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W TE
PO WE R SEM IC ND UC TO R 5
SB120 - SB160
1.0A肖特基整流器
特点
!
!
!
!
!
!
肖特基芯片
保护环片施工
瞬态保护
高电流能力
低功耗,高效率
高浪涌电流能力
为了在低电压,高频率
逆变器,续流和极性
保护应用
A
B
A
C
D
机械数据
!
!
!
!
!
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案例:模压塑料
终端:每焊镀信息
MIL- STD- 202方法208
极性:负极频带
重量:0.55克数(大约)
安装位置:任意
标记:型号数量
DO-41
暗淡
最大
A
25.4
B
4.06
5.21
C
0.71
0.864
D
2.00
2.72
尺寸:mm
最大额定值和电气特性
单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。
对于容性负载,减免电流20 % 。
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均整流器ED输出电流(注1 )
@T
L
= 100°C
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R( RMS )
I
O
I
FSM
V
FM
I
RM
C
j
R
θJL
R
θJA
T
j
, T
英镑
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
SB120
20
14
SB130
30
21
SB140
40
28
1.0
40
SB150
50
35
SB160
60
42
单位
V
V
A
A
非重复性峰值正向浪涌电流8.3ms
单半正弦波叠加在额定负荷
( JEDEC的方法)
正向电压
峰值反向电流
在额定阻断电压DC
典型结电容(注2 )
典型热阻结到铅
典型热阻结到环境(注1 )
工作和存储温度范围
@I
F
= 1.0A
@T
A
= 25°C
@T
A
= 100°C
0.50
0.5
10
110
15
50
-65到+150
0.70
V
mA
80
pF
K / W
K / W
°C
注:1。有效的规定,引线被保持在环境温度下从所述壳体的距离9.5毫米。
2.测得1.0 MHz和应用的4.0V直流反接电压
SB120 - SB160
1第3
2002韩元鼎好电子
I
F
,正向电流(A)
20
10
SB120 - SB140
I
(O),
平均正向电流( A)
1.0
SB150 - SB160
0.5
1.0
T
j
= 25
°
C
I
F
脉冲宽度= 300
s
0
25
50
75
100
125
150
0.1
0.1
0.5
0.9
1.3
1.7
2.1
T
L
,焊接温度(
°
C)
图。 1正向电流降额曲线
V
F
,正向电压( V)
图。 2典型正向特性
I
FSM
,峰值正向浪涌电流( A)
40
T
j
= 150
°
C
1000
C
j
,结电容(pF )
单一正弦半波
( JEDEC的方法)
T
j
= 25
°
C
F = 1.0MHz的
30
SB120 - SB140
20
100
SB150 - SB160
10
0
1
10
100
10
0.1
1
10
100
V
R
,反向电压(V)的
图。 4典型结电容
循环次数在60赫兹
图。 3最大非重复性峰值正向浪涌电流
I
R
,瞬时反向电流(mA)
100
10
T
j
= 100
°
C
1.0
T
j
= 75
°
C
0.1
0.01
T
j
= 25
°
C
0.001
0
20
40
60
80
100
120
140
1999额定峰值反向电压百分比(% )
图。 5典型的反向特性
SB120
SB160
2 3
2002
韩元鼎好电子
订购信息
产品编号
!
SB120-T3
SB120-TB
SB120
SB130-T3
SB130-TB
SB130
SB140-T3
SB140-TB
SB140
SB150-T3
SB150-TB
SB150
SB160-T3
SB160-TB
SB160
套餐类型
DO-41
DO-41
DO-41
DO-41
DO-41
DO-41
DO-41
DO-41
DO-41
DO-41
DO-41
DO-41
DO-41
DO-41
DO-41
送货数量
5000 /磁带&卷轴
5000 /磁带盒&
1000单位/箱
5000 /磁带&卷轴
5000 /磁带盒&
1000单位/箱
5000 /磁带&卷轴
5000 /磁带盒&
1000单位/箱
5000 /磁带&卷轴
5000 /磁带盒&
1000单位/箱
5000 /磁带&卷轴
5000 /磁带盒&
1000单位/箱
产品上市
胆大
是WTE
首选
设备。
!
T3后缀是指一个13 “卷轴。 TB后缀是指弹药包。
鉴于航运量仅为最小包装量。最小订单
量,请咨询售楼部。
韩元鼎好电子有限公司( WTE )已仔细检查了所有的信息,并认为它是正确的,准确的。然而, WTE不承担任何
责任不准确。此外,这种信息不给半导体器件的购买者根据专利权的任何许可
制造商。 WTE保留此更改任何或所有信息,而无需另行通知的权利。
警告:
不要使用生命支持设备。垃圾发电功率半导体产品不授权在生活中使用的关键组件
支持设备或系统未经明确的书面批准。
韩元鼎好电子有限公司
44号谷喀嗯北三路,茅根陈DIST。 ,高雄,台湾
电话:
886-7-822-5408或886-7-822-5410
传真:
886-7-822-5417
电子邮件:
sales@wontop.com
互联网:
http://www.wontop.com
我们日常供电。
2002韩元鼎好电子
SB120 - SB160
3 3
WTE
功率半导体
SB120 - SB1100
Pb
1.0A肖特基二极管
特点
!
!
肖特基芯片
保护环片施工
瞬态保护
!
高电流能力
A
B
!
低功耗,高效率
!
高浪涌电流能力
!
为了在低电压,高频率
逆变器,续流和极性
保护应用

D
A
C
机械数据
!
!
!
!
!
!
!
案例: DO - 41 ,模压塑料
终端:每焊镀信息
MIL- STD- 202方法208
极性:负极频带
重量:0.55克数(大约)
安装位置:任意
标记:型号数量
无铅:对于符合RoHS /无铅版本,
新增“ -LF ”后缀型号,见第4页
DO-41
暗淡
最大
25.4
A
4.06
5.21
B
0.71
0.864
C
2.00
2.72
D
尺寸:mm
最大额定值和电气特性
单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。
对于容性负载,减免电流20 % 。
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均整流输出电流
(注1 )
@T
L
= 100°C
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R( RMS )
I
O
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
SB120 SB130 SB140
20
14
30
21
40
28
SB150 SB160
50
35
1.0
60
42
SB180 SB1100
80
56
100
70
单位
V
V
A
非重复性峰值正向浪涌电流8.3ms
单半正弦波叠加在额定负荷
( JEDEC的方法)
正向电压
峰值反向电流
在额定阻断电压DC
@I
F
= 1.0A
@T
A
= 25°C
@T
A
= 100°C
I
FSM
V
FM
I
RM
C
j
R
θJL
R
θJA
T
j
, T
英镑
110
0.50
40
0.70
0.5
10
80
15
50
-65到+150
0.85
A
V
mA
pF
° C / W
°C
典型结电容(注2 )
典型热阻(注1 )
工作和存储温度范围
注:1。有效的规定,引线被保持在环境温度下从所述壳体的距离9.5毫米。
2.测得1.0 MHz和应用的4.0V直流反接电压
SB120 - SB1100
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2006韩元鼎好电子

I
F
,正向电流(A)
20
10
I
(O),
平均正向电流( A)
1.0
SB120 - SB140
SB150 - SB160
0.5
1.0
SB180 - SB1100
T
j
= 25
°
C
I
F
脉冲宽度= 300
s
0
25
50
75
100
125
150
0.1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
T
L
,焊接温度(
°
C)
图。 1正向电流降额曲线
V
F
,正向电压( V)
图。 2典型正向特性
I
FSM
,峰值正向浪涌电流( A)
40
T
j
= 150
°
C
1000
C
j
,结电容(pF )
单一正弦半波
( JEDEC的方法)
T
j
= 25
°
C
F = 1.0MHz的
30
SB120 - SB140
20
100
SB150 - SB1100
10
0
1
10
100
10
0.1
1
10
100
V
R
,反向电压(V)的
图。 4典型结电容
循环次数在60赫兹
图。 3最大非重复性峰值正向浪涌电流
I
R
,瞬时反向电流(mA)
100
10
T
j
= 100
°
C
1.0
T
j
= 75
°
C
0.1
0.01
T
j
= 25
°
C
0.001
0
20
40
60
80
100
120
140
1999额定峰值反向电压百分比(% )
图。 5典型的反向特性
SB120 - SB1100
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2006韩元鼎好电子
标识信息
大坪规格
0.8mm
最大
5mm
SB1x0
WTE
阴极
SB1x0
x
WTE
=极性带
=设备号
= 2, 3 ,4,5 ,6,8或10个
=制造商的标志
1.2mm
最大
6mm
52.4mm
阴极带:红色
阳极带:白色
0.8mm
最大
包装信息
磁带盒&
磁带&卷轴
产品ID标签
150mm
检查孔
(两端)
330mm
255mm
75mm
体积
80±5mm
20mm
198mm
产品ID标签
84mm
包装
磁带&卷轴
磁带盒&
体积
卷筒直径/
箱尺寸(mm )
330
255 x 75 x 150
198 x 84 x 20
QUANTITY
( PCS)的
5,000
5,000
1,000
外箱尺寸
(mm)
370 x 370 x 420
400 x 273 x 415
459 x 214 x 256
QUANTITY
( PCS)的
25,000
50,000
50,000
约。总重量
(公斤)
13.0
21.0
19.5
注意:
1.纸卷轴,白色或灰色。芯材:塑料或金属。
2.部件都装在符合EIA标准RS - 296 -E 。
SB120 - SB1100
3 4
2006韩元鼎好电子
订购信息
产品编号
SB120-T3
SB120-TB
SB120
SB130-T3
SB130-TB
SB130
SB140-T3
SB140-TB
SB140
SB150-T3
SB150-TB
SB150
SB160-T3
SB160-TB
SB160
SB180-T3
SB180-TB
SB180
SB1100-T3
SB1100-TB
SB1100
1.
2.
3.
套餐类型
DO-41
DO-41
DO-41
DO-41
DO-41
DO-41
DO-41
DO-41
DO-41
DO-41
DO-41
DO-41
DO-41
DO-41
DO-41
DO-41
DO-41
DO-41
DO-41
DO-41
DO-41
送货数量
5000 /磁带&卷轴
5000 /磁带盒&
1000单位/箱
5000 /磁带&卷轴
5000 /磁带盒&
1000单位/箱
5000 /磁带&卷轴
5000 /磁带盒&
1000单位/箱
5000 /磁带&卷轴
5000 /磁带盒&
1000单位/箱
5000 /磁带&卷轴
5000 /磁带盒&
1000单位/箱
5000 /磁带&卷轴
5000 /磁带盒&
1000单位/箱
5000 /磁带&卷轴
5000 /磁带盒&
1000单位/箱
产品上市
胆大
是WTE
首选
设备。
鉴于航运量仅为最小包装量。对于最低
订货量,请咨询售楼部。
订购RoHS /无铅版本(与无铅完成) ,加上“ -LF ”后缀
上面的零件编号。例如, SB120 - TB- LF 。
韩元鼎好电子有限公司( WTE )已仔细检查了所有的信息,并认为它是正确的,准确的。然而, WTE不承担任何
责任不准确。此外,这种信息不给半导体器件的购买者根据专利权的任何许可
制造商。 WTE保留此更改任何或所有信息,而无需另行通知的权利。
警告:
不要使用生命支持设备。垃圾发电功率半导体产品不授权在生活中使用的关键组件
支持设备或系统未经明确的书面批准。
韩元鼎好电子有限公司
44号谷喀嗯北三路,茅根陈DIST。 ,高雄,台湾
电话:
886-7-822-5408或886-7-822-5410
传真:
886-7-822-5417
电子邮件:
sales@wontop.com
互联网:
http://www.wontop.com
我们日常供电。
SB120 - SB1100
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数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    SB160-T3
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
SB160-T3
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