半导体
SB1314E-H
LED芯片
特点
1.6毫米（ L） × 0.8毫米小尺寸表面贴装型
薄型封装为0.4mm （H ）厚度
透明清晰的光学镜头
低功耗型芯片LED
发光的蓝色（ 470nm左右）
ê ; ESD保护（ ± 2.0KV ， 3次@ 100pF电容， 1.5kΩ上）
应用
LCD背光
键盘背光
符号背光
前面板指示灯
外形尺寸
单位：
mm
KSD-O8F003-001
1
SB1314E-H
绝对最大额定值
特征
功耗
正向电流
*
1
最大正向电流
工作温度范围
存储温度范围
(Ta=25
o
C)
符号
P
D
I
F
I
FP
T
OPR
T
英镑
等级
68
20
50
-25
80
-30
100
单位
mW
mA
mA
℃
℃
*
2
焊接温度
T
SOL
240
℃
10秒
* 1 。占空比= 1/16 ，脉冲宽度= 0.1毫秒
* 2 。推荐的回流焊接温度曲线
- 预热150 ℃至185 ℃ 120秒内焊接240 ℃10秒内
逐渐冷却（避免淬火）
温度（ ℃ ）
240
峰值温度最高。 240 ℃
预热区
150 185 ℃ ， 90 ± 30秒
185
150
最大。 3 ℃ /秒
最大。 4 ℃ /秒
从25 ℃达峰时间最高温度。 6分钟
0
60
150
180
240
时间（秒）
最大。 -6 ℃ /秒
最大。 10秒
焊锡区
220 ℃ ，最大。 60秒
25
电/光特性
特征
正向电压
(Ta=25
o
C)
符号
V
F
I
V
测试条件
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
民
2.8
5
460
-
-
-
典型值
-
-
-
35
±65
±70
最大
3.4
30
475
-
-
-
单位
V
MCD
nm
nm
度
*
3
发光强度
*
5
峰值波长
频谱带宽
λ
P
λ
θ
1/2
X
Y
*
半角
4
I
F
= 10毫安
KSD-O8F003-001
2
SB1314E-H
* 3 。发光强度最大公差为每个等级分类限制为± 18 ％
第I （试验结果
F
= 10毫安仅供参考）
*4.
θ1/2
是离轴角，其中所述发光强度为1/2的峰强度
*5.
λ
P
等级分类（
λ
P
公差等级为± 3nm的）
V
F
/
I
V
/
λ
P
等级分类（ TA = 25 ℃ ）
测试条件
@ I
F
=10mA
峰波长[ nm]的
a : 460~465
b : 465~470
c : 470~475
正向电压[V]的
1 : 2.8~3.0
2 : 3.0~3.2
3 : 3.2~3.4
光强度[ MCD ]
A : 5~10
B : 10~18
C : 18~30
（不要使用等级分类相结合。它必须单独使用等级分类）
KSD-O8F003-001
3
SB1314E-H
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KSD-O8F003-001
5
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