BL
特点
银河电子
SB120 - - - SB1A0
电压范围： 20 ---
100
V
CURRENT ： 1.0
肖特基势垒整流器
◇
金属半导体结与保护环
◇
外延建设
◇
低正向压降，低开关损耗
◇
高浪涌能力
◇
为了在低电压，高频率逆变器免费
xxxx
续流和极性保护应用
◇
塑料材料进行U / L承认94V - 0
DO - 41
机械数据
◇
案例： JEDEC DO - 41 ，模压塑料
◇
终端：轴向引线，每焊
MIL-STD - 202方法208
◇
极性：颜色频带为负极
◇
重量： 0.012盎司， 0.34克
◇
安装位置：任意
最大额定值和电气特性
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。对于容性负载， 20％减免。
SB
120
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
9.5毫米引线长度，
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波
叠加在额定负荷
@T
J
=125℃
（参见图1）
SB
130
30
21
30
SB
140
40
28
40
SB
150
50
35
50
SB
160
60
42
60
1.0
SB
170
70
49
70
SB
180
80
56
80
SB
190
90
63
90
SB
单位
1A0
100
70
100
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
20
14
20
I
FSM
40.0
A
最大正向电压
@ 1.0A
最大反向电流
@T
A
=25℃
V
F
I
R
C
J
R
θJA
T
J
T
英镑
0.5
0.7
0.5
0.85
V
mA
pF
℃/W
℃
℃
www.galaxycn.com
在额定阻断电压DC @T
A
=100℃
典型结电容
典型热阻
(Note1)
(Note2)
10.0
110
50
- 55 --- + 125
5.0
80
- 55 --- + 150
- 55 --- + 150
工作结温范围
存储温度范围
注： 1，测得1.0MHz和应用4.0V DC反向电压。
2.Thermalresistance结到环境
文档编号0266004
BL
银河电子
1.
收视率和特性曲线
图1 - 正向电流降额曲线
峰值正向浪涌电流
安培
平均正向电流
安培
SB120 - - - SB1A0
图2 --MAXIMUM不重复
峰值正向浪涌电流
1.0
0.75
SB120-SB140
电阻或
感性负载
0.375"(9.5mm)
导线长度
50
T
J
=T
J
最大
8.3ms单半
正弦波
40
0.5
30
SB150-SB1A0
0.25
20
10
0
0
0
25
50
75
100
125
150
175
1
10
100
环境温度下，
循环次数在60Hz
图4 - 典型的反向特性
瞬时反向漏
当前，毫安
1000
图3 --TYPICAL瞬时
正向电流
安培
正向特性
50
100
10
SB150-SB160
TJ=100
℃
SB120-SB140
P ü LS东西ID TH = 3 0 0
1 ％D ü TY CLE
s
10
1
SB170-SB1A0
1
TJ=75
℃
0 .1
0.1
TJ=25
0 .0 1
0
0 .2 0 .4 0 .6 0 .8 1 .0 1 .2 1 .4 1 .6
0.01
0
20
40
60
80
100
正向电压，伏
百分之额定峰值反向电压， ％
图5 - 典型结电容
结电容， pF的
/W
400
图6 - 典型的瞬态热阻抗
SB120-SB140
T
J
=25
℃
f=1.0MHz
Vsig=50mVp-p
瞬态热阻抗，
100
100
SB150-SB1A0
10
1
10
0.1
0.1
0.01
0.1
1
10
100
1
10
100
反向电压，伏
脉冲持续时间，秒。
www.galaxycn.com
文档编号0266004
BL
银河电子
2.
SB120-SB1A0
肖特基势垒整流器器
电压范围： 20 ---
100
V
CURRENT ： 1.0
DO - 41
特点
◇
◇
◇
◇
◇
xxxx
◇
金属半导体结与保护环
外延建设
低正向压降，低开关损耗
高浪涌能力
为了在低电压，高频率逆变器免费
续流和极性保护应用
塑料材料进行U / L承认94V - 0
机械数据
◇
◇
◇
◇
案例： JEDEC DO - 41 ，模压塑料
极性：颜色频带为负极
重量： 0.012盎司， 0.34克
安装位置：任意
单位：毫米
最大额定值和电气特性
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。对于容性负载， 20％减免。
SB
120
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
9.5毫米引线长度，
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波
叠加在额定负荷
@T
J
=125℃
（参见图1）
SB
130
30
21
30
SB
140
40
28
40
SB
150
50
35
50
SB
160
60
42
60
1.0
SB
170
70
49
70
SB
180
80
56
80
SB
190
90
63
90
SB
单位
1A0
100
70
100
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
20
14
20
I
FSM
40.0
A
最大正向电压
@ 1.0A
最大反向电流
@T
A
=25℃
V
F
I
R
C
J
R
θJA
T
J
T
英镑
0.5
0.7
0.5
0.85
V
mA
pF
℃/W
℃
℃
在额定阻断电压DC @T
A
=100℃
典型结电容
典型热阻
(Note1)
(Note2)
10.0
110
50
- 55 --- + 125
5.0
80
- 55 --- + 150
- 55 --- + 150
工作结温范围
存储温度范围
注： 1，测得1.0MHz和应用4.0V DC反向电压。
2.Thermalresistance结到环境
http://www.luguang.cn
邮箱： lge@luguang.cn
SB120-SB1A0
肖特基势垒整流器器
评级和Charactieristic曲线
图2 --MAXIMUM不重复
图1 - 正向电流降额曲线
峰值正向浪涌电流
安培
平均正向电流
安培
峰值正向浪涌电流
1.0
0.75
SB120-SB140
电阻或
感性负载
0.375"(9.5mm)
导线长度
50
T
J
=T
J
最大
8.3ms单半
正弦波
40
0.5
30
SB150-SB1A0
0.25
20
10
0
0
0
25
50
75
100
125
150
175
1
10
100
环境温度下，
循环次数在60Hz
图4 - 典型的反向特性
瞬时反向漏
当前，毫安
1000
图3 --TYPICAL瞬时
正向电流
安培
正向特性
50
100
10
SB150-SB160
TJ=100℃
SB120-SB140
P ü LS东西ID TH = 3 0 0
1 ％D ü TY CLE
s
10
1
SB170-SB1A0
1
TJ=75℃
0 .1
0.1
TJ=25
0 .0 1
0
0 .2 0 .4 0 .6 0 .8 1 .0 1 .2 1 .4 1 .6
0.01
0
20
40
60
80
100
正向电压，伏
百分之额定峰值反向电压， ％
图5 - 典型结电容
结电容， pF的
/W
400
图6 - 典型的瞬态热阻抗
SB120-SB140
T
J
=25
℃
f=1.0MHz
Vsig=50mVp-p
瞬态热阻抗，
100
100
SB150-SB1A0
10
1
10
0.1
0.1
0.01
0.1
1
10
100
1
10
100
反向电压，伏
脉冲持续时间，秒。
http://www.luguang.cn
邮箱： lge@luguang.cn
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