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SB2H90和SB2H100
新产品
威世半导体
原通用半导体
反向电压
90 100V
正向电流
2.0A
高压肖特基整流器
DO- 204AC （DO- 15）的
0.034 (0.86)
0.028 (0.71)
DIA 。
特点
塑料包装有保险商实验室
易燃性分类科幻阳离子94V- 0
低功耗，高效率
适用于低电压高频率逆变器的使用，免费
续流和极性保护应用
Guardring过电压保护
1.0 (25.4)
分钟。
机械数据
0.300 (7.6)
0.230 (5.8)
0.140 (3.6)
0.104 (2.6)
DIA 。
1.0 (25.4)
分钟。
尺寸以英寸
（毫米）
案例：
JEDEC DO- 204AC模压塑料多一个
钝化结
终端：
焊接镀轴向引线，焊每MIL-
STD- 750 ，方法2026
高温焊接保证：
250 ° C. / 10秒0.375“设计（9.5mm ）引线长度，
5磅。 （ 2.3千克）张力
极性：
颜色频带端为负极
安装位置：
任何
重量：
0.015盎司， 0.4克
最大额定值和热特性
(T
参数
最大重复峰值反向电压
工作峰值反向电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流在T
A
= 25°C
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
反向重复峰值浪涌电流在t
p
=在2.0μs ， 1KH
Z
关键的增长速度反向电压
典型热阻
(2)
存储温度范围
最大工作结温
符号
V
RRM
V
RWM
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
I
RRM
dv / dt的
R
θJA
R
θJL
T
英镑
T
J
A
= 25 ° C除非另有说明）
SB2H90
90
90
90
2.0
75
1.0
10,000
45
14
SB2H100
100
100
100
单位
V
V
V
A
A
A
V / μs的
° C / W
°C
°C
-55到+175
+175
电气特性
(T
马克斯。瞬时正向电压
(1)
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
A
= 25 ° C除非另有说明）
I
F
= 2A，T
J
= 25°C
I
F
= 2A，T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
V
F
I
R
0.79
0.65
10
4
V
A
mA
注意事项：
（1 ）脉冲测试： 300μS脉冲宽度， 1 ％的占空比
（2） P.C.B.安装有0.2× 0.2 “ （ 5.0× 5.0毫米）铜焊盘区
文档编号88718
25-Jun-02
www.vishay.com
1
SB2H90和SB2H100
威世半导体
原通用半导体
收视率和
特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
图。 1 - 正向电流
降额曲线
4.0
100
图。 2 - 典型的瞬时
正向特性
正向电流（A ）
平均正向电流（ A）
3.0
10
T
J
= 175°C
T
J
= 100°C
2.0
1
T
J
= 150°C
T
J
= 125°C
1.0
0.1
T
J
= 25°C
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
环境温度（ ℃）
正向电压（ V）
图。 3 - 典型的反向
特征
10000
10000
T
J
= 150°C
图。 4 - 典型结电容
瞬时反向电流（ μA ）
100
T
J
= 100°C
10
T
J
= 125°C
结电容（pF ）
80
100
1000
1000
1
0.1
T
J
= 25°C
0.01
20
40
60
100
10
0.1
1
10
100
1999额定峰值反向电压百分比（％ ）
反向电压（ V）
图。 5 - 典型瞬态
热阻抗
100
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
10
1
0.01
0.1
1
10
100
吨 - 脉冲持续时间（秒）。
www.vishay.com
2
文档编号88718
25-Jun-02
新产品
SB2H90 & SB2H100
威世通用半导体
高压肖特基整流器
高阻隔技术改进高温性能
特点
Guardring过电压保护
低功耗，高效率
低正向压降
低漏电流
高正向浪涌能力
??高频工作
DO- 204AC （DO- 15）的
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
典型应用
对于中等电压高频率逆变器的使用，
续流，直流 - 直流转换器和极性
保护应用。
2.0 A
90 V, 100 V
75 A
0.65 V
10 A
175 °C
主要特征
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
I
R
T
J
马克斯。
机械数据
案例：
DO- 204AC （DO- 15）的
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD22- B102
E3后缀消费档次，满足JESD 201级
1A晶须测试， HE3后缀为高可靠性等级
（ AEC Q101标准） ，符合JESD 201 2级
晶须测试
极性：
色环表示阴极结束
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大重复峰值反向电压
工作峰值反向电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流在T
A
= 25 °C
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷
反向重复峰值浪涌电流在t
p
= 2.0微秒， 1千赫
关键的增长速度反向电压
存储温度范围
最大工作结温
符号
V
RRM
V
RWM
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
I
RRM
dv / dt的
T
英镑
T
J
SB2H90
90
90
90
2.0
75
1.0
10 000
- 55 + 175
175
SB2H100
100
100
100
单位
V
V
V
A
A
A
V / μs的
°C
°C
文档编号： 88718
修订： 19 08年5月
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
PDD-Americas@vishay.com ， PDD-Asia@vishay.com ， PDD-Europe@vishay.com
www.vishay.com
1
新产品
SB2H90 & SB2H100
威世通用半导体
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大正向电压
(1)
额定V最大反向电流
R (2)
注意事项：
（1 ）脉冲测试： 300毫秒脉冲宽度， 1 ％的占空比
（ 2 ）脉冲测试：脉冲宽度
≤
40毫秒
测试条件
I
F
= 2.0 A
I
F
= 2.0 A
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
符号
V
F
I
R
SB2H90
0.79
0.65
10
4.0
SB2H100
单位
V
A
mA
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
典型热阻
(1)
注意：
（1） P.C.B.安装有0.2× 0.2" （ 5.0 ×5.0 MM）铜焊盘区
符号
R
θJA
R
θJL
SB2H90
45
14
SB2H100
单位
° C / W
订购信息
（例）
首选的P / N
SB2H100-E3/54
SB2H100-E3/73
SB2H100HE3/54
(1)
SB2H100HE3/73
(1)
注意：
（ 1 ）汽车级AEC Q101标准
单位重量（g ）
0.398
0.398
0.398
0.398
首选包装代码
54
73
54
73
基地数量
4000
2000
4000
2000
配送方式
直径13"纸胶带和卷轴
弹药盒包装
直径13"纸胶带和卷轴
弹药盒包装
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
4.0
100
正向电流（A ）
平均正向电流（ A）
3.0
10
T
J
= 175 °C
T
J
= 100 °C
2.0
1
T
J
= 150 °C
T
J
= 125 °C
1.0
0.1
T
J
= 25 °C
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
环境温度（ ℃）
正向
电压
(V)
图1.正向电流降额曲线
图2.典型的正向特性
www.vishay.com
2
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
PDD-Americas@vishay.com ， PDD-Asia@vishay.com ， PDD-Europe@vishay.com
文档编号： 88718
修订： 19 08年5月
新产品
SB2H90 & SB2H100
威世通用半导体
10 000
T
J
= 150 °C
100
1000
100
T
J
= 100 °C
10
T
J
= 125 °C
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
瞬时反向电流（ μA ）
10
1
0.1
T
J
= 25 °C
0.01
20
40
60
80
100
1
0.01
0.1
1
10
100
百分比额定峰值反向
电压
(%)
吨 - 脉冲持续时间（ S）
图3.典型的反向特性
图5.典型的瞬态热阻抗
10 000
结电容（pF ）
1000
100
10
0.1
1
10
100
反向
电压
(V)
图4.典型结电容
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
DO- 204AC （DO- 15）的
0.034 (0.86)
0.028 (0.71)
DIA 。
1.0 (25.4)
分钟。
0.300 (7.6)
0.230 (5.8)
0.140 (3.6)
0.104 (2.6)
DIA 。
1.0 (25.4)
分钟。
文档编号： 88718
修订： 19 08年5月
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法律免责声明
日前，Vishay
放弃
所有产品规格及数据如有更改，恕不另行通知。
日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，其附属公司，代理和员工以及代表及其或其各自的所有人
（统称为“Vishay ” ） ，对本文档中的任何错误，不准确或不完整不承担任何责任
或在任何其他公开内容有关的任何产品。
日前，Vishay不承担任何及由此产生的任何产品的使用或应用程序的所有责任本文中的任何或描述
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以其他方式修改Vishay的采购条款与条件，包括但不限于本文保修
其中，适用于这些产品。
没有许可证，明示或暗示，禁止反言或其他方式，向任何知识产权授予本
文档或任何Vishay的行为。
本文所展示的产品并非设计用于医疗，救生使用，或维持生命的应用程序，除非
另有明确指示。使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的使用
应用这样做完全由自己承担风险，并同意全额赔偿日前，Vishay的产生或造成的任何损坏
从上述使用或销售。请Vishay授权人员联系，以获得有关书面条款和条件
产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号： 91000
修订： 18 -JUL- 08
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新产品
SB2H90 ， SB2H100
威世通用半导体
高压肖特基整流器
高阻隔技术改进高温性能
特点
Guardring过电压保护
低功耗，高效率
低正向压降
低漏电流
高正向浪涌能力
??高频工作
DO- 204AC （DO- 15）的
浸焊275 °C以下。 10秒，每JESD 22 - B106
AEC- Q101标准
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
典型应用
主要特征
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
I
R
T
J
马克斯。
2.0 A
90 V, 100 V
75 A
0.65 V
10 μA
175 °C
对于中等电压高频率逆变器的使用，
续流，直流到直流转换器和极性保护
应用程序。
机械数据
案例：
DO- 204AC （DO- 15）的
塑封料符合UL 94 V - 0阻燃等级
底座P / N - E3 - 符合RoHS标准，商用级
底座P / NHE3 - 符合RoHS标准，符合AEC - Q101标准
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD 22 - B102
E3后缀符合JESD 201级1A晶须测试， HE3后缀
符合JESD 201级2晶须测试
极性：
色环表示阴极结束
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大重复峰值反向电压
工作峰值反向电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流在T
A
= 25 °C
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷
反向重复峰值浪涌电流在t
p
= 2.0微秒， 1千赫
关键的增长速度反向电压
存储温度范围
最大工作结温
符号
V
RRM
V
RWM
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
I
RRM
dv / dt的
T
英镑
T
J
SB2H90
90
90
90
2.0
75
1.0
10 000
- 55 + 175
175
SB2H100
100
100
100
单位
V
V
V
A
A
A
V / μs的
°C
°C
文档编号： 88718
修订： 04 - 8 - 09
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
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新产品
SB2H90 ， SB2H100
威世通用半导体
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大正向电压
测试条件
I
F
= 2.0 A
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
符号
V
F (1)
SB2H90
0.79
V
0.65
10
4.0
μA
mA
SB2H100
单位
额定V最大反向电流
R
笔记
(1)
脉冲试验： 300毫秒脉冲宽度， 1 ％的占空比
(2)
脉冲测试：脉冲宽度
≤
40毫秒
I
R (2)
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
典型热阻
记
P.C.B.装有0.2" X 0.2" （5.0毫米× 5.0毫米）铜焊盘区
符号
R
θJA
(1)
R
θJL
(1)
SB2H90
45
° C / W
14
SB2H100
单位
(1)
订购信息
（例）
首选的P / N
SB2H100-E3/54
SB2H100-E3/73
SB2H100HE3/54
(1)
SB2H100HE3/73
(1)
记
(1)
AEC- Q101对外贸易资质网络编辑
单位重量（g ）
0.398
0.398
0.398
0.398
首选包装代码
54
73
54
73
基地数量
4000
2000
4000
2000
配送方式
直径13"纸胶带和卷轴
弹药盒包装
直径13"纸胶带和卷轴
弹药盒包装
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
4.0
100
3.0
正向电流（A ）
平均正向电流（ A）
10
T
J
= 175 °C
T
J
= 100 °C
2.0
1
T
J
= 150 °C
T
J
= 125 °C
1.0
0.1
T
J
= 25 °C
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
环境温度（ ℃）
正向电压（ V）
图。 1 - 正向电流降额曲线
图。 2 - 典型的正向特性
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DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
文档编号： 88718
修订： 04 - 8 - 09
新产品
SB2H90 ， SB2H100
威世通用半导体
10 000
T
J
= 150 °C
100
1000
100
T
J
= 125 °C
T
J
= 100 °C
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
瞬时反向电流（ μA ）
10
10
1
0.1
T
J
= 25 °C
0.01
20
40
60
80
100
1
0.01
0.1
1
10
100
1999额定峰值反向电压百分比（％ ）
吨 - 脉冲持续时间（ S）
图。 3 - 典型的反向特性
图。 5 - 典型的瞬态热阻抗
10 000
结电容（pF ）
1000
100
10
0.1
1
10
100
反向电压（ V）
图。 4 - 典型结电容
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
DO- 204AC （DO- 15）的
0.034 (0.86)
0.028 (0.71)
DIA 。
1.0 (25.4)
分钟。
0.300 (7.6)
0.230 (5.8)
0.140 (3.6)
0.104 (2.6)
DIA 。
1.0 (25.4)
分钟。
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间接或附带损失，及（iii）任何和所有的暗示担保，包括适销性和针对特定担保
目的，非侵权及适销性。
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的要求，常常放置在日前，Vishay产品一般应用。此类声明是没有约束力的声明
关于产品的适用于特殊应用。这是客户的责任，以验证一个特定的
产物用在产品说明书中描述的特性，适合于一个特定的应用。参数
数据手册和/或技术规格中提供可在不同的应用而异，而且性能可能随时间而变化。所有
工作参数，包括典型参数，必须为每个客户的应用受到了客户的验证
技术专家。产品规格不扩展或不以其他方式修改Vishay的采购条款与条件，
包括但不限于本文所述的保修。
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文档编号： 91000
修订： 11 -MAR- 11
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SB2H90和SB2H100
新产品
威世半导体
原通用半导体
反向电压
90 100V
正向电流
2.0A
高压肖特基整流器
DO- 204AC （DO- 15）的
0.034 (0.86)
0.028 (0.71)
DIA 。
特点
塑料包装有保险商实验室
易燃性分类科幻阳离子94V- 0
低功耗，高效率
适用于低电压高频率逆变器的使用，免费
续流和极性保护应用
Guardring过电压保护
1.0 (25.4)
分钟。
机械数据
0.300 (7.6)
0.230 (5.8)
0.140 (3.6)
0.104 (2.6)
DIA 。
1.0 (25.4)
分钟。
尺寸以英寸
（毫米）
案例：
JEDEC DO- 204AC模压塑料多一个
钝化结
终端：
焊接镀轴向引线，焊每MIL-
STD- 750 ，方法2026
高温焊接保证：
250 ° C. / 10秒0.375“设计（9.5mm ）引线长度，
5磅。 （ 2.3千克）张力
极性：
颜色频带端为负极
安装位置：
任何
重量：
0.015盎司， 0.4克
最大额定值和热特性
(T
参数
最大重复峰值反向电压
工作峰值反向电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流在T
A
= 25°C
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
反向重复峰值浪涌电流在t
p
=在2.0μs ， 1KH
Z
关键的增长速度反向电压
典型热阻
(2)
存储温度范围
最大工作结温
符号
V
RRM
V
RWM
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
I
RRM
dv / dt的
R
θJA
R
θJL
T
英镑
T
J
A
= 25 ° C除非另有说明）
SB2H90
90
90
90
2.0
75
1.0
10,000
45
14
SB2H100
100
100
100
单位
V
V
V
A
A
A
V / μs的
° C / W
°C
°C
-55到+175
+175
电气特性
(T
马克斯。瞬时正向电压
(1)
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
A
= 25 ° C除非另有说明）
I
F
= 2A，T
J
= 25°C
I
F
= 2A，T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
V
F
I
R
0.79
0.65
10
4
V
A
mA
注意事项：
（1 ）脉冲测试： 300μS脉冲宽度， 1 ％的占空比
（2） P.C.B.安装有0.2× 0.2 “ （ 5.0× 5.0毫米）铜焊盘区
文档编号88718
25-Jun-02
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1
SB2H90和SB2H100
威世半导体
原通用半导体
收视率和
特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
图。 1 - 正向电流
降额曲线
4.0
100
图。 2 - 典型的瞬时
正向特性
正向电流（A ）
平均正向电流（ A）
3.0
10
T
J
= 175°C
T
J
= 100°C
2.0
1
T
J
= 150°C
T
J
= 125°C
1.0
0.1
T
J
= 25°C
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
环境温度（ ℃）
正向电压（ V）
图。 3 - 典型的反向
特征
10000
10000
T
J
= 150°C
图。 4 - 典型结电容
瞬时反向电流（ μA ）
100
T
J
= 100°C
10
T
J
= 125°C
结电容（pF ）
80
100
1000
1000
1
0.1
T
J
= 25°C
0.01
20
40
60
100
10
0.1
1
10
100
1999额定峰值反向电压百分比（％ ）
反向电压（ V）
图。 5 - 典型瞬态
热阻抗
100
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
10
1
0.01
0.1
1
10
100
吨 - 脉冲持续时间（秒）。
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