SB330-T3
SB330-TB
SB330
SB340-T3
SB340-TB
SB340
SB350-T3
SB350-TB
SB350
SB360-T3
SB360-TB
SB360
SB380-T3
SB380-TB
SB380
SB3100-T3
SB3100-TB
SB3100
1.
2.
3.
套餐类型
DO-201AD
DO-201AD
DO-201AD
DO-201AD
DO-201AD
DO-201AD
DO-201AD
DO-201AD
DO-201AD
DO-201AD
DO-201AD
DO-201AD
DO-201AD
DO-201AD
DO-201AD
DO-201AD
DO-201AD
DO-201AD
DO-201AD
DO-201AD
DO-201AD
送货数量
1200 /磁带&卷轴
1200 /磁带盒&
500单位/箱
1200 /磁带&卷轴
1200 /磁带盒&
500单位/箱
1200 /磁带&卷轴
1200 /磁带盒&
500单位/箱
1200 /磁带&卷轴
1200 /磁带盒&
500单位/箱
1200 /磁带&卷轴
1200 /磁带盒&
500单位/箱
1200 /磁带&卷轴
1200 /磁带盒&
500单位/箱
1200 /磁带&卷轴
1200 /磁带盒&
500单位/箱
产品上市
胆大
是WTE
首选
设备。
鉴于航运量仅为最小包装量。对于最低
订货量，请咨询售楼部。
订购RoHS /无铅版本（与无铅完成） ，加上“ -LF ”
后缀上面的零件编号。例如， SB320 - TB- LF 。
韩元鼎好电子有限公司（ WTE ）已仔细检查了所有的信息，并认为它是正确的，准确的。然而， WTE不承担任何
责任不准确。此外，这种信息不给半导体器件的购买者根据专利权的任何许可
制造商。 WTE保留此更改任何或所有信息，而无需另行通知的权利。
警告：
不要使用生命支持设备。垃圾发电功率半导体产品不授权在生活中使用的关键组件
支持设备或系统未经明确的书面批准。
韩元鼎好电子有限公司
44号谷喀嗯北三路，茅根陈DIST。 ，高雄，台湾
电话：
886-7-822-5408或886-7-822-5410
传真：
886-7-822-5417
电子邮件：
sales@wontop.com
互联网：
http://www.wontop.com
我们日常供电。
SB320 - SB3100
4 4
2006韩元鼎好电子
SB320通SB3100
特点
塑料包装有保险商实验室
易燃性分类科幻阳离子94V- 0
金属硅交界处，多数载流子传导
·保护环，过电压保护
低功耗，高效率
·高电流能力，低正向压降
高浪涌能力
适用于低电压，高频率逆变器，
续流和极性保护应用
·高温焊接保证：
250 ℃ / 10秒的终端，
0.375"设计（9.5mm ）引线长度， 5磅。 （ 2.3千克）张力
目前3.0安培
电压20至100伏特
DO-201AD
0.210(5.3)
0.188(4.8)
DIA 。
1.0(25.4)
分钟。
0.375(9.5)
0.285(7.2)
机械数据
·案例： JEDEC DO- 201AD模压塑体
·端子：镀轴向引线，每焊
MIL- STD- 750 ，方法2026
极性：颜色频带端为负极
·安装位置：任意
·重量： 0.041盎司， 1.15克
0.042(1.1)
0.037(0.9)
DIA 。
1.0(25.4)
分钟。
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和电气特性
（在25℃环境温度，除非另有规定等级，单相半波，电阻或电感
负载。对于容性负载， 20％减免）
符号
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
0.375" （ 9.5毫米）导线长度（参见图1）
峰值正向浪涌电流8.3ms单半
正弦波叠加在额定负荷
（ JEDEC的方法）
最大正向电压
在3.0A （注1 ）
最大瞬时反转
电流在额定DC阻断
电压（注1）
典型结电容（注3 ）
典型热阻（注2 ）
工作结温范围
存储温度范围
T
A
=25℃
T
A
=100℃
I
R
C
J
Rθ
JA
Rθ
JL
T
J
T
英镑
-55到+125
-55到+150
20
250
40.0
10.0
-55到+150
V
RRM
V
RMS
V
DC
I(
AV
)
SB320
20
14
20
SB330
SB340
40
28
40
SB350
50
35
50
3.0
SB360
SB380 SB3100单位
80
56
80
100
70
100
伏
伏
伏
安培
30
21
30
60
42
60
I
FSM
80.0
安培
V
F
0.55
3.0
0.58
0.85
伏
10
160
mA
P
F
℃/W
℃
℃
注意事项：
（1 ）脉冲测试： 300μS脉冲宽度， 1 ％的占空比
（ 2 ）从结热阻领导vrtical PCB安装， 0.5" （ 12.7毫米）引线长度
与2.5X2.5" （ 63.5X63.5mm ）铜垫
（3 ）测量1MHz至4.0伏的反向电压
额定值和特性曲线SB320 THRU SB3100
图2 -最大非重复峰值
正向浪涌电流
50
──
SB320-SB340
- - - SB350 - SB3100
T
J
=T
J
最大
8.3ms单半正弦波
（ JEDEC的方法）
图1 -FORWARD电流降额曲线
平均正向电流
安培
4.0
3.0
40
峰值正向浪涌
电流（安培）
30
20
10
0
1
10
2.0
1.0
0
负载电阻或电感
0.375 QUOT ;设计（9.5mm ）引线长度
0
20
50
75
100
125
150
175
引线温度（ ℃ ）
100
循环次数在60Hz
图3 - 典型正向
特征
50
T
J
=125℃
图4 - 典型的反向特性
10
正向电流（安培）
瞬时反向电流板厂（安培）
T
J
=125℃
10
1
脉冲宽度= 300
1 ％占空比
1
T
J
=75℃
0.1
0.1
T
J
=25℃
0.01
──
SB320-SB340
- - - SB350 - SB3100
T
J
=25℃
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0.001
──
SB320-SB340
- - - SB350 - SB3100
0
20
40
60
80
100
正向电压（伏）
1999额定峰值反向电压百分比（％ ）
图5 - 典型结电容
1000
结电容（PF ）
T
J
=25℃
f=1.0MHz
Vsig=50mVp-p
图6 - 典型的瞬态热阻抗
100
瞬态热阻抗， ℃ / W
10
100
1
──
SB320-SB340
- - - SB350 - SB3100
10
0.1
1
10
100
的反向电压。伏
0.1
0.01
0.1
1
T，脉冲持续时间，秒。
10
100
数据表
SB320~SB3100
肖特基势垒整流器器
20至100伏特
电压
当前
特点
塑料包装有保险商实验室
1.0(25.4)MIN.
3.0安培
DO-201AD
单位：英寸（毫米）
可燃性分类94V -O利用
阻燃环氧模塑料。
超过MIL -S -二百二十八分之一万九千五百的环保标准
适用于低电压，高频率逆变器，续流，
和极性保护应用。
无铅产品可供选择： 99 ％以上的锡能满足RoHS指令的环境
物质指令的要求
.052(1.3)
.048(1.2)
.375(9.5)
MECHANICALDATA
案例： DO - 201AD模压塑料
1.0(25.4)MIN.
.285(7.2)
终端：轴向引线，每MIL -STD -750 ，方法2026焊
极性：颜色频带为负极
安装位置：任意
重量0.04盎司， 1132mg
.210(5.3)
.188(4.8)
最大额定值和电气特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
P一R A M E TE
米喜恩 curre NT P EAK 已经RSE V olage
m
t
米喜恩 - [R M传V 0 1 A G é
m
t
米喜恩D C B升长江基建克V 0 1 A G é
m
o
n
t
米喜庵一个已经RA GE F RW一个RD 克拉喂 urre新台币。 7 5 " （ 9 。 M M ）
m
ii
3
5
l的平负NG吨吨牛逼
A
= 7 5
O
C
e
e
h
P·E A K F RW一个RD S URG式C urre NT ： 8 。米每秒SI克升公顷升SI -w一个已经
3
否E
F N
SUP ê里PO SE唐岭tdlad （ JE DEC梅托德）
m
ê
h
米喜恩F RW一个RD V 0 1 A G E A T第3 。一
m
t
0
米喜恩 C R ê已经RSE urre NT牛逼
A
= 2 5
O
C
m
一件T R A吨D D C B升长江基建克V 0 1 A G （E T）
A
= 1 0 0
O
C
e
o
n
t
米喜庵L T RM他一l研究é SI吨NCE
m
sa
P·Eラ吨纳克Junct 0：Nテ米P·Eラ吨重R A毫微克é
i
i
u
S T RA克èテ米P·Eラ吨重R A毫微克é
o
u
S YM B 0 1 S B 320 S B 330
V
RRM
V
RM S
V
DC
A
I
V
S B 340 S B 350 S B 360
40
28
40
50
35
50
3.
0
80
60
42
60
S B 380 S B 3100加利I S
T
80
56
80
100
70
100
V
V
V
A
A
20
14
20
30
21
30
I
SM
F
V
F
0. 5
5
0. 5
7
0.
5
30
20
-5 ; 0 T O + 1 2 5
-5 ; 0 T O + 1 5 0
0. 5
8
V
I
R
R
θ
JA
T
J
T
s TG
mA
O
C / W
O
C
C
O
STAD-NOV.15.2004
PAGE 。 1
额定值和特性曲线
AVERAGEFORWARDRECITIFIED
CURRENTAMPERES
峰值正向浪涌电流，
5.0
4.0
3.0
90
80
70
60
50
40
30
20
10
1
2
5
10
20
50
100
2.0
.375"9.5mm LEADLENGHTS
RESISTIVEORINDUCTIVE LOAD
1.0
0
0
20
40
60
80
100
120
O
140
160
AMBIENT TEMPERAURE ，C
NO 。周期在60Hz
FIG.1-正向电流降额曲线
Fig.2-最大 - 非重复浪涌电流
10
50
T
J
= 1 C
00
O
瞬时反向电流，毫安
1.0
正向电流
安培
T
J
= 25
O
C
F = 1.0MHz的
VSIG = 50mVp -P
10
20-40V
50-60V
0.1
T
J
= 7 C
5
O
80-100V
1.0
T
J
= 2 C
5
O
0.01
V
RRM
= 2 0 - 4 0 V
V
RRM
= 5 0 - 1 0 0 V
.001
20
40
60
80
100 120 140
0.1
0
.2
.4
.6
.8
百分之瞬时反向电压（ ％ ）
正向电压，伏
FIG.3-典型的反向特性
FIG.4-典型正向
特征
STAD-NOV.15.2004
PAGE 。 2
E
L
E
C
T
R
O
N
I
C
SB320~SB3100
功率肖特基整流器 - 3Amp 20 100Volt
□
特点
- 低正向压降
- 高电流能力
- 高可靠性
- 高浪涌电流能力
-Epitaxial建设
DO - 27 / DO- 201AD
□
机械数据
-Case ：模压塑料
- 环氧： UL 94V- 0率阻燃
-Lead ：轴向引线，每MIL -STD- 202方法208保证
-Polarity ：颜色频带端为负极
-Mounting位置：任意
- 重量： 1.10克
.220(5.6)
.197(5.0)
.052(1.3)
.048(1.2)
□
最大额定值和电气特性
TYPE
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
峰值正向浪涌电流8.3ms单正弦半波
叠加在额定负荷
在3.0A最大正向电压
重复峰值雪崩功率， TP = 1μs的TJ = 25
C
最大DC反向电流在额定
阻断电压DC
典型结电容
典型热阻R
θ
JA
工作温度范围T
J
储存温度范围T
英镑
注意：脉冲测试： 380μs脉冲宽度， 2 ％占空比
2007年8月/ Rev.5号
SB320 SB330 SB340 SB350 SB360 SB380 SB3100单位
20
14
20
30
21
30
40
28
40
50
35
50
3.0
80
0.55
1300
0.5
20
250
20
-50 - 125
-65 - 150
0.65
2000
0.3
15
0.01
10
0.82
60
42
60
80
56
80
100
70
100
V
V
V
A
A
V
W
mA
pF
摄氏度/ W
C
C
TA = 25℃
TA = 100℃
1.0(25.4)
.375(9.5)
.285(7.2)
1.0(25.4)
HTTP ： // www.sirectsemi.com
1
SB320~SB3100
3.5
平均正向电流
安培
3.0
2.5
100
SB
-SB
350
SB
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
20
40
60
单相半波60HZ
负载电阻或电感
0.375"设计（9.5mm ）导线长度
80
环境温度，
℃
图1.正向电流降额曲线
0.1
T
J
=25C
脉冲宽度300μS
1 ％占空比
0.01
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
-SB
320
340
100
10
310
0
120
140
160
1
100
峰值正向浪涌电流
安培
80
正向电压，伏
60
图4.典型的正向特性
40
20
单半正弦波
（ JEDEC的方法）
100
0
1
2
5
10
20
50
100
循环次数在60Hz
图2.最大非重复浪涌电流
反向漏电流（毫安）
10
700
600
1
T
j
= 75℃
电容（PF ）
500
400
300
200
100
0
0.01
0.1
1
10
100
0.1
T
j
= 25℃
0.01
0
20
40
60
80
100
120
140
百分之额定峰值反向电压（ ％ ）
反向电压，伏
图5.典型的反向特性
图3.典型结电容
Sirectifier全球公司，特拉华州， U.S.A.
U.S.A ：
sgc@sirectsemi.com
法国：
ss@sirectsemi.com
台湾：
se@sirectsemi.com
香港：
hk@sirectsemi.com
中国：
st@sirectsemi.com
...泰国：
th@sirectsemi.com
菲律宾：
aiac@sirectsemi.com
伯利兹：
belize@sirectsemi.com
HTTP ： // www.sirectsemi.com
2
E
L
E
C
T
R
O
N
I
C
SB340~SB3100
功率肖特基整流器 - 3Amp 40 100Volt
□
特点
- 低正向压降
- 高电流能力
- 高可靠性
- 高浪涌电流能力
-Epitaxial建设
DO - 27 / DO- 201AD
-Case ：模压塑料
- 环氧： UL 94V- 0率阻燃
-Lead ：轴向引线，每MIL -STD- 202方法208保证
-Polarity ：颜色频带端为负极
-Mounting位置：任意
- 重量： 1.10克
.220(5.6)
.197(5.0)
1.0(25.4)
.94(23.9)
.052(1.3)
.048(1.2)
□
最大额定值和电气特性
TYPE
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
峰值正向浪涌电流8.3ms单正弦半波
叠加在额定负荷
在3.0A最大正向电压
重复峰值雪崩功率， TP = 1μs的TJ = 25
C
最大DC反向电流在额定
阻断电压DC
典型结电容
典型热阻R
θ
JA
工作温度范围T
J
储存温度范围T
英镑
注意：脉冲测试： 380μs脉冲宽度， 2 ％占空比
2007年8月/ Rev.5号
SB340
40
28
40
SB360
60
42
60
3.0
80
SB3100
100
70
100
.375(9.5)
.285(7.2)
□
机械数据
1.0(25.4)
.94(23.9)
单位
V
V
V
A
A
0.55
1300
0.5
20
0.65
2000
0.3
15
250
20
-50至+150
-50至+150
0.82
V
W
TA = 25℃
TA = 100℃
0.01
10
mA
pF
摄氏度/ W
-50到+175
C
HTTP ： // www.sirectsemi.com
1
SB340~SB3100
3.5
平均正向电流
安培
3.0
2.5
100
瞬时正向电流（ A）
2.0
40
B3
S
SB
00
31
SB
-
340
1.5
1.0
0.5
0
0
25
50
75
10
60
B3
S
0
10
B3
S
SB
36 0
100
125
150
175
200
1
环境温度，
℃
图1.正向电流降额曲线
0.1
T
J
=25C
脉冲宽度300μS
1 ％占空比
0.01
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
100
峰值正向浪涌电流
安培
80
正向电压，伏
60
图4.典型的正向特性
40
20
单半正弦波
（ JEDEC的方法）
100
0
1
2
5
10
20
50
100
循环次数在60Hz
反向漏电流（毫安）
10
图2.最大非重复浪涌电流
700
600
1
T
j
= 75℃
电容（PF ）
500
400
300
200
100
0.1
T
j
= 25℃
0.01
0
20
40
60
80
100
120
140
百分之额定峰值反向电压（ ％ ）
0
0.01
0.1
1
10
100
图5.典型的反向特性
反向电压，伏
图3.典型结电容
Sirectifier全球公司，特拉华州， U.S.A.
U.S.A ：
sgc@sirectsemi.com
法国：
ss@sirectsemi.com
台湾：
se@sirectsemi.com
香港：
hk@sirectsemi.com
中国：
st@sirectsemi.com
...泰国：
th@sirectsemi.com
菲律宾：
aiac@sirectsemi.com
伯利兹：
belize@sirectsemi.com
HTTP ： // www.sirectsemi.com
2
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