半导体
SB2336E-G
高亮度LED芯片
特点
无色透明镜片类型
用包具有高散热性，
它可被驱动以大电流
广视角
外形尺寸： 3.5 （长）× 2.8 （宽）× 1.9毫米（ T）表面贴装型
ê ; ESD保护（ ± 2.0KV ， 3次@ 100pF电容， 1.5kΩ上）
应用
背光
信号指示灯
符号背光
前面板指示灯
外形尺寸
单位：
mm
0.125~0.175
2.15~2.25
0.75~0.85
1
3.15~3.25
1.60~1.70
2.30~2.50
0.70~0.90
2
0.20~0.40
2
阴极
1
阳极
0.90~1.10
1.50~1.70
0.65~0.85
2.75~2.85
1.85~1.95
引脚连接
1.阳极
2.阴极
KSD-O8V005-001
1
SB2336E-G
绝对最大额定值
特征
功耗
正向电流
*
1
最大正向电流
工作温度范围
存储温度范围
(Ta=25
o
C)
符号
P
D
I
F
I
FP
T
OPR
T
英镑
等级
110
30
50
-40100
-40110
单位
mW
mA
mA
℃
℃
240 ℃ 10秒
*
2
焊接温度
T
SOL
* 1.Duty比= 1/16 ，脉冲宽度= 0.1毫秒
* 2 。推荐的回流焊接温度曲线
- 预热150 ℃至185 ℃ 120秒内焊接240 ℃10秒内
逐渐冷却（避免淬火）
温度（ ℃ ）
240
峰值温度最高。 240 ℃
预热区
150 185 ℃ ， 90 ± 30秒
185
150
最大。 3 ℃ /秒
最大。 4 ℃ /秒
从25 ℃达峰时间最高温度。 6分钟
0
60
150
180
240
时间（秒）
最大。 -6 ℃ /秒
最大。 10秒
焊锡区
220 ℃ ，最大。 60秒
25
电/光特性
特征
正向电压
(Ta=25
o
C)
符号
V
F
I
V
测试条件
I
F
= 20mA下
I
F
= 20mA下
I
F
= 20mA下
I
F
= 20mA下
I
F
= 20mA下
民
2.95
170
464
-
-
典型值
-
-
470
26
±60
最大
3.6
420
476
-
-
单位
V
MCD
nm
nm
度
*
3
发光强度
主波长
频谱带宽
λ
D
λ
θ
1/2
*
4
半角
KSD-O8V005-001
2
SB2336E-G
* 3 。发光强度最大容差为每个等级划分界限是
±18%
第I （试验结果
F
= 20mA下仅供参考）
*4.
θ
1/2
是离轴角，其中所述发光强度是
1/2
的峰强度
V
F
/ I
V
/
λ
D
等级分类（ TA = 25 ℃ ）
测试条件@ I
F
=20mA
正向电压[V]的
1 : 2.95~3.2
光强度[ MCD ]
M : 170~230
主导Wavelangth [nm]的
a : 464~470
2 : 3.2~3.4
3 : 3.4~3.6
N : 230~310
b : 470~476
O : 310~420
（不要使用等级分类相结合。它必须单独使用等级分类）
KSD-O8V005-001
3
SB2336E-G
该AUK公司产品用于使用在一般的电子元件
设备（办公室和通信设备，测量设备，家用
设备等）。
请确保您与我们协商，然后再使用这些AUK公司产品前
在需要较高的质量和/或可靠性，设备和在设备，而
可能主要影响到人类生活的福利（原子能控制，飞机，
飞船，运输，燃烧控制，所有类型的安全装置，等等）。 AUK
公司不承担责任，以可能发生的情况下，这些AUK公司的任何损害
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公司..
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KSD-O8V005-001
5
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