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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第303页 > SB1020F
WTE
功率半导体
SB1020F - SB10100F
Pb
10A肖特基整流器
特点
!
!
!
!
!
!
肖特基芯片
保护环的瞬态保护
低正向压降
C
低反向漏电流
高浪涌电流能力
G
塑料材料具有防火
分类94V -O

D
F
P
I
H
L
B
ITO-220A
暗淡
最大
14.60
15.40
A
9.70
10.30
B
2.55
2.85
C
3.56
4.16
D
13.00
13.80
E
0.30
0.90
F
3.00
3.50
G
6.30
6.90
H
4.20
4.80
I
2.50
2.90
J
0.36
0.80
K
2.90
3.30
L
4.83
5.33
P
尺寸:mm
A
PIN1
3
机械数据
!
!
!
!
!
!
!
案例: ITO - 220A ,全模压塑料
终端:每焊镀信息
MIL- STD- 202方法208
极性:见图
重量:2.24克数(大约)
安装位置:任意
安装扭矩:11.5厘米千克( 10磅)最大。
无铅:对于符合RoHS /无铅版本,
新增“ -LF ”后缀型号,见第4页
E
PIN 1 +
J
K
PIN 3 -
最大额定值和电气特性
单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。
对于容性负载,减免电流20 % 。
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均整流输出电流@T
L
= 95°C
非重复峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
在额定负荷( JEDEC的方法)
正向电压
@I
F
= 10A
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R( RMS )
I
O
SB
SB
SB
SB
SB
SB
SB
SB
1020F 1030F 1040F 1045F 1050F 1060F 1080F 10100F
20
14
30
21
40
28
45
32
10
50
35
60
42
80
56
100
70
单位
V
V
A
I
FSM
V
FM
I
RM
C
j
R
θJC
T
j
, T
英镑
0.55
150
0.75
0.5
50
700
4.0
-65到+150
0.85
A
V
mA
pF
° C / W
°C
峰值反向电流
@T
A
= 25°C
在额定阻断电压DC @T
A
= 100°C
典型结电容(注1 )
典型热阻(注2 )
工作和存储温度范围
注:1,测得1.0 MHz和应用的4.0V直流反接电压
2.热阻结到外壳上安装散热片。
SB1020F - SB10100F
1 4
2006韩元鼎好电子
10
40
8
I
F
, NSTANTANEOUS正向电流( A)
I
(AV)
,平均输出电流( A)
1020F - 1045F
20
6
1050F - 1060F
1080F - 10100F
4
10
2
单脉冲半波
60赫兹电阻或电感性负载
T
j
= 25C
脉冲宽度= 300
s
2 %的占空比
0
10
40
60
80
100
120
140150
1
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
F
,正向电压( V)
图。 2典型正向特性
T
L
,焊接温度( ° C)
图。 1正向电流降额曲线
150
2000
T
j
= 25C
F = 1MHz的
I
FSM
,峰值正向浪涌电流( A)
120
C
j
,电容(pF )
8.3ms单半正弦波
JEDEC的方法
90
1000
60
30
100
0
1
10
100
循环次数在60赫兹
图。 3最大非重复性峰值正向浪涌电流
0.1
1.0
10
100
V
R
,反向电压(V)的
图。 4典型结电容
SB1020F - SB10100F
2 4
2006韩元鼎好电子
标识信息
WTE
SB10xxF
WTE
SB10xxF
xx
极性
=制造商的标志
=设备号
= 20 ,30,40 ,45, 50 ,60, 80或100个
=对人体标示
包装信息
体积
管尺寸
长x宽x高(mm )
525 x 31 x 6
QUANTITY
( PCS)的
50
内箱尺寸
长x宽x高(mm )
555 x 145 x 95
QUANTITY
( PCS)的
2,000
外箱尺寸
长x宽x高(mm )
572 x 306 x 218
QUANTITY
( PCS)的
8,000
约。总重量
(公斤)
19.0
注意:
1.防静电管,水质清澈的颜色。
推荐的螺丝安装方式
全模压塑料封装提供了一个
硬件相比大幅减少
到一个标准的TO -220封装。不过,
预防措施应在安装进行
过程。
锥形垫圈应使用应用
适当的力到该设备。螺丝应
不会与任何类型的紧固空气被迫
扭矩或设备可能会导致裂纹
器件的封装。
在导热硅脂或导热垫一层
该接口将是相当有益的
散热。
6-32六角头螺丝
平垫圈
整流器器
散热器
锥形垫圈
6-32 HEX NUT
SB1020F - SB10100F
3 4
2006韩元鼎好电子
订购信息
产品编号
SB1020F
SB1030F
SB1040F
SB1045F
SB1050F
SB1060F
SB1080F
SB10100F
1.
2.
套餐类型
ITO-220A
ITO-220A
ITO-220A
ITO-220A
ITO-220A
ITO-220A
ITO-220A
ITO-220A
送货数量
50单位/管
50单位/管
50单位/管
50单位/管
50单位/管
50单位/管
50单位/管
50单位/管
鉴于航运量仅为最小包装量。对于最低
订货量,请咨询售楼部。
订购RoHS /无铅版本(与无铅完成) ,加上“ -LF ”后缀
上面的零件编号。例如, SB1020F -LF 。
韩元鼎好电子有限公司( WTE )已仔细检查了所有的信息,并认为它是正确的,准确的。然而, WTE不承担任何
责任不准确。此外,这种信息不给半导体器件的购买者根据专利权的任何许可
制造商。 WTE保留此更改任何或所有信息,而无需另行通知的权利。
警告:
不要使用生命支持设备。垃圾发电功率半导体产品不授权在生活中使用的关键组件
支持设备或系统未经明确的书面批准。
韩元鼎好电子有限公司
44号谷喀嗯北三路,茅根陈DIST。 ,高雄,台湾
电话:
886-7-822-5408或886-7-822-5410
传真:
886-7-822-5417
电子邮件:
sales@wontop.com
互联网:
http://www.wontop.com
我们日常供电。
SB1020F - SB10100F
4 4
2006韩元鼎好电子
SB1020F~SB1060F
肖特基势垒整流器器
电压
特点
塑料包装有保险商实验室
可燃性分类94V -O 。
阻燃环氧模塑料。
超过环境标准的
MIL-S-19500/228
低功耗,高效率。
低forwrd voltge ,高电流能力
高浪涌能力。
适用于低电压,高频率逆变器的使用
续流和polarlity保护应用。
在符合欧盟RoHS指令2002/95 / EC指令
20至60伏
当前
10安培
MECHANICALDATA
案例: ITO - 220AC模压塑料
码头:焊接镀,每MIL -STD- 750 ,方法2026
极性:作为标记。
标准包装:任何
重量: 0.055盎司, 1.5615克。
最大额定值和电气特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。
对于容性负载,减免电流20 %
PA RA M E TE
米喜米庵 - [R EC乌尔重新NT P EAK 已经RSE V oltage
米喜米庵 - [R M传V L T A G é
米喜米嗯D C B升摄氏度K I NG V L T A G é
米喜米庵一个已经风靡F orward C-UR重新NT在T
C
= 7 5
O
C
P·E A K F R W A R S UR克式C乌尔鄂西北: 8 。 3米S S小我NG L E公顷升F小号我NE - W A已经
s上行erimposedonratedload ( JEDEC浩会见四)
米喜米庵F orward V oltageat 1 0 ,
米喜米庵 C R ê已经R 5式C乌尔鄂西北一吨牛逼
J
= 2 5
O
C
R A T E D D C B升摄氏度K I NG V L T A G (E T)
J
= 1 0 0
O
C
TY P I C A L T ^ h é R M一l研究(E S)我S T A N权证
操作摄像恩膏特mperature 法兰
S T R A克éテ米P·E·R的T ü R A N G - é
S YM B○升
SB 1 0 2 0 FSB 1 0 3 0 FSB 1 0 4 0 FSB 1 0 4 5 FSB 1 0 5 0 FSB 1 0 6 0,F
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F( A V )
I
F S M
V
F
I
R
R
θ
J·C
T
J
T
s TG
-5 5 1 2 5
0 .2
50
3 .0
-5 5 1 5 0
-5 5 1 5 0
0 .5 5
0 .1
50
20
14
20
30
21
30
40
28
40
10
150
0 .7 5
45
3 1 .5
45
50
35
50
60
42
60
加利它s
V
V
V
A
A
V
mA
O
C / W
O
C
C
O
注。
这两个粘接和芯片结构可供选择。
STAD-APR.27.2009
1
PAGE 。 1
SB1020F~SB1060F
额定值和特性曲线
150
平均正向电流
25.0
20.0
15.0
10.0
5.0
0
0
=20-30V
=40-60V
峰值正向浪涌电流,
120
110
90
70
50
30
20
10
1
2
5
10
8.3ms单
由于半波
JEDEC的方法
50
100
O
150
外壳温度,C
20
50
100
NO 。周期在60Hz
FIG.1-正向电流降额曲线
Fig.2-最大 - 非重复浪涌电流
10
瞬时反向电流,毫安
100
1.0
T
J
= 1 C
00
O
正向电流,安培
10
20-45V
50-60V
0.1
T
J
= 7 C
5
O
1.0
0.01
T
J
= 2 C
5
O
V
RRM
=20-40V
V
RRM
=50-60V
.001
0
20
40
60
80
100
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
百分之瞬时反向电压( % )
正向电压,伏
FIG.4-典型正向
特征
Fig.3-典型的反向特性
STAD-APR.27.2009
1
PAGE 。 2
WTE
功率半导体
SB1020F - SB10100F
10A隔离肖特基整流器
特点
!
!
!
!
!
!
肖特基芯片
保护环的瞬态保护
高电流能力,低正向
C
低反向漏电流
高浪涌电流能力
G
塑料材料具有防火
分类94V -O

D
F
P
I
L
H
B
ITO-220A
暗淡
最大
A
14.9
15.1
B
10.5
C
2.62
2.87
D
3.56
4.06
E
13.46
14.22
F
0.68
0.94
G
3.74
3.91
H
5.84
6.86
I
4.44
4.70
J
2.54
2.79
K
0.35
0.64
L
1.14
1.40
P
4.95
5.20
尺寸:mm
A
PIN1
2
机械数据
!
!
!
!
!
!
案例: ITO - 220A全模压塑料
终端:每焊镀信息
MIL- STD- 202方法208
极性:见图
重量:2.24克数(大约)
安装位置:任意
标记:型号数量
E
PIN 1 +
J
K
PIN 2 -
最大额定值和电气特性
单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。
对于容性负载,减免电流20 % 。
SB
1020F
20
14
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均整流输出电流
@T
C
= 95°C
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R( RMS )
I
O
SB
1030F
30
21
SB
1040F
40
28
SB
1050F
50
35
10
SB
1060F
60
42
SB
SB
单位
1080F 10100F
80
56
100
70
V
V
A
非重复性峰值正向浪涌电流8.3ms
单半正弦波叠加在额定负荷
( JEDEC的方法)
正向电压
峰值反向电流
在额定阻断电压DC
典型结电容(注1 )
典型热阻结到外壳(注2 )
工作和存储温度范围
@I
F
= 10A
@T
A
= 25°C
@T
A
= 100°C
I
FSM
V
FM
I
RM
C
j
R
θJC
T
j
, T
英镑
0.55
150
0.75
0.5
50
700
3.5
-65到+150
0.85
A
V
mA
pF
K / W
°C
注:1,测得1.0 MHz和应用的4.0V直流反接电压
2.热阻结到外壳上安装散热片。
SB1020F - SB10100F
1作者:
3
2002韩元鼎好电子
10
40
8
I
F
, NSTANTANEOUS正向电流( A)
I
(AV)
,平均输出电流( A)
1020F - 1040F
20
6
1050F - 1060F
1080F - 10100F
4
10
2
单脉冲半波
60赫兹电阻或电感性负载
T
j
= 25C
脉冲宽度= 300
s
2 %的占空比
0
10
40
60
80
100
120
140150
0.1
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
F
,正向电压( V)
图。 2典型正向特性
T
L
,焊接温度( ° C)
图。 1正向电流降额曲线
150
2000
T
j
= 25C
F = 1MHz的
I
FSM
,峰值正向浪涌电流( A)
120
C
j
,电容(pF )
8.3ms单半正弦波
JEDEC的方法
90
1000
60
30
100
0
1
10
100
循环次数在60赫兹
图。 3最大非重复性峰值正向浪涌电流
0.1
1.0
10
100
V
R
,反向电压(V)的
图。 4典型结电容
SB1020F - SB10100F
2
of
3
2002韩元鼎好电子
订购信息
产品编号
SB1020F
SB1030F
SB1040F
SB1050F
SB1060F
SB1080F
SB10100F
套餐类型
ITO-220A
ITO-220A
ITO-220A
ITO-220A
ITO-220A
ITO-220A
ITO-220A
送货数量
50单位/管
50单位/管
50单位/管
50单位/管
50单位/管
50单位/管
50单位/管
鉴于航运量仅为最小包装量。最小订单
量,请咨询售楼部。
韩元鼎好电子有限公司( WTE )已仔细检查了所有的信息,并认为它是正确的,准确的。然而, WTE不承担任何
责任不准确。此外,这种信息不给半导体器件的购买者根据专利权的任何许可
制造商。 WTE保留此更改任何或所有信息,而无需另行通知的权利。
警告:
不要使用生命支持设备。垃圾发电功率半导体产品不授权在生活中使用的关键组件
支持设备或系统未经明确的书面批准。
韩元鼎好电子有限公司
44号谷喀嗯北三路,茅根陈DIST。 ,高雄,台湾
电话:
886-7-822-5408或886-7-822-5410
传真:
886-7-822-5417
电子邮件:
sales@wontop.com
互联网:
http://www.wontop.com
我们日常供电。
2002韩元鼎好电子
SB1020F - SB10100F
3 3
数据表
SB1020F~SB10100F
隔离
肖特基势垒整流器器
电压 - 20至100伏特,电流 - 10.0安培
特点
.112(2.85)
.100(2.55)
ITO-220AC
.272(6.9)
.248(6.3)
单位:英寸(毫米)
0.406 ( 10.3 )最大
.134(3.4)
.118(3.0)
.189(4.8)MAX
.130(3.3)MAX
塑料包装有保险商实验室
可燃性分类94V -O 。
阻燃环氧模塑料。
超过环境标准的
MIL-S-19500/228
低功耗,高效率。
低forwrd voltge ,高电流能力
高浪涌能力。
适用于低电压,高频率逆变器的使用
.606(15.4)
.583(14.8)
0.161 ( 4.1 ) MAX
.055 ( 1.4 ) MAX
.543(13.8)
.512(13.0)
续流和polarlity保护应用。
.114(2.9)
.098(2.5)
.032 ( 0.8 ) MAX
机械数据
案例: ITO - 220AC模压塑料
码头:焊接镀,每MIL -STD- 202方法208焊
极性:标示。
标准包装:任何
重量0.08盎司, 2.24克。
0.035 ( 0.9 ) MAX
.1
(2.55)
.1
(2.55)
最大额定值和电气特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。
对于容性负载,减免电流20 %
SB1020F SB1030F SB1040F SB1050F SB1060F
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流在Tc = 90℃
峰值正向浪涌电流,
8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
最大正向电压
在每个元素10.0A
最大直流反向电流(注1 )的Ta = 25℃
在额定阻断电压DC
Ta=100°C
典型热阻注RθJA
工作和存储温度范围T
J
0.55
0.5
50
60
-50至+125
20.0
14.0
20.0
30.0
21.0
30.0
40.0
28.0
40.0
50.0
35.0
50.0
10
150
60.0
42.0
60.0
SB1080F
80.0
56.0
80.0
SB10100F
100.0
70.0
100.0
单位
V
V
V
A
A
0.75
0.85
V
mA
° C / W
°C
注意事项:
1.热阻结到环境。
发布日期:
OCT.15.2002
PAGE 。 1
额定值和特性曲线
正向电流
安培
40
50,60V
20,30,40V
平均正向电流
25.0
20.0
15.0
10.0
5.0
0
0
10
8
6
4
2
1.0
.8
.6
.4
.2
.1
80,100V
T
J
= 25 C
脉冲宽度= 300
m
s
1 %占空比
O
50
100
150
.4
.5
.6
.7
.8
.9
1.0
1.1
外壳温度
O
C
正向电压,伏
FIG.1-正向电流降额曲线
瞬时反向电流, MILAMPERES
Fig.2-典型正向
特征
100
T
C
= 100
O
C
150
峰值正向浪涌电流,
10
120
110
90
70
50
30
20
10
1
2
5
10
T
C
= 75
O
C
1.0
8.3ms单
由于半波
JEDEC的方法
T
C
= 25
O
C
0.1
0.01
0
100
200
300
百分之峰值反向电压
20
50
100
NO 。周期在60Hz
Fig.3-典型的反向特性
Fig.4-最大非重复浪涌电流
400
电容,PF
350
T
J
= 25 C
O
300
250
200
150
0
1
2
5
10
20
50 100 200
500
反向电压,伏
FIG.5-典型结电容
发布日期:
OCT.15.2002
PAGE 。 2
SB1020F通SB10150F
肖特基势垒整流器
电压 - 20至150伏
电流 - 10安培
ITO-220AC
特点
肖特基芯片
保护环瞬态保护
高电流能力,低正向
低反向漏电流
高浪涌电流能力
塑料材料具有防火
分类科幻阳离子94V- 0
高温焊接260
o
C / 10秒在终端
无铅产品提供99 %以上的锡能满足RoHS指令
环境物质指令的要求
机械数据
案例ITO220AC模压塑料
终端镀铅焊元
MIL- STD- 202方法2026
极性对人体标示
安装位置任意
重量2.24克
标记:型号数量
最大RATIXGS及电气特性
单相半波60赫兹,电阻或电感性负载
对于容性负载,减免电流20 %
参数
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压DC Blocking Voltage
RMS反向电压
平均重复输出电流@T
C
=95
0
C
非重复性峰值正向浪涌电流8.3ms单半
正弦波Superimosed在额定负荷( JEDEC的方法)
正向电压@I
F
=10A
峰值反向电流@T
A
=25
0
C
额定阻断电压DC牛逼
A
=100
0
C
典型结电容(注1 )
工作和存储温度范围
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
RMS
I
F
I
FSM
V
F
I
RM
C
J
T
J
T
英镑
0.55
150
0.75
0.1
50
700
0.85
SB
1020F
SB
1030F
SB
1040F
SB
1050F
SB
1060F
SB
1080F
SB
10100F
SB
10150F
单位
安培
20
14
30
21
40
28
50
35
10
60
42
80
56
100
70
150
105
120
0.92
0.025
7
安培
mA
pF
0
-55到+150
C
1.测得1.0MHz和应用4.0V DC反向电压
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1
SB1020F通SB10150F
肖特基势垒整流器
额定值和特性曲线SB1020F THRU SB10150F
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2
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